CENTRO DE INVESTIGACIÓN EN MATERIALES

AVANZADOS S.C.

DEPARTAMENTO DE ESTUDIOS DE POSGRADO

SIMULACIÓN DE UN MICRO-COSECHADOR DE ENERGÍA

BASADO EN TECNOLOGÍA MEMS Y MATERIALES
PIEZOELÉCTRICOS PZT

TESIS QUE PARA OBTENER EL GRADO DE

MAESTRÍA EN CIENCIA DE LOS MATERIALES

Presenta:
Carlos Roberto Ascencio Hurtado

Directores de tesis:
Dr. Abel Hurtado Macías (CIMAV)
Dr. Roberto Carlos Ambrosio Lázaro (UACJ)

CHIHUAHUA, CHIHUAHUA MAYO 2014

 AGRADECIMIENTOS

 En este apartado quiero expresar mi gratitud, a Dios primeramente, por permitirme llegar
a esta instancia de mi vida; por estar conmigo, cuidarme, brindarme la sabiduría en todo
tiempo y llenar mi andar de bendiciones para así alcanzar esta importante meta.
 A mis padres: Roberto y Holga, quienes han sido el motor que me ha impulsado a
conseguir todos mis objetivos hasta el día de hoy. Por demostrarme que con esfuerzo,
trabajo y dedicación se pueden escalar de manera exitosa “los escalones” de la vida.
Por darme el sustento y lo más importante: su amor. Este logro lo dedico a ustedes.
 Al doctor Abel Hurtado Macías asesor de este trabajo de tesis, por haberme brindado
sus conocimientos, consejos, la confianza y tiempo como amigo en mí formación como
maestro en ciencias. A su familia, por brindarme ese calor de hogar.
 Al doctor Juan Ramos Cano, mi compañero, amigo y consejero durante gran parte de
mi estancia en CIMAV. A quien admiro y agradezco enormemente su confianza y
amistad.
 Al doctor Roberto Carlos Ambrosio Lázaro mi co-asesor de tesis, por brindarme su
confianza, experiencia y tiempo durante mi estancia en la UACJ. A su entrañable
familia, Ambrosio–Montiel, por haberme abierto las puertas de su hogar y brindarme
su amistad.
 Agradezco a todo el personal académico, compañeros y auxiliares del laboratorio por su
aportación en su trabajo ya que contribuyeron en este proyecto de tesis.
 Al Centro de Investigación en Materiales Avanzados S.C. (CIMAV) y al Centro de
Investigación en Ciencia y Tecnología Aplicada (CICTA) de la UACJ por facilitar sus
recursos tecnológicos.
 Al CONACyT por la solvencia económica que me otorgó en todo el programa de posgrado
(periodo 2012-2014), ya que no fuera posible conseguir el grado de maestro sin su apoyo.
 Al apoyo recibo del proyecto de Ciencia Básica CONACYT No. 102181.

II
 ÍNDICE DE CONTENIDO

AGRADECIMIENTOS ......................................................................................................... II

ÍNDICE DE CONTENIDO .................................................................................................. III

Índice de Figuras ................................................................................................................ VII

Índice de Tablas .................................................................................................................. XII

Lista de Acrónimos ............................................................................................................ XIII

RESUMEN ........................................................................................................................ XIV

I. INTRODUCCIÓN .......................................................................................................... 1

I.1. Antecedentes........................................................................................................... 2

I.1.1 Cosecha de Energía (Energy Harvesting) ........................................................... 2

I.1.1.1 Definición .................................................................................................. 3

I.1.1.2 Datos Históricos ........................................................................................ 3

I.1.1.3 Fuentes para la Cosecha de Energía .......................................................... 4

I.1.2 MEMS (Sistemas Micro-Electromecánicos) ...................................................... 7

I.1.2.1 Definición de MEMS ................................................................................ 7

I.1.2.2 Métodos para la mejora de eficiencia en Recolección de Energía ............ 7

I.1.2.2.1 Selección apropiada del modo de acoplamiento de operación .............. 8

I.1.2.2.2 Cambio de la configuración del dispositivo .......................................... 9

