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Departamento de Ingeniería Electrónica y Automática
Cargador de baterías basado en un

circuito de bypass activo
TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial en Electrónica Industrial
AUTOR: Ramiro García Erice

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
Septiembre / 2014.
Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
Agradecimientos
A Pamela Gismondi por todo su apoyo.

A Roberto Giral, por su dedicación, ayuda y paciencia.
A Daniel González Montoya por su colaboración.
A Josep Mª Bosque y al resto de miembros del GAEI por sus aportes.
1
Índice:
1. Memoria descriptiva.................................................................................................... 7
1.1. Objetivo del proyecto ................................................................................................ 8
1.2. El panel fotovoltaico .................................................................................................. 8
1.2.1. Introducción ..................................................................................................... 8
1.2.2. Definición ........................................................................................................ 8
1.2.3. Tipos de conexión entre las células ................................................................. 9
1.2.3.1. Conexión serie .......................................................................................... 9
1.2.3.2. Conexión paralelo .................................................................................... 9
1.2.4. Curva I-V ....................................................................................................... 10
1.2.5. Curva P-V ...................................................................................................... 11
1.2.6. Esquema de la célula fotovoltaica ................................................................. 12
1.2.7. Consecuencias del sombreado en los paneles PV. Puntos calientes.............. 13
1.2.8. Diodos de bypass ........................................................................................... 13
1.2.9. Seguimiento del punto de máxima potencia: MPPT ..................................... 14
1.3. Panel fotovoltaico BP585 ........................................................................................ 15
1.4. Emulador de paneles fotovoltaicos .......................................................................... 17
1.4.1. Introducción ................................................................................................... 17
1.4.2. Breve principio de funcionamiento de circuito de ajuste .............................. 17
1.4.2.1. Ajuste de la corriente de cortocircuito ISC .............................................. 19
1.4.2.2. Ajuste de la tensión de circuito abierto VOC .......................................... 19
1.5. “Minimizing the effects of shadowing in a PV module by means of active voltage
sharing”................................................................................................................................ 20
1.5.1. Introducción ................................................................................................... 20
1.5.2. Problemática del uso del diodo de bypass en sistemas MPPT ...................... 21
1.5.3. Bypass activo ................................................................................................. 22
1.5.4. Control ........................................................................................................... 24
1.5.5. Conclusiones.................................................................................................. 25
1.6. Batería ...................................................................................................................... 25
1.6.1. Etapas de carga .............................................................................................. 25
1.6.2. Batería seleccionada ...................................................................................... 26
1.7. Convertidores CC-CC .............................................................................................. 26
1.7.1. Introducción ................................................................................................... 26
1.7.2. Convertidor Buck .......................................................................................... 26
1.7.3. Convertidor Boost ......................................................................................... 28
1.8. Control en modo deslizamiento ............................................................................... 30
1.9. Etapa de potencia ..................................................................................................... 31
2
Índice - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
1.9.1. Introducción ................................................................................................... 31

1.9.2. Configuraciones ............................................................................................. 33
1.9.2.1. Configuración Buck ............................................................................... 34
1.9.2.2. Configuración Boost .............................................................................. 34
1.9.3. Elementos principales .................................................................................... 35
1.9.3.1. Condensadores de entrada y salida......................................................... 35
1.9.3.2. Inductores ............................................................................................... 35
1.9.3.3. Diodos .................................................................................................... 37
1.9.3.4. Filtro de amortiguamiento ...................................................................... 37
1.9.3.5. MOSFETs............................................................................................... 38
1.9.3.6. Circuito de alimentación y masa virtual ................................................. 39
1.9.3.7. Driver ..................................................................................................... 40
1.9.3.8. Sensores de corriente .............................................................................. 41
1.10. Etapa de control ....................................................................................................... 42
1.10.1. Lazo de tensión .......................................................................................... 43
1.10.2. Lazo de corriente ....................................................................................... 45
1.10.2.1. Circuito restador del lazo de corriente ................................................... 46
1.10.2.2. Circuito inversor del lazo de corriente ................................................... 46
1.10.2.3. Comparador con histéresis ..................................................................... 47
1.11. Sistema MPPT ......................................................................................................... 48
1.11.1. Diseño del sistema MPPT .......................................................................... 48
1.11.2. Programación del microcontrolador .......................................................... 49
2. Memoria de cálculo ................................................................................................... 51
2.1. Buck y Boost............................................................................................................ 52
2.1.1. Buck ............................................................................................................... 52
2.1.2. Boost .............................................................................................................. 52
2.2. Cálculo para el cable utilizado en el diseño de la bobina de 33 μH ........................ 53
2.3. Cálculo de parámetros a partir de diversas medidas en el convertidor.................... 53
2.4. Cálculo de la salida del sensor de corriente ............................................................. 54
3. Simulaciones ............................................................................................................... 56
3.1. Introducción ............................................................................................................. 57
3.2. Lazo abierto ............................................................................................................. 57
3.2.1. Buck ............................................................................................................... 57
3.2.2. Boost .............................................................................................................. 58
3.3. Lazo de corriente cerrado ........................................................................................ 59
3.3.1. Buck ............................................................................................................... 59
3.3.2. Boost .............................................................................................................. 60
3
3.4. Lazo de tensión cerrado ........................................................................................... 60

3.4.1. Buck ............................................................................................................... 61
3.4.2. Boost .............................................................................................................. 61
3.5. Buck-Boost cargando batería ................................................................................... 62
3.6. Buck-Boost con MPPT ............................................................................................ 63
4. Resultados experimentales ........................................................................................ 66
4.1. Introducción ............................................................................................................. 67
4.2. Convertidor Buck y convertidor Boost .................................................................... 67
4.2.1. Sistema en lazo abierto .................................................................................. 68
4.2.1.1. Buck ....................................................................................................... 68
4.2.1.2. Boost....................................................................................................... 70
4.2.2. Sistema con lazo de corriente cerrado ........................................................... 72
4.2.2.1. Buck ....................................................................................................... 72
4.2.2.2. Boost....................................................................................................... 74
4.2.3. Sistema con lazo de tensión cerrado .............................................................. 76
4.2.3.1. Buck ....................................................................................................... 76
4.2.3.2. Boost....................................................................................................... 77
4.3. Circuito microcontrolador de MPPT ....................................................................... 78
4.3.1. Comprobación de entradas y salidas del circuito .......................................... 79
4.4. Emulador de paneles fotovoltaicos .......................................................................... 80
4.4.1. Ajuste manual de la curva I-V del emulador ................................................. 80
4.4.2. Caracterización de la curva I-V ..................................................................... 80
4.4.3. Obtención de la curva P-V............................................................................. 83
4.4.3.1. Ensayo con ISC iguales en cada módulo ................................................. 83
4.4.3.2. Ensayo para la ISC de cada módulo diferente ......................................... 86
4.4.3.3. Conclusiones .......................................................................................... 89
4.5. Panel solar ................................................................................................................ 89
4.5.1. Introducción ................................................................................................... 89
4.5.2. Caracterización de la curva I-V ..................................................................... 90
4.5.2.1. Curva característica I-V sin sombreado ................................................. 90
4.5.2.2. Curva característica I-V para sombreado fijo ........................................ 92
4.5.2.3. Curva característica con sombreado I-V variable .................................. 93
4.5.3. Obtención de la curva P-V............................................................................. 94
4.5.3.1. Día soleado sin sombreado sobre el panel PV ....................................... 95
4.5.3.2. Día prácticamente soleado con sombreado en una de las secciones ...... 98
4.5.4. Respuesta transitoria .................................................................................... 102
4.5.4.1. Tiempo de respuesta con perturbación electrónica .............................. 102
4
4.5.4.2. Tiempo de respuesta con perturbación mecánica ................................. 103

4.5.5. Carga de una batería .................................................................................... 103
4.5.5.1. Introducción ......................................................................................... 103
4.5.5.2. Circuito para la comparación de las corrientes de carga de la batería . 104
4.5.5.3. Corriente de salida del convertidor sin MPPT y del panel PV2........... 105
4.5.5.4. Corriente de salida del convertidor con MPPT y del panel PV2 ......... 108
5. Conclusiones ............................................................................................................. 111
6. Planos ........................................................................................................................ 114
6.1. Relación de planos ................................................................................................. 115
7. Presupuesto .............................................................................................................. 128
7.1. Amidamientos ........................................................................................................ 129
7.1.1. Capítulo 1 – Placa de potencia .................................................................... 129
7.1.2. Capítulo 2 – Placa de control....................................................................... 130
7.1.3. Capítulo 3 – Placa de control MPPT con PIC .............................................. 130
7.1.4. Capítulo 4 – Otros accesorios ...................................................................... 131
7.2. Precios unitarios..................................................................................................... 132
7.2.3. Capítulo 3 – Placa de control MPPT con PIC .............................................. 133
7.3. Aplicación de precios ............................................................................................ 134
7.3.3. Capítulo 3 – Placa de control MPPT con PIC ............................................. 136
7.4. Resumen del presupuesto ...................................................................................... 136
7.4.1. Presupuesto de ejecución material ............................................................... 136
7.4.2. Presupuesto de ejecución por contrata......................................................... 136
7.4.3. Presupuesto global ....................................................................................... 137
8. Bibliografía ............................................................................................................... 138
9. Anexos ....................................................................................................................... 140
9.1. Código MPPT.C .................................................................................................... 141
5
Abreviaturas
D Duty Cycle (ciclo de trabajo)
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers
MLCC Multilayer Ceramic Capacitor
MPP Maximum Power Point
MPPT Maximum Power Point Tracking
PI Control Proporcional Integral
PV Photovoltaic
SPI Serial Peripheral Interface
6
1. Memoria descriptiva
7
1. Memoria descriptiva - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
1.1. Objetivo del proyecto
El objetivo planteado en el presente proyecto consiste en la adaptación, ampliación y

reconstrucción del proyecto “Convertidor de Bypass para un Panel Solar BP585” presentado
por José Mª Romero Martínez basado en la idea inicial descrita de manera teórica en la
publicación “Minimizing the effects of shadowing in a PV module by means of active voltage
sharing” aceptada y publicada por la asociación técnico-profesonal IEEE (Institute of
Electrical and Electronics Engineers) en la cual se proponía la idea de un circuito que
posibilita extraer más potencia de un módulo PV cuando se produce un sombreado en alguna
de sus secciones.
El circuito inicial es un convertidor Buck-Boost bidireccional, capaz de minimizar los

efectos de sombreado en un panel a través de un control de corriente que intenta igualar las
tensiones de entrada de cada una de las dos secciones de un panel PV utilizando un ciclo de
trabajo fijo del 50 %. A dicho circuito le añadiremos la posibilidad de variar el ciclo de
trabajo con un microcontrolador para realizar un seguimiento del punto de máxima potencia
(MPPT), que actuará a su vez sobre las tensiones de entrada buscando el punto de trabajo
donde se obtenga la máxima corriente de salida.
Una vez diseñado y fabricado el prototipo del circuito, se utilizará el panel BP585 p a r a
cargar durante un tiempo una batería de 12 V y 47 Ah, en diferentes situaciones de
sombreado y comparar los resultados frente a los datos conseguidos con el uso convencional
de los diodos de bypass y con el convertidor funcionando con un ciclo de trabajo del 50 %
para así ver la viabilidad de su implementación.
Nos introduciremos explicado una serie de conceptos básicos sobre los elementos y técnicas
utilizadas en el desarrollo del proyecto hasta llegar a la simulación y desarrollo.
1.2. El panel fotovoltaico
1.2.1. Introducción
Para mayor comprensión de este proyecto es importante entender el funcionamiento de los

módulos fotovoltaicos y el resultado de la utilización de diferentes técnicas de conexión.
1.2.2. Definición
La energía solar fotovoltaica es, junto a la energía solar térmica, la principal vía para el
aprovechamiento de los rayos del sol. Consiste en transformar de manera directa la
energía luminosa (fotones) en energía electica (flujo de electrones libre) utilizando láminas
semiconductoras llamadas células fotovoltaicas, cuya eficiencia media actualmente para las
células disponibles comercialmente es inferior al 30%.
Un panel o módulo fotovoltaico es un conjunto de células fotovoltaicas conectadas

eléctricamente, que según las técnicas utilizadas conseguirán producir una energía eléctrica
de una corriente y tensión determinadas.
8
Figura 1.2.1. [14] Células PV conectadas eléctricamente en serie
1.2.3. Tipos de conexión entre las células
Dependiendo de la estructura utilizada para la interconexión de las células entre sí, se podrá
obtener un aumento en la tensión o en la corriente generada por el conjunto.
1.2.3.1. Conexión serie
En esta conexión, la tensión total de circuito abierto corresponderá a la suma de la tensiones

de circuito abierto de las n células que forman parte del circuito. Comercialmente, las células
fotovoltaicas están conectadas en esta configuración.
V OC =V cell . n (1.2.1)
Figura 1.2.2. Conexión serie de células fotovoltaicas.
1.2.3.2. Conexión paralelo
Al realizar una conexión en paralelo el resultado que se obtiene es la suma de las corrientes
de cortocircuito de cada célula en los nodos de conexión.
I SC = I cell . m (1.2.2)
9
Figura 1.2.3. Conexión paralelo de células fotovoltaicas.
1.2.4. Curva I-V
La curva característica I-V de un módulo PV nos permite conocer los valores de corriente y
tensión que puede proporcionar el panel. En esta curva podemos apreciar varios parámetros
que la definen, los cuales se explican a continuación:
Corriente de cortocircuito (ISC): Es el valor máximo de corriente que se obtiene de un

panel fotovoltaico bajo las condiciones estándar de medición (CEM) al cortocircuitar la
salida del módulo (V=0V).
Tensión de circuito abierto (VO C ): Es el valor máximo de tensión que se obtiene de un

panel fotovoltaico bajo las condiciones CEM. En estas condiciones no hay conexiones en
los bornes del panel y la corriente de salida es nula (I=0A).
Punto de máxima potencia (Maximum Power Point - MPP): E s la máxima potencia que
es capaz de generar un panel fotovoltaico bajo unas condiciones de trabajo determinadas,
donde el producto de la tensión y la corriente que lo definen es el más grande (PMAX =
IMAX ⋅ VMAX).
Corriente en el punto de máxima potencia (IMAX): Es el nivel de corriente que corresponde a

PMAX.
Tensión en el punto de máxima potencia (VMAX): Es el nivel de tensión que corresponde a

PMAX.
10
Figura 1.2.4. Curva I-V de un módulo fotovoltaico.
1.2.5. Curva P-V
En la curva potencia-tensión (P-V) de un módulo fotovoltaico el eje vertical es la

resultante del producto entre la tensión y la corriente de cada punto de la curva I-V. La
figura 1.2.5 muestra la superposición entre la curva I-V y la curva P-V. Naturalmente el
MPP en la curva de potencia está situado en el punto máximo de la curva, en este caso es
más fácil apreciar la relación entre el MPP (PMAX), la corriente IMAX y la tensión VMAX.
Figura 1.2.5. Superposición de las curvas P-V e I-V.
11
1.2.6. Esquema de la célula fotovoltaica
De forma ideal una célula fotovoltaica puede representarse como el circuito equivalente
formado por una fuente de corriente en paralelo con un diodo y una resistencia Rp y con una
resistencia en serie Rs.
Figura 1.2.6. [10] Circuito equivalente de una célula fotovoltaica.
Se puede definir cada uno de los elementos del circuito y sus efectos sobre la curva I-V
resultante de la siguiente forma:
IL: Corriente fotogenerada. Es la corriente generada como consecuencia de la generación de

portadores en la iluminación.
D: El diodo representa la unión p-n y la corriente que a través del mismo es la corriente en
oscuridad debido a la recombinación de portadores.
RS: Resistencia en serie. Es la resistencia ocasionada en la base, los electrodos y los contactos
entre estos y el semiconductor. De forma ideal esta resistencia es nula. El efecto del
incremento de esta resistencia es una disminución en el factor de forma de la célula. La parte
de la curva I-V más afectada por el incremento de la RS es la comprendida entre el MPP y el
punto de tensión de circuito abierto.
RP: Resistencia paralelo o shunt. Esta resistencia es idealmente infinita. La RP baja suele
tener su origen en defectos de fabricación y ofrece un camino alternativo para la corriente
fotogenerada reduciendo el voltaje de la célula. Un menor valor de la RP repercute en una
reducción del factor de forma de la célula y su eficiencia, afectando mayormente la pendiente
de la curva IV en el punto de cortocircuito. Su impacto es aún mayor cuando la célula trabaja
poco irradiada.
Figura 1.2.7. [10] Efectos de RS y RP sobre la curva IV respectivamente
12
1.2.7. Consecuencias del sombreado en los paneles PV. Puntos calientes
En un módulo formado por células fotovoltaicas conectadas en serie un pequeño sombreado

incluso en una sola celda tendrá una significativa repercusión en la potencia de salida del
módulo completo.
Figura 1.2.7. Efecto del sombreado de una célula en el rendimiento de un módulo fotovoltaico.
El sombreado en una célula puede provocar un voltaje inverso en la misma, comportándose

como una carga y consumiendo la potencia generada por las demás células en serie. La célula
sombreada producirá un calentamiento indeseado por efecto Joule, este efecto, llamado
punto caliente, será mayor cuando mayor sea el sombreado sobre la célula y también lo sea
la radiación incidente sobre las demás. Este efecto podría producir un daño irreversible a la
célula por sobrecalentamiento.
1.2.8. Diodos de bypass
Cuando una célula que conforma una asociación en serie recibe menor radiación solar
(sombra) que las demás del conjunto se ve obligada a polarizarse con tensión negativa para
poder conducir la corriente del conjunto y por tanto comienza a comportarse como una carga,
disipando potencias que podrían dañar irreversiblemente a la célula por calentamiento. Este
efecto también conlleva una reducción en la tensión total del conjunto, pudiendo en algún
caso incluso hacerla negativa. Una solución a este problema es añadir un camino alternativo
a la corriente mediante diodos de bypass
Figura 1.2.8. Diodos de bypass.
13
Si se conectan los diodos con la polaridad opuesta al grupo de celdas en serie que protege,
al sombrearse una de las celdas que conforma el grupo, esta polarizará el grupo inversamente
y al mismo tiempo al diodo directamente proporcionando así un camino alternativo para la
corriente generada por los demás grupos y limitando la caída de tensión de todo el conjunto.
Finalmente la potencia disipada por la célula sombreada será la generada solo por el grupo
del que forma parte, consiguiendo así una protección contra daños por calentamiento.
Figura 1.2.9. Curvas I-V con y sin los diodos de bypass.
La figura 1.2.9 compara los resultados obtenidos con un panel de 36 células similar al panel
BP585 que se utilizará en los ensayos del presente proyecto. En este caso se compara los
efectos del sombreado si se decide implementar 2 diodos de bypass, conectando uno cada
18 células.
La curva de color rojo representa el comportamiento del panel cuando no existe ningún
sombreado. La curva de color azul corresponde al de un sombreado parcial en una de sus
secciones cuando no se dispone de diodos de bypass. Como se puede ver, la corriente ha
disminuido drásticamente, lo cual repercute de forma importante en la potencia total
extraída del módulo.
Finalmente, la última curva ilustra el resultado obtenido con el mismo sombreado parcial
anterior, usando diodos de bypass. En este caso, debido a la polarización directa del diodo
de la sección afectada, las células no sombreadas fuerzan a las de baja radiación a una
corriente máxima bajo las condiciones de cortocircuito.
1.2.9. Seguimiento del punto de máxima potencia: MPPT
De forma generalizada, el MPPT (Maximum Power Point Tracking) consiste en la búsqueda

del punto de trabajo donde se consigue extraer el máximo rendimiento a una instalación
fotovoltaica para una determinada situación de radiación solar. De esta manera se consigue
extraer de los módulos fotovoltaicos la máxima potencia. En este proyecto se implementará
un sistema electrónico integrado a un convertidor, que mediante la modificación del ciclo de
trabajo del convertidor desplazará el punto de operación de los módulos mejorando así su
rendimiento.
14
El ejemplo de la figura 1.2.10 muestra la curva de potencia de un módulo PV para

distintas condiciones de radiación solar sin emplear un controlador MPPT. Partiendo de
unos niveles en los cuales se extrae prácticamente la máxima potencia posible, se puede
apreciar que, al aumentar la radiación, el punto máximo que puede obtenerse en bornes de
la batería conectada a la salida se aleja del MPP real del panel.
Figura 1.2.10. Curvas P-V sin controlador MPPT para diferentes radiaciones.
En la figura 1.2.11, sin embargo, se distingue que, utilizando un MPPT integrado en un

convertidor a la salida del módulo para un valor de radiación más alto, el sistema realiza un
seguimiento del punto máximo de la potencia. Vi corresponde a la tensión de salida del
módulo fotovoltaico.
Figura 1.2.11. Curvas P-V con controlador MPPT para diferentes radiaciones.
1.3. Panel fotovoltaico BP585
Para el desarrollo de este proyecto se utilizó el panel fotovoltaico BP585, el cual se compone
por dos grupos de 18 células fotovoltaicas de silicio monocristalino, fabricadas a través de
tecnología SATURNO (tecnología de contactos enterrados por láser). Las células que
conforman el módulo son pseudocuadradas midiendo 125 mm de lado y están configuradas
en serie.
15
Figura 1.3.1. Diagrama de interconexión del panel BP585.
Las principales características eléctricas del módulo BP585 las muestra la siguiente tabla.
Características eléctricas BP 585

Potencia máxima nominal (PMAX) 85 W
Tensión en PMAX (VMP) 18 V
Corriente en PMAX (IMP) 4,72 A
Corriente de cortocircuito (ISC) 5A
Tensión en circuito abierto (VOC) 22,1 V
Máxima desviación de potencia ±5 %
Máximo tensión del sistema 600 V
Desviación por ºT (W) -(0.5 ± 0.05) % /ºC
Tabla 1.3.1. Características eléctricas del módulo BP585.
La curva I-V característica de cada módulo puede verse afectada, entre otros factores, por
las condiciones ambientales (temperatura, radiación,…). En la siguiente imagen se muestra
la curva característica del módulo PV considerando diferentes temperaturas.
Figura 1.3.2. Curvas I-V para diferentes temperaturas.
16
1.4. Emulador de paneles fotovoltaicos
El emulador de paneles fotovoltaicos en un dispositivo que nos permite simular los dos
grupos de 18 células del panel fotovoltaico (medio panel) y su comportamiento con niveles
de sombreado distintos para cada sección. Gracias a esta herramienta se pueden realizar
pruebas experimentales de una forma sencilla y rápida representando distintas condiciones
de sombreado y poder así comprobar el comportamiento que tendrá el convertidor trabajando
con el panel solar.
Figura 1.4.1. Emulador de paneles solares.
El prototipo utilizado consta de dos módulos, cada uno de los cuales se utilizó para
emular cada sección de 18 células del panel PV BP585 y conectándolos en serie entre sí.
1.4.2. Breve principio de funcionamiento de circuito de ajuste
De manera conceptual podría describirse el emulador de paneles como una fuente de

corriente controlada por tensión. Si conectásemos a la salida una carga activa trabajando
como una fuente de tensión, de corriente, o como carga resistiva podríamos barrer la curva
característica I-V resultante del emulador. La figura 1.4.2. describe el circuito de ajuste que
controla dicha corriente.
17
Figura 1.4.2. [2] Circuito de ajuste de un módulo del emulador.
La tensión Vo, correspondiente a la salida del circuito genérico del emulador, determina el
valor de la tensión de referencia IREF, la cual es proporcional a la corriente IX. También
podemos determinar que la corriente IX es la diferencia entre las corrientes IF y la corriente
ID es la que pasa a través de los 6 diodos. Teniendo en cuenta IF depende de la polarización
del transistor y de R7 podemos concluir que la corriente IF es un valor constante por lo que
la función IX = f (Vo) tomará la forma de la característica de los diodos, con la corriente
cambiada de signo. De este modo se consigue la curva I-V del panel solar.
Figura 1.4.3. [2] Obtención de la característica de la curva del panel solar.
18
1.4.2.1. Ajuste de la corriente de cortocircuito ISC
De lo expuesto anteriormente entendemos que la corriente de cortocircuito de la curva I-V

