Análisis del Amplificador Operacional LH0024

Introducción:

El LH0024 es un amplificador que se caracteriza por poseer un alto Slew Rate (típicamente de
500v/µs), utilizando una arquitectura relativamente sencilla. En este documento se analizará el
circuito para obtener la resistencia de entrada, la resistencia de salida, la ganancia diferencial y la
Razón de Rechazo en Modo Común o CMRR.

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I Parte: Análisis DC

1. Fuente de corriente del amplificador diferencial que está en la etapa de

entrada:

En este análisis la corriente 𝐼𝐶2 pasa por 𝑅5 ya que se

𝐼𝐶1
supone que 𝐼𝐶2 ≫ 𝛽1
:

15 = 30𝐾𝐼𝐶2 + 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2 − 15

Despejando 𝐼𝐶2 :
30
𝐼𝐶2 ≈ = 1 𝑚𝐴 ya que 30𝑉 ≫ 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2
30𝐾

Entonces, si se toma la corriente de saturación inversa del

diodo que se forma entre la base y el emisor como
𝐼0 = 1𝑥10−14 𝐴 :

𝐼𝐶2 1𝑚𝐴
𝑉𝐵𝐸2 = 𝑉𝑇 ln = 25𝑚𝑉 ln ≈ 0.6 𝑉
𝐼0 1𝑥10−14
𝐼𝐶2
Si se supone que la corriente 𝐼𝐶1 pasa por 𝑅3 (al tomar 𝐼𝐶1 ≫ ):
𝛽2

𝑉𝐵𝐸2
𝐼𝐶1 ≈ = 6 𝑚𝐴
100

2
 2. Fuente de corriente producida por el JFET 𝑸𝟓:

La corriente 𝐼𝐷𝑆 entre el drenaje (D) y la fuente (S) de un JFET

se puede obtener con la siguiente expresión:
2
𝑉
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝑝𝑜 (1 + 𝑉𝐺𝑆 ) donde 𝐼𝑝𝑜 se conoce como la corriente
𝑝𝑜

de estrangulación del canal o “Pinch Off” y 𝑉𝑝𝑜 se conoce

como el voltaje de estrangulación del canal o “Pinch Off”.
Ambos parámetros los da el fabricante ya que dependen de
las condiciones de fabricación del JFET.

Para el circuito mostrado:

𝑉𝐺𝑆 + 𝑅4 𝐼𝐷𝑆 = 0

Entonces a partir de las dos fórmulas anteriores e igualando 𝐼𝐷𝑆 se tiene:

2
−𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
= 𝐼𝑝𝑜 (1 + )
𝑅4 𝑉𝑝𝑜

Si por ejemplo 𝐼𝑝𝑜 = 20 𝑚𝐴 y 𝑉𝑝𝑜 = 1 𝑉 entonces 𝑉𝐺𝑆 = −0.5 𝑉 y 𝐼𝐷𝑆 = 5 𝑚𝐴

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 3. Análisis DC del circuito simplificado:

Cuando se hace el análisis en DC, las entradas 𝑣+ 𝑦 𝑣− del amplificador se toman como 0 V, es
𝐼𝐶8 𝐼𝐶9
decir 𝑣+ = 𝑣− = 0 𝑉. Entonces 𝑉𝐵𝐸8 = 𝑉𝐵𝐸9 y por ello 𝑉𝑇 ln = 𝑉𝑇 ln donde idealmente las
𝐼0 𝐼0
6𝑚𝐴
corrientes de saturación inversa 𝐼0 son iguales, quedando que 𝐼𝐶8 = 𝐼𝐶9 = 2
= 3 𝑚𝐴.

Por otro lado, observe que en la etapa de salida al ser 𝐼𝐵6 = 0 e 𝐼𝐵7 = 0 entonces 𝐼𝐶4 = 5 𝑚𝐴 y
𝐼𝐶4
𝑉𝐶𝐸4 = 𝑉𝐵𝐸4 = 𝑉𝑇 ln 𝐼0
≈ 0.67𝑉 cuando 𝐼0 = 1𝑥10−14 𝐴. Este voltaje de 0.67 V es el que se
está aplicando a los diodos conformados por las bases y emisores (𝑉𝐸𝐵6 y 𝑉𝐵𝐸7 ) de 𝑄6 y 𝑄7 , el cual
no es suficiente para poner ambos transistores a conducir simultáneamente.