I.1.2.2.3 Elección de la geometría de la estructura correspondiente a la viga ... 10

I.1.2.2.4 Sincronizar la frecuencia de resonancia con la frecuencia de las

vibraciones del ambiente ...................................................................................... 11

I.1.3 Trabajos Recientes............................................................................................ 12

I.1.4 Materiales Dieléctricos ..................................................................................... 16

I.1.5 Materiales Piezoeléctricos ................................................................................ 22

I.1.5.1 Efecto Piezoeléctrico ............................................................................... 22

III
 I.1.6 Materiales Ferroeléctricos ................................................................................ 23

I.1.6.1 Circonato Titanato de Plomo (PZT) ........................................................ 25

I.1.6.1.1 Aplicaciones del PZT .......................................................................... 28

I.2. Técnicas de Caracterización para Películas Delgadas. ......................................... 28

I.2.1 Caracterización Micro–estructural ................................................................... 28

I.2.1.1 Difracción de Rayos–X (DRX) ............................................................... 28

I.2.1.2 Microscopía Electrónica de Barrido (MEB) ........................................... 30

I.2.1.3 Microscopía Electrónica de Transmisión (MET) .................................... 32

I.2.2 Caracterización Ferroeléctrica .......................................................................... 33

I.2.3 Caracterización Mecánica por Nano–indentación ............................................ 35

I.3. Método de Elemento Finito (MEF) ...................................................................... 37

I.4. Diseño de experimentos........................................................................................ 39

I.4.1 Ventajas ............................................................................................................ 39

I.4.2 Desventajas ....................................................................................................... 40

I.5. Objetivo General................................................................................................... 40

I.5.1 Objetivos Específicos ....................................................................................... 40

I.6. Hipótesis ............................................................................................................... 41

I.7. Justificación .......................................................................................................... 41

I.8. Problema a Resolver ............................................................................................. 42

II. METODOLOGÍA ......................................................................................................... 43

II.1. Caracterización del material PZT ......................................................................... 44

II.2. Modelo analítico ................................................................................................... 44

II.3. Diseño de experimentos........................................................................................ 44

II.4. Simulación del cosechador ................................................................................... 46

III. DESARROLLO EXPERIMENTAL Y TEÓRICO .................................................. 48

IV
 III.1. Desarrollo Experimental ....................................................................................... 48

III.1.1 Síntesis del material piezoeléctrico PZT ........................................................ 48

III.1.2 Condiciones experimentales de las técnicas de caracterización. .................... 52

III.1.2.1 Difracción de Rayos–X (DRX). ............................................................. 52

III.1.2.2 Microscopía Electrónica de Barrido (MEB) ........................................... 52

III.1.2.3 Microscopía Electrónica de Transmisión (MET) .................................... 52

III.1.2.4 Nanoindentación...................................................................................... 52

III.1.2.5 Caracterización Eléctrica......................................................................... 53

III.1.2.5.1 Medición de Capacitancia ................................................................. 53

III.2. Desarrollo Teórico ................................................................................................ 56

III.2.1 Ecuaciones Constitutivas de Materiales Piezoeléctricos ................................ 56

III.2.2 Modelado de una estructura piezoeléctrica .................................................... 63

III.2.2.1 Modelo genérico de conversión de energía mecánica – eléctrica ........... 64

III.2.2.2 Modelo analítico mejorado de un cosechador de energía piezoeléctrico 65

III.2.2.2.1 Frecuencia de resonancia de una estructura unimorfa ...................... 66

III.2.2.2.2 Localización del eje neutral de una estructura unimorfa .................. 68

III.2.2.2.3 Voltaje y Potencia estimado.............................................................. 68

III.2.3 Método de Elemento Finito en COMSOL...................................................... 69

III.2.4 Configuración y modo de operación del transductor piezoeléctrico .............. 69

III.2.5 Modelado en COMSOL Multiphysics ............................................................ 71

III.2.5.1 Técnica de Mallado ................................................................................. 73

III.2.5.2 Mallado móvil ......................................................................................... 74