(ISC) está determinada por la corriente IF, por lo que la parte del circuito encargada de su
ajuste podría modelarse como la fuente de corriente que corresponde a la figura 1.4.4.
Figura 1.4.4. Circuito de ajuste de la corriente Isc.
Analizando el circuito, y teniendo en cuenta que Z1 solo interviene por seguridad para limitar
la IE máxima, las expresiones que definen las diferentes corrientes del transistor son las
siguientes:
@ 15V @ I E A R7 @V BE @ I B A R6 = 0 (1.4.1)
X Y
\I = β A IB ]
f
f
fIf
f
ff
f
ff
f
ff
ff
f
C
[ I B = E , β>>0
ZI
E = I C + I B
[ β + 1
(1.4.2)
Se recordamos que IX = IF − ID significa que podemos establecer una corriente de

cortocircuito determinada modificando la corriente de colector del transistor bipolar. A partir
de las ecuaciones (1.4.1) y (1.4.2), se obtiene una expresión de IC cuya variables
independientes son dos resistencias:
IC ≈ I E = f
@f
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
15Vf
f
ff
ff
f
ff
f
f
@Vf
ff
ff
ff
ff
ff
f
f
EBf
f
ff
f
f
f
Rf
f
ff
f
6f
f
ff
f
ff
f
R7 +
β+1 (1.4.3)
Si tenemos en cuenta, entre otras cosas, la presencia de Z1 llegamos a la conclusión de que

la forma más conveniente de ajustar la corriente ISC es a través de R7. Para ajustar fácilmente
R7 disponemos de un potenciómetro conectado en serie con una resistencia.
1.4.2.2. Ajuste de la tensión de circuito abierto VOC
De un modo similar podemos ajustar VOC utilizando la parte de circuito general que ilustra
la figura 1.4.5.
19
Figura 1.4.5. Circuito de ajuste de la tensión Voc.
Analizando el diseño del circuito obtenemos las siguientes ecuaciones:
V O @ n AV D + V BE =V A
V A =V O A f
ff
ff
f
f
Rf
f
ff
4f
f
ff
f
ff
f
ff
ff
R4 + R5
[ V O @V O A f f
ff
ff
f
ff
f
f4f
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
R
= n AV D @V BE
R4 + R 5
h i
b c Rf
f
ff
f
ff
[ V O = n A V D @ V BE Aj1 + 4 k
R5
(1.4.4)
De modo que variando la relación entre las resistencias se podrá ajustar el valor de VOC. Para
este fin se dispone de un potenciómetro que corresponderá a R5.
1.5. “Minimizing the effects of shadowing in a PV module by means of active

voltage sharing”
El objetivo final de este proyecto es implementar el circuito convertidor propuesto en el

artículo “Minimizing the effects of shadowing in a PV module by means of active voltage
sharing”, en el cual se plantean las ventajas de la utilización de un bypass activo que iguala
las tensiones de las secciones de un PV trabajando con un ciclo de trabajo del 50 %, y al
mismo tiempo añadir un sistema MPPT auxiliar que optimice dicho ciclo de trabajo para la
obtención de la máxima potencia durante el proceso de carga de una batería. A continuación
describiremos los principales aspectos que se han tenido en cuenta para el desarrollo físico
del bypass activo.
Tanto la explicación teórica del artículo como los resultados obtenidos mediante
simulaciones con PSIM han sido basados en la posibilidad de conexión de un controlador
20
MPPT a la salida del circuito propuesto, obteniendo en algunos casos un 40 % más de

potencia extraída que si se empleasen los diodos de bypass comunes.
1.5.2. Problemática del uso del diodo de bypass en sistemas MPPT
Mientas que en la actualidad aún se comercializan paneles sin diodos de bypass, algunos
fabricantes incluyen hasta seis diodos de bypass para evitar puntos calientes. Esta técnica
coexiste con otras soluciones para hacer frente a los problemas de sombreado en los módulos
fotovoltaicos. Este es el caso de los convertidores MPPT (CC-AC y CC-CC) y los típicos
diodos de bypass.
Figura 1.5.1. [1] Módulo fotovoltaico con diodos de bypass conectado a un convertidor MPPT.
En la figura anterior se puede ver la configuración típica en la cual dos diodos dividen un
módulo fotovoltaico en dos grupos menores de celdas iguales conectadas en serie a un
convertidor MPPT asociado al panel genérico. Si se produce un sombreado en alguna de las
secciones el diodo conectado a dicha secciones se polarizara en directo y su tensión decrecerá
hasta punto que la sección afectada no generará potencia eléctrica.
La problemática más significativa en la utilización de diodos de bypass es una curva de

potencia P-V con múltiples picos, lo que podría conducir a que el controlador MPPT
asociado al convertidor se confundiese estableciendo el punto de trabajo del sistema en uno
de los picos que no corresponde al más óptimo.
La figura 1.5.2 es el resultado de exponer bajo diferentes condiciones de sombreado al

módulo fotovoltaico BP585 con diodos de bypass. Efectivamente cuando las condiciones de
sombreado son diferentes, y por tanto la potencia generada por cada sección también lo es,
se obtienen diversos picos en la curva P-V. Dicho efecto podría provocar que el controlador
MPPT trabaje en un punto de operación equivocado, pero en cualquier caso parte de la
potencia disponible en una de las secciones del módulo se desaprovechará.
Una posible solución al problema podría ser la colocación un microconvertidor en cada

sección delimitada por los diodos de bypass, por otro lado su implementación conllevaría un
aumento de complejidad y costes económicos que podrían llegar a ser realmente
significativos.
21
Figura 1.5.2. [1] Curvas de potencia usando diodos de bypass bajo distintas condiciones de sombreado.
1.5.3. Bypass activo
Para solucionar la problemática descrita en el apartado anterior haremos uso de un bypass

activo. En la figura 1.5.3 puede verse su circuito genérico.
Figura 1.5.3. [1] Esquema del circuito del bypass activo.
Los parámetros u1 y u2 corresponden a las señales de control de los MOSFET. Naturalmente

estas señales deben evitar que sus correspondientes transistores asociados conduzcan al
mismo tiempo, por lo que cuando uno de ellos esté en ON, el otro permanecerá en OFF.
La implementación de este sistema eliminará los múltiples máximos que se obtenían en la

curva P-V con los diodos de bypass dejando un único punto máximo, lo cual permitirá que
el controlador MPPT sea capaz de rastrearlo sin ningún tipo de problema.
En la siguiente figura se muestran diferentes curvas de potencia para una radiación en la

primera sección S1 = 0,94 y en la segunda sección S2 = 0,4, empleando diodos de bypass
comunes frente a la solución de bypass activo trabajando con diferentes ciclos de trabajo “D”
que determinan el tiempo de conmutación de los transistores.
22
Figura 1.5.4. [1] Curvas de potencia con bypass activo bajo diferentes condiciones de sombreado.
Podemos apreciar, como comentamos anteriormente, que bajo condiciones de sombreado

diferente en cada sección la solución del diodo de bypass tiene dos puntos máximos de
potencia, en estas condiciones mencionadas el mayor de 39,84 W y 9,14 V. En
contraposición se aprecia que con la solución del bypass activo se tiene un único punto
máximo para cada uno de los “duty cycles” estudiados. Bajo las condiciones de sombreado
especificadas el MPP optimo se obtiene con un ciclo de trabajo D=0,516, PS=55,67 W,
VS=17,71 V, siendo D=0,5 una buena aproximación del más óptimo, donde el MPP es de
55,30 W y 17,82 V y la tensión es igual para ambos módulos fotovoltaicos. Con un
controlador MPPT externo que maximiza la extracción de la potencia cada módulo PV está
operando alrededor de un MPP individual.
La tabla 1.5.1 compara, en términos de potencia y tensión máximos, los MPP obtenidos con
el bypass activo, con un “duty cycle” del 50 %, frente a los diodos de bypass para diferentes
situaciones de sombreado.
Tabla 1.5.1. [1] Comparación PMAX y VMAX para diodos de bypass frente al bypass activo (D=0,5).
Si comparamos los valores de la tabla es claramente visible que la utilización del bypass
activo permite extraer más potencia de los módulos PV. Otra ventaja es que proporciona una
tensión no dispersa en el punto de operación, lo que favorece al sistema externo MPPT.
23
Las condiciones de operación, definidas por D=0,5, en las cuales proporciona una potencia
de extracción satisfactoria en unas condiciones no coincidentes de las secciones, tal como
muestra la tabla 1.5.1, pueden ser expresadas en los siguientes términos:
V 1 =V 2 = f
Vf
ff
Sf
f
ff
2 (1.5.1)
1.5.4. Control
La estructura propuesta del bypass activo de la figura 1.5.3, puede ser controlada mediante
diferentes vías y tipos de control, tales como PWM, modo deslizamiento, implementación
digital o analógica, lazo abierto o cerrado, etc. Con respecto al objetivo de control, en la
figura 1.5.4 se puede advertir que igualando las tensiones V1 y V2 utilizando un ciclo de
trabajo del 50 %, para unos determinados niveles de sombreado e radiación, puede extraerse
un valor de potencia cercano al máximo.
Un mecanismo sencillo sería generar una señal de control con ciclo de trabajo del 50 %
utilizando un oscilador externo y aplicarla directamente a los interruptores. Por otro lado el
utilizar este método de lazo abierto, sin ninguna variable que se retroalimente, podría originar
una respuesta transitoria lenta. Si también se tuviesen en cuenta las pérdidas en el sistema,
el resultado de la regulación podría no ser tan bueno como se desearía.
Considerando lo antes mencionado, un buen diseño del controlador en lazo cerrado, que
considere la retroalimentación de las tensiones del módulo fotovoltaico (tensiones en los
condensadores), permitirá una mejor regulación y respuesta transitoria.
Hay que tener en cuenta que para el caso en que cada una de las secciones del panel PV (S1
= S2) reciban la misma radiación, la utilización del bypass activo frente al uso de los diodos
de bypass no representa ninguna mejora. En estos casos es conveniente desactivar el sistema
y de este modo evitar pérdidas de conmutación en los transistores que repercutirían de
manera negativa en la extracción final de potencia. Si se detecta cuando la corriente media
en el inductor es cercana a cero, se podrá precisar los momentos de baja radiación, y por lo
tanto evitar pérdidas de conmutación.
Figura 1.5.5. [2] Estructura de control del bypass activo.
La figura anterior muestra un esquema típico de control de corriente. Está compuesto

básicamente de un lazo interno de corriente, un lazo externo de tensión, y un bloque de zona
muerta que desconecta el sistema cuando la corriente de referencia dada por el regulador de
24
tensión es pequeña. El lazo de corriente controla la corriente que pasa a través del inductor
mediante las señales de control u1 y u2 de los MOSFETs, las cuales pueden ser inhibidas
por el bloque de zona muerta si la corriente de referencia del inductor está comprendido entre
los valores correspondientes a + ΔI y − ΔI . De la misma manera, estos límites deberán ser
definidos teniendo presente ciertas consideraciones que hacen referencia a la eficiencia.
1.5.5. Conclusiones
En el artículo se propone una estructura de bypass activo que permite extraer una mayor
potencia de un módulo PV compuesto por dos secciones, frente a la solución típica de los
diodos de bypass, bajo las mismas condiciones de sombreado y radiación.
El bypass activo está compuesto por pocos elementos y prácticamente no provoca pérdidas
puesto que el control de circuito quedará inhabilitado en situaciones de igual radiación y
sombreado en las dos secciones.
Una de las principales ventajas de esta solución es que eliminan los múltiples picos
producidos cuando las secciones del módulo se exponen a distintas condiciones de radiación,
lo cual favorece a que mediante la adición de un controlador MPPT se pueda optimizar el
punto de trabajo para cualquier condición de sombreado.
Finalmente el controlador MPPT, en lugar de igualar las tensiones V1 y V2, obtendría un

“duty cycle” óptimo con el que se lograse extraer la máxima potencia disponible en uno de
los módulos (MPPT interno). Asimismo, con el empleo de un MPPT externo que posibilite
la tensión VS óptima se lograría que ambas secciones operen en sus correspondientes MPPs.
1.6. Batería
1.6.1. Etapas de carga
En general, las etapas de carga de una batería suelen ser tres, tal y como muestra la figura
1.6.1. Para describirlas se considerará una batería de 12 V.
Figura 1.6.1. Fases de carga de una batería.
En la primera etapa (Bulk) se suministra corriente a la batería a máxima intensidad, de

manera que el voltaje aumenta rápidamente hasta llegar aproximadamente a 12,6 V, y
después poco a poco hasta alcanzar una tensión entre 14,4 V y 14,8 V según la batería, una
vez alcanzado este límite la batería está cargada un 80-90% y a partir de este punto la
absorción de corriente de carga se reduce rápidamente.
25
En la segunda etapa (Absorción) la corriente de carga disminuye lentamente hasta que la

batería se carga al 100% mientras que la tensión se mantiene constante en el valor alcanzado
al finalizar la etapa Bulk.
En la tercera etapa (Flotación), la tensión disminuye hasta un valor cercano a 13,7 V, y la

corriente se reduce al valor necesario para compensar la autodescarga, de manera que
permanezca al 100%.
1.6.2. Batería seleccionada
La batería seleccionada para conectarla a la salida del convertidor es de plomo-ácido, de 12

V y 50 Ah. De este modo será capaz de entregar 5 A durante 10 horas siempre que su voltaje
no baje de 10,5 V. Es importante tener en cuenta que no es recomendable cargar una batería
de estas características con más de un 10 % de su capacidad en Ah.
En nuestro caso no superará 4,7 A que es la corriente de cortocircuito del panel PV por lo
que el convertidor y la batería lo soportarán sin problemas.
1.7. Convertidores CC-CC
Un convertidor CC-CC es un circuito de potencia que convierte un nivel de tensión continua

en la entrada a otro nivel de tensión continua y, en general, proporcionan una salida regulada.
Entre los diferentes tipos de convertidores existentes nos centraremos en el análisis del
convertidor Buck y el convertidor Boost teniendo en cuenta las siguientes consideraciones:
1. El circuito trabaja en régimen permanente.

2. La corriente del inductor es positiva (modo continuo).
3. El valor del condensador es muy grande y la tensión de salida es contante a Vo.
4. El periodo de conmutación es T.
5. Todos los componentes son ideales.
1.7.2. Convertidor Buck
El convertidor Buck actúa como circuito reductor, dando como resultado una tensión de
salida menor que la de entrada. Su esquema se ilustra la figura 1.7.1.
Figura 1.7.1. Esquema básico del convertidor Buck.
26
Como se considera que tanto el filtro paso bajo (L-C) como los elementos restantes que
componen el circuito son ideales, la tensión obtenida a la salida será la media de la tensión
de entrada del filtro. Cuando el interruptor se cierra, la entrada del filtro (Vd) corresponderá
a Vi, y el diodo se polariza en inversa, tal como muestra la figura 1.7.2.
Figura 1.7.2. Circuito cuando el interruptor está cerrado.
Igualmente, al abrir el interruptor el diodo se polariza en directo y la tensión del filtro es

nula, como podemos ver en la figura 1.7.3. Para que esto ocurra, en ambos casos la corriente
en la bobina debe ser positiva (modo continuo).
Figura 1.7.3. Circuito cuando el interruptor está abierto.
Figura 1.7.4. Tensión salida con interruptor conmutando periódicamente.
Si se considera que el interruptor conmuta de posición de forma periódica y su ciclo de

trabajo es D (figura 1.7.4), la tensión media de salida corresponderá a:
27
VO = f
1f
f
ff
Z vo t dt = f
1f
f
ff
T DT
Z V i t dt =V i A D
à à
T 0 T 0 (1.7.1)
1.7.3. Convertidor Boost
A diferencia de la configuración anterior el convertidor Boost es un circuito que funciona

como elevador, y por lo tanto la tensión de salida es superior a la de entrada. El
funcionamiento de este circuito también depende de un interruptor electrónico que conmuta
periódicamente.
Figura 1.7.5. Esquema básico del convertidor Boost.
Cuando se cierra el interruptor como se muestra en la figura 1.7.6 el diodo queda polarizado
en inversa y la corriente a través del inductor aumenta.
Figura 1.7.6. Circuito cuando el interruptor está cerrado.
Si se analiza la malla en la que está la fuente tenemos que:
V L =V i = L A f
dIf
f
ff
f
Lf
f
ff
dt (1.7.2)
De este modo, la variación de la corriente que pasa a través de la bobina vendrá dada por:
∆I
ff
f
ff
ff
Lf
f
ff ∆I
=f f
f
ff
ff
Lf
f
ff Vf
= fff
if
f
f
∆t DT L (1.7.3)
Finalmente, despejando ΔIL obtendremos:
28
b c Vf
f
ff
f
if
f
ff
f
ff
f
f
DTf
f
ff
f
f
∆I L = (1.7.4)
cerrado L
A continuación cuando el mismo interruptor se abra el diodo se polarizará en directa dejando

pasar la corriente almacenada en el inductor, tal como muestra la figura 1.7.7.
Figura 1.7.7. Circuito cuando el interruptor está abierto.
Analizando el circuito, tenemos:
V L =V i @V o = L f
dIf
f
ff
f
Lf
f
ff
dt (1.7.5)
ff
ff
ff
Lf
f
ff Vf
= fff
if
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
dI @V of
f
ff
dt L (1.7.6)
La variación de la corriente en el inductor será:

b c` a
b c V
f
f
ff
f
ff
f
f
@V
if
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
Of
ff
f
ff
f
f
1f
f
f
@
f
f
ff
f
ff
f
f
D
f
f
ff
f
ff
f
f
T
f
f
ff
f
ff
f
∆I L =
abierto L (1.7.7)
En régimen permanente, la variación de la corriente es cero.
Figura 1.6.8. Corriente del inductor.
b c b c
∆I L + ∆I L =0
cerrado abierto (1.7.8)
29
De la expresión anterior se puede obtener, finalmente:
VO = ff
f
ff
f
ff
f
f
if
f
ff
f
ff
f
V
1@D (1.7.9)
Finalmente, teniendo en cuenta las consideraciones mencionadas para el análisis de los

convertidores Buck y Boost, su potencia de entrada será igual a la de su salida.
P i = P o =V i A I i =V o A I o (1.7.10)
1.8. Control en modo deslizamiento
El control en modo deslizamiento es un tipo de control no lineal, y es un caso particular de

los sistemas de regulación con estructura variable. En este sistema, la ley de control cambia
durante el proceso de control a través de una serie de normas definidas que dependen del
estado del sistema. Su nombre es debido a que la conmutación entre dos estados (acción de
control) pretende conseguir que el sistema llegue a una línea de conmutación y que luego
deslice a través de ella.
Un control en modo deslizante comporta que un sistema determinado permanezca sobre una
superficie de conmutación (o deslizamiento) S(x) mediante una adecuada acción de control.
Un control en modo deslizante obliga al sistema a permanecer en la superficie de
deslizamiento. El sistema se posiciona en un punto de equilibrio, por lo que la superficie de
deslizamiento debe incluir dicho punto. Al producirse una conmutación, el sistema es
obligado a desplazarse hacia la línea de deslizamiento y cambiar de este modo a la otra
región, tal como podemos apreciar en la figura 1.8.1.
Figura 1.8.1. [2] Control en modo deslizante.
La superficie de conmutación implementada en este proyecto es S(x) = IREF(t) – IL(t) = 0,

siendo IREF(t) la salida de un lazo de tensión de tipo proporcional-integral cuyo error es la
diferencia entre las tensiones de las dos secciones del panel. Al controlador, se le ha añadido
un polo adicional de alta frecuencia. También se utiliza un comparador con histéresis para
limitar la frecuencia de conmutación, de modo que la señal de control u(t) obtiene el valor
lógico “1” cuando S(x)>ΔH y pasa de “1” a “0” cuando S(x)<–ΔH (recordemos que u(t) =
u1 = !u2). Al utilizar interruptores bidireccionales se garantiza el modo de conducción
continua, en el que, al ser la histéresis simétrica, los valores medios en equilibrio de la
corriente del inductor y de su referencia son iguales.
30
1.9. Etapa de potencia
Figura 1.9.1. Etapa de potencia.
Como se ha citado previamente, el convertidor del presente proyecto es un Buck-Boost

bidireccional en corriente. La función de la etapa de potencia es la de suministrar las señales
de disparo de los interruptores que controlan el convertidor y así controlar la circulación de
la energía generada desde el modulo fotovoltaico a la carga. En esta etapa también se realiza
el sensado de las variables necesarias para el control.
En la siguiente figura se muestra el esquema de la planta y sus conexiones con el driver y el

sensor de corriente utilizados.
Figura 1.9.2. Esquema del circuito de potencia.
Los componentes fundamentales del convertidor son los MOSFETs, el inductor, los diodos
de potencia, y la resistencia de sensado a través de la cual el dispositivo AD8210 medirá la
31
caída de tensión en bornes de esta resistencia, y así se obtendrá una tensión de referencia que
será proporcional a la corriente que pasa a través de la resistencia y por lo tanto la del inductor
Según cuál de los MOSFET se encuentre en estado de conducción, la corriente IL que circula
a través del inductor se incrementará o será decreciente.
MOSFET Q1: ON
Caso 1
MOSFET Q2: OFF
Cuando el MOSFET de lado alto es el que conduce se puede apreciar que la relación entre
la tensión del inductor y la de los condensadores es la que se muestra la figura 1.9.3.
Figura 1.9.3. Circuito para Q1 = ON, y Q2 = OFF.
Teniendo en cuenta el sentido de la corriente del inductor mostrada en la figura anterior y

analizamos el circuito tenemos que:
V =V L = L f
dIf
f
ff
f
Lf
f
ff
dt (1.9.1)
Vf
f
ff
f dI f ∆I
= f
f
ff
ff
Lf
f
f
= ff
f
ff
ff
Lf
f
ff
[ ∆I L = f
Vf
f
ff
∆t
L dt ∆t L (1.9.2)
De aquí que el flujo de corriente a través del inductor es creciente durante el tiempo en el
que el MOSFET de lado alto está en conducción, tal como muestra la figura 1.9.4.
Figura 1.9.4. Función IL = f

Vf
f
f
ff
t con Q1 = ON.
L
32
MOSFET Q1: OFF

Caso 2
MOSFET Q2: ON
La figura 1.9.5 expone la situación contraria a la anterior, ahora el circuito se cierra con el
condensador situado entre la entrada el punto medio (VC2) y masa.
Figura 1.9.5. Circuito para Q1 = OFF, y Q2 = ON.
De la figura anterior podemos deducir que:
V =@V L [@ V = L f
dIf
f
ff
f
Lf
f
ff
dt (1.9.3)
f ∆I
@f
Vf
f
ff dI
=f f
f
fff
Lf
f
f
=f f
f
ff
ff
Lf
f
ff
[ ∆I L =@ f
Vff
ff
∆t
L dt ∆t L (1.9.4)
Por tanto el cambio en la corriente del inductor es negativo y disminuye hasta alcanzar el
umbral inferior.
Figura 1.9.6. Función IL = @ f

Vf
f
ff
f
t para Q1 = OFF y Q2 = ON.
L
1.9.2. Configuraciones
Según como sean las conexiones entre el convertidor, la señal de entrada y la carga de salida,
el convertidor implementado estará operando como Buck o como Boost. Por este motivo al
inicio de las pruebas experimentales se llevó a cabo una serie de comprobaciones en las que
se conectó el convertidor en ambos modos independientes para confirmar que este
funcionaba como debía.
33
1.9.2.1. Configuración Buck
Para conseguir que el circuito funcione como un convertidor Buck conectamos la tensión de
entrada entre masa y el drenaje del MOSFET alto (Q1) y al mismo tiempo conectamos la
carga como se muestra en la figura 1.9.7. El circuito reductor resultante corresponde a la
sección resaltada en rojo en el cual se incluyen componentes que no pertenecen al
convertidor Buck típico, es el caso del capacitor C1, encargado de estabilizar la tensión de
una de las secciones del módulo, y de la resistencia de sensado R2 de 10mΩ, por lo que su
influencia sobre la tensión de salida puede despreciarse.
Teniendo en cuenta estas consideraciones podemos ver que los demás componentes son los
que cabe esperar en la configuración Buck, donde el MOSFET Q1 es el dispositivo en
conmutación que permitirá la circulación de corriente desde Vi cuando esté cerrado, mientras
que cuando este se abra, el diodo D3 será el encargado de proporcionar un camino a la
corriente de la bobina.
Figura 1.9.7. Configuración Buck del circuito.
1.9.2.2. Configuración Boost
Figura 1.9.8. Configuración Boost del circuito.
La figura 1.9.8 representa en rojo la localización de la señal de entrada y la carga en el

circuito para que opere como Boost. La localización de la señal de entrada ahora se encuentra
entre masa y el inductor. Nuevamente se puede observar que algunos elementos que no
corresponden al circuito típico de este convertidor, como el capacitor C1, encargado de fijar
un valor de tensión más estable o el diodo D1 utilizado para evitar que la corriente de salida
pueda fluir en sentido contrario.
34
1.9.3. Elementos principales
1.9.3.1. Condensadores de entrada y salida
Si bien la tensión de salida de las dos secciones que componen el módulo fotovoltaico es
continua, esta presenta un rizado. Con el fin de reducir este rizado y obtener una tensión lo
más estable posible es necesario colocar condensadores en paralelo a la entrada del
convertidor.
Con este fin se eligió utilizar condensadores cerámicos multicapa (MLCC) para absorber la
corriente de rizado dado. Los condensadores de este tipo no presentan valores muy altos,
minimizan el ruido a frecuencias altas y tienen una resistencia en serie ESR mínima
Para poder alcanzar las capacidades deseadas y utilizadas en durante las simulaciones se
utilizaron varios condensadores de 47 µF en paralelo. También se tuvo en cuenta durante el
proceso de selección el tipo de dieléctrico, escogiendo finalmente del tipo X7R debido a que
muestran un mejor comportamiento en los rangos de temperatura y tensión. Debido a que
los condensadores se encuentran conectados en paralelo con cada sección del módulo PV y
que en la salida estará conectada la batería se han utilizado condensadores capaces de
soportar una tensión de 16 V.
A la salida del convertidor se ha colocado un condensador de desacoplo de 1 μF, que

igualmente ayudará a mantener un nivel de tensión más estable.
1.9.3.2. Inductores
En primer lugar tenemos el inductor del convertidor cuyo valor es de 33 µH. Este
componente pasivo está conectado en serie con la resistencia de sensado. Su diseño se ha
realizado mediante el software gratuito “Inductor Design” de Magnetics, una empresa
proveedora de componentes magnéticos para la industria electrónica, especialmente de
núcleos para aplicaciones tales como bobinas o filtros.
Este programa permite diseñar una bobina a partir de una serie de parámetros de entrada
introducidos por el usuario. En este caso específico, estos parámetros se muestran en la
siguiente imagen.
35
Figura 1.9.9. Parámetros de entrada para el diseño del inductor del convertidor.
El resultado de los cálculos efectuados por el programa a partir de los parámetros dados es:
Part Number: 77076-A7

Permeability: 60
Inductance Factor: 56 mH/1000 Turns
Core Area: 0,683 cm2
Path Length: 9,13 cm
Turns: 27
Wire Size: #18 AWG
DC Resistance: 0,021
Header P/N:
Wound Core Dimensions: 38,5 mm x 13,6 mm
Inductance (full load): 35,16 μH
Inductance (no load): 40,82 μH
Core Losses: 7,8 mW
Copper Losses: 566,9 mW
Total Losses: 574,8 mW
Temp. Rise: 9,3 ºC
El núcleo toroidal escogido es el Magnetics 77076-A7. Asimismo, los datos de diseño

especifican que se tienen que bobinar 27 vueltas con un cable cuya sección es de 0,823 mm2
(AWG 18). El valor de la inductancia del inductor se ha ajustado más a lo requerido
recortando la longitud del cable.
Para realizar y comprobar el diseño final lo más ajustado al valor deseado se han realizado
diversas medidas en bornes del inductor. Para efectuar estas comprobaciones se ha hecho
uso del analizador de inductancia “1910” y la fuente de corriente “1320”, ambos de
“QuadTech”.
Los parámetros promedio definitivos del inductor diseñado son:
36
LPLENA CARGA (5 A) = 33 µH ESR50 kHz = 86 mΩ

