OBJETIVOS:

 Verificar la acción rectificadora del diodo semiconductor.

 Mide las tensiones AC y DC en el secundario del transformador y en la resistencia
de carga.
 Observar en el osciloscopio la forma de onda de voltaje en el secundario del
transformador y en la resistencia de carga.

FUNDAMENTO TEÓRICO:
MATERIALES SEMICONDUCTORES:
Son materiales con conductividad media entre los conductores y los aislantes. En estos
materiales la banda prohibida es relativamente baja (aproximadamente 1 ev).
Se puede clasificar de la siguiente manera:
1.-SEMICONDUCTOR INTRINSECO:
Se dice que un semiconductor es intrínseco cuando se encuentra en estado puro, o sea,
que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En
ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al
atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conducción.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor
intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del
átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí
funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un
átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.
2.-SEMICONDUCTOR EXTRINSECO:
Los semiconductores extrínsecos se obtienen mediante un proceso conocido
como dopaje y que consiste en la introducción de impurezas (dopantes) de forma
controlada en semiconductores intrínsecos. En función del dopante utilizado se puede
obtener semiconductores tipo P (positivos) o semiconductores tipo N (negativos).
2.1.-SEMICONDUCTOR TIPO P:
En los semiconductores extrínsecos tipo P la situación es la contraria que en los tipos N.
Se utilizan elementos con menos valencias que los semiconductores intrínsecos de
partida. En el caso del Silicio se utilizan dopantes trivalentes, por ejemplo Boro. Se dice
que estos dopantes son aceptores de electrones, pues quedan huecos en la banda de
valencia dónde pueden saltar electrones que absorban energía en lugar de hacerlo a la
banda de conducción. Se genera un balance neto de cargas positivas (huecos) en la
banda de valencia superior a las cargas negativas (electrones) en la banda de
conducción.

2.2.-SEMICONDUCTOR TIPO N:
Los semiconductores extrínsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adición de
dopantes con más valencias que el semiconductor intrínseco de partida. En el caso del
silicio, que es tetravalente se utilizan dopantes pentavalentes, por ejemplo fósforo. En
cada átomo de fósforo quedará un electrón sin formar enlace. Este electrón puede saltar
a la banda de conducción pero no deja ningún hueco, por lo que se dice que estos
dopantes son donadores de electrones y quedarán más cargas negativas (electrones) en
la banda de conducción que positivas (huecos) en la banda de valencia.

DIODOS:
Es el resultado de la unión de un semiconductor tipo n y tipo p, además este permite el
paso de la corriente en una sola dirección.
FUNCIONES DEL DIODO
1.-RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA:
El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o
positiva, depende de cómo se conecte, de una señal de corriente alterna de entrada (Vi)
convirtiéndola en corriente directa de salida (V0).

A continuación se muestra mediante la siguiente figura el circuito más sencillo el cual

está formado por un diodo.

T1 D1
DIODE
R1
1k

2.- RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA:

Es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en
corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda,
en este caso, la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva
de la señal se convertirá en negativa, según se necesite una señal positiva o negativa de
corriente continua.
Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro. Para la
presente experiencia utilizaremos cuatro diodos.
Puente rectificador de onda completa
En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. Al igual que antes,
sólo son posibles dos estados de conducción, o bien los diodos 1 y 3 están en directa y
conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran
en inversa y conducen (tensión negativa).
La tensión inversa de pico (PIV), en el rectificador de onda completa tipo puente es de
Vp (Voltaje pico del secundario del transformador).
 T1

D3 D1

R1
D2 D4 1k

ANALISIS DEL CIRCUITO (DIODO IDEAL):

Los diodos ideales, permiten el paso de toda la corriente en una única dirección, la
correspondiente a la polarización directa y no conducen cuando se polarizan
inversamente, además su voltaje es positivo.
POLARIZACION DIRECTA (Vi>0)
En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción, provocando una
caída de potencial que suele ser de 0,7 V. Este voltaje de 0,7 V se debe a que usualmente
se utilizan diodos de silicio. En el caso del germanio, que es el segundo más usado, la
caída de potencial es de 0,3 V.
Vo = Vi - VD → Vo = Vi - 0,7
POLARIZACION INVERSA (Vi<0)
En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La tensión de salida es
igual a la tensión de entrada, y la intensidad de la corriente es nula:
Vo = Vi
I=0

RECOMENDACIONES:
 Se recomienda revisar el transformador asignado y verificar que funcione
correctamente, si está funcionando mal no obtendremos un voltaje de salida de
12 V y la onda en el osciloscopio no será el de una onda rectificada.
 Es recomendable hacer uso de fotografías respecto de la gráfica y datos
obtenidos del osciloscopio ya que esta será la referencia más cercana para el
cálculo de los demás parámetros.
OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:
1. Cabe resaltar que en las lecturas AC en ambos experimentos se repite el mismo
patrón ya que el voltaje eficaz para el circuito de medio onda es
aproximadamente 6.44 V ya que al comparar con los valores obtenidos en el
multímetro se obtiene un cierto porcentaje de error. Este porcentaje puede ser
justificado por la resistencia interno del instrumento usado y también por haber
despreciado las resistencias internas de los diodos y del transformador.
2. Para el caso de onda completa se obtiene cierto porcentaje de error que nos
indica que es semejante al valor esperado. Esto puede ser justificado por las
razones descritas anteriormente.
3. Al medir con el multímetro en la salida del secundario del transformador
obtuvimos valores muy cercanos a los 12V, debido a esto la gráfica de media
onda rectificada en el osciloscopio se asemeja a lo esperado, pero si en el
secundario hubiésemos obtenido valores muy distantes de 12V esto no hubiese
ocurrido.
4. Es necesario alimentar el circuito con la adecuada cantidad de voltaje para que
podamos obtener mejores resultados.