III.2.5.3 Configuración de subdominios................................................................ 74

III.2.5.4 Condiciones de frontera .......................................................................... 75

IV. RESULTADOS Y DISCUSIÓN .............................................................................. 76

V
 IV.1. Estructura cristalina del material ferroeléctrico PZT ........................................... 76

IV.2. Morfología y análisis de sección transversal de las películas PZT ...................... 79

IV.3. Propiedades nano-mecánicas y ferroeléctricas ..................................................... 81

IV.4. Caracterización Eléctrica ...................................................................................... 82

IV.4.1 Cálculo de la constante dieléctrica del material PZT ..................................... 85

IV.5. SIMULACION DEL CANTILEVER CONVERTIDOR DE ENERGIA PZT.... 87

IV.5.1 Método de Elemento Finito en COMSOL ...................................................... 87

IV.5.2 Análisis de frecuencia ..................................................................................... 89

IV.5.3 Análisis estacionario ....................................................................................... 90

IV.5.3.1 Distribución de esfuerzos en el cantilever............................................... 90

IV.5.3.2 Desplazamiento del cantilever ................................................................ 91

IV.5.3.3 Potencial eléctrico del cantilever............................................................. 93

IV.5.3.4 Potencia de salida del cosechador ........................................................... 94

V. CONCLUSIONES ........................................................................................................ 96

VI. REFERENCIAS CONSULTADAS ......................................................................... 97

ANEXOS ............................................................................................................................ 103

VI
 Índice de Figuras

Figura 1. Modos de Acoplamiento Piezoeléctrico [1]. .......................................................... 8

Figura 2. Modos de acoplamiento: (a) modo 31, y (b) modo 33 [42]. ................................. 8
Figura 3. Configuraciones de los actuadores de flexión piezoeléctricos: (a) dimorfa en
Serie, (b) dimorfa en paralelo, (c) unimorfa, (d) monomorfa [43]. ......................... 9
Figura 4. Una viga voladiza tipo: (a) triple capa en serie, (b) triple capa en paralelo, y (c)
unimorfa [1]. .......................................................................................................... 10
Figura 5. Viga voladiza piezoeléctrica con forma circular, “címbalo”. .............................. 11
Figura 6. Esquema de una típica fuente de energía para la recolección de energía utilizando
el diseño de dos etapas [51]. .................................................................................. 12
Figura 7. Esquema de una viga voladiza unimorfa [53]. ..................................................... 13
Figura 8. Esquemático de la estructura y el principio de operación de la viga voladiza
piezoeléctrica laminada para la cosecha de energía de vibración acoplados a través
de la vibración de la estructura [54]. ..................................................................... 13
Figura 9. Fotografías de MEB de un cantilever (a) frente y (b) parte trasera vista a 45°
fabricada sobre una oblea de SOI [18]. ................................................................. 14
Figura 10. El cosechador convencional de energía de viga voladiza piezoeléctrica (a) y el
cosechador de vibración de impacto con las separadas viga móvil y vigas
generadoras [11]. ................................................................................................... 15
Figura 11. El prototipo del dispositivo de cosecha de energía de vibración de impacto
montado en el centro de una bocina [11]............................................................... 15
Figura 12. Dos placas metálicas, separadas por una distancia L, pueden almacenar energía
eléctrica después de hacer sido cargadas momentáneamente por una batería [61].
............................................................................................................................... 17
Figura 13. Un átomo se representa por un núcleo cargado positivamente y con una nube de
electrones circundante, con carga negativa, (a) en equilibrio y (b) en un campo
eléctrico externo. (c) Representación esquemática de un dipolo eléctrico creado
por la separación de las cargas negativas y positivas por un campo eléctrico, como
se ve en (b) [61]. .................................................................................................... 19
Figura 14. Representación esquemática de dos placas de condensador entre los que se
coloca un material dieléctrico. (a) Inducción de dipolos eléctricos de carga
VII
 opuesta. (b) El debilitamiento del campo eléctrico dentro del material dieléctrico
(Ecuación (5). (c) La dirección del vector de polarización es de la carga inducida
negativa a la carga positiva inducida (véase la Figura 13-b). (d) El desplazamiento
dieléctrico D dentro del material dieléctrico es la suma de ε0E y P (Ecuación (7)
[61]. ....................................................................................................................... 19
Figura 15. Representación esquemática de la polarización como una función de la
frecuencia de excitación para diferentes mecanismos de polarización. (Otro
mecanismo, llamado "polarización de carga espacial", que tiene lugar en las
interfases entre las impurezas y la matriz, y en los límites de grano resiste
frecuencias de hasta sólo 0.1 a 1 Hz. Esto no se muestra aquí debido a su relativa
falta de importancia para los condensadores) [61]. ............................................... 21
Figura 16. Muestra el Efecto Piezoeléctrico (a) Directo e (b) Inverso, respectivamente [66].
............................................................................................................................... 22
Figura 17. Estructura tipo Perovsquita (a) paraeléctrica (T > Tc) y (b) ferroeléctrica (T <
Tc).......................................................................................................................... 26
Figura 18. Diagrama de las fases del sistema PbZrO3-PbTiO3 (PZT) [71]........................ 27
Figura 19. Esquema representativo del haz de rayos-X interactuando con los átomos de la
superficie de un material. ...................................................................................... 29
Figura 20. Difractograma generado por la interacción muestra – rayos-X ......................... 30
Figura 21. Interacción muestra-haz de electrones indicando los tipos de señales obtenidas
[82]. ....................................................................................................................... 31
Figura 22. Curva típica de histéresis para un material ferroeléctrico. ................................. 34
Figura 23. (a) Circuito Sawyer – Tower simplificado, (b) voltaje aplicado en función del
tiempo. ................................................................................................................... 34
Figura 24. (a) Indentador penetrando la superficie de la muestra durante la carga y
descarga; (b) representación esquemática de la deformación plástica de materiales
en función de la carga aplicada (P) y la profundidad de penetración (h) del
indentador. ............................................................................................................. 36
Figura 25. Metodología empleada durante el desarrollo de la investigación ...................... 43
Figura 26. Proceso de simulación en COMSOL Multiphysics ........................................... 46