LVACÍO = 35,8 µH ESR50 kHz = 99 mΩ
ESRCONTINUA-50 kHz = 11,5 mΩ
De la misma forma se ha analizado el inductor conectado a la salida del convertidor,

obteniendo los siguientes parámetros como resultado:
Inductor 11 µH
LPLENA CARGA (5 A) = 11,24 µH ESR50 kHz = 68,6 mΩ
1.9.3.3. Diodos
En el circuito de potencia se han utilizado tres diodos. En primer par de diodos de potencia
lo encontramos junto su MOSFET correspondiente conectado en cada caso entre el drenador
y el surtidor de los mismos. La importancia de colocar estos dispositivos se debe a que si
bien cada MOSFET incorpora su propio diodo parásito, estos suelen ser lentos y pueden
causar problemas en el funcionamiento correcto del sistema, mientras que los diodos de
potencia escogidos son rápidos y capaces de soportar perfectamente los valores de tensión y
corriente requeridos.
El tercer diodo colocado a la salida del convertidor cumple con la función de bloqueo cuyo
cometido es el de impedir que la batería conectada a la salida pueda descargarse a través del
circuito.
1.9.3.4. Filtro de amortiguamiento
Si consideramos que el circuito solo tiene conectada una fuente de tensión a la salida y que
en la salida solo se encuentra presente el inductor L2 del filtro, tendríamos el circuito de la
figura 1.9.10, donde el condensador C/2 representa a uno de los que forman parte del filtro
de entrada del convertidor.
El objetivo del inductor L2 es el de filtrar el ruido a alta frecuencia y eliminar así el rizado
en la corriente de salida, con lo que el rizado de conmutación se filtrará a través del
condensador.
Figura 1.9.10. Circuito LC.
El resultado sería un circuito resonante con dos polos en el eje imaginario, provocando que
la red no fuese asintóticamente estable. La solución propuesta para resolver este problema
consiste en colocar a la entrada del circuito un filtro formado por una resistencia en serie con
un condensador, tal como muestra la figura 1.9.11.
37
Figura 1.9.11. Filtro de amortiguamiento.
El circuito de tercer orden resultante se ha ajustado a partir del cálculo 1.9.5 para que la parte
real de sus polos se sitúe en el semiplano izquierdo.
Los valores escogidos fueron un resistor R24 = 180 mΩ y un condensador al menos C16 al
menos 10 veces mayor que el condensador del convertidor, en este caso se utilizó 2200 μF.
f g
f f
f
ff
1f
f
ff
ff
f
ff
f
f
s + ffffffffffffffffffffffff
1
Cff
fff R 24 C 16
` a
ff
f
f
V.ff
f
ff
f
fsf
f
ff
f
ff ffff
ff
f
ff
f
ff
ff
f
ff
f
ff
fff
ff
fff
ff
ff
f
f2ff
fff
Lf
ff
f
2f
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
f
ff
f
ff
fff
f ffff fff fff fff fff
ff
ff
f
ff
f
fff
ff
f fff fff fff fff fff fff f f f f f
f
` a= h i
Vo s Cff
fff
C
ff
f
ff
ff
f
fff
f
f
+f
f
ff
ff
f
ff2f
f
ff
ff
ff
ff fff
f
f1f
ffffffffff
s + ffffffffffffffffffffffffffffffffffCffffffffffff
1
s 3 +l ks2 +
16 m
j
Cff
ff
f Cff
f
ff
R 24 C 16 L L 2 R 24 C 16
2 2 2 2 (1.9.5)
1.9.3.5. MOSFETs
Los transistores MOSFET, correspondientes a los interruptores en conmutación, se han

elegido teniendo en cuenta una serie de parámetros. En primer lugar, que su resistencia de
activación RDS(on), de la cual dependen las pérdidas de conducción, sea pequeña. El segundo
aspecto a tener en cuenta son los niveles de corriente y tensión con las que trabajará en el
circuito y que deben ser capaces de soportar los MOSFETs.
Pese a que en un principio se seleccionaron otros, finalmente se optó por usar los del modelo
IRFB4410ZPBF cuya RDS(on) es de 9 mΩ, y los valores de tensión y corriente máximos que
puede soportar son superiores a los requeridos, además de tener tiempos de conmutación
muy pequeños.
Para garantizar el correcto funcionamiento de estos dispositivos se han conectado diversos

componentes en sus terminales. En primer lugar, se ha colocado una resistencia en serie en
la puerta de cada transistor, con el fin de amortiguar las oscilaciones producidas por efectos
parásitos provocados por la capacidad puerta-drenador y la inductancia del drenador, cuyos
efectos ralentizan el disparo del transistor. Los valores típicos que se utilizan para las
resistencias de puerta suelen estar comprendidos entre 1 y 25 Ω. El valor escogido para
controlar la velocidad de conmutación de los transistores es este circuito fue de 10 Ω para
ambos resistores de puerta.
38
Figura 1.9.12. Conexión de los MOSFETs.
Igualmente, se ha colocado un diodo entre el drenador y el surtidor con el fin de proteger el

MOSFET y al mismo tiempo proporcionar un camino para la corriente del inductor durante
el estado de apagado.
1.9.3.6. Circuito de alimentación y masa virtual
Para la alimentación de los diferentes dispositivos del bloque de control y sensado es

necesario disponer de una tensión regulada de 5 V, Para esto se utilizó el regulador de tensión
MC7805BTG capaz que proporcionar una tensión regulada de 5 V. La alimentación de este
dispositivo se realiza directamente de la salida del convertidor, aunque para las pruebas de
laboratorio se doto al circuito con la posibilidad de alimentar al regulador con una fuente
externa, disponiendo para esto de un jumper y un conector para dicha función, debido a que
varias de las pruebas realizadas en el laboratorio requerían hacer la tensión de alimentación
del regulador inferiores al mínimo, produciendo así que todo el circuito de control se
desconecte. La figura 1.9.13 muestra su esquema de conexión.
Figura 1.9.13. Esquema del regulador L7805.
Debido a la necesidad de sensar la corriente de modo bidireccional algunas partes del circuito
necesitan una tensión de referencia de 2,5 V (Vcc/2) que actúa como masa virtual de forma
que las distintas etapas pueden analizarse como si estuviesen alimentadas de forma bipolar
entre +Vcc/2 y –Vcc/2.
Para su obtención se utilizó un divisor de tensión formado por dos resistencias conectado a
un seguidor de tensión para adaptar impedancias, tal como se puede apreciar en la siguiente
figura:
39
Figura 1.9.14. Obtención de masa virtual.
La resistencia de 10 kΩ permite que la resistencia equivalente de Thevenin de las dos

entradas del operacional tenga el mismo valor y por lo tanto sean simétricas.
1.9.3.7. Driver
En la topología del convertidor empleado el MOSFET de canal n correspondiente a la

configuración reductora requiere de un circuito de excitación que sea flotante con respecto a
la masa del circuito. Dicho circuito debe suministrar la corriente necesaria a la compuerta de
los transistores con tal de cargar las capacidades de entrada de los MOSFETs y así asegurar
que los mismos operen de una manera adecuada y al mismo asegurar que nunca conducen
ambos transistores al mismo tiempo. El circuito elegido para realizar esta función es el driver
LM27222.
El LM27222 es un driver síncrono de lado alto y bajo, típicamente usado es convertidores

de topología reductora. Este dispositivo puede alimentarse entre un rango comprendido entre
4 V y 7 V y su corriente máxima de salida es de 4,5 A. Otra de las principales características
que cabe destacar es que incorpora un circuito de protección que impide que las señales LG
y HG correspondientes a las salidas de lado bajo y lado alto, respectivamente, conduzcan al
mismo tiempo. De este modo se evitan posibles problemas de solapamiento.
Figura 1.9.15. Aplicación típica del dispositivo LM27222.
En la figura 1.9.15 podemos ver una aplicación típica de este dispositivo. Para el control del
driver se disponen de los pines “LEN” e “IN”. La señal de control de conmutación
corresponde al pin “IN” del driver, mientras que el pin “LEN” a nivel alto permite la
conmutación del MOSFET de lado bajo, por lo que para poder conseguir deshabilitar
40
completamente la conmutación ambas señales “LEN” y “IN” deben permanecer en estado

bajo.
Por tanto para que la señal “LG” active el MOSFET de lado bajo es necesario “LEN” a nivel
alto e “IN” a nivel bajo. Por otro lado, para que la señal “HG” active el MOSFET de lado
alto solo depende de que el pin “IN” permanezca a nivel alto.
Para que el driver pueda generar las señales necesarias para lograr conmutar los MOSFETs,
es necesario un circuito de “bootstrap” adicional. En la figura anterior, podemos ver que
básicamente está compuesto por un diodo “Schottky” (D1), a través del cual el condensador
C2 se carga prácticamente a la tensión de alimentación. Este diodo tiene una caída de tensión
baja y una alta velocidad de conmutación, aspectos necesarios para lograr que la carga del
condensador sea lo suficientemente rápida.
El circuito del driver LM27222 se soldó sobre un adaptador, ya que es un SOIC de 8 pines,
para poderlo conectar y reemplazar con facilidad en un zócalo DIP8.
1.9.3.8. Sensores de corriente
Para el control del convertidor es necesario conocer la corriente que circula a través del
inductor y la corriente de salida del convertidor, para lo cual se ha empleado un sensor de
corriente y una resistencia en serie en cada caso. Este dispositivo mide la caída de tensión en
el resistor y a partir de ella obtiene una tensión proporcional a la corriente que se desea medir.
El sensor utilizado es el circuito integrado AD8210.
Figura 1.9.16. Esquema típico del dispositivo AD8210.
El AD8210 puede alimentarse con una tensión de alimentación típica de 5 V. Una de las
ventajas de este dispositivo es que, aplicando una tensión de referencia externa del mismo
valor a los pines VREF1 y VREF2, produce una salida de “offset” con ese mismo valor
cuando la entrada diferencial es cero, permitiendo así medir una corriente de manera
bidireccional.
41
Igualmente, en la entrada del dispositivo se ha colocado un filtro (figura 1.9.17) que

asegurará el correcto comportamiento del sensor, evitando posibles ruidos. Este circuito al
igual que el driver está situado en sobre un adaptador para el sensor (debido a que el
encapsulado del dispositivo AD8210 es del tipo SOIC de 8 pines) para poder montarlo y
remplazarlo fácilmente.
Figura 1.9.17. Filtro colocado a la entrada del dispositivo AD8210.
En la implementación práctica de este dispositivo, las tensiones VREF1 y VREF2 se han

alimentado a 2,5 V, valor de la masa virtual, en el zócalo ubicado en la placa de potencia
para el sensor de la corriente de inductor, permitiendo un “offset” de 2,5 V a la salida y el
sensado bidireccional, mientras que para la corriente de salida se colocó un jumper para
poder establecer el mismo offset o bien utilizarlo de modo unidireccional teniendo así mejor
ganancia.
1.10. Etapa de control
Figura 1.10.1. Esquema simplificado de la etapa de control.
42
La etapa de control es la encargada de evaluar el estado de la planta y generar en

consecuencia los pulsos de disparo de los MOSFETs.
La etapa de control está formado por dos lazos: primero un lazo externo de tensión y luego
por un lazo interno de corriente, realizando como se ha explicado anteriormente un control
en modo deslizamiento. La figura 1.10.2 ilustra los bloques que componen la etapa de
control.
Figura 1.10.2. Lazo de tensión y lazo de corriente.
En primer lugar, un controlador PI comparará las dos tensiones de entrada del convertidor y
producirá una acción de control que reducirá la desviación de ambas señales a cero, siendo
posible que el circuito MPPT altere esta desviación. Luego, el sensor de corriente entregará
una tensión que será proporcional a la corriente del inductor con un factor de conversión de
200 mV/A, la cual será restada a la tensión de salida “IREF” del lazo de tensión, obteniendo
un error. Este último valor será invertido y amplificado antes de llegar al comparador por
histéresis.
El comparador por histéresis indicará cuando el error anterior alcanza unos determinados
umbrales, los cuales serán proporcionales a un valor máximo y mínimo de corriente,
implementando así el control en modo deslizamiento y actuando en consecuencia sobre el
“Set” y el “Reset” de un biestable, que activará uno u otro MOSFET.
1.10.1. Lazo de tensión
En la figura 1.10.3 podemos ver el diagrama del lazo de tensión, compuesto básicamente de
dos etapas, que se encarga de generar la señal de referencia de la corriente que pasa a través
del inductor.
Figura 1.10.3. Lazo de tensión.
43
En la primera etapa del lazo de tensión se comparan las tensiones VC2 y VC12 que han sido
reducidas en unos factores de 1/3 y 1/6 respectivamente, mediante dos divisores de tensión,
cuyo propósito es evitar que el amplificador operacional, que no puede suministrar más de
la tensión de su alimentación (5 V), se sature. Esta primera etapa está dotada con la
posibilidad de establecer un ciclo de trabajo fijo del 50 %, que igualaría las tensiones de las
dos secciones del panel, o conectar el controlador MPPT externo que cambie la relación entre
VC2 y VC12.
Los valores de las resistencias de entrada R3, R6 y R7 han sido escogidos para que la
resistencias equivalentes Req1 y Req2 sean iguales y lograr que la ganancia total de
regulador PI sea la misma que la simulada inicialmente con PSIM.
En la segunda etapa la salida del controlador PI es a su vez la consigna de la intensidad del

lazo de corriente. Aquí se ha colocado el condensador C1 para filtrar ruido a alta frecuencia,
agregado un polo adicional que atenuará en el lazo de control la frecuencia de conmutación
y sus harmónicos. También se han colocado cuatro diodos entre la entrada y la salida del
amplificador operacional cuya función es limitar la tensión de salida del regulador PI y así
evitar que este último llegue a saturase a las tensiones de alimentación, lejos de su zona de
trabajo lineal, y al mismo tiempo limitar la corriente a través de la bobina.
Considerando que R8 = R9 = R12 y que el valor de las resistencias equivalentes de las dos
entradas del amplificador operacional son iguales (Req1 = Req2), la función de transferencia
del PI vendrá dada por:
h i
s + ffffffffffffffffffffffff
l 1 m
` a b lf
` acl f
f
ff
f
ff
f
f
Rf
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
fffff
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
R ffff fff f
ACff fff f2fff
f
ff
ff
f
ff
f
f f
ff
f
ff
ff
ff
f
f
m
s = VC12 s @ VC2 s l
` a 12 12 m
VO l Req1 R f g m
ffff
ffffffff1f
ffff f
ff ff
ff f f1f
f
ff
f
ff
f
fk
C m
10
s A C1 s + +
j
R 12 AC 2 R 12
(1.10.1)
Considerando que el valor del condensador C1 es muy pequeño, podemos aproximar la

expresión de la siguiente manera:
h i
b c2 f
f
ff
f
ff
ff
1f
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
R m s + R AC
` a b jf
` acl f
f
ff
f
ff
f
ff
ff
f
12ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f ff
ff
f
ff
f
ff
f
ff
ff
ff
f f
f
ff
ff
ff
f
2f
f
ff
V O s = VC12 s @ VC2 s
` a k 12
Req1 R10 s
(1.10.2)
De donde extraemos:
b c2
f
f
ff
f
f
R
f
f
ff
ff
f
f
12ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
Kp=
Req1 R10 (1.10.3)
τ = R12 AC 2 (1.10.4)
Donde Kp es la ganancia de la acción proporcional y τ la constante integral.
44
Para precisar los valores aproximados que debían tener de los parámetros Kp y KI=Kp/τ del
controlador PI se tuvieron en cuenta una serie de parámetros, correspondientes a los
márgenes de estabilidad, determinados en el artículo publicado y citado previamente sobre
el que se basa el montaje llevado a cabo en el presente proyecto. Estos parámetros hacen
referencia al margen de fase y a la frecuencia de cruce. A continuación se muestran las
expresiones obtenidas de K y τ para un margen de fase de 60º:
ww
w
ww
w
p
ff
f
ff
3f
f
ff
ff
τ =
ωc (1.10.5)
w
w
w
w
ww
K = C A ω c A p3 (1.10.6)
Donde C es uno de los condensadores de entrada del convertidor.
En al análisis en frecuencia de un sistema, se define como frecuencia de cruce a la frecuencia

en la cual la magnitud es 0 dB, mientras que el margen de fase representa la cantidad de
retardo de fase adicional, respecto a la frecuencia de cruce, que se requiere para llevar al
sistema a la frontera de la inestabilidad. Las constantes del circuito Kp y τ serán de
aproximadamente 7,2 y 100 μs respectivamente considerado C=220 μF, para un margen de
fase de 60º (adecuado para un comportamiento satisfactorio) y la frecuencia de cruce de unos
7 kHz, que supone un ancho de banda apropiado para regular las dos tensiones de entrada.
Mediante la utilización de la herramienta AC Sweep del PSIM se obtuvieron las gráficas de

la respuesta en frecuencia de la ganancia de lazo que se enseña en la figura 1.10.5.
Figura 1.10.5. Respuesta en frecuencia de la ganancia de lazo.
1.10.2. Lazo de corriente
Para un análisis más conciso de esta parte del esquema de control, se describirán de forma
individual los principales bloques que lo conforman.
45
El lazo de corriente toma el valor de referencia del lazo de tensión y entrega las señales de
control a la etapa de potencia.
1.10.2.1. Circuito restador del lazo de corriente
En la siguiente figura 1.10.6 se muestra el lazo de corriente con sus dos señales de entrada,
donde IREF corresponde a la salida de regulador PI del lazo de tensión y la señal IL al valor
proporcional a la corriente del inductor.
Figura 1.10.6. Circuito restador del lazo de corriente.
Este circuito resta el valor de salida del sensor de corriente colocado en serie con el inductor
(IL) a la señal IREF, el error resultante lo multiplica luego una ganancia, pudiendo expresarse
su función de transferencia de la siguiente forma:
Rf
f
fff
f
fff
b c
VA= 15
A I REF @ I L + V GND
R16 (1.10.6)
1.10.2.2. Circuito inversor del lazo de corriente
Figura 1.10.7. Circuito inversor del lazo de corriente.
En la salida del circuito restador encontraremos la señal de entrada invertida y amplificada

por una ganancia que dependerá del valor del potenciómetro R20. Así mismo al aumentar la
ganancia del restador también lo hará la frecuencia de conmutación.
Debido a que en la entrada no inversora está conectada la masa virtual, la tensión de salida
VB vendrá determinada por la siguiente expresión:
f
f
ff
ff
f
f
Rf
ff
f
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f
b c
VB= 18
A V G ND @V + V GND
R17 + R 20 A
(1.10.7)
Por lo que si se aumenta al valor del potenciómetro, la ganancia de inversor disminuirá, y

como se ha mencionado anteriormente, también lo hará la frecuencia de conmutación.
46
1.10.2.3. Comparador con histéresis
Un comparador con histéresis es un circuito no lineal y su comportamiento frente a la señal

de entrada solo acepta dos niveles de tensión de salida: nivel alto, y nivel bajo. Su cambio
de estado solo se produce cuando el valor de tensión de entrada supera unos límites
preestablecidos por la ventana de histéresis.
Un comparador de ventana detecta cuando el valor de la tensión de entrada se encuentra

comprendida entre dos tensiones de referencia que establecerán el límite superior (VTH) e
inferior (VTL). En la siguiente figura se muestra un ejemplo básico de un comparador de
ventana:
Figura 1.10.8. Ejemplo de un comparador de ventana.
En este proyecto se utilizó el dispositivo TLC555CP para implementar el comparador por

histéresis. El circuito equivalente de este dispositivo está formado por un divisor de tensión,
que establece los límites de la ventana de histéresis, dos amplificadores operacionales, que
cumplen con la función de comparadores, y un biestable R-S. La figura 1.10.9 ilustra el
esquema interno simplificado del dispositivo mencionado.
Figura 1.10.9. Comparador con histéresis del circuito a partir de un comparador de ventana
47
La señal de entrada VB, procedente del amplificador inversor del lazo de corriente, se
compara con los dos valores umbrales del divisor de tensión 1/3 Vcc y 2/3 Vcc. Si VB se
incrementa por encima del valor de 2/3 de la tensión de alimentación del circuito, el
comparador activará el “Reset” del biestable llevando la señal de control a nivel bajo y en
consecuencia activando el MOSFET de lado bajo. Del mismo modo, si VB decrece hasta
conseguir un valor inferior a 1/3 de Vcc, el comparador activará el “SET” produciendo el
cambio de estado en el biestable que disparará el MOSFET de lado alto.
La tensión de alimentación necesaria para el circuito comparador con histéresis es unipolar

con lo que puede ser alimentado con una Vcc única de 5 V.
1.11. Sistema MPPT
La función que ha de llevar a cabo el circuito MPPT es evaluar la corriente de salida del
convertidor con la finalidad de conocer si esta última es creciente o decreciente.
Como se ha comentado anteriormente, la acción resultante modificará el “duty cycle” de la

conmutación provocando una desviación entre las tensiones de cada semipanel, llevando así
el punto de trabajo de uno de ellos a su MPP correspondiente.
De modo el sistema tendrá dos estados estables de trabajo, aumentando “D” o disminuyendo
“D”, generándose un cambio de estado cuando se detecte una Io decreciente. En la figura
1.11.1. se representa el principio de funcionamiento del MPPT.
D=D-δ
D=D+δ
Figura 1.11.1. Diagrama de estados del sistema MPPT.
1.11.1. Diseño del sistema MPPT
Para el desarrollo del circuito MPPT se utilizó el microcontrolador PIC18F13K50, de

Microchip, el cual dispone de 17 pines E/S con 9 entradas A/D de 10 bits y una interface
SPI. También se utilizó el conversor D/A MCP4821 de 12bits, con interface SPI.
En la figura 1.11.2 se representan las entradas y salidas utilizadas para el circuito, cabe
destacar que en el desarrollo del circuito físico se añadieron algunos switch como entradas y
puntos de prueba con el fin de poder ampliar el sistema de ser necesario y al mismo tiempo
para realizar pruebas.
48
Figura 1.11.2. Esquema de E/S del circuito MPPT.
Cada una de las señales de la figura 1.11.2. se describen a continuación:
Io: es la corriente de carga de la batería, sensada a la salida del convertidor.
Control: Es la señal de control que acciona el driver, la información proporcionada por esta
señal podría utilizarse para desconectar el MPPT y reducir el consumo de ser conveniente.
V12/6: Es la tensión del panel, atenuada para poder conectarse al microcontrolador. Esta
señal proporciona información de la tensión del panel y al mismo tiempo la tensión actual
de la batería.
V2/3: Es la tensión, adaptada, de una de las secciones del panel, medida en el punto medio.
SW-Inh: En esta entrada se conectó un interruptor que permite inhibir toda la planta.
BattLock: En el caso de que la carga de la batería descienda demasiado, esta salida activa un
relé de protección que desactivaría la carga conectada a la batería, evitando así que esta
última continúe perdiendo carga.
MCP4821: La salida del conversor D/A es la señal que debe provocar la máxima corriente
IoMAX, se conecta al lazo de tensión del circuito de control para cambiar el punto de trabajo
de los dos semipaneles.
1.11.2. Programación del microcontrolador
El principal problema a tener en consideración, durante el desarrollo del software del

microcontrolador, son las oscilaciones en la corriente de Io debidas principalmente al ruido
durante la conmutación, como también a las oscilaciones provocadas al haber cambios en la
irradiación sobre el panel, ruidos en el sensor de corriente o incluso con los cambios en el
lazo de tensión debido al cambio en la señal de salida del circuito MPPT. Por este motivo, y
con el fin de obtener un sistema más estable, se diseñó un bucle que obtuviese “n” muestras
de Io y calculase el valor medio de la misma. También se estableció un pequeño retardo antes
de realizar el muestreo para evitar las oscilaciones que pudiese provocar el mismo sistema
al cambiar el “duty cycle”.
49
Calcula
δ=-δ
D=D+δ
Escribe
salidas
Figura 1.11.3. Diagrama de flujo básico del sistema MPPT.
La figura 1.11.3 describe de forma básica el flujo que debe seguir el programa. Inicialmente
se obtiene el valor medio de la corriente Io y se obtiene el error respecto del valor anterior
medido, al cual llamaremos ΔIo. Para mejorar la estabilidad se estableció un límite ΔIomax
con el cual se compara el error acumulado de ΔIo. Si la corriente Io disminuye más de ΔIomax
el sistema produce un cambio de estado cambiando el signo de δ, por otro lado si la corriente
Io aumenta más de ΔIomax, se reestablece el error acumulado a cero para mejorar la respuesta
del sistema.
Al final del documento se anexa el código de programa que se utilizó en las simulaciones y
para programar el microcontrolador PIC18F13K50, al que se le añadió otros modos
experimentales de funcionamiento seleccionables mediante interruptores.
50
2. Memoria de cálculo
51
2. Memoria de cálculo - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
2.1. Buck y Boost
Antes de comenzar con las pruebas de laboratorio, donde se comprobaría el circuito montado
funcionando primeramente como Buck y luego como Boost, se calcularon los valores de
tensión y corriente, de entrada y salida, deseados, así como la resistencia de carga necesaria
en cada caso.
Para el cálculo se tuvieron en cuenta las especificaciones de análisis descritas en el apartado

