LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II(EE-442M)

(FIEE-UNI: Ciclo académico: 2019-1)

INFORME PREVIO No.1 “Amplificador Multietapa”
Romero Lima Johan Anderson
20160030J
johanroli98@gmail.com
Abstract— In this laboratory report we will mention a Este acoplamiento es muy popular en el dominio de la radio
small concept of multistage amplifiers, which helps us to frecuencia. El transformador como carga permitirá aislar las
obtain the desired characteristics, whether voltage gain, señales y, además, dependiendo de la razón de
etc. In addition to evaluating some aspects regarding transformación incrementar el voltaje y corriente.
those that will be experienced in the laboratory.
I. INTRODUCCION
Un amplificador se describe como un circuito capaz de
procesar las señales de acuerdo a la naturaleza de su
aplicación. El amplificador sabrá extraer la información de
toda señal, de tal manera que permita mantener o mejorar la
prestación del Sistema que genera señal.
II. OBJETIVOS

Diseñar, simular, implementar y analizar, la ganancia y

respuesta en frecuencia de un amplificador linear.

III. MARCO TEORICO

Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas
que tienen múltiples transistores y además pueden ser
conectados entre sí para mejorar sus respuestas tanto en
ganancia, Zin, Zout o ancho de banda. Las aplicaciones
pueden ser tanto de CC como de CA.

-Tipos de acoplamiento:
El acoplamiento establece la forma en la cual se conectan Fig. 3 amplificador con carga acoplada por transformador
distintas etapas amplificadoras, dependiendo de la
naturaleza de la aplicación y las características de respuesta
que se desean. Existen distintos tipos de acoplamiento:
acoplamiento directo, capacitivo y por transformador.

a) Acoplamiento directo

Las etapas se conectan directamente, esto permite una

amplificación tanto de la componente señal como de la
componente continua del circuito. Se dice que los circuitos
de cc se acoplan directamente.
IV. INFORME PREVIO
1. Detallar las condiciones para que un BJT y/o FET
pueda operar en baja frecuencia.

Para que un BJT y/o FET opere en baja frecuencia deben

trabajar en su zona linear, lo cual quiere decir que deben
estar correctamente polarizados, además la tensión en la
juntura base-emisor no debe superar los 26 mv para evitar
distorsiones en la señal de salida.

2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en

Fig. 1 transistores acoplados directamente
b) Acoplamiento capacitivo
Se usa para interconectar distintas etapas, en las cuales solo
se desea amplificar la señal. La presencia del capacitor anula
las componentes de cc, permitiendo solo la amplificación de
señales en ca. Permite mayor libertad en el diseño, pues la
polarización de una etapa que no afectara a otra.
Fig. 2 Acoplamiento capacitivo
c) Acoplamiento por transformador
estudio, escriba la ecuación dIc2/dT, tal que Ic2 =
f(Icbo, Vbe) y considerando que los BJT son de
silicio.
Tomando los transistores Q1-Q2 que se quieren analizar:
Se cumple en Q1:
Vbb1 = Rb1*Ib1 + Vbe + Re1*Ie1
Ic1 = Icb0 + α*Ie1
Ic1=[α*(Vbb1–Vbe)+Icb0*(Rb1+Re1)]/(Rb1(1-α)+Re1
Ie1=[(Vbb1-Vbe)+Rb1*Icb0]/Rb1*(1-α) + Re1
Ahora calculamos en Q2 y reemplazamos para hallar la
función pedida:
Vbb1 = Vbe + Re2*Ie2
 Re1*Ie1 = Vbe + Re2*(Ie2-Icb0)/α

Despejando Ic2, derivando respecto a la temperatura y

reemplazando los valores de las resistencias.

dIc2/dT = 8.9 * 10^-18 * e^0.07T – 1.9*10^-6

3. Fundamente las razones por la que se diseña la

ganancia y otros parámetros de un amplificador
independiente del hfe, hie, etc, del BJT por
ejemplo.
Fig. 6 Diagrama de bode obtenido del circuito simulado
Se diseña independientemente de estos valores debido a que
6. Comprobar que las junturas base-emisor trabajan
estos pueden variar debido a la temperatura obteniendo de
en el régimen lineal y de mínima distorsión
esta manera resultados no tan óptimos y confiados. Es mejor
armónica, basado en los diagramas de bode del
hacer un diseño que permite que estos valores dependan por
circuito ARGOS 1 obtenidos en la simulación.
ejemplo de las resistencias que harían que los resultados
obtenidos sean más fiables.

4. Diseñe un circuito amplificador ARGOS 1 bajo las

siguientes premisas:

- Fuente de operación DC 12v

- Elementos activos 2N2222A o similar
- Señal de prueba 1kHz 10mV, resistencia 10kΩ
- Corrientes ICQ mayores o iguales a 1mA
- Frecuencia de corte fi = 100Hz y fs = 5kHz
- Ganancia a frecuencias medias 350(aprox)

Fig. 7 Circuito simulado en PROTEUS

Observamos que los transistores están polarizados
linealmente.

7. Presente los diagramas de bode obtenidos en la

simulación

V2 vs V1:

Fig. 4 Circuito amplificador ARGOS 1

5. Simular el circuito y grafique los principales V6 vs V1:

parámetros del amplificador.

Fig. 5 circuito simulado en LTspice

 V12 vs V9:

V7 vs V6:

V15 vs V12:

V16 vs V12:

V9 vs V1:

V16 vs V1:
 V. MATERIALES

 1 osciloscopio
 1 generador de señales de baja frecuencia
 1 multímetro digital
 1 fuente DC
 Transistores
 Resistencias
 Capacitores

VI. BIBLIOGRAFIA
[1] Amplificadores multietapa.
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
[2] Guía de laboratorio de electrónica II