VIII
Figura 27. Diagrama de flujo para la síntesis de películas delgadas PZT por la técnica
CVD–AA empleando precursores órgano-metálicos [95]. ................................... 49
Figura 28. Montaje de componentes del reactor empleado por la técnica CVD–AA para el
depósito de películas delgadas PZT. ..................................................................... 50
Figura 29. Gráfica que describe la secuencia del tratamiento térmico de recocido realizado
para las películas delgadas de PZT [95]. ............................................................... 51
Figura 30. Vista de la película delgada PZT con contactos de Al: (a) oblea con geometría
irregular y (b) oblea de con geometría rectangular. ............................................. 54
Figura 31. Medición de capacitancia del material PZT: (a) sistema de cuatro puntas sujetas
a manipuladores y (b) valores de medición con variación de frecuencia. ............. 54
Figura 32. Contactos metálicos de referencia para las mediciones de capacitancia
realizadas. .............................................................................................................. 55
Figura 33. Un material sólido sometido a fuerzas externas, provocando una deformación.
............................................................................................................................... 57
Figura 34. Reacomodo de las cargas eléctricas en un material ferroeléctrico debido a la
presencia de un campo eléctrico, formando los momentos dipolares. .................. 58
Figura 35. Configuración típica de un sistema electrodo-piezoeléctrico. ........................... 60
Figura 36. Efectos de la polarización: (a) dipolos antes de la polarización, (b) dipolos
después de la polarización [102]. .......................................................................... 60
Figura 37. Diagrama esquemático de un sistema masa-resorte-amortiguador para un
recolector por vibración [31]. ................................................................................ 64
Figura 38. Circuito equivalente de un recolector de energía por vibración piezoeléctrico
con resistencia de carga [105]. .............................................................................. 65
Figura 39. Configuración unimorfa para cantilever piezoeléctrico [106]. .......................... 70
Figura 40. Ilustración del modo 33 y modo 31 para la operación de un material
piezoeléctrico [8]. .................................................................................................. 70
Figura 41. (a) Definición convencional de ejes para un material PZT [114]; (b) modo
piezoeléctrico 31 de conversión de una energía mecánica de excitación
dependiente de la dirección relativa de la dirección del esfuerzo aplicado  (o
deformación ) y del campo eléctrico E [115]. ..................................................... 71