(1.7.1), por lo que la potencia de entrada en ambos casos será igual a la de salida, y se
estableció un ciclo de trabajo fijo y cuyo valor será de D = 0,5. Finalmente para el cálculo
de la carga resistiva se consideró el rango de valores de corriente que circulará por el inductor
que se desea analizar (-5 A a 5 A).
2.1.1. Buck
Si alimentamos el convertidor con una tensión Vi = 16 V la tensión de salida resultante será:
V O =V i A D = 16 V A 0,5 = 8 V (2.1.1)
De la misma manera, si se pretende que el valor máximo de IL (Io) sea de 5 A,
I i = I O A D = 5 AA 0,5 = 2,5 A (2.1.2)
En este caso, la carga resistiva conectada a la salida vendrá dada por:
Vff
f
ff
ff
f
f 8f
f
ff
f
Vf
f
ff
ff
R= O
= = 1,6 Ω (2.1.3)
IO 5 A
La siguiente tabla muestra los datos teóricos de las principales variables para distintos
valores de IL.
Vi (V) Ii (A) Vo (V) Io (A) Ro (Ω) Po (W) D

16 0,5 8 1 8,00 8 0,5
16 1,0 8 2 4,00 16 0,5
16 1,5 8 3 2,67 24 0,5
16 2,0 8 4 2,00 32 0,5
16 2,5 8 5 1,60 40 0,5
Tabla 2.1.1. Valores teóricos Buck.
2.1.2. Boost
En las pruebas experimentales con el circuito operando como Boost, se ha considerado una
tensión de entrada Vi = 8 V. Igualmente, el valor máximo de Ii (-IL) será de 5 A. Tenemos,
por lo tanto, que:
f
f
f
Vf
f
ff
f
ff
if
f
ff
f
ff
f f
f
ff
8f
ff
ff
f
f
Vf
f
ff
f
ff
f
ff
f
VO = = = 16 V (2.1.4)
1@D 1 @ 0,5
52
b c
I O = I i A 1 @ D = 5 AA 1 @ 0,5 = 2,5 A
` a
(2.1.5)
Si el valor de la resistencia viene dado igualmente por la expresión 2.1.3, podemos obtener
fácilmente la siguiente tabla de valores.
Vi (V) Ii (A) Vo (V) Io (A) Ro (Ω) Po (W) 1-D

8 1 16 0,5 32,00 8 0,5
8 2 16 1,0 16,00 16 0,5
8 3 16 1,5 10,67 24 0,5
8 4 16 2,0 8,00 32 0,5
8 5 16 2,5 6,40 40 0,5
Tabla 2.1.2. Valores teóricos Boost.
2.2. Cálculo para el cable utilizado en el diseño de la bobina de 33 μH
En la sección 1.9.3.2 se determinó que para la construcción del inductor de 33 μH se utilizaría

el núcleo toroidal de “Magnetics” 77076-A7, al cual se lo debía bobinar con 27 vueltas del
cable AWG 18, cuya sección es de 0,823 mm2. Debido a que finalmente se utilizó un hilo de
cobre esmaltado de 0,07 mm2 disponible en el laboratorio, tendremos que:
f
f
f
1f
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
cablef
f
ff
f
ff
f
AWG 18 Q 0,823 mm2 A = 12 cables (2.2.1)
0,07 mm2
2.3. Cálculo de parámetros a partir de diversas medidas en el convertidor
La siguiente figura muestra el sentido establecido de las corrientes del circuito, junto con el
circuito equivalente de las dos secciones del módulo fotovoltaico conectado a la entrada. A
la salida se ha conectado una carga resistiva cuyo valor oscilará en valores próximos a
cortocircuito y circuito abierto.
Figura 2.3.1. Sentido de las corrientes de circuito.
Durante los ensayos experimentales, algunas variables del circuito fueron obtenidas
matemáticamente a partir de otras variables medidas, como es el caso de la corriente del
inductor IL y la corriente de salida Io, Para esto se han conectado dos amperímetros con el
53
fin de determinar los valores de IA e IC. Si prestamos atención al circuito podemos determinar
que:
I L = I A @ IC (2.3.1)
Cuando las secciones del módulo estén bajo la misma situación de sombreado IA e IC tendrán
el mismo valor, y por tanto el valor medio de IL será nulo.
También podemos determinar la corriente de salida a partir de dos expresiones, que

corresponden a:
Io = I A @ f
IfLf
f
ff
(2.3.2)
2
Io = IB + f
If
Lff
ff
(2.3.3)
2
La utilización de ambas expresiones es útil para verificar que el valor de salida de la corriente
sea correcto.
2.4. Cálculo de la salida del sensor de corriente
Para determinar la resistencia de sensado que se utilizaría para sensar IL e Io se consideró la

expresión de VOUT del dispositivo AD8210 teniendo en cuenta los valores máximos de
corriente a sensar para evitar la saturación. También se tuvo en cuenta la tensión externa
necesaria para dotar al sensor de corriente con la posibilidad de sensar de forma bidireccional
a la corriente del inductor, dicho valor de offset se ha de sumar a la expresión de salida. Del
mismo modo se calcularon una serie de valores de IREF, necesarios para obtener unos
determinados valores de corriente en el inductor, para realizar los ensayos experimentales
con el lazo de corriente cerrado.
Figura 2.5.1. Esquema simplificado del dispositivo AD8210.
54
La ecuación resultante para la tensión de salida dada por el fabricante del dispositivo es:
b c
V OUT = I SHUNT A RSHUNT A 20
(2.5.1)
Teniendo en cuenta que ISHUNT ≈ IL, RSHUNT = 10 mΩ, y que VREF1 y VREF2 se han conectado
a 2,5 V, la expresión final en este caso quedará de la siguiente forma:
f
ff
f
f
mVf
f
ff
f
f
V OUT = I REF = 10 mΩA 20A I L + 2,5 V = 0,2 A I + 2,5 V (2.5.2)
A L
El rango de corrientes del inductor que nos interesa está comprendido entre -5 A y 5 A. De
este modo, tenemos por ejemplo que para una IL de 0 A, IREF tendrá un valor teórico de:
f
ff
f
f
mVf
f
ff
f
f
I REF = 0,2 A 0 A + 2,5 V = 2,5 V (2.5.3)
A
Para comparar el valor teórico de IL para una determinada IREF con los resultados
experimentales, se ha creado una tabla con valores comprendidos en el rango descrito
anteriormente. Teniendo presente la expresión 2.5.4, se obtiene:
IL (A) IREF (V)

-5 1,5
-4 1,7
-3 1,9
-2 2,1
-1 2,3
0 2,5
1 2,7
2 2,9
3 3,1
4 3,3
5 3,5
Tabla 2.5.1. Valores teóricos de IL e IREF.
55
3. Simulaciones
56
3. Simulaciones - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
3.1. Introducción
La principal etapa del proyecto antes de realizar la creación del circuito impreso fue la
simulación del circuito utilizando el PSIM con el que se pudo simular diferentes situaciones
de funcionamiento y perturbaciones así como todas las etapas por separado (potencia, control
y programa del microcontrolador).
La simulación se realizó en base a un circuito aproximado del que posteriormente se

implementaría, utilizando circuitos equivalentes a los circuitos integrados que utilizaríamos
en el desarrollo del circuito, con lo que se intentó verificar que el todo el conjunto funcionaría
bien y sería posible la realización del MPPT.
Todos los resultados obtenidos en esta sección permitieron comprobar la viabilidad en el

diseño y sirvieron de referencia para ser utilizados en la fase experimental donde
compararemos las señales que en cada caso se obtuvieron.
3.2. Lazo abierto
3.2.1. Buck
Para comenzar simulamos el funcionamiento de la planta en circuito abierto comprobando

por separado el funcionamiento como reductor (Buck) y luego como elevador (Boost). Para
la configuración Buck conectamos una fuente de tensión de 16 V a la entrada y
proporcionamos una señal de conmutación con una fuente de onda cuadrada con un “duty
cycle” de 0,5 y una frecuencia de 60 kHz. Así mismo se conectó una fuente de impulso para
proporcionar una señal de inhibición durante 10 ms y poder así apreciar el correcto
funcionamiento del convertidor y su transitorio.
Figura 3.2.1. Circuito trabajando como Buck en lazo abierto.
Se puede comprobar gracias a la figura 3.2.2 que la tensión de salida es la mitad que la de
entrada, tal y como se esperaba. También se observa que Vo oscila hasta llegar al régimen
estacionario a los 20 ms habiendo transcurrido 10 ms desde que comenzó a funcionar el
convertidor como tal.
57
Figura 3.2.2. Señales Vo y Vi del circuito operando como Buck.
3.2.2. Boost
Figura 3.2.3. Circuito trabajando como Boost en lazo abierto.
En la imagen 3.2.3 se configuró el circuito como Boost, conectando esta vez en la entrada
una tensión de 8 V, y utilizando la misma señal de control que para en caso anterior. Se pudo
confirmar su correcto funcionamiento como se muestra en la imagen 3.2.4, donde se puede
apreciar que la tensión de salida es el doble que la de entrada. También se aprecia al igual
que en el caso anterior el transitorio del circuito que también es de 10 ms antes de alcanzar
el régimen estacionario.
58
Figura 3.2.4. Señales Vo y Vi del circuito operando como Boost.
3.3. Lazo de corriente cerrado
Para comprobar el funcionamiento del lazo de corriente se conectó la salida a la planta y se

conectó una fuente de tensión para proporcionar la señal IREF cuyo valor fue establecido
según el circuito funcionaba como Buck, siendo tensiones superiores a 2,5 V, o como Boost,
en cuyo caso debió ser inferior a 2,5 V.
Figura 3.3.1. Circuito lazo de corriente.
3.3.1. Buck
En la figura 3.3.2 se muestra el resultado de la simulación utilizando una resistencia de carga

Ro = 2 Ω y con una tensión IREF = 3,3 V, configurando el circuito para que funcione en modo
Buck. Como se esperaba se consigue que el valor medio de corriente a través del inductor
sea efectivamente IL = 4 A.
59
Figura 3.3.2. Señales IREF e IL del circuito operando como Buck.
3.3.2. Boost
Figura 3.3.3. Señales IREF e IL del circuito operando como Boost.
Repetimos la simulación anterior esta vez utilizando el circuito en modo Boost. Para ello
conectamos una resistencia a la salida de Ro = 8 Ω y establecemos IREF = 1,7 V. Los resultados
se muestran en la imagen anterior en la que se aprecia la tensión IREF=1,7 V y el valor medio
de corriente a través del inductor IL = -4 A tal como se esperaba.
3.4. Lazo de tensión cerrado
El circuito utilizado para regular la tensión de entrada es el que se muestra en la siguiente

figura. El valor VGND será reemplazado luego por la salida del MPPT que introducirá en este
punto la perturbación necesaria para desplazar el punto de funcionamiento del sistema al de
máxima potencia
60
Figura 3.4.1. Circuito lazo de tensión.
3.4.1. Buck
En la figura 3.4.2 visualizamos la tensión de entrada y salida del circuito funcionando como
Buck. Es posible apreciar con total claridad que la tensión de salida Vo es la mitad que la
tensión de entrada Vi (Vo = Vi/2 o Vo = Vi · D) desde el momento inicial, con lo que
comprobamos que el controlador PI cumple su propósito perfectamente.
Figura 3.4.2. Señales Vi (V12) y Vo (VC2) del circuito operando como Buck.
3.4.2. Boost
Los resultados de la simulación con el circuito en configuración Boost se muestran en la

figura 3.4.3, donde el PI logra regular correctamente luego de 1 ms, a diferencia del caso
anterior que era inmediato.
61
Figura 3.4.3. Señales VC12 y VC2 del circuito operando como Boost.
3.5. Buck-Boost cargando batería
Para comprobar el funcionamiento de todo el conjunto utilizaremos el circuito de la figura

3.5.1, en el cual conectaremos a la entrada del convertidor el circuito equivalente de los 2
medios paneles fotovoltaicos y a la salida una batería.
Figura 3.5.1. Circuito cargador de batería.
En la simulación se utilizó una corriente generada por el medio panel superior de 4,7 A
constantes y en el medio panel inferior una corriente generada de 2,5 A, también se estableció
una demora de 5 ms antes de que el lazo de control entre en funcionamiento y luego una
perturbación a los 10 ms en la que el panel inferior aumentaba la corriente generada de 2,5
A a 4,5 A simulando la disminución del sombreado en dicho panel. Los resultados de la
simulación se representan en la imagen 3.5.2.
62
Figura 3.5.2. Gráficas de Io, Ipanel1, Ipanel2 y tensión del semipanel Vpanel2 y el panel completo V12.
En la figura 3.5.2 podemos confirmar que antes de comenzar a funcionar el convertidor la

corriente del medio panel superior, al estar conectado en serie, cae hasta alcanzar los 2,5 A
del panel inferior. Al entrar en funcionamiento el circuito de control, en t = 5 ms, vemos
como las tensiones de ambos paneles se igualan (VC12 = 2·VC2) y conseguimos un aumento
significativo en la corriente de carga de la batería Io. Finalmente a partir de t = 10 ms, con el
incremento de corriente generada en el panel inferior, se aprecia como el controlador
mantiene regulada la tensión de los paneles y mejora también la corriente de salida Io, siendo
I1 > Io > I2.
Figura 3.5.3. Gráfica de Po.
En la figura de 3.5.3 podemos ver la potencia obtenida en la situación anterior. Como se

puede apreciar en la figura la potencia obtenida en el momento inicial es de 34 W y al
comenzar a funcionar el convertidor alcanza los 49 W, obteniendo una mejora en el
rendimiento del PV de 15 W.
3.6. Buck-Boost con MPPT
63
La última simulación realizada incorpora un bloque de programación en lenguaje C mediante

el cual se monitoriza la corriente de salida y se busca el punto de máxima potencia (Pmax =
VBAT · Iomax) actuando sobre el lazo de tensión.
Figura 3.6.1. Bloque C para MPPT.
Finalmente se realizó la simulación de la misma situación estudiada en el punto anterior pero

esta vez con el bloque lógico C y amentando el tiempo antes de la activación del sistema así
como el tiempo previo a la perturbación con fin de poder apreciar mejor el momento en que
el circuito alcanza el régimen continuo. El resultado se muestra en las siguientes gráficas.
Figura 3.6.2. Gráficas de Io, Ipanel1, Ipanel2 y tensión del semipanel Vpanel2 y el panel completo V12.
La figura 3.6.2 se puede apreciar como la corriente Io obtenida es mayor que la misma sin el
circuito de MPPT(figura 3.5.2.), así como también se puede ver que la tensión del panel
superior ya no es siempre igual a la del semipanel inferior, VC12 ≠ 2·VC2.
64
Figura 3.6.3. Gráfica de Po con MPPT.
La gráfica 3.6.3 representa la potencia de salida obtenida utilizando el sistema MPPT. Si

comparamos estos resultados con la potencia obtenida en la simulación anterior obtenemos
los siguientes resultados.
Diodos de Bypass Con convertidor Con convertidor

Ipanel1 = 4,7 A Ipanel1 = 4,7 A Ipanel1 = 4,7 A
Ipanel2 = 2,5 A Ipanel2 = 2,5 A Ipanel2 = 4,5 A
Sin MPPT 34,25 W 49,04 W 62,96 W
Con MPPT 34,25 W 51,43 W 62,98 W
Como se puede observar en la tabla, en el caso en que el panel está sombreado, tenemos un
beneficio de potencia, consiguiendo en este caso en particular por ejemplo casi 2,4 W
adicionales que solo con el convertidor sin MPPT y 17,18 W más de lo que se conseguiría
solo con los diodos de bypass.
65
4. Resultados experimentales
66
4. Resultados experimentales - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
4.1. Introducción
Una vez construido el prototipo fue necesario comprobar su correcto funcionamiento de

forma parcial, es decir realizando pruebas de forma gradual y progresiva, comprobando cada
módulo por separado y luego su comportamiento a medida que se los hacia trabajar en
conjunto. De esta forma se consiguió verificar su funcionamiento y se pudieron detectar
algunos defectos y realizar las correspondientes correcciones, cosa que hubiese sido mucho
más compleja si se hubiese comenzado las pruebas inmediatamente con el panel solar B585
y el circuito del convertidor completo.
Inicialmente se comenzó poniendo a prueba la etapa de potencia, haciendo trabajar en lazo

abierto el circuito primero en modo Buck y luego en modo Boost, exponiéndolo a diferentes
valores de corriente y tensión que tendrá al conectar el panel solar B585.
A continuación se comprobó el circuito de control al que se le aplico un desequilibro en sus

entradas para comprobar que los lazos de tensión y corriente funcionan correctamente.
La última comprobación fue la del circuito del micro controlador cuyas pruebas consistieron
en realizar un programa sencillo que realizará lecturas analógicas y digitales de sus entradas
para luego generar las correspondientes respuestas digitales y analógicas mediante el puerto
SPI.
Al finalizar con las comprobaciones individuales de los circuitos se realizaron las pruebas
con el convertidor completo, haciéndolo funcionar en tres modos diferentes, con un ciclo de
trabajo fijo del 50 %, con los diodos de bypass y con el microcontrolador haciendo búsqueda
constante del punto de máxima potencia, para poder comparar la viabilidad del circuito y la
diferencia de rendimiento en cada caso. Todas la pruebas se realizaron para diferentes
situaciones de sombreado primeramente utilizando el simulador de paneles solares y
seguidamente repitiendo las pruebas con el panel fotovoltaico real. Finalmente para concluir
con las pruebas de laboratorio se realizó la carga de una batería conectada a la salida del
convertidor.
4.2. Convertidor Buck y convertidor Boost
Durante los primeros ensayos llevados a cabo para comprobar el correcto funcionamiento
del circuito, tanto en lazo abierto como en lazo cerrado, se conectó a la entrada del
convertidor el circuito de la figura 4.2.1, el cual está compuesto por un puente rectificador
implementado por el dispositivo KBL405, de características similares al puente rectificador
incluido en el panel BP585 (FBI6D de FAGOR), y por los diodos D1 y D2 se han colocado
para evitar que la corriente fluya hacia la fuente de alimentación.
Figura 4.2.1. Circuito de entrada con diodos de bypass.
67
4.2.1. Sistema en lazo abierto
Con el fin de comprobar el circuito de forma progresiva se comenzó por estudiar la respuesta
de la planta sin la placa de control, utilizando un generador de funciones para suministrar la
señal de conmutación. Se estableció una señal de onda cuadrada equivalente a la señal que
debería suministrar el LM555 del lazo de control, con una amplitud de 5 V, un “duty cycle”
del 50 %, y una frecuencia de 60 kHz.
4.2.1.1. Buck
Al igual que en el capítulo anterior, iniciamos los ensayos en el laboratorio comprobando el

correcto funcionamiento del convertidor realizando pruebas de cada sección del mismo. El
primer paso por tanto consistió en analizar el funcionamiento del circuito en modo Buck,
con el objetivo de comprobar que se cumpla los valores estimados regulando tensión y que
la corriente controlada a través de la bobina sea capaz de alcanzar sin inconvenientes los 5
A. El diagrama de conexiones utilizado es el que se aprecia en la figura 4.2.2.
Figura 4.2.2. Conexiones de entrada del circuito trabajando como Buck.
En la tabla 4.2.1 recoge los valore obtenidos como resultado de modificar la carga resistiva
conectada a la salida del circuito. A medida que la carga disminuye y la corriente de entrada
aumenta se puede apreciar un incremento en las pérdidas ocasionadas por el diodo de
protección situado a la entrada de circuito. Con los valores obtenidos podemos afirmar que
se cumplen las relaciones de tensión Vo = Vi·D y de corriente Io = Ii /D, propias del
convertidor Buck, y también que la corriente de salida supera sin problemas los 5 A.
Vi' (V) Vi (V) Ii (A) Vo (V) Io (A) Ro (Ω) Po (W) F (kHz) D

16,38 16 0,44 7,94 0,84 9,5 6,6 60 0,5
16,38 16 0,45 7,54 0,89 8,5 6,7 60 0,5
16,40 16 0,54 7,47 1,06 7,0 8,0 60 0,5
16,40 16 0,58 7,45 1,15 6,5 8,5 60 0,5
16,43 16 0,69 7,42 1,35 5,5 10,0 60 0,5
16,44 16 0,83 7,53 1,64 4,5 12,0 60 0,5
16,45 16 1,04 7,25 2,07 3,5 15,0 60 0,5
16,48 16 1,43 7,06 2,83 2,5 20,0 60 0,5
16,54 16 1,75 6,92 3,47 2,0 23,7 60 0,5
16,58 16 2,25 6,71 4,47 1,5 29,9 60 0,5
16,64 16 3,20 6,39 6,32 1,0 40,4 60 0,5
Tabla 4.2.1. Valores obtenidos del circuito en lazo abierto. Buck.
68
Es posible apreciar que a medida que disminuye la resistencia de carga y aumenta la corriente
de salida, la tensión de salida comienza decrecer, alejándose del valor teórico de 8 V, este
efecto se debe al aumento de las pérdidas provocadas por el aumento de la corriente que
fluye a través del circuito.
Figura 4.2.3. CH1: señal “HG”; CH2: señal “LG”, referenciadas a masa (Ii = 1A).
La figura 4.2.3 muestra las señales de las entradas de puerta de los dos MOSFETS generadas
por el driver 27222, ambas referenciadas a masa, para cuando la corriente Ii = 1 A. El driver
integra una protección que evita que ambos MOTFETS puedan conducir al mismo tiempo
por lo que cuando este MOSFET Q1 está a nivel alto, el MOSFET Q2 permanece en OFF, y
viceversa.
Otra ventaja de este driver es que permite aplicar una tensión VGS de 5 V a cada transistor a
pesar de que el MOSFET de lado alto no tiene el terminal de fuente referenciado a masa.
Este efecto se puede advertir en la imagen anterior donde la señal del canal CH2,
correspondiente a la tensión de puerta del MOSFET Q2, tiene una amplitud en conducción
de 5 V, mientras que la señal de puerta en el CH1 es superior a los 20 V, valor que es incluso
superior a la tensión de entrada. Esta elevada tensión junto con el pin SW del driver,
conectado al punto medio de los transistores, hace posible que el MOSFET Q1 pueda
dispararse.
69
Figura 4.2.4. MOSFETS y nodo “SW”.
En la figura 4.2.5 se visualizan las tres señales provenientes del driver, todas referenciadas a
masa, para una corriente de entrada Ii = 3 Α. Se puede apreciar la labor del circuito de
“bootstrap” si observamos que la señal “SW” está sincronizada con la señal “HG” y, así al
mismo tiempo, que la diferencia entre sus respectivos estados altos es de aproximadamente
5 V, dicha diferencia se convierte en la señal de puerta que permite la conmutación del
MOSFET Q1.
Figura 4.2.5. CH1: señal “HG”; CH2: señal “SW”, CH3: señal “LG” (referenciadas a masa) CH4: Ii =3 A.
4.2.1.2. Boost
La figura 4.2.6 representa el diagrama de conexiones de entrada utilizando el circuito de

conexión con diodos de bypass. Para la configuración del convertidor trabajando como
Boost, el MOSFET Q2 es el elemento en conmutación.
70
Figura 4.2.6. Conexiones de entrada del circuito trabajando como Boost.
La tabla 4.2.2 contiene los valores obtenidos con el convertidor a medida que Ro disminuye.
Del mismo modo que en el ensayo anterior se ajustó la tensión de entrada para compensar la
caída en el diodo de protección. Se puede apreciar que el convertidor efectivamente regula
la tensión de salida, aunque al igual que antes a medida que aumenta la corriente, también lo
hacen las perdidas, afectando de forma directa a la tensión de salida.
Vi' [V] Vi [V] Ii [A] Vo [V] Io [A] Ro [Ω] Po [W] F [kHz] D