También 𝐼𝐶3 = 𝐼𝐶4 = 5 𝑚𝐴 y con ello el voltaje en el emisor de 𝑄3 es

𝑉𝐸3 = 15 − 𝑅2 (𝐼𝐶9 + 𝐼𝐶3 ) =15 − 200(3 𝑚𝐴 + 5 𝑚𝐴) = 13.4

Y el voltaje en la base de 𝑄3 es

𝑉𝐵3 = 15 − 𝑅1 𝐼𝐶8 =15 − 740𝑥3 𝑚𝐴 = 12.78 y finalmente 𝑉𝐸𝐵3 = 13.4 − 12.78 = 0.62 𝑉.

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II Parte: Análisis en Pequeña Señal (AC)

Cuando se hace el análisis en pequeña señal, todas las fuentes de corriente directa (además de la
alimentación ±15𝑉 ) se apagan quedando únicamente su resistencia interna. Las fuentes que se
apagan son la fuente de 6 mA y la fuente producida por el JFET de 5 mA. Las resistencia internas
de estas fuentes en pequeña señal están representadas por 𝑍𝐸 y 𝑟𝐷𝑆 respectivamente.

El modelo de pequeña señal quedaría como se muestra en la figura siguiente. Observe que se
omitieron los dos transistores de salida 𝑄6 y 𝑄7 , ya que estos se analizarán de manera diferente
más adelante. También observe que se sustituyeron las fuentes de corriente de 6 mA y 5 mA por
sus respectivas resistencias internas 𝑍𝐸 y 𝑟𝐷𝑆 . Las señales de entrada para el circuito de pequeña
señal son 𝑣+ 𝑦 𝑣−

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 1. Etapa de entrada diferencial:

1 𝑉
Para calcular 𝑍𝐸 se toma ℎ𝑜𝑒
= 𝐼 𝐴 , con 𝑉𝐴 ≈ 130𝑉 (Voltaje de Early) e 𝐼𝐶1 = 6 𝑚𝐴.
𝐶1

1 𝑅2 𝐼𝐶1
Entonces 𝑍𝐸 = (1 + ) = 541 𝐾Ω (Recuerde que 𝑉𝑇 ≈ 25 𝑚𝑉)
ℎ𝑜𝑒1 𝑉𝑇

Las entradas 𝑣+ 𝑦 𝑣− se definen en función de un voltaje en modo común 𝑣𝑎 y un voltaje en

modo diferencial 𝑣𝑑 como:
𝑣𝑑
𝑣+ = 𝑣𝑎 +
2
𝑣𝑑
𝑣− = 𝑣𝑎 −
2

Usando el método de superposición 𝑖𝑏8 e 𝑖𝑏9 se calculan a partir de un análisis en modo común
primero y luego usando el análisis en modo diferencial.

Análisis en Modo Común

Para esta parte se consideran que las 2 señales de entrada son iguales: 𝑣+ = 𝑣𝑎 y 𝑣− = 𝑣𝑎

Si llamamos 𝑖𝑏8𝑎 = 𝑖𝑏9𝑎 = 𝑖𝑏𝑎 y ℎ𝑖𝑒8 = ℎ𝑖𝑒9 = ℎ𝑖𝑒 entonces

𝑣𝑎 𝑣𝑎
𝑣𝑎 = ℎ𝑖𝑒 𝑖𝑏𝑎 + ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 (2𝑖𝑏𝑎 ) y por ello 𝑖𝑏𝑎 = ℎ ≈ 2ℎ ya que 2ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 ≫ ℎ𝑖𝑒
𝑖𝑒 +2ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 𝑓𝑒𝑍𝐸

Análisis en Modo diferencial

Para esta parte se consideran que las 2 señales de entrada son iguales en magnitud pero de signo
𝑣𝑑 𝑣𝑑
contrario: 𝑣+ = 2
y 𝑣− = − 2