IX
Figura 42. Simulación del cantilever: (a) análisis estático (o estacionario) y (b) análisis
dinámico (o modal), para identificar el desplazamiento máximo y el primer modo
de vibración, respectivamente. .............................................................................. 72
Figura 43. El mallado hecho para el cantilever piezoeléctrico modelado en COMSOL
Multiphysics. ......................................................................................................... 73
Figura 44. Comparación entre los patrones de DRX para las muestras de PZT depositadas
sobre aluminio (Al)................................................................................................ 77
Figura 45. Comparación entre los patrones de DRX para las muestras de PZT depositadas
sobre platino (Pt) ................................................................................................... 78
Figura 46. Micrografías superficiales y de sección transversal, de películas delgadas PZT
depositadas sobre (a) Pt y (b) Al, obtenidas por MEB. ......................................... 80
Figura 47. Micrografías superficiales y de sección transversal, de películas delgadas PZT
depositadas sobre (a) Pt y (b) Al, obtenidas por MEB. ......................................... 80
Figura 48. Análisis de la sección transversal de la película delgada PZT depositada sobre
Pt mostrando en: (a) homogeneidad y uniformidad; (b) el tamaño de cristal. ...... 81
Figura 49. Curvas experimentales de (a) penetración superficial de la película PZT
empleando el método CSM; (b) histéresis ferroeléctrica del material PZT. ......... 82
Figura 50. Graficas para valores de capacitancia medidas en función de la frecuencia para
el material PZT depositado sobre (a) Al y (b) Pt, respectivamente....................... 84
Figura 51. Gráficas para valores de constante dieléctrica calculados en función de la
frecuencia para el material PZT depositado sobre (a) Al y (b) Pt, respectivamente.
............................................................................................................................... 86
Figura 52. Gráficos obtenidos de la simulación del cantilever: (a) desplazamiento máximo
y (b) primer modo de vibración. ............................................................................ 88
Figura 53. Valores de frecuencia frente a la variación de la longitud del cantilever y
del espesor de la capa piezoléctrica PZT............................................................... 89
Figura 54. Esquema del dispositivo cantiléver que muestra o distribución de esfuerzos o
configuración de von Mises................................................................................... 90
Figura 55. Distribución del potencial eléctrico en el dispositivo cantilever obtenido. ....... 91
Figura 56. Valores de desplazamiento frente a la variación de longitud del cantilever
y del espesor de la capa piezoléctrica PZT. ........................................................... 92

X
Figura 57. Valores de potencial frente a la longitud del cantilever como del espesor del
PZT. ....................................................................................................................... 93
Figura 58. Valores de potencia generada por el cosechador frente a la variación de longitud
del cantilever y del espesor de la capa piezoeléctrica PZT. .................................. 94

XI
 Índice de Tablas

Tabla 1. Sistemas seleccionados que operan con baterías [38]. ............................................ 5

Tabla 2. Características de varias fuentes de energía disponibles en el ambiente y energía
cosechada [38]. ........................................................................................................ 6
Tabla 3. Diseños de cosechadores de energía piezoeléctricos con mejor producción de
energía eléctrica, según fuentes consultadas ......................................................... 16
Tabla 4. Constantes dieléctricas de algunos materiales de corriente directa (CD) [61]. ..... 18
Tabla 5. Efectos varios en los materiales [69]. .................................................................... 23
Tabla 6. Valores de los factores considerados para el diseño de experimentos factorial. ... 45
Tabla 7. Diseño propuesto para el experimento factorial (23) propuesto. .......................... 45
Tabla 8. Componentes de síntesis y parámetros de depósito de películas delgadas PZT por
la técnica CVD–AA [95] ....................................................................................... 49
Tabla 9. Espesores de las películas delgadas PZT, obtenidas experimentalmente. ............. 72
Tabla 10. Propiedades del material ferroeléctrico PZT obtenido en CIMAV. .................... 75
Tabla 11. Valores micro-estructurales de las películas delgadas PZT depositadas sobre
Al y Pt, respetivamente.......................................................................................... 78
Tabla 12. Valores de capacitancia obtenidos de la medición de la película delgada PZT-Al.
............................................................................................................................... 83
Tabla 13. Valores de capacitancia y constante dieléctrica obtenidos de la medición de la
película delgada PZT-Pt. ....................................................................................... 84
Tabla 14. Variación de los parámetros para el cantilever modelado ................................... 88