8,72 8,0 0,5 15,75 0,33 48,15 5,2 60 0,5
8,91 8,0 1,0 15,68 0,60 26,20 9,2 60 0,5
8,97 8,0 1,5 15,52 0,87 17,78 13,5 60 0,5
9,18 8,0 2,0 15,50 1,14 13,6 17,7 60 0,5
9,39 8,0 2,5 15,38 1,41 10,90 21,6 60 0,5
9,66 8,0 3,0 15,17 1,71 8,93 25,6 60 0,5
9,74 8,0 3,5 15,13 1,97 7,67 29,7 60 0,5
9,90 8,0 4,0 15,03 2,27 6,60 34,4 60 0,5
9,91 8,0 4,5 15,05 2,54 5,95 38,6 60 0,5
9,91 8,0 5,0 14,87 2,78 5,32 41,3 60 0,5
9,89 8,0 5,5 14,55 3,04 4,80 44,0 60 0,5
10,06 8,0 6,0 14,64 3,35 4,36 48,9 60 0,5
Tabla 4.2.2. Valores obtenidos del circuito en lazo abierto. Boost.
El principal objetivo de este ensayo fue comprobar que la corriente Ii, que pasa a través del
inductor, superará los 5 A. Las señales de control de puerta “LG” y “HG” resultantes fueron
prácticamente iguales que la que muestra la figura 4.2.3, aunque con un pico visible de
tensión en el momento de la transición, producido por el aumento de la corriente de entrada
(Ii = 5 A). Este efecto se mejoró considerablemente al mejorar las conexiones entre masas.
En la figura 4.2.7 se visualizan las señales del driver “HG”, “SW” y “LG” comentadas.
71
Figura 4.2.7. CH1: señal “HG”; CH2: señal “SW”, CH3: señal “LG” (referenciadas a masa) CH4: Ii = 5 A.
4.2.2. Sistema con lazo de corriente cerrado
Siendo correcto el funcionamiento del convertidor en lazo abierto, el siguiente paso es

conectar el circuito de control a la planta. Del mismo modo se realizó en primero lugar la
comprobación del lazo de corriente. Se conectó la salida del sensor de corriente AD8210 a
la entrada inversora del restador del circuito de control, mientras que la salida del PI se
desconectó, mediante el jumper X18 dispuesto con este fin, y se conectó en su lugar un
potenciómetro con el que se aplicaron diferentes valores de tensión, proporcionales a los
valores de IL que nos interesa estudiar.
La figura 4.2.8 muestra las conexiones descritas en el esquema de control.
Figura 4.2.8. Se cierra el lazo de corriente, se desconecta el PI y un potenciómetro asigna IREF.
4.2.2.1. Buck
Con el lazo de corriente ya conectado, se ajustó el valor IREF para conseguir distintos valores
de IL, la tabla 4.2.3 recoge las mediciones realizadas en cada caso. La relación proporcional
72
entre la tensión IREF e IL es la que se esperaba, confirmando así el correcto funcionamiento

del lazo de corriente y del dispositivo AD8210 que realiza una medida correcta de la
corriente. Cabe aclarar que la resistencia de carga se ajustó para mantener un ciclo de trabajo
en 50 %. También se incluyó el valor IREF = 2,5 V para mostrar que coincide con una
corriente IL nula.
IREF [V] IL = Io [A] Vi' [V] Vi [V] Vo [V] Ii [A] Ro [Ω] Po [W] F [kHz]
2,50 0 - 16 - - - - -
2,71 1 16,37 16 7,65 0,15 8 1,15 72,94
2,89 2 16,51 16 7,83 1,07 4 8,38 72,83
3,09 3 16,56 16 7,73 1,58 2,7 12,21 72,61
3,30 4 16,59 16 7,73 2,15 2 16,62 72,38
3,50 5 16,65 16 7,85 2,79 1,6 21,90 72,25
Tabla 4.2.3. Valores obtenidos del circuito con el lazo de corriente cerrado. Buck
Las figuras 4.2.8 y 4.2.9 muestran la señal IREF, la señal de salida del sensor AD8210 y la
corriente que pasa a través de la bobina, para 1 A y 5 A respectivamente. Se puede comprobar
que se cumple la relación prevista en el diseño donde:
I REF = 200 f
ff
f
ff
f
ff
f
f
f g
mV
I + 2,5 V
A L
También es posible apreciar como aumentan los picos en el momento de la conmutación a

medida que aumenta la corriente IL, afectando principalmente al valor de salida del sensor
de corriente.
Figura 4.2.8. CH1: IREF; CH2: sensor de corriente IL; CH3: sonda IL (Io= 1 A).
73
Figura 4.2.9. CH1: IREF; CH2: sensor de corriente IL; CH3: sonda IL (Io= 5 A).
4.2.2.2. Boost
La tabla 4.2.4 se obtuvo utilizando los mismos parámetros que en el experimento anterior,
por lo que la resistencia de carga se equilibró con el fin de mantener el ciclo de trabajo
próximo al 50 %, mientras que se modificó el valor de IREF con el fin de obtener la corriente
proporcional IL y comprobar el correcto funcionamiento del lazo.
IREF [V] IL = - Ii [A] Vi' [V] Vi [V] Vo [V] Io [A] Ro [Ω] Po [W] F [kHz]
2,50 0 - 8 - - - - -
2,29 -1 8,38 8 15,86 0,50 32,0 7,93 74,98
2,10 -2 8,72 8 15,56 0,98 16,0 15,25 74,50
1,87 -3 8,97 8 15,49 1,44 10,7 22,31 74,42
1,69 -4 9,07 8 15,26 1,90 8,0 28,99 74,23
1,49 -5 9,10 8 15,21 2,38 6,4 36,20 74,64
Tabla 4.2.4. Valores obtenidos del circuito con el lazo de corriente cerrado. Boost.
Las figuras 4.2.10 y 4.2.11 nos permiten nuevamente observar cómo se cumple la
proporcionalidad entre el valor IREF y la corriente IL. También se vuelve a apreciar como el
aumento en la corriente del inductor introduce ruidos de conmutación que afectan al sensor
de corriente.
74
Figura 4.2.10. CH1: IREF; CH2: sensor de corriente IL; CH3: sonda IL (Ii = -1 A).
Figura 4.2.11. CH1: IREF; CH2: sensor de corriente IL; CH3: sonda IL (Ii = -5 A).
75
4.2.3. Sistema con lazo de tensión cerrado
En este ensayo se cerró el lazo de tensión, quedando el circuito de control completamente

conectado a la planta. Para realizar los ensayos se desconectó el MPPT y se estableció un
ciclo de trabajo del 50 % mediante un jumper.
Durante las primeras pruebas el PI parecía funcionar correctamente, ya que trabajando el

circuito en modo Buck la tensión VC12 era aproximadamente el doble que VC2, sin embargo,
cuando se hicieron las pruebas en modo Boost el circuito dejaba de regular cuando la
corriente en el inductor superaba los -3 A. Esto se debió a que se había limitado por
protección el valor máximo y mínimo que podía tener IREF utilizando un arreglo de diodos,
pero la omisión de uno de ellos produjo un límite inferior en para las corrientes negativas
(modo Boost). La figura 4.2.12. representa el límite correcto establecido con diodos.
Figura 4.2.12. Cuatro diodos que limitan de forma correcta la tensión IREF.
4.2.3.1. Buck
Una vez solucionado el problema anterior se repitieron los ensayos correspondientes, donde
se redujo lentamente la Ro para producir un aumento en la corriente de salida, dando como
resultado la tabla 4.2.5 donde se muestran los valores de las tensiones de entrada. Como se
esperaba la tensión de salida VC2 es prácticamente la mitad que VC12, por lo que podemos
afirmar que el lazo de tensión opera correctamente. También se aprecia, al igual que en los
ensayos de lazo abierto, como aumentan las pérdidas a medida que aumenta la corriente.
IREF [V] IL = Io [A] Vi' [V] Vi = VC12 [V] Ii [A] Vo [V] Ro [Ω] Po [W]
2,67 1 16,38 16 0,54 7,84 7,70 7,8
2,83 2 16,43 16 1,06 7,71 3,74 14,9
3,02 3 16,48 16 1,59 7,55 2,41 21,6
3,15 4 16,64 16 2,11 7,48 1,74 27,6
3,30 5 16,64 16 2,66 7,23 1,33 33,6
Tabla 4.2.5. Valores obtenidos del circuito con el lazo de tensión cerrado. Buck
En la figura 4.2.13 se han adquirido las dos tensiones de entrada del lazo de tensión, VC12 y
VC2. Es posible apreciar la correcta regulación y, al mismo tiempo, un pequeño rizado en
ambas tensiones el cual podría ser problemático de no estar presente el filtro de
condensadores colocados a la entrada del convertidor.
76
Figura 4.2.13. CH1: señal VC2; CH2: señal VC12 (Io= 5 A).
4.2.3.2. Boost
En la tabla 4.2.6 contiene los valores obtenidos con el lazo de tensión cerrado. Se puede
confirmar que el regulador y el lazo están funcionando correctamente dado que se cumple la
relación VC12 = 2 x VC2.
IREF [V] IL = -Ii [A] Vi' [V] Vi=VC2 [V] VC12 [V] Vo [V] Io [A] Ro [Ω] Po [W] F [kHz]
2,33 -1 8,61 8 15,4 15,00 0,52 28,6 7,80 75,62
2,12 -2 8,85 8 15,3 14,76 1,03 14,2 15,20 76,35
1,91 -3 8,96 8 15,1 14,50 1,52 9,5 22,04 77,08
1,74 -4 9,08 8 14,6 13,95 2,00 6,9 27,90 76,63
1,51 -5 9,13 8 14,2 13,70 2,58 5,3 35,35 73
Tabla 4.2.6. Valores obtenidos del circuito con el lazo de tensión cerrado. Boost.
En la figura 4.2.14 se puede ver que VC12 es prácticamente el doble que VC2, también se ha
añadido en esta ocasión la corriente del inductor y la tensión IREF donde se aprecia que se
mantiene estable la relación entre ambas. Por último vemos que aparece el mismo rizado que
en el caso anterior solo que con picos algo mayores.
77
Figura 4.2.14. CH1: señal VC12; CH2: señal VC2, CH3: corriente IL, CH4: señal IREF).
4.3. Circuito microcontrolador de MPPT
La última sección del circuito a comprobar es la encargada del control MPPT. Para esta placa
se utilizó el PIC18F13K50, al cual se le asignaron las señales de entrada y salida que se
observan en la figura 4.3.1.
Figura 4.3.1. Señales de entrada y salida del controlador MPPT.
Para comprender algo mejor cada una de estas E/S las describiremos a continuación:
Io: Esta entrada de tipo analógica corresponde a la corriente de salida del convertidor sensada
por el AD8210. Se utiliza por el PIC para comprobar la evolución de la corriente y actuar en
consecuencia.
Vbatt: Esta señal, también de tipo analógica se utiliza para medir la tensión de la batería,
con el fin de comprobar la carga de la misma.
Control: Corresponde a la señal de excitación del driver LM27222.
SW1, SW2, SW3: Se colocaron tres interruptores para poder acondicionar distintos modos
de funcionamiento o realizar acciones según fuese necesario. Durante las pruebas se asignó
78
el SW1 para inhibir el convertidor y el SW2 se utilizó para activar el MPPT o fijar el ciclo
de trabajo al 50 %.
Out: Esta señal corresponde al bus de salida SPI, encargada de modificar el ciclo de trabajo
del convertidor para obtener la máxima corriente de salida.
Inhib: Con esta salida digital se inhibe la conmutación de los MOSFETs
Battlock: En caso de que la carga de la batería este por debajo de los niveles recomendados
una señal en esta salida desconectaría la carga para evitar que la batería se descargue a niveles
perjudiciales.
4.3.1. Comprobación de entradas y salidas del circuito
Antes de comprobar la interacción entre el circuito MPPT y el lazo de tensión, se decidió

comprobar la respuesta del circuito ante señales arbitrarias, digitales y analógicas,
produciendo respuestas en sus salidas.
Para las entradas y salidas digitales se hizo un simple programa en el la salida digital
generaba una respuesta igual a la entrada digital, de ese modo se comprobó el correcto
funcionamiento de las mismas. Luego para las señales analógicas se realizó un programa
algo más complejo en el que se realizaba la lectura de la señal entrante y se generaba como
respuesta una salida que se enviaba mediante el bus SPI al conversor D/A MCP4821. En la
figura 4.3.2 se muestra una señal sinusoidal proveniente de un generador de funciones y la
señal de salida del MCP4821 resultante. Realizadas estas comprobaciones se introdujo el
programa para la búsqueda de la máxima potencia y se continuaron los ensayos sobre la
planta.
Figura 4.3.2. CH1: Señal del generador de funciones, CH2: Señal generada con el PIC.
79
4.4. Emulador de paneles fotovoltaicos
4.4.1. Ajuste manual de la curva I-V del emulador
Para la utilización del emulador de panel solar necesitaremos alimentar cada circuito
regulador con una tensión de ± 15 V. Para cada panel emulado dispondremos de dos
potenciómetros, uno para regular la ISC y otro para la VOC de dicho panel tal como muestra
la figura 4.4.1.
Figura 4.4.1. Potenciómetros de ajuste y panel de conexiones del simulador.
Antes de conectar el emulador a la planta se comienza ajustando la tensión VOC, utilizando

el potenciómetro correspondiente mientras se visualiza la tensión en un multímetro
conectado directamente a la salida. A continuación se establece la corriente de ISC
cortocircuitando la salida y ajustando con el potenciómetro de ajuste al valor deseado. Una
vez ajustados ambos valores es conveniente comprobar la tensión VOC por si es necesario
hacer un pequeño ajuste en la misma.
Se estableció en ambos paneles del simulador un VOC de 10 V pare realizar los diferentes
ensayos que se explicaran a continuación mientras que se establecieron diferentes valores de
corriente ISC comprendidos entre 2 A y 3 A debido a limitaciones en el circuito del emulador
y las alimentación de entrada del circuito pero que igualmente permiten una amplia variedad
de comprobaciones.
4.4.2. Caracterización de la curva I-V
La utilización del emulador permite elaborar varios ensayos para evaluar el correcto
funcionamiento del sistema antes de conectarlo al panel BP585.
Para comenzar se determina la característica de la curva generada por el emulador frente a
un barrido completo de tensión lo que da la posibilidad de comparar los resultados en los
diferentes modos de funcionamiento de forma rápida.
Para obtener la curva I-V se requiere aplicar un barrido de corriente, tensión, o impedancia
a la salida de emulador. Finalmente se utilizó un barrido de tensión puesto a que tras efectuar
algunas pruebas con cada uno de los modos se determinó que la curva más favorable es la
obtenida ajustando un barrido de tensión en forma de rampa. Para esto se utilizó la carga
electrónica variable HP6060B, de Hewlett Packard activando en modo TRANSIENT, de
modo que generase transitorios entre unos límites, de 0 a y 10 V, ajustando los valores de
80
frecuencia y slew rate en la carga activa hasta lograr una forma de onda prácticamente
triangular, y se ajustó un módulo del emulador con los parámetros ISC = 3 A y VOC = 10 V.
Durante estas comprobaciones la curva I-V presentaba muchas oscilaciones cuando su valor
era inferior a 1,5 A posiblemente debido a que a que en ese tramo, la corriente de la curva es
prácticamente vertical, provocando conflictos entre el control del emulador y la carga activa,
y al mismo tiempo ese mismo tramo era diferente según si el barrido de tensión estaba
incrementando o decrementando. Finalmente realizando el experimento a muy baja
frecuencia, se consiguió mejorar los resultados y obtener la curva con muy poca distorsión.
Figura 4.4.2. Diagrama de conexiones de los distintos instrumentos para caracterizar la curva I-V.
Figura 4.4.3. Curva I-V de un módulo. Eje X: CH1, tensión de salida. Eje Y, corriente en la carga.
Considerado que la curva I-V adquirida es lo suficientemente buena como para realizar
diversos ensayos, se conectaron los módulos 1 y 2 en serie, junto con unos diodos de bypass
entre la salida del emulador y la carga activa, de este modo se caracterizó la curva I-V del
conjunto tal como muestra la figura 4.4.4.
81
Figura 4.4.4. Conexión en serie de los paneles 1 y 2 con diodos de bypass.
En la figura 4.4.5 se puede observar la curva I-V característica obtenida de los dos módulos
en serie con VOC = 10 V y Isc = 3 A, mientras que en la figura 4.4.6 se observa la curva I-V
obtenida simulando un sombreado en uno de ellos que reduce la corriente de cortocircuito a
Isc = 2 A.
Figura 4.4.5. Curva I-V de dos módulos. Eje X: CH1, tensión de salida. Eje Y, corriente en la carga.
82
Figura 4.4.6. Curva I-V de dos módulos con ICS1=3 A y ICS2=2 A.
4.4.3. Obtención de la curva P-V
Luego de obtener las dos curvas, con y sin sombreado, de los dos módulos del emulador
conectados en serie y verificar que los resultados eran los esperados, el último paso a realizar
consiste en comparar la potencia de salida obtenida mediante la utilización de diodos de
bypass en contraposición con el convertidor con un ciclo de trabajo fijo del 50 % y el
convertidor con MPPT. Para ello, en los terminales de salida se conectará la carga electrónica
en modo tensión haciendo una variación continua desde el cortocircuito hasta una tensión
máxima de 20 V. Para cambiar entre los distintos modos de funcionamiento se dispuso del
interruptor SW1 en la placa del microcontrolador para desconectar el convertidor y del
jumper en el conector X11 para utilizar el ciclo de trabajo fijo D=50 % o habilitar el control
MPPT.
Figura 4.4.6. Conexión y desconexión del convertidor
4.4.3.1. Ensayo con ISC iguales en cada módulo
La primera prueba a realizar consiste en obtener las curvas características en cada modo de
funcionamiento utilizando la misma configuración en ambos paneles del simulador.
83
Panel 1 ⇒ ISC = 3 A; VOC = 10 V

Panel 2 ⇒ ISC = 3 A; VOC = 10 V
La tabla 4.4.1 contiene las lecturas obtenidas de la corriente que pasa por el inductor, las
tensiones de entrada y la corriente, tensión y potencia a la salida para diferentes valores
arbitrarios de Vo.
IL [A] VC12 [V] VC2 [V] Vo [V] Io [A] Po [W]

Bypass 0 0,81 0,64 0 3,07 0
D=50 % 0 0,82 -0,3 0 3,07 0
0 1,74 1,1 1 3,04 3,04
0 1,74 -0,3 1 3,07 3,07
0 2,73 1,59 2 3,04 6,08
0 2,73 -0,3 2 3,07 6,14
0 3,72 2,07 3 3,04 9,12
0 3,73 -0,3 3 3,07 9,21
0 4,72 2,56 4 3,04 12,16
0 4,72 0,08 4 3,04 12,16
0 5,71 3,05 5 3,04 15,2
0 5,71 1,05 5 3,02 15,1
0,03 6,71 3,53 6 3,04 18,24
0 6,71 2,04 6 3,02 18,12
0 7,72 4,03 7 3,04 21,28
0 7,72 3,04 7 3,02 21,14
0 8,72 4,52 8 3,04 24,32
0 8,72 4,03 8 3,02 24,16
-0,05 9,71 5,01 9 3,01 27,09
0 9,72 5,03 9 3,02 27,18
-0,08 10,7 5,49 10 2,92 29,2
0 10,7 5,54 10 2,92 29,2
-0,08 11,69 5,97 11 2,83 31,13
0 11,69 6,02 11 2,83 31,13
-0,09 12,67 6,45 12 2,71 32,52
0 12,67 6,5 12 2,71 32,52
-0,06 13,67 6,94 13 2,58 33,54
0 13,67 6,99 13 2,58 33,54
-0,08 14,66 7,43 14 2,45 34,3
0 14,66 7,47 14 2,45 34,3
-0,07 15,64 7,91 15 2,3 34,5
0 15,64 7,95 15 2,3 34,5
-0,05 16,62 8,38 16 2,15 34,4
0 16,63 8,43 16 2,15 34,4
-0,07 17,6 8,87 17 1,92 32,64
0 17,6 8,92 17 1,93 32,81
-0,02 18,07 9,1 17,5 1,6 28
0 18,07 9,11 17,5 1,6 28
-0,06 18,53 9,33 18 1,29 23,22
0 18,53 9,36 18 1,31 23,58
-0,05 18,82 9,47 18,3 1,06 19,398
0 18,81 9,49 18,3 1,06 19,398
84
-0,05 19,18 9,65 18,7 0,75 14,025

0 19,18 9,66 18,7 0,75 14,025
-0,07 19,43 9,77 19 0,48 9,12
0 19,43 9,79 19 0,52 9,88
-0,06 19,71 9,91 19,3 0,25 4,825
0 19,7 9,93 19,3 0,23 4,439
-0,06 19,96 10,04 19,68 0 0
0 19,95 10,05 19,68 0 0
Tabla 4.4.1. Valores obtenidos utilizando el simulador con la misma ISC.
Los valores expresados en la tabla anterior son un resumen de los valores obtenidos mediante
dos ensayos diferentes, el primero consistió en variar lentamente la tensión de salida y
adquirir los valores manualmente. Para el segundo ensayo se conectó el PicoScope 3206 a
un ordenador y se realizaron varias capturas de modo automático. Los resultados obtenidos
en ambos ensayos fueron casi idénticos. Dado la falta de “sombreado” los resultados al
conectar el MPPT fueron prácticamente iguales a los obtenidos con D=50 %, por lo que no
están presentes en la tabla para facilitar su lectura.
Como era de esperarse debido a que las ISC son iguales no hay beneficio en la utilización del
convertidor aunque tampoco se aprecian pérdidas significativas por la conmutación.
La figura 4.4.7 representa las dos curvas I-V obtenidas. Naturalmente ambas curvas I-V son
prácticamente iguales, debido a que los dos módulos conectados en serie tienen el mismo
sombreado, y por consiguiente, la corriente media que pasa a través de inductor del
convertidor tiende a ser nula, representando que el mismo no trabaja.
Curva I-V
3,5
2,5
2
Io [A]
1,5
0,5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vo [V]
Bypass D=50%
Figura 4.4.7. Curvas I-V obtenidas a partir de las medidas llevadas a cabo.
85
Aunque idealmente las dos curvas de potencia obtenidas deberían ser iguales, en la realidad
el convertidor ocasiona pérdidas. De todas maneras como se aprecia en la figura 4.4.8 ambas
curvas están prácticamente superpuestas y por lo que podríamos afirmar que estas pérdidas
son muy bajas.
Curva P-V
40
35
30
25
Po [W]
20
15
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vo [V]
Bypass D=50%
Figura 4.4.8. Curvas P-V obtenidas a partir de las medidas llevadas a cabo.
4.4.3.2. Ensayo para la ISC de cada módulo diferente
Luego de conocer el comportamiento del circuito en una condición sin sombreado se

prosiguió a estudiar el comportamiento del mismo ante una situación de sombreado parcial.
Para esto se establecieron diferentes ISC para cada panel del emulador.
Panel 1 ⇒ ISC = 3 A
Panel 2 ⇒ ISC = 2 A

Bypass 0,44 1,74 -0,44 1 3,07 3,07
D=50 % 1 1,67 1,06 1 2,35 2,35
MPPT N/A N/A N/A 1 N/A N/A
0,44 2,73 -0,44 2 3,07 6,14
1 2,67 1,55 2 2,41 4,82
0,45 3,72 -0,44 3 3,06 9,18
1,04 3,67 2,04 3 2,45 7,35
0,47 3,7 0,6 3 2,85 8,55
0,37 4,7 -0,43 4 2,92 11,68
1,03 4,66 2,53 4 2,46 9,84
0,47 4,7 1,2 4 2,83 11,32
0,28 5,68 -0,42 5 2,73 13,65
86
1,01 5,66 3,02 5 2,48 12,4

0,57 5,69 1,58 5 2,74 13,7
0,15 6,66 -0,4 6 2,48 14,88
1,03 6,66 3,51 6 2,48 14,88
0,62 6,67 2,67 6 2,65 15,9
0,05 7,64 -0,37 7 2,22 15,54
1,03 7,67 4 7 2,5 17,5
0,7 7,68 3,27 7 2,62 18,34
0 8,62 0,01 8 2 16
1,02 8,67 4,49 8 2,5 20
0,6 8,67 3,75 8 2,54 20,32
0 9,61 1,01 9 2 18
0,96 9,67 4,98 9 2,46 22,14
0,8 9,66 5,85 9 2,45 22,05
0 10,61 2,01 10 2 20
0,87 10,66 5,46 10 2,41 24,1
0,6 10,66 6,15 10 2,42 24,2
0 11,6 3 11 1,98 21,78
0,77 11,65 5,95 11 2,36 25,96
0,8 11,65 6,53 11 2,37 26,07
0 12,6 3,99 12 1,98 23,76
0,69 12,63 6,43 12 2,3 27,6
0,6 12,64 6,8 12 2,3 27,6
0 13,61 4,99 13 1,98 25,74
0,63 13,64 6,93 13 2,22 28,86
0,7 13,64 7,4 13 2,22 28,86
0 14,61 5,95 14 1,97 27,58
0,52 14,63 7,41 14 2,13 29,82
0,6 14,63 7,6 14 2,13 29,82
0 15,6 6,9 15 1,92 28,8
0,49 15,61 7,89 15 2,02 30,3
0,4 15,61 7,88 15 2,02 30,3
0 16,59 7,77 16 1,79 28,64
0,48 16,6 8,37 16 1,85 29,6
0,57 16,6 8,52 16 1,85 29,6
0 17,56 8,54 17 1,51 25,67
0,48 17,57 8,85 17 1,6 27,2
0,7 17,57 9,01 17 1,59 27,03
0 18,5 9,18 18 1,04 18,72
0,28 18,51 9,32 18 1,09 19,62
2,3 18,49 12,1 18 0,98 17,64
0 19,41 9,73 19 0,38 7,22
0,07 19,42 9,77 19 0,42 7,98
2,4 19,49 12,17 19 0,85 16,15
0 19,87 9,98 19,58 0 0
0 19,88 10 19,58 0 0
2,5 20,5 13,35 20 0,8 16
2,5 21,4 14,55 21 0,75 15,75
Tabla 4.4.2. Valores obtenidos utilizando el simulador en serie con distinta Isc.
87
En esta situación, al ser la potencia generada por cada sección del emulador diferente, se
puede apreciar la diferencia entre el funcionamiento con MPPT frente a la utilización del
ciclo de trabajo fijo al 50 %. En la figura 4.4.9 y 4.4.10, podemos intuir las ventajas del uso
del convertidor en sus dos modos frente a los diodos de bypass. Contrariamente, para
tensiones cercanas al cortocircuito el mejor rendimiento se obtiene con los diodos de bypass
debido a que aprovecha el la máxima corriente generada por la sección menos sombreada.
Asimismo, a medida que nos desplazamos por el eje horizontal comienza a apreciarse las
ventajas de un bypass activo. De igual manera, como se aprecia en la tabla 4.4.2, la corriente
que pasa a través de la bobina, mientras funciona el convertidor, no es nula como era de
esperarse.
Curva I-V
3,5
2,5
2
Io [A]
1,5
0,5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vo [V]
Bypass D=50% MPPT
En la figura 4.4.10 se representan las curvas de potencia obtenidas. Con la utilización del
convertidor tanto con D=50 % o con MPPT se obtiene mayor eficiencia que con la utilización
de los diodos de bypass, excepto para valores muy bajos de tensión, donde la potencia es
menor con el convertidor, por lo explicado en el párrafo anterior, y también para valores
cercanos a VOC donde las potencias obtenidas son casi iguales. Respecto al convertidor
trabajando con D=50 % o el MPPT los resultados obtenidos, para este caso concreto de
sombreado, son muy similares, aunque algo mejores con el MPPT.
88
Curva P-V
35
30
25
20
Po [W]
15
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vo [V]
Bypass D=50% MPPT
4.4.3.3. Conclusiones
Luego de estudiar las curvas características obtenidas a partir del emulador, donde hemos
simulado situaciones de diferente e igual sombreado, ajustando los valores de VOC e ISC,
similares a lo que es posible encontrar con el panel solar, podemos concluir que a pesar de
que a tensiones bajas la obtención de medidas ha sido difícil de obtener debido a ruidos en
la señal, los resultados conseguidos han sido satisfactorios.
Todos los ensayos realizados hasta este momento nos han permitido comprobar la fiabilidad
del diseño y comprender mejor el comportamiento del convertidor frente a distintos puntos
de funcionamiento. Si bien los ensayos posibles con el emulador de paneles han presentado
limitaciones por la propia herramienta, ha servido para tener una idea aproximada del
comportamiento del convertidor antes de conectarlo al propio panel PV BP585.
4.5. Panel solar
Todos los ensayos realizados hasta ahora han sido satisfactorios, pudiendo comprobar que
el convertidor funciona correctamente. Finalmente es momento de conectar el circuito de
bypass a un panel real y comprobar que la potencia extraída utilizando el convertidor
trabajando con un ciclo de trabajo fijo (D=50 %) es mayor que la obtenida con los diodos de
bypass cuando hay sombreado en alguno de los paneles, y a su vez analizar el beneficio
adicional que se obtiene al variar el ciclo de trabajo con el circuito de MPPT implementado,
y finalmente realizar la carga una batería maximizando la corriente entregada a la misma.
89
Figura 4.5.1. Panel PV BP585 utilizado durante los ensayos.
El panel PV BP585 que se va a utilizar es uno de los que conforman la instalación