Si llamamos 𝑖𝑏8𝑎 = −𝑖𝑏9𝑎 = 𝑖𝑏𝑑 y ℎ𝑖𝑒8 = ℎ𝑖𝑒9 = ℎ𝑖𝑒 entonces

𝑣𝑑 𝑣
2
= ℎ𝑖𝑒 𝑖𝑏𝑑 + ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 (𝑖𝑏𝑑 − 𝑖𝑏𝑑 ) y por ello 𝑖𝑏𝑑 = 2ℎ𝑑
𝑖𝑒

La resistencia de entrada del circuito se calcula a partir de las resistencias en modo diferencial
𝑅𝑖𝑛 = 2ℎ𝑖𝑒

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Finalmente se puede expresar 𝑖𝑏8 e 𝑖𝑏9 a partir de los voltajes en modo común y modo diferencial:
𝑣𝑎 𝑣𝑑
𝑖𝑏8 = +
2ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 2ℎ𝑖𝑒

𝑣𝑎 𝑣𝑑
𝑖𝑏9 = −
2ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 2ℎ𝑖𝑒

2. Etapa intermedia de alta ganancia:

Se puede establecer una relación entre los voltajes que se dan en las resistencias 𝑅2 y 𝑅1 de la
siguiente manera: 𝑉𝑅2 = ℎ𝑖𝑒3 𝑖𝑏3 + 𝑉𝑅1

Si se toma ℎ𝑓𝑒3 + 1 ≈ ℎ𝑓𝑒3 se pueden definir las siguientes 2 ecuaciones y luego sustituirlas en la
fórmula anterior:

𝑉𝑅1 = 𝑅1 (𝑖𝑏3 − ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏8 )

𝑉𝑅2 = 𝑅2 (−ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏9 − ℎ𝑓𝑒3 𝑖𝑏3 ) , entonces

𝑉𝑅2 = ℎ𝑖𝑒3 𝑖𝑏3 + 𝑉𝑅1 ⇒ 𝑅2 (−ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏9 − ℎ𝑓𝑒3 𝑖𝑏3 ) = ℎ𝑖𝑒3 𝑖𝑏3 + 𝑅1 (𝑖𝑏3 − ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏8 )

(−ℎ𝑓𝑒 𝑅2 𝑖𝑏9 − ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 𝑖𝑏3 ) = ℎ𝑖𝑒3 𝑖𝑏3 + (𝑅1 𝑖𝑏3 − ℎ𝑓𝑒 𝑅1 𝑖𝑏8 )

(−ℎ𝑓𝑒 𝑅2 𝑖𝑏9 − ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 𝑖𝑏3 ) = ℎ𝑖𝑒3 𝑖𝑏3 + (𝑅1 𝑖𝑏3 − ℎ𝑓𝑒 𝑅1 𝑖𝑏8 )

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 ℎ𝑓𝑒 (𝑅1 𝑖𝑏8 − 𝑅2 𝑖𝑏9 )
𝑖𝑏3 =
ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 + 𝑅1 + ℎ𝑖𝑒3

Si ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 ≫ 𝑅1 + ℎ𝑖𝑒3:

ℎ𝑓𝑒 (𝑅1 𝑖𝑏8 − 𝑅2 𝑖𝑏9 )

𝑖𝑏3 ≈
ℎ𝑓𝑒3 𝑅2

Sustituyendo los siguientes valores en la ecuación anterior:

𝑣𝑎 𝑣𝑑
𝑖𝑏8 = +
2ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 2ℎ𝑖𝑒

𝑣𝑎 𝑣𝑑
𝑖𝑏9 = −
2ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 2ℎ𝑖𝑒

𝑣 𝑣 𝑣 𝑣
ℎ𝑓𝑒 (𝑅1 [ 𝑎 + 𝑑 ] − 𝑅2 [ 𝑎 − 𝑑 ])
ℎ𝑓𝑒 (𝑅1 𝑖𝑏8 − 𝑅2 𝑖𝑏9 ) 2ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 2ℎ𝑖𝑒 2ℎ𝑓𝑒 𝑍𝐸 2ℎ𝑖𝑒
𝑖𝑏3 ≈ =
ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 ℎ𝑓𝑒3 𝑅2