XII
 Lista de Acrónimos

Constantes o Variables Físicas Símbolo Unidades

Capacitancia C [F], Farads
Carga electrostática Qoq [C], Coulombs
Diferencia de potencial o voltaje V [V], Volts
Área superficial A [m2], metros cuadrados
Distancia lineal L, l o x [m], metros
Constante dieléctrica ke Adimensional
Constante de la permitividad del vacío 0 = 8.854 x 10-12 [F/m], Farad por metro
Coeficiente de carga piezoeléctrico d33 [m/V], metro por Volt
Momento dipolar dieléctrico P [C m], Coulomb-metro
Campo eléctrico E [V/m], Volts por metro
Desplazamiento eléctrico D [C/m2], Coulomb por metro
cuadrado
Polarización eléctrica P [C/m2], Coulomb por metro
cuadrado
Frecuencia F [Hz], Hertz
Potencia eléctrica P [W], Watts
Temperatura de Curie TC [°C], grados Celsius
Temperatura T [°C], grados Celsius
Ángulo de dispersión (de Bragg) B [°], grados
Tamaño de cristal t [Å], angstroms

XIII
 RESUMEN

Se depositaron películas de Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) por la técnica de depósito de

evaporación química asistida por aerosol por sus siglas en inglés (CVD–AA) sobre
substratos de platino (Pt) y aluminio (Al). Posteriormente mediante difracción de rayos-X
(DRX), microscopía electrónica de barrido (MEB) y microscopía electrónica de
transmisión (MET) se determinó: tamaño de cristalita, parámetros reticulares y planos
cristalinos, morfología y espesor de las películas PZT depositadas sobre platino (Pt) y
aluminio (Al), respectivamente. Por otra parte, se realizó la medición de capacitancia
utilizando un analizador de impedancias (LCR) para el cálculo la constante dieléctrica de
las películas delgadas de PZT. Las propiedades mecánicas del PZT se analizaron mediante
nano-indentación para medir parámetros como: el módulo elástico y esfuerzo soportados
por el material PZT. Siendo la combinación PZT-Pt mejor que PZT-Al: uniformidad en el
depósito del PZT, un tamaño de cristal definido, espesor continuo y uniforme, así como,
capacitancia estable. El cálculo indirecto del coeficiente d 33 del material PZT considerando
el campo eléctrico coercitivo a partir de las curvas de histéresis, así como la medición del
módulo elástico a partir de un esfuerzo aplicado al PZT relacionándose por la deformación
inducida en el material.
Por otro lado, se realizaron simulaciones para modelar el comportamiento de un cantilever,
siendo este el precursor del cosechador. Con el objeto de evaluar los factores que permitan
predecir el desempeño del dispositivo generador de energía ante las variables físicas de
desplazamiento máximo (flexión) y frecuencia (primer modo de vibración). Se empleó el
paquete informático de análisis y resolución por elemento finito, COMSOL Multiphysics,
para simular el diseño propuesto. Las variables analizadas fueron las dimensiones de la viga
en voladizo: longitud, ancho y espesor. Siendo el espesor del PZT (210 nm) el parámetro de
mayor influencia en la generación del voltaje de salida en el cantilever en proporción al
PZT depositado, obteniéndose mayor voltaje generado. La combinación PZT-Pt es mejor
frente al PZT-Al debido a que en el primero hay una mayor flexión y soporte en el
cantilever, teniendo por resultado una mayor diferencia de potencial.