fotovoltaica del edificio en el que está situado el Grup dÁutomática i Electrònica Industrial
(GAEI), lugar donde se ha realizado la totalidad el montaje y ensayos del prototipo que
describe el presente proyecto.
La utilización de la instalación fotovoltaica se realizó mediante un panel de conexiones

disponible dentro del laboratorio del GAEI en el cual se podía utilizar distintas
configuraciones de los mismos. En la figura 4.5.2 se muestran las configuraciones
disponibles, donde la configuración “B” es la que permitió utilizar las dos secciones de 18
células que conforman el panel.
Figura 4.5.2. Panel de conexiones de la instalación fotovoltaica.
4.5.2. Caracterización de la curva I-V
4.5.2.1. Curva característica I-V sin sombreado
Algunos de los problemas que encontramos, al caracterizar la curva I-V utilizando el

emulador, se asociaron a un posible conflicto entre en lazo de control del emulador y la carga
electrónica. Por este motivo se espera poder conseguir curvas características de mejor calidad
con el panel PV.
90
A continuación se repetirá el experimento realizado con anterioridad utilizando el simulador

de paneles solares para obtener la curva I-V del panel durante un día soleado y sin sombreado
en ninguna de sus secciones. Nuevamente se configuró la carga activa en modo transient
para que alterne entre 0 V y VOC = 20 V con un slew rate adecuado para que haga un barrido
continuo, equivalente a forzar una señal triangular en los bornes del panel fotovoltaico. Se
ha tenido en cuenta que los diodos de bypass ya están conectados en la placa solar pero aun
así he decidido añadir un par de diodos entre el panel y la carga activa.
Figura 4.5.2. Diagrama de conexiones de los instrumentos para caracterizar la curva I-V.
Naturalmente la curva I-V obtenida no representa las características máximas del panel dado
que la ISC está condicionada entre otros factores a la irradiación solar dependiente del tiempo
meteorológico y la hora cuando se obtuvo. La curva que muestra la figura 4.5.3 se consiguió
en un día soleado de invierno por la mañana. En la imagen podemos ver la curva
característica casi completa, y también se puede apreciar una pequeña diferencia de
aproximadamente 100 mA en la ISC de los dos paneles a pesar de no haber ningún sombreado
en los mismos.
Figura 4.5.3. Curva I-V del panel BP585. Eje X: CH1, tensión de salida. Eje Y, corriente en la carga.
91
4.5.2.2. Curva característica I-V para sombreado fijo
Con el fin de obtener y comparar las curvas características extraídas del panel PV, con la
utilización del convertidor y sin él, se realizaron diferentes sombreados sobre una de las
secciones del panel. Con el propósito de reducir el calor generado por efecto Joule debido a
las células no sombreadas del semipanel, el sombreado se realizó sobre 9 células, utilizando
para ello unas planchas de plástico que se sujetaron al panel con un par de sargentos.
Figura 4.5.4. Sombreado parcial de una hilera de 9 células en serie.
Para analizar el comportamiento del panel frente a distintas situaciones de sombreado se

realizó la caracterización de varias curvas I-V.
Realizando el sombreado que se aprecia en la figura 4.5.4 se obtuvieron las curvas
características para unos sombreados aproximados de 1/4, 2/4 y 3/4, respectivamente, del
área de nueve células horizontales. La siguiente figura 4.5.5 contiene representados cada
situación de sombreado y los resultados de la caracterización. En ellas se puede distinguir
cómo a medida que se incrementa el área sombreada, el valor de la corriente constante para
el tramo de tensión más alta se hace más bajo (ISC del tramo sombreado). También se advierte
como el diodo de bypass entra en conducción evitando que la tensión en la sección
sombreada se haga negativa.
92
Figura 4.5.5. Diferentes curvas I-V del panel solar BP585 para distintos sombreados.
4.5.2.3. Curva característica con sombreado I-V variable
Aunque en la mayoría de pruebas efectuadas en el laboratorio el sombreado horizontal

planteado da los resultados deseados al mismo tiempo que distribuye la carga entre las
células, también resultó interesante la posibilidad de simular una sombra que variase a lo
largo del día, para simular una situación más realista como podría ser el caso de un poste o
una rama. Se colocó una plancha de plástico flotando sobre el panel, la cual proyectaría una
sombra que se iría desplazando sobre el panel lo largo del día. La figura 4.5.6 muestra cómo
se colocó la pieza para conseguir dicho sombreado.
93
Figura 4.5.6. Obstáculo variable para la obtención de la curva I-V.
Naturalmente los resultados que se obtienen con este sombreado respecto al sombreado
horizontal son iguales. El motivo por el que nos interesamos por este sombreado es para
realizar un último ensayo en el que se realiza la cargar de una batería a lo largo del día.
La figura 4.5.7 corresponde a la curva característica I-V obtenida un día soleado para el
mencionado sombreado.
Figura 4.5.7. Curva I-V para un obstáculo cuya sombra proyectada cambia a lo largo del día.
4.5.3. Obtención de la curva P-V
En las pruebas para la obtención y comparación de la potencia, con y sin sombreado, para
diferentes valores de tensión de salida, se ha sombreado aproximadamente tres cuartas partes
del área de nueve células, pertenecientes a la misma sección. Al igual que en el caso de la
realización de las pruebas experimentales con el emulador de paneles, se ha conectado la
carga activa a la salida en modo tensión, variando su valor entre números cercanos a
cortocircuito y VOC. Asimismo los datos se han obtenidos de 2 formas, primeramente se
realizaron desconectando y conectando el convertidor y cambiando entre un ciclo de trabajo
94
fijo y uno controlado por el MPPT para anotar los resultados pertinentes manualmente, en
segundo lugar se utilizó el osciloscopio Picoscope PS3206 con conexión USB o el
osciloscopio Tektronix TDS 3014C, para registrar directamente los valores de corriente y
tensión de salida en cada modo de funcionamiento, los cuales debido a la gran cantidad de
valores adquiridos se utilizaron para comparar gráficamente con las curvas obtenidas con
valores discretos.
Figura 4.5.8. Conexión y desconexión del convertidor.
4.5.3.1. Día soleado sin sombreado sobre el panel PV
Con el fin de comparar el comportamiento del circuito convertidor y las pérdidas en una
situación sin sombreado, se obtuvieron los datos que se exponen en la tabla 4.5.1 durante un
día soleado. En cada caso se aprecia que la corriente en el inductor es nula o cercana a este
valor, excepto en el caso del MPPT que comienza a oscilar al aproximarse a la tensión de
circuito abierto. Finalmente, luego de estudiar las curvas de corriente y potencia obtenidas,
se puede apreciar que bajo una situación sin sombreado los resultados con casi iguales en
cada caso, siendo algo superior al desconectar el convertidor.

Bypass 0 0,55 -0,99 0 4,39 0
D=50 % 0,05 1,6 0,96 0 4,37 0
MPPT 0,08 1,63 0,84 0 4,37 0
0 1,43 -0,93 1 4,39 4,49
0,05 2,52 1,43 1 4,43 4,43
0,08 2,5 1,81 1 4,38 4,38
0 2,44 -0,9 2 4,39 8,98
0,05 3,52 1,89 2 4,41 8,82
0,07 3,54 2,28 2 4,45 8,9
0 3,45 -0,87 3 4,39 13,47
0,09 4,52 2,39 3 4,45 13,35
0,09 4,53 2,59 3 4,47 13,41
0 4,44 -0,58 4 4,39 17,96
0,11 5,53 2,88 4 4,43 17,72
0,12 5,51 2,28 4 4,4 17,6
0 5,43 0,59 5 4,37 22,35
0,09 6,51 3,36 5 4,4 22
-0,01 6,5 1,62 5 4,41 22,05
95
0 6,43 1,36 6 4,35 26,7

0,09 7,5 3,85 6 4,39 26,34
0,1 7,51 4,27 6 4,37 26,22
0 7,44 2,28 7 4,33 31,01
0,08 8,48 4,31 7 4,37 30,59
0,22 8,46 5 7 4,36 30,52
0 8,42 3,17 8 4,35 35,6
0,09 9,47 4,79 8 4,36 34,88
0,22 9,49 4,97 8 4,38 35,04
0 9,43 3,95 9 4,34 39,96
0,13 10,4 5,26 9 4,32 38,88
0,18 10,5 5,44 9 4,34 39,06
0 10,4 4,63 10 4,23 43,3
0,19 11,4 5,73 10 4,2 42
-0,07 11,4 5,59 10 4,18 41,8
0 11,4 5,14 11 4,11 46,31
0,28 12,4 6,22 11 4,03 44,33
-0,08 12,4 6,36 11 4,03 44,33
0 12,4 5,62 12 3,88 47,76
0,31 13,3 6,67 12 3,76 45,12
0,38 13,3 6,73 12 3,75 45
0 13,3 6,14 13 3,5 46,8
0,39 14,2 7,11 13 3,29 42,77
0,59 14,2 7,2 13 3,15 40,95
0 14,2 6,64 14 2,99 43,26
0,36 15 7,52 14 2,79 39,06
0,08 15 7,25 14 2,66 37,24
0 15,1 7,16 15 2,4 37,5
0,39 15,8 7,89 15 2,08 31,2
1,34 15,8 8,62 15 2,12 31,8
0 16,1 7,63 16 1,62 27,52
0,38 16,6 8,27 16 1,35 21,6
2,53 16,6 9,93 16 1,34 21,44
0 16,9 8,14 17 0,79 15,13
0,23 17,4 8,67 17 0,72 12,24
2,51 17,5 10,5 17 0,88 14,96
0 17,9 8,86 18 0,29 7,02
-0,04 18,4 9,2 18 0,03 0,54
2,73 18,3 11,2 18 0,25 4,5
Tabla 4.5.1. Valores obtenidos sin sombreado sobre el panel PV durante un día soleado.
Los valores contenidos en la tabla son una fracción de los obtenidos. La figura 4.4.9,
realizada con todos los valores obtenidos, nos permite apreciar que efectivamente que las
tres curvas son prácticamente iguales.
96
Curva I-V
5
3
Io [A]
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
-1
Vo [V]
MPPT 50% Bypass
Las curvas P-V obtenidas se pueden observar en figura 4.5.10. Es posible apreciar las
pérdidas ocasionadas por el convertidor, siendo el MPP igual para el caso del MPPT y del
convertidor con ciclo de trabajo fijo, mientras que el MPP utilizando los diodos de bypass es
1,44 W mayor.
Curva P-V
50
40
30
Po [W]
20
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
-10
Vo [V]
MPPT 50% Bypass
97
4.5.3.2. Día prácticamente soleado con sombreado en una de las secciones
Las medidas obtenidas en este apartado se han realizado durante un día soleado con algunas
nubes intermitentes utilizando un sombreado aproximado al 75% sobre 9 celdas de una
sección. La tabla 4.5.2 contiene los valores obtenidos para los tres modos de funcionamiento.
En este ensayo ha sido posible apreciar diferencias significativas entre los tres modos de
funcionamiento y un beneficio en la utilización del MPPT.

Bypass 2,41 1,75 -0,62 0 2,48 0,00
D=50 % 3,20 1,02 0,44 0 1,26 0,00
MPPT N/A N/A N/A 0 N/A N/A
2,41 2,65 -0,62 1 4,27 4,27
3,17 2,25 1,16 1 2,30 2,30
3,14 2,66 -0,20 1 4,43 4,43
2,41 3,64 -0,62 2 4,26 8,52
3,17 3,30 1,67 2 2,50 5,00
3,14 3,67 -0,20 2 4,43 8,86
2,40 4,64 -0,62 3 4,21 12,63
3,17 4,33 2,17 3 2,59 7,77
3,14 4,55 0,31 3 4,00 12,00
2,27 5,59 -0,61 4 3,98 15,92
3,18 5,34 2,67 4 2,64 10,56
3,11 5,55 0,84 4 3,73 14,92
1,94 6,47 -0,58 5 3,32 16,60
3,19 6,35 3,16 5 2,68 13,40
3,05 6,50 1,38 5 3,60 18,00
1,36 7,30 -0,54 6 2,52 15,12
3,20 7,35 3,66 6 2,71 16,26
2,98 7,44 1,82 6 3,40 20,40
0,73 8,08 -0,46 7 1,72 12,04
3,19 8,38 4,16 7 2,71 18,97
2,94 8,43 2,43 7 3,19 22,33
0,00 8,90 -0,13 8 1,18 9,44
3,18 9,43 4,67 8 2,71 21,68
2,93 9,39 3,42 8 3,02 24,16
0,00 9,90 0,85 9 1,16 10,44
3,12 10,42 5,16 9 2,71 24,39
2,92 10,38 4,22 9 2,84 25,56
0,00 10,89 2,01 10 1,16 11,60
3,04 11,41 5,65 10 2,68 26,80
2,92 11,32 5,20 10 2,66 26,60
0,00 11,89 1,87 11 1,15 12,65
2,82 12,34 6,13 11 2,59 28,49
2,87 12,29 6,07 11 2,56 28,16
0,00 12,88 3,84 12 1,14 13,68
2,45 13,32 6,62 12 2,39 28,68
2,85 13,26 7,20 12 2,43 29,16
0,00 13,89 4,85 13 1,14 14,82
2,02 14,31 7,14 13 2,20 28,60
2,83 14,26 8,27 13 2,33 30,29
0,00 14,90 5,84 14 1,14 15,96
1,56 15,19 7,59 14 2,02 28,28
2,70 15,24 8,42 14 2,25 31,50
98
0,00 15,88 6,83 15 1,13 16,95

1,06 16,11 8,08 15 1,74 26,10
2,60 16,16 9,00 15 2,08 31,20
0,00 16,88 7,83 16 1,13 18,08
0,61 17,03 8,56 16 1,51 24,16
2,45 17,03 9,43 16 1,69 27,04
0,00 17,92 8,82 17 1,03 17,51
0,41 17,85 8,96 17 0,94 15,98
2,40 17,82 9,36 17 1,24 27,20
0,00 18,67 9,27 18 0,52 9,36
0,22 18,67 9,38 18 0,38 6,84
2,40 18,67 10,00 18 0,60 10,80
0,00 19,31 9,60 19 0,00 0,00
0,00 19,24 9,67 18,94 0,00 0’00
2,32 19,24 9,67 18,94 0,12 2,27
Tabla 4.5.2. Valores obtenidos con sombreado en una de las dos secciones en un día prácticamente soleado.
La figura 4.5.11 visualiza las tres curvas I-V obtenidas. En ellas podemos destacar que
durante el tramo que limita los dos puntos en los que se cruzan las curvas obtenidas sin
convertidor y con el bypass activo trabajando con un ciclo de trabajo fijo del 50 %, la
corriente en la curva del convertidor es visiblemente superior a la conseguida con el mismo
desconectado, esto se define en más potencia obtenida con el uso del bypass activo. Del
mismo modo se puede apreciar un mayor rendimiento de la curva obtenida con el ciclo de
trabajo controlado por el MPPT frente al obtenido con D=50 % sobre todo para tensiones
próximas a los límites de trabajo.
Curva I-V
5
4,5
4
3,5
3
Io [A]
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vo [V]
Bypass D=50% MPPT
Figura 4.5.11. Curvas I-V obtenidas a partir de las medidas llevadas a cabo
En la figura 4.5.12 podemos distinguir de forma clara tres tramos entre las dos curvas de
potencia. En el primero, la potencia sin el convertidor es superior siendo casi igualada por la
99
obtenida con MPPT, mientras que es significativamente inferior para D=50 %. Esto es
debido a que en este tramo la mayor corriente se obtiene para una tensión negativa en una de
las secciones, cuando el convertidor está funcionando en cambio, con D=50 %, la tensión de
entrada es proporcional para ambas secciones debido al lazo de tensión. En el segundo tramo,
la potencia obtenida con el convertidor es superior en sus dos modos de funcionamiento,
llegando incluso a doblar la potencia para la misma carga en varios casos respecto a los
diodos. En este tramo, las tensiones de entrada de las dos secciones del panel son
prácticamente iguales para D=50 % mientras que con el MPPT se desplazan las tensiones
para obtener una mayor corriente. Finalmente, en el tercer y último tramo, para valores
cercanos a VOC, las potencias en las tres situaciones tienden a igualarse.
La diferencia entre el MPP en la situación de irradiación estudiada es de 10 W favorable con
el uso del circuito de bypass activo con D=50 % y de 13 W utilizando el controlador MPPT,
también se calculó un incremento de potencia medio para todo el barrido de tensión del 32
% y 58 % respectivamente.
En este punto cabe destacar que para la tensión de carga de una batería, aproximadamente
13V que es la implementación que deseamos darle al convertidor, la ganancia obtenida no
es tan significativa como para otros puntos de trabajo siendo de un 92 % para D=50 % y de
un 104 % para el caso del MPPT sobre los diodos.
Curva P-V
35
30
25
20
Po[W]
15
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vo [V]
Bypass D=50% MPPT
Las siguientes graficas se obtuvieron para la misma situación de sombreado anterior, aunque
en un horario con menos irradiación solar, mediante la utilización del osciloscopio digital
Picoscope obteniendo una gráfica mucho más definida por la gran cantidad de valores
obtenidos. El ruido presente en la captura es debido a que la corriente de salida se obtuvo
con una sonda de tensión conectada al sensor de corriente que presentaba ruidos de
conmutación y al adecuar la escala estos se vieron amplificados.
100
Curva I-V
4
3,5
2,5
Io [A]
1,5
0,5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vo [V]
Io [A] (Bypass) Io [A] (D=50%) Io [A] (MPPT)
Figura 4.5.13. Curvas I-V obtenidas con Picoscope PS3206.
Curva P-V
30
25
20
Po [W]
15
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vo [V]
Po [W] (Bypass) Po [W] (D=50%) Po [W] (MPPT)
Figura 4.5.14. Curvas P-V obtenidas con Picoscope PS3206.
101
4.5.4. Respuesta transitoria
Si pensamos en los posibles cambios que pueden presentarse en la irradiación recibida por
el panel PV, como el paso de una nube, la sombra proyectada de algún objeto o el ángulo de
radiación según la hora del día, estamos hablando de cambios que se pueden considerar muy
lentos. No obstante es interesante conocer el tiempo que le tomaría al sistema para ajustarse
a un nuevo punto de trabajo.
Luego de hacer las curvas I-V en los distintos modos, ya somos capaces de intuir que el
tiempo de respuesta es adecuado para los fines propuestos. Por otra parte la intervención del
sistema de MPPT, al realizar lecturas y conversiones A/D y D/A, es posible que retrase algo
la respuesta. Por este motivo se decidió hacer los siguientes ensayos con el fin de conocer y
comparar cada caso.
4.5.4.1. Tiempo de respuesta con perturbación electrónica
Para comprobar la respuesta del sistema se conectó la carga activa en paralelo con una de las
secciones del panel PV. El ensayo consistió en activar la carga en un momento dado con el
fin de derivar parte de la corriente generada a través de la carga activa, produciendo así un
escalón en la corriente entregada al convertidor. Este ensayo se realizó primeramente con el
convertidor inhibido, luego con el convertidor funcionando con D=50 % y finalmente con el
control MPPT.
Figura 4.5.15. Respuesta con Diodos de Bypass. Figura 4.5.16. Respuesta con convertidor y D=50 %.
Figura 4.5.17. Respuesta con convertidor y sistema MPPT.
102
Como se puede apreciar en los resultados obtenidos con el convertidor inhabilitado (figura
4.5.15.), luego para un ciclo de trabajo del 50 % (figura 4.5.16.) y con el uso del control
MPPT (figura 4.5.17.) la respuesta es igual en cada caso, es debido a que tanto el circuito de
control como el control MPPT generan una respuesta más rápida que el inductor L2.
4.5.4.2. Tiempo de respuesta con perturbación mecánica
En las siguientes figuras se observa el resultado de generar rápidamente un sombreado de

aproximadamente un 75% sobre una fila de celdas cuando el convertidor se encuentra
inhabilitado (figura 4.5.18.), luego para un ciclo de trabajo del 50 % (figura 4.5.19.) y
finalmente con el uso del control MPPT (figura 4.5.20.).
Figura 4.5.18. Respuesta con Diodos de Bypass. Figura 4.5.19. Respuesta con convertidor y D=50 %.
Figura 4.5.20. Respuesta con convertidor y sistema MPPT.
El sombreado se ha realizado de forma manual tan rápido como ha sido posible. Se puede
apreciar que para un sombreado mecánico la velocidad del sistema presenta una respuesta
instantánea, ya que la pendiente de la curva representa la evolución del sombreado, el cual
es seguido por el sistema.
4.5.5. Carga de una batería
4.5.5.1. Introducción
Hasta el momento hemos podido comprobar los beneficios del uso del convertidor, con y sin
la utilización de un sistema MPPT, y compararlos en cada caso con sus curvas características
103
I-V e P-V, donde se realizó un barrido completo de tensión. Por lo tanto ahora nos interesa
comprobar cuál es el rendimiento del convertidor al cargar una batería, la cual determinará
la tensión de salida del circuito.
Para realizar el ensayo se decidió utilizar dos paneles PV, con el fin de comparar las
corrientes de carga y comprobar la ventaja del convertidor frente al uso de diodos de bypass,
conectado uno de ellos al convertidor y otro el directo a la batería, de igual manera, nos
interesó poder comparar los resultados entre el uso del sistema MPPT frente al convertidor
con ciclo de trabajo fijo.
4.5.5.2. Circuito para la comparación de las corrientes de carga de la batería
Para poder estudiar la diferencia entre la utilización del convertidor o los diodos de bypass,
durante la carga de una batería, y conseguir comparar las corrientes entregadas en cada caso
se propuso el circuito de la figura 4.5.21. Con esta disposición podemos medir las corrientes
provenientes de cada sistema, las cuales a su vez se sumaran para cargar la batería. Para
impedir que la batería se descargue a través del panel se incorporó un diodo entre el panel
PV2 y la batería, el cual tiene las mismas características que el que está en la salida del
circuito de potencia.
Figura 4.5.21. Diagrama de conexiones para comparar la corriente de carga.
Dado que solo al producirse un sombreado sobre la superficie del panel es posible obtener
más potencia con el circuito de bypass activo y que, con el fin de simular una situación más
real, el sombreado debería cambiar a lo largo del día, se colocó un obstáculo sobre los paneles
que proyectarían una sombra que variaría según la posición del sol. Naturalmente, para que
los resultados sean aceptables, el sombreado sobre ambos paneles tiene que ser lo más
parecido posible, y la posición respecto al sol de ambos también debe ser igual.
Finalmente se cortó una pieza de plástico en dos secciones, consiguiendo así dos obstáculos
con el mismo grosor, ancho y longitud, las cuales se dispusieron en ángulo sobre dos paneles
contiguos, como se puede apreciar en la figura 4.5.22. De este modo se consiguió que la
sombra proyectada sobre ambos paneles fuera igual durante todo el ensayo.
104
Figura 4.5.22. Sombreados móviles sobre los dos paneles prácticamente iguales.
La figura 4.5.23. muestra el recorrido del sol a lo largo del día respecto de la ubicación del
departamento del GAEI, donde se encuentran los paneles utilizados con orientación sur.
Podemos ver que el momento de proyección más directa se producirá entre las 15:00 hs y
las 16:00 hs.
Figura 4.5.23. Recorrido del sol durante las pruebas realizadas.
4.5.5.3. Corriente de salida del convertidor sin MPPT y del panel PV2
El primer día se realizaron las comparaciones entre el uso del bypass activo sin la
intervención del sistema MPPT frente a la utilización de los típicos diodos de bypass. Para
adquirir las corrientes en ambos casos, desde un ordenador, se utilizaron dos multímetros
TENMA 72-8720 conectados como amperímetros, uno en la salida del bypass activo y el
otro en el cátodo del diodo de protección del panel PV2. Mediante la utilización del software
del fabricante se adquirieron muestras cada segundo durante todo el tiempo que se mantuvo
la carga de la batería. Asimismo, capturo la tensión de carga de la batería y se realizaron
varias capturas a lo largo del día de todas las medidas desde un osciloscopio.
105
La batería, como se ha citado en el inicio de la memoria, es de 12 V y 50 Ah. Antes de

comenzar el ensayo se realizó una descarga completa de la batería y como medida preventiva
se conectó en paralelo la carga activa para poder desviar la corriente de carga en caso de que
se incrementara demasiado, aunque finalmente no fue necesario. En la tabla 4.5.4 se muestra
un resumen de los resultados obtenidos.
Hora Io1 [A] Io2 [A] Vo [V] Hora Io1 [A] Io2 [A] Vo [V]
11:25 2,558 1,670 13,14 14:50 2,368 1,704 13,77
11:30 2,588 1,671 13,18 14:55 2,377 1,720 13,79
11:35 2,607 1,670 13,21 15:00 2,367 1,732 13,81
11:40 2,620 1,670 13,25 15:10 2,401 1,762 13,86
11:45 2,620 1,654 13,29 15:15 2,391 1,779 13,89
11:50 2,647 1,650 13,33 15:20 2,377 1,789 13,91
11:55 2,641 1,640 13,34 15:25 2,481 1,793 13,93
12:00 2,639 1,626 13,35 15:30 2,488 1,801 13,95
12:05 2,643 1,614 13,36 15:35 2,492 1,811 13,97
12:10 2,659 1,600 13,36 15:40 2,507 1,816 13,99
12:15 2,660 1,588 13,37 15:45 2,505 1,820 14,00
12:20 2,651 1,578 13,38 15:50 2,423 1,822 14,01
12:25 2,651 1,567 13,39 15:55 2,472 1,839 14,04
12:30 2,634 1,546 13,40 16:00 2,447 1,844 14,07
12:35 2,641 1,535 13,41 16:05 2,466 1,850 14,09
12:40 2,619 1,518 13,42 16:10 2,437 1,844 14,12
12:45 2,620 1,498 13,43 16:15 2,416 1,836 14,16
12:50 2,618 1,494 13,44 16:20 2,409 1,828 14,22
12:55 2,603 1,478 13,45 16:25 2,451 1,852 14,26
13:00 2,620 1,472 13,46 16:30 2,382 1,828 14,29
13:05 2,590 1,458 13,47 16:35 2,389 1,834 14,31
13:10 2,578 1,453 13,49 16:40 2,367 1,833 14,33
13:15 2,557 1,445 13,51 16:45 2,343 1,828 14,36
13:20 2,512 1,446 13,52 16:50 2,343 1,822 14,38
13:25 2,481 1,445 13,52 16:55 2,316 1,810 14,40
13:30 2,485 1,448 13,53 17:00 2,288 1,794 14,43
13:35 2,518 1,456 13,54 17:05 2,270 1,787 14,44
13:40 2,489 1,459 13,55 17:10 2,245 1,754 14,44
13:45 2,445 1,463 13,56 17:15 2,201 1,646 14,44
13:50 2,444 1,482 13,57 17:20 2,169 1,526 14,44
13:55 2,400 1,502 13,59 17:25 2,139 1,406 14,44
14:00 2,377 1,526 13,60 17:30 2,109 1,279 14,44
14:05 2,363 1,545 13,61 17:35 2,040 1,168 14,44
14:10 2,361 1,560 13,63 17:40 1,953 1,082 14,44
14:15 2,402 1,582 13,64 17:45 1,848 0,980 14,44
14:20 2,432 1,601 13,66 17:50 1,752 0,891 14,44
14:25 2,427 1,623 13,68 17:55 1,669 0,818 14,44
14:30 2,410 1,637 13,70 18:00 1,571 0,752 14,33
106
14:35 2,416 1,649 13,71 18:05 1,471 0,702 14,33