𝑅 𝑣 ℎ 𝑅 𝑣 𝑅 𝑣 ℎ 𝑅 𝑣
[ 1 𝑎 + 𝑓𝑒 1 𝑑 ] − [ 2 𝑎 − 𝑓𝑒 2 𝑑 ]
2𝑍𝐸 2ℎ𝑖𝑒 2𝑍𝐸 2ℎ𝑖𝑒
𝑖𝑏3 ≈
ℎ𝑓𝑒3 𝑅2

𝑅1 𝑣𝑎 ℎ𝑓𝑒 𝑅1 𝑣𝑑 𝑅2 𝑣𝑎 ℎ𝑓𝑒 𝑅2 𝑣𝑑
2𝑍𝐸 + 2ℎ𝑖𝑒 − 2𝑍𝐸 + 2ℎ𝑖𝑒
𝑖𝑏3 ≈
ℎ𝑓𝑒3 𝑅2

(𝑅1 − 𝑅2 )𝑣𝑎 ℎ𝑓𝑒 (𝑅1 + 𝑅2 )𝑣𝑑

𝑖𝑏3 ≈ +
2ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 𝑍𝐸 2ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 ℎ𝑖𝑒

𝑉
Pero ℎ𝑖𝑒 = ℎ𝑓𝑒 𝐼 𝑇
𝐶8

(𝑅1 − 𝑅2 )𝑣𝑎 𝐼𝐶8 (𝑅1 + 𝑅2 )𝑣𝑑

𝑖𝑏3 ≈ +
2ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 𝑍𝐸 2ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 𝑉𝑇

8
 (𝑅1 − 𝑅2 )𝑣𝑎 𝐼𝐶8 (𝑅1 + 𝑅2 )𝑣𝑑
𝑖𝑏3 ≈ +
2ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 𝑍𝐸 2ℎ𝑓𝑒3 𝑅2 𝑉𝑇

Analizando el circuito y obteniendo el valor de 𝑣𝑜 en función del voltaje en modo común 𝑣𝑎 y del
voltaje en modo diferencial 𝑣𝑑 y tomando 𝑟𝑑𝑠 ≫ 𝑟𝑑 ya que la resistencia dinámica del diodo
conformado por 𝑄4 es muy pequeña comparada con la resistencia del canal del JFET:

(𝑅1 − 𝑅2 )𝑣𝑎 𝐼𝐶8 (𝑅1 + 𝑅2 )𝑣𝑑

𝑣𝑜 ≈ 𝑟𝑑𝑠 (ℎ𝑓𝑒3 𝑖𝑏3 ) = 𝑟𝑑𝑠 [ + ]
2𝑅2 𝑍𝐸 2𝑅2 𝑉𝑇

Obsérvese que el voltaje de salida no depende de los 𝛽 (𝑜 ℎ𝑓𝑒 ) de ningún transistor.

Sustituyendo valores: 𝑅1 = 740Ω, 𝑅2 = 200Ω, 𝑍𝐸 = 541 𝐾Ω , 𝐼𝐶8 = 𝐼𝐶9 = 3 𝑚𝐴, 𝑉𝑇 = 25 𝑚𝑉 y

finalmente suponiendo 𝑟𝑑𝑠 = 15 𝐾Ω
𝑣𝑎
𝑣𝑜 = + 4230𝑣𝑑
26.7
1
Entonces la ganancia en modo común 𝐴𝑎 = 26.7
= −28.53 𝑑𝐵 y la ganancia en modo diferencial
𝐴𝑑 = 4230 = 72 𝑑𝐵

y la Razón de Rechazo de Modo Común es:

𝐴𝑑
𝐶𝑀𝑅𝑅 = = 112941 = 72 𝑑𝐵 − (−28.53 𝑑𝐵) = 100 𝑑𝐵
𝐴𝑎

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 3. Etapa de Salida:

Como se ve en la figura, a la etapa de salida que consiste de los transistores 𝑄6 y 𝑄7 le llega la

corriente que entrega el transistor 𝑄3 . Esta corriente está dividida en un componente DC que es
𝑣 𝑣
𝐼𝐶3 = 5 𝑚𝐴 y un componente de pequeña señal AC que es 𝑖𝑐3 = 4𝐾𝑎 + 3.55
𝑑
.