XIV
I. INTRODUCCIÓN

El auge tecnológico en la nanotecnología y la microelectrónica ha producido la

miniaturización de sistemas electrónicos móviles que a su vez, ha ido conduciendo el
desarrollo de fuentes de poder de pequeños dimensiones y larga duración. Las fuentes de
energía tradicionales son de gran volumen y de vida limitada, siendo estos los motivos que
impiden este progreso. Como consecuencia, están emergiendo aplicaciones que incluso
pueden llevarse puestas sobre el cuerpo humano, con el objeto de recolectar energía para
alimentar a estos dispositivos [1]-[3]. Desarrollando una arquitectura tecnológica
inteligente que utilice los recursos del medio ambiente disponibles para la generación de
energía eléctrica. Estos recursos contemplan la energía solar, eólica, acústica, gradientes de
temperatura y vibraciones mecánicas [4]-[7]. Entre estas fuentes para la recolección o
cosecha de energía, se tiene particular interés en las vibraciones mecánicas dado que es una
fuente potencial de energía que: es lo suficientemente abundante para ser aprovechada, es
de fácil acceso por medio de la tecnología de sistemas micro-electromecánicos (MEMS)
para su conversión a energía eléctrica y que es ubicua en las aplicaciones de pequeños
electrodomésticos para grandes infraestructuras [8],[3],[6]-[7].
La cosecha de energía (EH, por las siglas en inglés de Energy Harvesting) es también
conocida como recolección o captura de energía (ES, del inglés Energy Scavenging). Es el
proceso por el cual la energía del ambiente es capturada y almacenada (de ser necesario)
para suministrar electricidad a pequeños dispositivos autónomos [4].
La EH de ambientes de vibración ofrece atractivas formas de alimentación para sistemas de
pequeña escala [9]-[10]. No solo provee una fuente de energía limpia y regenerativa [5],[8]
ya que también brinda un avance para sistemas en el que el reemplazo de una batería es
complicado. Los cosechadores de energía empleando tecnología MEMS (Sistemas Micro-
Electromecánicos del acrónimo en inglés Micro Electromechanical Systems) proporcionan
alternativas prometedoras a las baterías especialmente en un microsistema eléctrico
adaptable y portátil [11],[6].
Se denomina MEMS a la tecnología de fabricación que combina componentes mecánicos y
electrónicos miniaturizados, que dan origen a dispositivos que permiten detectar (sensar) o
actuar a escala microscópica [12]. Dentro de esta categoría se encuentran sensores,
actuadores, micromáquinas, microsistemas o micro-instrumentos y microcomponentes [13].
1
Los cosechadores de energía basados en vibración convierten la energía mecánica de
superficies vibrantes en energía eléctrica empleando adecuados mecanismos de
transducción: electromagnéticos, electrostáticos y piezoeléctricos [14],[5]-[7]. En
comparación con los dos anteriores, los transductores piezoeléctricos (de efecto directo)
tienen ventajas tales como: una configuración simple, alta eficiencia de conversión, un
control preciso de la respuesta mecánica, además de la simplicidad y flexibilidad de
implementación [15]-[16],[1].
Típicamente, el PZT es utilizado para los cosechadores de energía por su gran coeficiente
piezoeléctrico y constante dieléctrica, permitiendo la producción de una mayor energía para
una aceleración dada [16]. Entre las diferentes propuestas para la conversión de energía
mecánica de vibración a energía eléctrica, el mecanismo de cosecha más común empleado
es la de un cantilever o viga en voladizo con capas piezocerámicas PZT [17],[5],[8],[14].
Generalmente, el cantilever está unido a una estructura contenedora con movimientos
vibracionales propios, sometiendo a la viga a una excitación de la base [17].
Se pretende realizar un diseño de un micro-cosechador de energía basado en la tecnología
MEMS y el empleo de películas delgadas de PZT para el tratamiento de la energía
originada en vibraciones mecánicas. Proporcionando una alternativa viable y sustentable
para la alimentación de sistemas eléctricos de pequeña escala dada la presencia cotidiana de
vibraciones mecánicas a nuestro alrededor que, a su vez, representa una fuente potencial de
energía disponible para su manejo y conversión a energía eléctrica útil.