14:40 2,401 1,671 13,73 18:10 1,387 0,667 14,30
14:45 2,386 1,688 13,75 18:12 1,324 0,648 14,30
Tabla 4.5.4. Corrientes de carga obtenidas durante gran parte de un día soleado.
Para mayor definición, la figura 4.5.24, se realizó utilizando la totalidad de las medidas
obtenidas por software. Se puede apreciar que durante toda la duración del experimento los
valores de la corriente de salida del convertidor (Io1) superan a los de la salida del panel PV2
(Io2). Así mismo la figura 4.5.25. representa la potencia entregada por cada panel a la batería
en cada instante.
3,000
2,500
2,000
1,500
1,000
0,500
0,000
11:31:12 12:43:12 13:55:12 15:07:12 16:19:12 17:31:12
Io1 [A] Io2 [A]
Figura 4.5.24. Valores de las 2 corrientes de carga de la batería durante varias horas de análisis.
40
35
30
25
20
15
10
0
11:31:12 12:43:12 13:55:12 15:07:12 16:19:12 17:31:12
P Convertidor [W] P PV2 [W]
Figura 4.5.25. Potencia entregada, en cada caso, a la batería durante varias horas de análisis.
107
Inicialmente la tensión de la batería era de 12,35 V. Horas después de haber realizado este
ensayo estaba cargada a 12,75 V.
4.5.5.4. Corriente de salida del convertidor con MPPT y del panel PV2
El ensayo con el sistema MPPT se llevó a cabo el día siguiente para que las condiciones
medioambientales y de irradiación sean similares al experimento anterior. Se repitió la
misma metodología de trabajo con la que se obtuvieron los datos que se resumen en la tabla
4.5.5.
Hora Io1 [A] Io2 [A] Vo [V] Hora Io1 [A] Io2 [A] Vo [V]
11:05 2,56 1,75 12,78 14:45 2,81 1,78 13,06
11:10 2,65 1,76 12,78 14:50 2,79 1,80 13,07
11:15 2,68 1,76 12,78 14:55 2,80 1,82 13,08
11:20 2,72 1,75 12,78 15:00 2,81 1,84 13,09
11:25 2,76 1,74 12,78 15:05 2,81 1,87 13,10
11:30 2,78 1,73 12,78 15:10 2,81 1,89 13,12
11:35 2,80 1,72 12,78 15:15 2,81 1,90 13,13
11:40 2,80 1,71 12,78 15:20 2,80 1,92 13,15
11:45 2,81 1,69 12,78 15:25 2,81 1,94 13,16
11:50 2,82 1,68 12,78 15:30 2,79 1,96 13,17
11:55 2,83 1,66 12,78 15:35 2,80 1,97 13,18
12:00 2,84 1,65 12,78 15:40 2,78 1,99 13,19
12:05 2,84 1,63 12,78 15:45 2,77 2,00 13,20
12:10 2,84 1,61 12,78 15:50 2,76 2,00 13,22
12:15 2,83 1,59 12,82 15:55 2,76 2,02 13,23
12:20 2,86 1,57 12,82 16:00 2,74 2,02 13,23
12:25 2,91 1,55 12,82 16:05 2,67 2,03 13,24
12:30 2,91 1,52 12,82 16:10 2,68 2,04 13,25
12:35 2,92 1,51 12,82 16:15 2,68 2,05 13,26
12:40 2,92 1,49 12,83 16:20 2,66 2,04 13,27
12:45 2,92 1,47 12,83 16:25 2,63 2,05 13,28
12:50 2,91 1,44 12,83 16:30 2,62 2,04 13,29
12:55 2,91 1,43 12,84 16:35 2,59 2,03 13,30
13:00 2,92 1,41 12,85 16:40 2,55 2,03 13,31
13:05 2,89 1,39 12,85 16:45 2,55 2,03 13,32
13:10 2,88 1,38 12,86 16:50 2,52 2,02 13,33
13:15 2,89 1,37 12,87 16:55 2,47 2,01 13,34
13:20 2,86 1,36 12,88 17:00 2,45 1,97 13,35
13:25 2,85 1,37 12,89 17:05 2,43 1,86 13,35
13:30 2,85 1,39 12,90 17:10 2,39 1,72 13,35
13:35 2,84 1,41 12,90 17:15 2,35 1,59 13,35
13:40 2,83 1,44 12,91 17:20 2,29 1,47 13,35
13:45 2,81 1,46 12,92 17:25 2,26 1,36 13,34
13:50 2,81 1,49 12,94 17:30 2,22 1,28 13,34
13:55 2,80 1,51 12,95 17:35 2,17 1,20 13,34
108
14:00 2,78 1,54 12,96 17:40 2,08 1,13 13,33

14:05 2,78 1,57 12,97 17:45 1,97 1,06 13,33
14:10 2,76 1,59 12,97 17:50 1,86 1,02 13,33
14:15 2,77 1,61 12,99 17:55 1,76 1,00 13,32
14:20 2,77 1,65 13,00 18:00 1,67 0,97 13,32
14:25 2,78 1,67 13,01 18:05 1,56 0,94 13,31
14:30 2,81 1,70 13,02 18:10 1,48 0,93 13,30
14:35 2,80 1,72 13,04 18:15 1,45 0,89 13,30
14:40 2,81 1,75 13,05
Tabla 4.5.5. Corrientes de carga obtenidas durante gran parte de un día soleado.
En la figura 4.5.26 se representan las corrientes obtenidas en cada caso a lo largo del tiempo
que duro el ensayo. Nuevamente podemos ver que la utilización del convertidor significa
una mejora significativa en la obtención de la potencia generada por el panel. Finalmente en
la figura 4.5.27 se visualiza la potencia entregada a la batería por cada panel.
3,5
2,5
1,5
0,5
0
11:05:17 12:17:17 13:29:17 14:41:17 15:53:17 17:05:17
Io1 [A] Io2 [A]
Figura 4.5.26. Valores de las 2 corrientes de carga de la batería durante varias horas de análisis.
La hora de inicio del ensayo fue tomada de forma arbitraria en cuanto se realizaron las
conexiones y se preparó todo el material.
109
40
35
30
25
20
15
10
0
11:05:17 12:17:17 13:29:17 14:41:17 15:53:17 17:05:17
P Convertidor [W] P PV2 [W]
Figura 4.5.27. Potencia entregada, en cada caso, a la batería durante varias horas de análisis.
Aunque no es posible comparar directamente los resultados entre los dos últimos
experimentos, ya que la captura de los datos no se ha hecho simultáneamente y por tanto
condiciones como temperatura, humedad, irradiación y nubosidad no son exactamente
iguales, se puede apreciar igualmente que la evolución de la corriente con los tradicionales
diodos de bypass evoluciona de forma similar en ambos experimentos. Por este motivo se
calculó de forma porcentual el incremento medio de la potencia entregada a la batería en
cada ensayo, usando solo los datos comprendidos entre las 11:25 hs hasta las 18:10 hs, con
lo que se obtiene en el caso del convertidor con D=50 % un incremento medio del 53,99 %
en la potencia entregada a la batería respecto al uso de los diodos de bypass, mientras que la
intervención del sistema MPPT permite entregar a la batería un 65,16 % más de lo que se
conseguiría bajo las mismas condiciones con los diodos de bypass.
110
5. Conclusiones
111
5. Conclusiones - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
Durante el desarrollo de este proyecto se ha rediseñado el circuito Buck-Boost bidireccional

diseñado en el proyecto “Convertidor de Bypass para un Panel Solar BP585” presentado por
José Mª Romero Martínez basado en la idea inicial descrita en la publicación “Minimizing
the effects of shadowing in a PV module by means of active voltage sharing”, al cual se han
añadido modificaciones en el circuito de control y se ha diseñado un circuito capaz de
transferir la máxima corriente disponible durante la carga de una batería.
Inicialmente se han realizado diversas simulaciones utilizando el software PSIM para

analizar el correcto funcionamiento del circuito, así como para poder evaluar el
comportamiento del código de programa desarrollado para el MPPT y comprobar la
viabilidad del proyecto.
Para la construcción del prototipo se escogieron los elementos considerando los parámetros
necesarios en cada caso según los cálculos llevados a cabo. Una vez realizado el montaje se
comprobó el circuito de forma escalonada para poder comprobar el correcto funcionamiento
y detectar posibles fallos, comenzando por el circuito de potencia, luego lazo de corriente y
lazo de tensión, y finalmente circuito MPPT. Este procedimiento progresivo permitió
corregir pequeños fallos de montaje y corregirlos con mayor facilidad, sin perjudicar ningún
componente.
Una vez comprobado todo el sistema se realizaron los experimentos iniciales con un
emulador de módulos solares, donde se compararon los resultados con y sin el uso del
sistema MPPT y se fueron corrigiendo algunos parámetros sobre el código del
microcontrolador.
Durante los ensayos se comprobó que el circuito de potencia era capaz de soportar sin
inconvenientes la corriente máxima de trabajo (ISC del panel BP585), incluso se realizaron
pruebas en lazo cerrado donde la corriente en el inductor podía alcanzar los 6 A (límite
establecido por los diodos del lazo de tensión) y en lazo abierto se llegó a doblar los 5 A.
El principal problema, en el desarrollo del proyecto, surgió durante los ensayos en lazo
cerrado donde aparecían picos en las medidas del sensor de corriente durante la conmutación,
provocando que la frecuencia de conmutación del sistema aumente desmesuradamente. El
conseguir resolver dicho problema requirió mucho tiempo, análisis y sugerencias del equipo
del laboratorio. Finalmente mejorando las conexiones entre masas, el filtro de los sensores y
el lazo de tensión se consiguió solucionar el problema.
Los últimos experimentos se realizaron con el panel PV real, donde se compararon resultados
obtenidos con los diodos de bypass y con el convertidor funcionando con un ciclo de trabajo
fijo del 50 %, así como con un ciclo controlado por el MPPT, realizando pruebas para
diferentes condiciones meteorológicas y sombreados. Al comparar los resultados se
comprobó que el uso del convertidor permite en algunos casos duplicar la potencia extraída,
siendo, según el caso, aún mayor con el circuito MPPT.
Los objetivos inicialmente propuestos se han alcanzado, se ha conseguido simular, construir

y comprobar el circuito con éxito. También se ha podido comprobar que el sistema MPPT
funciona correctamente y que según las condiciones de sombreado puede ser muy favorable
también su implementación. Por otro lado la complejidad y el coste de añadir el MPPT al
sistema original, con ciclo de trabajo fijo, es justificable ya que, además de mejorar la
extracción de potencia del panel, añade la posibilidad de mejorar el sistema con facilidad,
112
5. Conclusiones - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
permitiendo analizar el estado de la planta para desconectar el convertidor de Bypass cuando

no hay sombreado, evitando perdidas en la conmutación, así como proteger la batería,
desconectando la salida del circuito, si se descarga demasiado. También se llegaron a
plantear dos mejoras adicionales, la primera consistió en implementar un tercer estado al
MPPT, donde el sistema trata de estabilizarse en lugar de seguir cambiando el ciclo de
trabajo, y la segunda fue de realizar el cambio del ciclo de trabajo de forma no lineal,
variando de forma continua el valor de δ. Ambas modificaciones se simularon y se comprobó
que mejoran el rizado del circuito, pero ralentizan la actuación del sistema MPPT.
Durante el desarrollo de las pruebas experimentales se contó con el apoyo de Daniel

González, quien participó en la publicación “Minimizing the effects of shadowing in a PV
module by means of active voltage sharing” con quien he colaborado por su interés en la
posible escritura y publicación de un nuevo artículo.
113
6. Planos
114
6. Planos - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
6.1. Relación de planos
Los siguientes planos hacen referencia a las seis placas diseñadas y construidas durante el
desarrollo del proyecto: las correspondientes a la etapa de control (77x58 mm), la placa de
control MPPT (44x43 mm), la etapa de potencia (180x85 mm), los dos sensores de corriente
(18x19,3 mm) y el driver (18,6x20 mm), estos tres últimos se montaron en pequeñas placas
sobre un conector DIP8 para poder realizar comprobaciones y reemplazarlos con facilidad.
Durante las pruebas experimentales se debieron corregir algunos errores mínimos, que ya se
encuentran corregidos en los planos expuestos en este capítulo.
Plano Título
1 Circuito de control (esquemático)
2 Circuito de control (foto y componentes)
3 Circuito de control (fotolito TOP y BOTTOM)
4 Circuito de MPPT con PIC (esquemático)
5 Circuito de MPPT con PIC (foto y componentes)
6 Circuito de MPPT con PIC (fotolito TOP y BOTTOM)
7 Circuito de potencia (esquemático)
8 Circuito de potencia (foto y componentes)
9 Circuito de potencia (fotolito TOP y BOTTOM)
10 Circuitos de sensado AD8210 y Driver LM27222M (componentes)
11 Circuitos de sensado AD8210 y Driver LM27222M (foto y componentes)
12 Circuitos de sensado AD8210 y Driver LM27222M (fotolito TOP y BOTTOM)
Tabla 6.1. Relación de planos.
115
$ % & ' ( )
*$(,
&86720(5 8QLYHUVLWDW5RYLUDL9LUJLOL

352-(&7 &DUJDGRUGHEDWHUtDVEDVDGRHQXQFLUFXLWRGHE\SDVVDFWLYR
'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGHFRQWUROHVTXHPiWLFR
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'5$:1%< 5DPLUR*DUFLD(ULFH HOHFWU´QLFDLQGXVWULDO
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
116
$ % & ' ( )
*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGHFRQWUROIRWR\FRPSRQHQWHV
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
117
$ % & ' ( )
TOP BOTTOM

*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGHFRQWUROIRWROLWR723\%27720
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
118
$ % & ' ( )
*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGH0337FRQ3,&HVTXHPiWLFR
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
119
$ % & ' ( )
*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGH0337FRQ3,&IRWR\FRPSRQHQWHV
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
120
$ % & ' ( )
TOP BOTTOM

*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGH0337FRQ3,&IRWROLWR723\%27720
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
121
$ % & ' ( )
*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGHSRWHQFLDHVTXHPiWLFR
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
122
$ % & ' ( )
*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGHSRWHQFLDIRWR\FRPSRQHQWHV
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
123
$ % & ' ( )
TOP

BOTTOM
*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRGHSRWHQFLDIRWROLWR723\%27720
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
124
$ % & ' ( )
*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRVGHVHQVDGR$'\'ULYHU/00HVTXHPiWLFR
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
125
$ % & ' ( )
Circuito
Driver LM27222M

Circuitos de sensado
con AD8210
TOP BOTTOM
*$(,

'5$:,1*7,7/( &LUFXLWRVGHVHQVDGR$'\'ULYHU/00IRWR\
*UXSG
$XWRP¢WLFDL
'5$:1%< 5DPLUR*DUFLD(ULFH FRPSRQHQWHV
HOHFWU´QLFDLQGXVWULDO
'$7( 0RQGD\0DUFK 6+((7 2) 9(5 5(9
126
$ % & ' ( )
TOP BOTTOM
TOP BOTTOM
Sensor de Corriente 1
Driver LM27222M
TOP BOTTOM
Sensor de Corriente 2
*$(,

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127
7. Presupuesto
128
7. Presupuesto - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
7.1. Amidamientos
7.1.1. Capítulo 1 – Placa de potencia
CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓN CANTIDAD

C11, C12, C13, C14,
C01_1 Capacitor Cerámico 2220, 47uF, 16V, X7R 8u
C15, C17, C18, C19
C01_2 Capacitor Electrolítico 2200uF, 25V, 20% C16 1u
C01_3 Capacitor Cerámico 1nF, 50V, 10%, X7R C20, C21, C22 3u
C01_4 Capacitor Cerámico 1206, 100nF, 25V, X7R C9, C10, C29, C36, C38 5u
C01_5 MBR1660 - Diodo Schottky, 16A, 60 V D1, D2, D3 3u
C01_6 Diodo, 1A, 800V D4 1u
C01_7 Hilo de cobre esmaltado 0,07 mm2 L1 13 m
C01_8 Núcleo magnético Toroidal 77076-A7 L1 1u
C01_9 Inductor Toroidal SPT68H-113MLB 11μH L2 1u
C01_10 2N3904 - Transistor NPN Q3 1u
C01_11 Resistencia 10K, 1/4W, 1% R22, R23, R32 3u
C01_12 Resistencia 180 OHM, 1/4W, 1% R24, R29, R30 3u
C01_13 Resistencia 2512, 0.01 ohm, 1 W R25, R31 2u
C01_14 Resistencia 100K, 1/4W, 1% R26 1u
C01_15 Resistencia 20K, 1/4W, 1% R27, R28 2u
C01_16 Relé 5 Vcc, 10 A RL1 1u
C01_17 IRFB4410ZPBF - MOSFET N, 100V T1, T2 2u
TP8, TP10, TP11, TP12,
C01_18 TestPoint para PCB 1.32 mm 6u
TP13, TP14
C01_19 MC7805BTG - Regulador de tensión, 5V, 1ª U1 1u
C01_20 Amp. Op. CMOS Dual - TLC2272ACP U2 1u
X1, X2, X3, X4, X5, X10,
C01_21 Conector Faston Acodado PCB 6.3x0.8mm 7u
X11
C01_22 Conector PCB 1 Vía 1 Fila X12, X13 2u
C01_23 Conector PCB 3 vías 1 fila X14, X15 2u
C01_24 Zócalo DIL 8 Vías X29, X30, X31, X32 4u
C01_25 Conector PCB 2 vías 1 fila X6 1u
C01_26 Conector macho 6 vías X7 1u
C01_29 KIT Aislante TO-220 5u
C01_30 Arandela 5u
C01_31 Disipador Diodo salida 1u
C01_32 Disipador MOSFETs 1u
C01_33 Tornillo 3u
C01_34 Tuerca 3u
C01_35 Separador de aluminio M/H M3 30mm 4u
C01_36 AD8210YRZ - Monitor de Corriente U6, U7 2u
C01_37 Capacitor Cerámico 1206, 4,7 nF, 50V, X7R C30, C32, C34, C35 4u
C01_38 Capacitor Cerámico 1206, 47nF, 100V, X7R C31, C33 2u
X38, X39, X40, X41,
C01_39 Conector PCB 4 Vías 1 Fila 6u
X42, X43
C01_40 Resistencia 1206, 10R, 0,25W R33, R34, R38, R39 4u
C01_41 Capacitor Cerámico 1206, 1uF, 25V, X7R C37 1u
C01_42 Capacitor Cerámico 1206, 330nF, 25V, X7R C39 1u
129
C01_43 Diodo Zener 5,1 V, SOD-80 D6 1u

C01_44 LM27222M - Controlador de MOSFET/PWM U8 1u
C01_45 Resistencia 1206, 0R, 0,25W R40 1u
C01_46 Resistencia 1206, 1.5R, 0,25W R41 1u
C01_47 Diodo Schottky, SOD323 D5 1u
7.1.2. Capítulo 2 – Placa de control

C02_01 Capacitor Cerámico 33pF, 200V, 5%, X7R C1 1u
C02_02 Capacitor Cerámico 1uF, 50V, 10%, X7R C2 1u
C02_04 Capacitor Cerámico 1206, 100nF, 25V, X7R C4, C6, C7, C8 4u
C02_05 Capacitor Cerámico 1206, 10nF, 50 V, X7R C5 1u
C02_07 Resistencia 8,2K, 1/4W, 1% R10, R11 2u
C02_11 Resistencia Trimer 20K R19, R20, R21 3u
C02_13 Resistencia 180 OHM, 1/4W, 1% R3 1u
R6, R7, R8, R9, R12,
C02_15 Resistencia 100K, 1/4W, 1% 7u
R15, R16
C02_16 TestPoint para PCB 1.32 mm TP1, TP2, TP3, TP4 4u
C02_17 TLC555CP - Timer CMOS U3 1u
C02_18 Amp. Op. CMOS Dual - TLC2272ACP U4 1u
C02_19 Amp. Op. CMOS Dual - OPA2350PA U5 1u
C02_20 Conector macho 6 vías X16, X23 2u
C02_22 Conector macho 3 vías X19, X20 2u
C02_25 Zócalo DIL 8 Vías X33, X34, X35 3u
7.1.3. Capítulo 3 – Placa de control MPPT con PIC

C03_01 Capacitor Cerámico 1206, 27pF, 100 V C23, C24 2u
C03_02 Capacitor Cerámico 1206, 100nF, 25V, X7R C25, C26, C28 3u
C03_04 Resistencia 100K, 1/4W, 1% R35, R36, R37 3u
C03_05 Interruptor 4 Vías SW1 1u
C03_06 TestPoint para PCB 1.32 mm TP5, TP6, TP7, TP9 4u
C03_07 PIC18F13K50 U10 1u
C03_08 MCP4821-E/P - 12BIT DAC, SPI U9 1u
130

C03_13 Zócalo DIL 8 Vías X36 1u
C03_14 Zócalo DIP 20 Vías X37 1u
C03_15 Cristal 32.768 kHz XTAL1 1u
7.1.4. Capítulo 4 – Otros accesorios

C04_1 Placa PCB Epoxy doble cara 200x150mm 1u
C04_2 Clip cocodrilo 10A - Rojo 1u
C04_3 Terminal para conector, sin soldar, 22-30 AWG 44 u
C04_4 Conector Hembra 2 vías, 2,54 mm 2u
C04_8 Terminal de Crimpar Hembra 6.3 x 0.8mm 7u
C04_9 Puente con tirador 2,54 MM, 2 VÍAS 6u
C04_10 Cable de cobre 384/0,05 mm 0,5 m
C04_11 Clip cocodrilo 10A - Negro 1u
131
7.2. Precios unitarios
CÓDIGO DESCRIPCIÓN P.U. (€)

C01_1 Capacitor Cerámico 2220, 47uF, 16V, X7R 1,880
C01_2 Capacitor Electrolítico 2200uF, 25V, 20% 0,990
C01_3 Capacitor Cerámico 1nF, 50V, 10%, X7R 2,640
C01_4 Capacitor Cerámico 1206, 100nF, 25V, X7R 0,033
C01_5 MBR1660 - Diodo Schottky, 16A, 60 V 0,760
C01_6 Diodo, 1A, 800V 0,119
C01_7 Hilo de cobre esmaltado 0,07 mm2 0,120
C01_8 Núcleo magnético Toroidal 77076-A7 0,390
C01_9 Inductor Toroidal SPT68H-113MLB 11μH 1,550
C01_10 2N3904 - Transistor NPN 0,200
C01_11 Resistencia 10K, 1/4W, 1% 0,028
C01_12 Resistencia 180 OHM, 1/4W, 1% 0,012
C01_13 Resistencia 2512, 0.01 ohm, 1 W 0,630
C01_14 Resistencia 100K, 1/4W, 1% 0,033
C01_15 Resistencia 20K, 1/4W, 1% 0,033
C01_16 Relé 5 Vcc, 10 A 0,970
C01_17 IRFB4410ZPBF - MOSFET N, 100V 1,770
C01_18 TestPoint para PCB 1.32 mm 0,866
C01_19 MC7805BTG - Regulador de tensión, 5V, 1ª 0,282
C01_20 Amp. Op. CMOS Dual - TLC2272ACP 2,430
C01_21 Conector Faston Acodado PCB 6.3x0.8mm 0,125
C01_22 Conector PCB 1 Vía 1 Fila 0,065
C01_23 Conector PCB 3 vías 1 fila 0,093
C01_24 Zócalo DIL 8 Vías 0,630
C01_26 Conector macho 6 vías 0,280
C01_29 KIT Aislante TO-220 0,260
C01_30 Arandela 0,050
C01_31 Disipador Diodo salida 6,350
C01_32 Disipador MOSFETs 13,060
C01_33 Tornillo 0,070
C01_34 Tuerca 0,050
C01_35 Separador de aluminio M/H M3 30mm 1,060
C01_36 AD8210YRZ - Monitor de Corriente 3,940
C01_37 Capacitor Cerámico 1206, 4,7 nF, 50V, X7R 0,016
C01_39 Conector PCB 4 Vías 1 Fila 0,127
C01_40 Resistencia 1206, 10R, 0,25W 0,022
C01_43 Diodo Zener 5,1 V, SOD-80 0,340
C01_44 LM27222M - Controlador de MOSFET/PWM 2,060
C01_45 Resistencia 1206, 0R, 0,25W 0,021
C01_46 Resistencia 1206, 1.5R, 0,25W 0,044
132
C01_47 Diodo Schottky, SOD323 0,071