Dependiendo si 𝑖𝑐3 es positivo o negativo se le suma o resta al valor DC de 𝐼𝐶3 = 5 𝑚𝐴. Esto
produce que uno de los dos transistores de salida conduzca (Nunca los dos transistores 𝑄6 y 𝑄7
conducen a la vez).

Como ejemplo se va a tomar el caso en que el transistor que conduce es 𝑄7 mientras que 𝑄6 está
abierto o en corte. Entonces el modelo de pequeña señal quedaría como se muestra en la
siguiente figura.

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Tomando 𝑟𝑑𝑠 ≫ 𝑟𝑑 y reflejando 𝑅𝐿 que
está en el emisor en la base de 𝑄7
(esto se hace multiplicando 𝑅𝐿 por
𝛽7 = ℎ𝑓𝑒7 ).

Entonces las dos resistencias en serie:

𝛽7 𝑅𝐿 + ℎ𝑖𝑒7 ≈ 𝛽7 𝑅𝐿

De esta forma por división de

corriente:
𝑟𝑑𝑠
𝑖𝑏7 = 𝑖
𝑟𝑑𝑠 + 𝛽7 𝑅𝐿 𝐶3

𝑣𝑜 ≈ 𝑅𝐿 (𝛽7 𝑖𝑏7 )

𝑟𝑑𝑠 𝛽7 𝑅𝐿
𝑣𝑜 = ( 𝑖 )
𝑟𝑑𝑠 + 𝛽7 𝑅𝐿 𝑐3

Pero anteriormente se había calculado:

𝑟𝑑𝑠 𝑖𝐶3 = 𝐴𝑎 𝑣𝑎 + 𝐴𝑑 𝑣𝑑
1
Donde la ganancia en modo común es 𝐴𝑎 = 26.7
= −28.53 𝑑𝐵 y la ganancia en modo diferencial
es 𝐴𝑑 = 4230 = 72 𝑑𝐵

𝛽7 𝑅𝐿
𝑣𝑜 = (𝐴 𝑣 + 𝐴𝑑 𝑣𝑑 )
𝑟𝑑𝑠 + 𝛽7 𝑅𝐿 𝑎 𝑎

En el caso que la resistencia de carga sea muy grande 𝛽7 𝑅𝐿 ≫ 𝑟𝑑𝑠 :

𝑣𝑜 ≈ 𝐴𝑎 𝑣𝑎 + 𝐴𝑑 𝑣𝑑
𝑟𝑑𝑠 15000
Si por ejemplo 𝛽7 = 100 𝑦 𝑟𝑑𝑠 = 15𝐾Ω entonces 𝑅𝐿 ≫ 𝛽7
= 100
= 150Ω

𝛽7 𝑅𝐿 1
Si 𝑅𝐿 = 150Ω entonces 𝑟𝑑𝑠 +𝛽7𝑅𝐿
= 2 y la ganancia diferencial disminuya a la mitad

¿En cuánto disminuye la ganancia 𝐴𝑑 si 𝑅𝐿 = 75Ω o 𝑅𝐿 = 25Ω?

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Resistencia de Salida 𝑹𝒐
𝑅𝑜 es la resistencia vista desde la carga sin
incluir 𝑅𝐿 .

𝑅𝑜 se obtiene al reflejar la resistencia que

está en la base, en el emisor de 𝑄7 (esto se
hace dividiendo 𝑟𝑑𝑠 entre 𝛽7 ). Para este
cálculo se desprecian 𝑟𝑑 y ℎ𝑖𝑒7 .
𝑟𝑑𝑠 15000
Entonces 𝑅𝑜 ≈ 𝛽7
= 100
= 150Ω

Desarrollado para fines puramente didácticos

y se puede utilizar libremente para este mismo fin.

Ignacio Ramírez Antillón

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