C02_01 Capacitor Cerámico 33pF, 200V, 5%, X7R 0,200
C02_02 Capacitor Cerámico 1uF, 50V, 10%, X7R 0,040
C02_05 Capacitor Cerámico 1206, 10nF, 50 V, X7R 0,033
C02_06 Resistencia 2K, 1/4W, 1% 0,034
C02_07 Resistencia 8,2K, 1/4W, 1% 0,021
C02_08 Resistencia 40K, 1/2W, 1% 0,350
C02_09 Resistencia 30K, 1/4W, 1% 0,033
C02_10 Resistencia 120K, 1/4W, 1% 0,021
C02_11 Resistencia Trimer 20K 1,410
C02_12 Resistencia 1K, 1/4W, 1% 0,033
C02_13 Resistencia 180 OHM, 1/4W, 1% 0,012
C02_14 Resistencia 5K, 1/4W, 1% 0,220
C02_15 Resistencia 100K, 1/4W, 1% 0,033
C02_17 TLC555CP - Timer CMOS 0,560
C02_18 Amp. Op. CMOS Dual - TLC2272ACP 2,430
C02_19 Amp. Op. CMOS Dual - OPA2350PA 5,890

C03_01 Capacitor Cerámico 1206, 27pF, 100 V 0,210
C03_04 Resistencia 100K, 1/4W, 1% 0,033
C03_05 Interruptor 4 Vías 1,930
C03_07 PIC18F13K50 2,600
C03_08 MCP4821-E/P - 12BIT DAC, SPI 2,910
C03_14 Zócalo DIP 20 Vías 1,710
C03_15 Cristal 32.768 kHz 0,190
133

C04_1 Placa PCB Epoxy doble cara 200x150mm 4,130
C04_2 Clip cocodrilo 10A - Rojo 0,830
C04_3 Terminal para conector, sin soldar, 22-30 AWG 0,093
C04_4 Conector Hembra 2 vías, 2,54 mm 0,081
C04_8 Terminal de Crimpar Hembra 6.3 x 0.8mm 0,290
C04_9 Puente con tirador 2,54 MM, 2 VÍAS 0,116
C04_10 Cable de cobre 384/0,05 mm 1,112
C04_11 Clip cocodrilo 10A - Negro 0,830
7.3. Aplicación de precios
CÓDIGO DESCRIPCIÓN CANTIDAD P.U. (€) TOTAL

C01_1 Capacitor Cerámico 2220, 47uF, 16V, X7R 8u 1,880 15,040
C01_2 Capacitor Electrolítico 2200uF, 25V, 20% 1u 0,990 0,990
C01_3 Capacitor Cerámico 1nF, 50V, 10%, X7R 3u 2,640 7,920
C01_4 Capacitor Cerámico 1206, 100nF, 25V, X7R 5u 0,033 0,165
C01_5 MBR1660 - Diodo Schottky, 16A, 60 V 3u 0,760 2,280
C01_6 Diodo, 1A, 800V 1u 0,119 0,119
C01_7 Hilo de cobre esmaltado 0,07 mm2 13 m 0,120 1,560
C01_8 Núcleo magnético Toroidal 77076-A7 1u 0,390 0,390
C01_9 Inductor Toroidal SPT68H-113MLB 11μH 1u 1,550 1,550
C01_10 2N3904 - Transistor NPN 1u 0,200 0,200
C01_11 Resistencia 10K, 1/4W, 1% 3u 0,028 0,084
C01_12 Resistencia 180 OHM, 1/4W, 1% 3u 0,012 0,036
C01_13 Resistencia 2512, 0.01 ohm, 1 W 2u 0,630 1,260
C01_16 Relé 5 Vcc, 10 A 1u 0,970 0,970
C01_17 IRFB4410ZPBF - MOSFET N, 100V 2u 1,770 3,540
C01_18 TestPoint para PCB 1.32 mm 6u 0,866 5,194
C01_19 MC7805BTG - Regulador de tensión, 5V, 1ª 1u 0,282 0,282
C01_20 Amp. Op. CMOS Dual - TLC2272ACP 1u 2,430 2,430
C01_21 Conector Faston Acodado PCB 6.3x0.8mm 7u 0,125 0,875
C01_22 Conector PCB 1 Vía 1 Fila 2u 0,065 0,130
C01_23 Conector PCB 3 vías 1 fila 2u 0,093 0,186
C01_24 Zócalo DIL 8 Vías 4u 0,630 2,520
C01_26 Conector macho 6 vías 1u 0,280 0,280
134
C01_29 KIT Aislante TO-220 5u 0,260 1,300

C01_30 Arandela 5u 0,050 0,250
C01_31 Disipador Diodo salida 1u 6,350 6,350
C01_32 Disipador MOSFETs 1u 13,060 13,060
C01_33 Tornillo 3u 0,070 0,210
C01_34 Tuerca 3u 0,050 0,150
C01_35 Separador de aluminio M/H M3 30mm 4u 1,060 4,240
C01_36 AD8210YRZ - Monitor de Corriente 2u 3,940 7,880
C01_37 Capacitor Cerámico 1206, 4,7 nF, 50V, X7R 4u 0,016 0,064
C01_39 Conector PCB 4 Vías 1 Fila 6u 0,127 0,762
C01_40 Resistencia 1206, 10R, 0,25W 4u 0,022 0,088
C01_43 Diodo Zener 5,1 V, SOD-80 1u 0,340 0,340
C01_44 LM27222M - Controlador de MOSFET/PWM 1u 2,060 2,060
C01_45 Resistencia 1206, 0R, 0,25W 1u 0,021 0,021
C01_46 Resistencia 1206, 1.5R, 0,25W 1u 0,044 0,044
C01_47 Diodo Schottky, SOD323 1u 0,071 0,071

C02_01 Capacitor Cerámico 33pF, 200V, 5%, X7R 1u 0,200 0,200
C02_02 Capacitor Cerámico 1uF, 50V, 10%, X7R 1u 0,040 0,040
C02_05 Capacitor Cerámico 1206, 10nF, 50 V, X7R 1u 0,033 0,033
C02_07 Resistencia 8,2K, 1/4W, 1% 2u 0,021 0,042
C02_11 Resistencia Trimer 20K 3u 1,410 4,230
C02_13 Resistencia 180 OHM, 1/4W, 1% 1u 0,012 0,012
C02_17 TLC555CP - Timer CMOS 1u 0,560 0,560
C02_18 Amp. Op. CMOS Dual - TLC2272ACP 1u 2,430 2,430
C02_19 Amp. Op. CMOS Dual - OPA2350PA 1u 5,890 5,890
135

C03_01 Capacitor Cerámico 1206, 27pF, 100 V 2u 0,210 0,420
C03_05 Interruptor 4 Vías 1u 1,930 1,930
C03_07 PIC18F13K50 1u 2,600 2,600
C03_08 MCP4821-E/P - 12BIT DAC, SPI 1u 2,910 2,910
C03_14 Zócalo DIP 20 Vías 1u 1,710 1,710
C03_15 Cristal 32.768 kHz 1u 0,190 0,190

C04_1 Placa PCB Epoxy doble cara 200x150mm 1u 4,130 4,130
C04_2 Clip cocodrilo 10A - Rojo 1u 0,830 0,830
C04_3 Terminal para conector, sin soldar, 22-30 AWG 44 u 0,093 4,092
C04_4 Conector Hembra 2 vías, 2,54 mm 2u 0,081 0,162
C04_8 Terminal de Crimpar Hembra 6.3 x 0.8mm 7u 0,290 2,030
C04_9 Puente con tirador 2,54 MM, 2 VÍAS 6u 0,116 0,696
C04_10 Cable de cobre 384/0,05 mm 0,5 m 1,112 0,556
C04_11 Clip cocodrilo 10A - Negro 1u 0,830 0,830
7.4. Resumen del presupuesto
7.4.1. Presupuesto de ejecución material
Capítulo 1: Placa de potencia 86,34 €

Capítulo 2: Placa de control 25,54 €
Capítulo 3: Placa de control MPPT con PIC 18,88 €
Capítulo 4: Otros accesorios 14,77 €
Total de ejecución material 145,53 €
El presupuesto de ejecución material asciende a CIENTO CUARENTA Y CINCO EUROS

CON CINCUENTA Y TRES CÉNTIMOS.
7.4.2. Presupuesto de ejecución por contrata
136
Presupuesto de ejecución material 145,53 €

Gastos generales de empresa 12% 17,46 €
Beneficio industrial 8% 11,64 €
Total de ejecución por contrata 174,64 €
El presupuesto de ejecución por contrata asciende a CIENTO S E T E N T A Y

C U A T R O EUROS CON SESENTA Y CUATRO CÉNTIMOS.
7.4.3. Presupuesto global
Presupuesto de ejecución por contrata 174,64 €

IVA 21% 36,67 €
Total de presupuesto global 211,31 €
El presupuesto total asciende a D O S CIENTOS ONCE EUROS CON

TREINTA Y UN CÉNTIMOS.
137
8. Bibliografía
138
8. Bibliografía - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
[1] Giral, R., Ramos-Paja, C.A.; Gonzalez, D.; Calvente, J.; Cid-Pastor, A.; Martinez-
Salamero, L. Minimizing the effects of shadowing in a PV module by means of active
voltage sharing. IEEE International Conference on Industrial Technology (IEEE-ICIT
2010).
[2] Romero Martinez, Jose Mª. “Convertidor de bypass para un panel solar BP585”, 2011
[3] Daniel W. Hart. “Electrónica de Potencia”, Prentice Hall, 2001.
[4] F. Lasnier, T.G. Ang, “Photovoltaic Engineering Handbook”, IOP Publishing Ltd. 1990.
[5] Sanjaya Maniktala. “Troubleshooting Switching Power Converters. A Hands-on Guide”,

Elsevier Inc. 2008.
[6] José Francisco Sanz Requena, “Fundamentos de energía solar fotovoltaica para los
grados de titulaciones científico-técnicas”, UEMC. Servicio de Publicaciones. 2009.
[7] Javier Maixé, “Interruptores de potencia”, Apuntes Asignatura Electrónica de Potencia,

Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial URV.
[8] http://www.mag-inc.com/ (último acceso: 28-5-2014).
[9] http://www.sidei.cl/pdfs/Carga%20de%20Baterias.pdf (último acceso: 28-5-2014).
[10] http://ocw.unia.es/ciencias-tecnologicas/tecnologia-de-celulas-y-modulos-
fotovoltaicos/Materiales/ud1/unidad-1.-la-celula-solar (último acceso: 28-5-2014).
[11] Datasheet PIC18F13K50, http://www.microchip.com (último acceso: 10-1-2014).
[12] http://www.sunearthtools.com/dp/tools/pos_sun.php?lang=es (último acceso: 12-7-

2014).
[13] http://www.tropical-rainforest-animals.com/build-your-own-solar-panel.html (último

acceso: 28-5-2014).
[14] http://www.lawebdelasenergiasrenovables.com/ (último acceso: 28-5-2014).
[15] http://www.wikipedia.org/ (último acceso: 10-8-2014).
[16] http://es.farnell.com/ (último acceso: 20-8-2014).
[17] http://es.rs-online.com/ (último acceso: 20-8-2014).
139
9. Anexos
140
9. Anexos - Cargador de baterías basado en un circuito de bypass activo
9.1. Código MPPT.C

#include <adc.h>
#include <delays.h>
#include <math.h>
#include <p18cxxx.h>
#include <p18f13k50.h>
#include <pconfig.h>
#include <spi.h>
#include <timers.h>
#pragma config FOSC=IRC, FCMEN=OFF, IESO=OFF, CPUDIV=NOCLKDIV

#pragma config PWRTEN=OFF, BOREN=OFF, BORV=30, WDTEN=OFF, WDTPS=32768
#pragma config MCLRE=OFF, HFOFST=OFF, BBSIZ=OFF
#pragma config STVREN=OFF, LVP=OFF, XINST=OFF
#pragma config CP0=OFF, CP1=OFF, CPB=OFF, CPD=OFF
#pragma config WRT0=OFF, WRT1=OFF
#pragma config WRTB=OFF, WRTC=OFF, WRTD=OFF
#pragma config EBTR0=OFF, EBTR1=OFF, EBTRB=OFF
#pragma config USBDIV=OFF, PLLEN=OFF, PCLKEN=OFF
#define USE_OR_MASKS
#define V12 3 // Canal analógico AN4
#define VBatt 5 // Canal analógico AN5
#define Io 6 // Canal analógico AN6
#define Vgnd 7 // Canal analógico AN7
#define IL 8 // Canal analógico AN8
#define V2 10 // Canal analógico AN10
#define swmode PORTAbits.RA0 //entrada Switch Modo Lineal ON/OFF
#define swstate2 PORTAbits.RA1 //entrada Switch Estado 2 ON/OFF
#define swinhibit PORTBbits.RB5 //entrada Switch Inhibit ON/OFF
#define Control PORTCbits.RC0 //entrada "output del 555"
#define inhibit PORTCbits.RC4 //Salida Inhibit
unsigned int Canal[8], r[8], rmed1 = 0,
var=0x7FF, var_old=0x7FF, delta=0, Vo_entera,
int den=1, n_lim=50, old_state=0, crece=0, dete=0,
r_n=0, y_n=1, i, med_delay=0, n=0, state=1,
y[4],y3_old=0, dy=0, dy_lim, Hdy=0, dem_camb=0, cambio=0;
unsigned char mitadalta, mitadbaja;

double t;
// -------Definición de funciones-------
void escribir_tension(void) //Función de envío de datos por SPI
{
unsigned char sync_mode=0;
unsigned char bus_mode=0;
unsigned char smp_phase=0;
unsigned char w=0;
CloseSPI(); //Cierra módulo SPI si estaba en funcionamiento
sync_mode = SPI_FOSC_4;
bus_mode = MODE_00;
smp_phase = SMPMID;
if (Vo_entera >= 4096)
Vo_entera=4095; // Para no invadir la zona de 4 bits de control
mitadbaja=Vo_entera;
mitadalta=(Vo_entera>>8);
mitadalta=(mitadalta | 0x10); // 4 bits de config 00011111: escribir

TRISCbits.TRISC7=0; // en registro A, con 1 mV/bit.
PORTCbits.RC7=0;
OpenSPI(sync_mode,bus_mode,smp_phase);
PORTBbits.RB7=0; //Chip Select
WriteSPI(mitadalta); //Inicia envío de del primer carácter
Delay10TCYx (1);
WriteSPI(mitadbaja);
PORTBbits.RB7=1; //Chip Select
141
CloseSPI();
}
void adconversion(int channel) // Función para lectura analógica

{
OpenADC(ADC_FOSC_32 & ADC_RIGHT_JUST & ADC_4_TAD,ADC_CH6 &
ADC_INT_OFF, ADC_VREFPLUS_VDD & ADC_VREFMINUS_VSS, 0);
SetChanADC (channel); // Selecciono canal a convertir
ConvertADC (); // Comienza conversión
while (BusyADC()==1){} // espera hasta que se finalice conversión
Canal[channel]=ReadADC(); // Realiza lectura
}
void mediciones(void) // Función actualizar estado del sistema.

{
med_delay=16383;
adconversion(Vgnd); // Mide valor real de la referencia [Vgnd]
adconversion(VBatt); // Mide carga de batería.
adconversion(V12); // Mide tensión del panel [V1+V2]
adconversion(V1); // Mide tensión del panel bajo.
adconversion(IL); // Mide valor sensado de corriente IL.
}
void lecturamedia_io(void) // Función que realiza el cálculo del media
{ // de Io con "r_n" muestras
r_n=0;
n=0;
n_lim=20; // Espacio entre cálculo de Io medias [20]
while (r_n<4) // Cant. de muestras de Io para calcular la media
{
if (n==n_lim)
{ adconversion(Io); // toma de muestras
if (swmode<0.5) { r[r_n]=0x03FC & Canal[Io]; } //captura Io y
filtra los 2 bits menos significativos
else {r[r_n]=0x03FC & Canal[Io];} //Captura Io y filtra bit
r_n++; // menos significativo.
n_lim=n_lim+3; //Espacio entre cada muestra [3]
}
else {n++;}
} //FIN while (r_n)
for (i=0; i<r_n; i++) { // Cálculo del promedio
if (i==0) {rmed1=0;}
rmed1=r[i]+rmed1;
}
rmed1=rmed1/r_n; // Io promediada
}
void inicializacion(void)
{
OSCCON=OSCCON | 0x70; //Internal Clock 16 MHz
TRISAbits.RA4=1;
TRISB=0x3F; //RB: 0011xxxx //x=disponibles - n/a
TRISC=0x4F; //RC: 01001111 4F
PORTBbits.RB7=1;
PORTCbits.RC7=1; //CHIP SELECT MCP
Delay10TCYx (1); // 10 us
adconversion(Vgnd);
lecturamedia_io();
y[0]=rmed1;
}
void main (void)

{
inicializacion();
while (1) { // START WHILE MAIN
inhibit=0; // Desactiva la conmutación
var=0x7FF; // reset
while(swinhibit==1) { // Conmutación habilitada por interruptor
inhibit=1; // Desinhibe el controlador LM27222
142
//--------------------Captura y cálculo medio de Io----------------------

lecturamedia_io(); //devuelve el promedio de Io en la variable "rmed1"
//-------------------------Evalúa si Io CRECE----------------------------
y[1]=(int)rmed1;
dy=y[1]-y[0]; // calcula el error entre la media actual y la anterior
Hdy=Hdy+dy; // acumula el error
y[0]=y[1]; // guarda Io(t-1)
if (swmode<0.5) {dy_lim=2;}
else {dy_lim=3;}
if(Hdy>dy_lim) { crece=1; // Io está creciendo
Hdy=0;
if (swmode>0.5 && dem_camb>0){dem_camb--;}
}
else {if(Hdy<(-dy_lim)) { crece=0; // Io está decreciendo
if (swmode>0.5 && dem_camb < 1 ){ dem_camb++;}
else {cambio=1;} //flag de cambio de estado ON
Hdy=0;
}
else { if(swstate2>0.5 { //Estado 2 habilitado?
crece=2; // Io permanece constante
if(dem_camb > 2 )
{cambio=1;} //flag de cambio de estado ON
dem_camb++;
Hdy=0;
}
}
}
//-------------------------CAMBIO DE ESTADOS-----------------------------
if (cambio > 0)
{
if(state==2) //estado 2 = mantiene ciclo de trabajo
{ if (crece<0.5 && old_state==0)
{state=1;} // Io decrece y estaba decrementando D
if (crece==1 && old_state==0)
{state=0;}
if (crece<0.5 && old_state==1)
{state=0;} // Io decrece y estaba incrementando D
if (crece==1 && old_state==1)
{state=1;} // Io continua creciendo
}
else { //ESTA EN ESTADO 0 o 1
if (crece<0.5) {
if (state==1) {state=0;} // Cambia de estado y D aumenta.
else {state=1;} // Cambia de estado y D disminuye.
}
else{ if (crece>1.5) // Si Io no varía cambia a estado 2
{ old_state=state; // Flag de estado anterior
state=2;
}
}
}
cambio=0; //flag de cambio de estado OFF
}
//--------------------------CAMBIO DE ESTADOS----------------------------
switch(state)
{
case 0: //-------------ESTADO 0 INREMENTANDO "D" --------------------
if (swmode<0.5) { delta=65;} //Modo Lineal ON/OFF?
else { if (delta<65) { delta=delta+5; }
else {delta=65;}
}
break; //------------------------ FIN ESTADO 0 ---------------------
case 1: //-------------ESTADO 1 DECREMENTANDO "D"--------------------

if (swmode<0.5) { delta=25;} //Modo Lineal ON/OFF?
else { if (delta>25) { delta=delta-5; }
143
else {delta=25;}
}
break; //------------------------ FIN ESTADO 1 ---------------------
case 2: //-------------------------- ESTADO 2 -----------------------

if(old_state==1) { if(swmode<0.5) {delta=40;}
else {
if (delta<40) {delta=delta+5;}
else {if (delta>40) {delta=delta-5;} }
}
}
else { if(swmode<0.5) {delta=60;}
else {
if (delta>60) {delta=delta-5;}
else {if (delta<60) {delta=delta+5;}}
}
}
break; //----------------------- FIN ESTADO 2 ---------------------
}
//---------------------------------LIMITES------------------------------
var=var+delta-50; // Valor de salida del sistema más/menos delta
if (var>3112) {var=3112;}
if (var<1200) {var=1200;}
//---------------------------------OUTPUTS------------------------------
Vo_entera = var; //VALOR SDI DE SALIDA
escribir_tension();
} //FIN while(swinhibit==1)
} //FIN WHILE MAIN
} //FIN MAIN
144

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Departamento de Ingeniería Electrónica y Automática

Cargador de baterías basado en un

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial en Electrónica Industrial

AUTOR: Ramiro García Erice

A Pamela Gismondi por todo su apoyo.

1.9.1. Introducción ................................................................................................... 31

3.4. Lazo de tensión cerrado ........................................................................................... 60

4.5.4.2. Tiempo de respuesta con perturbación mecánica ................................. 103

D Duty Cycle (ciclo de trabajo)

IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers

MLCC Multilayer Ceramic Capacitor

MPP Maximum Power Point

MPPT Maximum Power Point Tracking

PI Control Proporcional Integral

SPI Serial Peripheral Interface

1.1. Objetivo del proyecto

El objetivo planteado en el presente proyecto consiste en la adaptación, ampliación y

El circuito inicial es un convertidor Buck-Boost bidireccional, capaz de minimizar los

1.2. El panel fotovoltaico

Para mayor comprensión de este proyecto es importante entender el funcionamiento de los

Un panel o módulo fotovoltaico es un conjunto de células fotovoltaicas conectadas

Figura 1.2.1. [14] Células PV conectadas eléctricamente en serie

1.2.3. Tipos de conexión entre las células

1.2.3.1. Conexión serie

En esta conexión, la tensión total de circuito abierto corresponderá a la suma de la tensiones

Figura 1.2.2. Conexión serie de células fotovoltaicas.

1.2.3.2. Conexión paralelo

Figura 1.2.3. Conexión paralelo de células fotovoltaicas.

1.2.4. Curva I-V

Corriente de cortocircuito (ISC): Es el valor máximo de corriente que se obtiene de un

Tensión de circuito abierto (VO C ): Es el valor máximo de tensión que se obtiene de un

Corriente en el punto de máxima potencia (IMAX): Es el nivel de corriente que corresponde a

Tensión en el punto de máxima potencia (VMAX): Es el nivel de tensión que corresponde a

Figura 1.2.4. Curva I-V de un módulo fotovoltaico.

1.2.5. Curva P-V

En la curva potencia-tensión (P-V) de un módulo fotovoltaico el eje vertical es la

Figura 1.2.5. Superposición de las curvas P-V e I-V.

1.2.6. Esquema de la célula fotovoltaica

Figura 1.2.6. [10] Circuito equivalente de una célula fotovoltaica.

IL: Corriente fotogenerada. Es la corriente generada como consecuencia de la generación de

Figura 1.2.7. [10] Efectos de RS y RP sobre la curva IV respectivamente

1.2.7. Consecuencias del sombreado en los paneles PV. Puntos calientes

En un módulo formado por células fotovoltaicas conectadas en serie un pequeño sombreado

El sombreado en una célula puede provocar un voltaje inverso en la misma, comportándose

1.2.8. Diodos de bypass

Figura 1.2.8. Diodos de bypass.

Figura 1.2.9. Curvas I-V con y sin los diodos de bypass.

1.2.9. Seguimiento del punto de máxima potencia: MPPT

De forma generalizada, el MPPT (Maximum Power Point Tracking) consiste en la búsqueda

El ejemplo de la figura 1.2.10 muestra la curva de potencia de un módulo PV para

En la figura 1.2.11, sin embargo, se distingue que, utilizando un MPPT integrado en un

1.3. Panel fotovoltaico BP585

Figura 1.3.1. Diagrama de interconexión del panel BP585.

Características eléctricas BP 585

Figura 1.3.2. Curvas I-V para diferentes temperaturas.

1.4. Emulador de paneles fotovoltaicos

Figura 1.4.1. Emulador de paneles solares.

1.4.2. Breve principio de funcionamiento de circuito de ajuste

De manera conceptual podría describirse el emulador de paneles como una fuente de

Figura 1.4.2. [2] Circuito de ajuste de un módulo del emulador.

Figura 1.4.3. [2] Obtención de la característica de la curva del panel solar.

1.4.2.1. Ajuste de la corriente de cortocircuito ISC

De lo expuesto anteriormente entendemos que la corriente de cortocircuito de la curva I-V