I.1. Antecedentes

I.1.1 Cosecha de Energía (Energy Harvesting)

La cosecha de energía se ha convertido en un tópico atractivo en los últimos años. Los

avances tecnológicos en el campo de la microelectrónica y el estudio de fuentes naturales
de energía disponibles, han incentivado la investigación hacia el desarrollo de dispositivos
convertidores capaces de transformarlas. Debido a la presencia de fuentes de energía tales
como la luz, el calor y la vibración mecánica existentes en nuestro entorno de vida que
pueden convertirse en electricidad útil. Estos dos factores han contribuido al creciente
número de reportes de investigación en la última década [18],[6].

2
A continuación se realizará una revisión de las características del estado del arte en relación
a la recolección de energía: su definición, datos históricos, fuentes para la cosecha, y
avances recientes.

I.1.1.1 Definición

La cosecha de energía (EH, por las siglas en inglés de Energy Harvesting) es también
conocida como recolección o captura de energía (energy scavenging). Es el proceso por el
cual la energía del ambiente es capturada y, si es necesario, almacenada para suministrar
electricidad a pequeños dispositivos autónomos [4].

I.1.1.2 Datos Históricos

La primera observación de cosecha de energía en forma de corriente de una fuente natural

fue en 1826. Thomas Johann Seebeck encontró que una corriente puede fluir en un circuito
cerrado hecho por dos metales disímiles cuando se mantienen a diferentes temperaturas
[19]-[20]. Para las siguientes tres décadas, los efectos termoeléctricos fueron explorados y
entendidos macroscópicamente, y su aplicabilidad a la termometría, generación de energía
y refrigeración fue reconocida [21]. En 1839, como él estaba experimentando con una celda
electrolítica compuesta por dos metales, Edmund Becquerel descubrió el efecto
fotovoltaico [22]. La primera celda solar de área grande fue construida en 1894 por Charles
Fritts que la revistió de capa de selenio con una fina capa de oro [23]. Si bien el efecto
voltaico fue primeramente observado por Edmund Becquerel, éste se convirtió
completamente comprensible sólo después del desarrollo de la teoría cuántica de la luz y la
física del estado sólido a principios de 1900 [22].
Joseph Henry y Michael Faraday independientemente descubrieron el principio de la
producción de energía del magnetismo, conocida como inducción electromagnética, en
1831 [24]. En Octubre del mismo año, Faraday inventó el primer generador de corriente
continua que consiste en una placa de cobre rotando entre polos magnéticos [25].
La primera observación de cosecha de energía en forma de cambio fue en 1880. Pierre y
Jacques Curie satisfactoriamente predijeron y demostraron experimentalmente que ciertos
cristales podían presentar carga superficial al ser sometidos a un esfuerzo mecánico. A este
fenómeno se le denominó piezoelectricidad [19].

3
I.1.1.3 Fuentes para la Cosecha de Energía

Aún cuando la recolección de macro-energía ha estado alrededor por siglos en forma de

molinos de viento, molinos de agua, sistemas pasivos de energía solar, entre otros
recolectores [6]. Esta antigua forma de captura de la energía disponible, hoy día, no
representan avances en la optimización de la cosecha de energía. Dado que para los
diseñadores electrónicos la misión de vida es recortar alambres, incluyendo cables de
alimentación e incluso sistemas alimentados por baterías, teniendo por objetivo final de
diseño al dispositivo de funcionamiento perpetuo [26].
El progreso en la tecnología microelectrónica de ultra-baja energía con el avance en la
cosecha de micro-energía hace del número de ciclos de carga de una batería el principal
límite hacia el dispositivo de perpetua auto-alimentación.
Hacia esta misión, se pueden identificar varias fuentes para la cosecha de micro-energía:
- Movimiento, vibración o energía mecánica: pisos, escaleras, objetos de movimiento,
transferencia de energía desde motor a la batería durante el frenado, etc.
- Electromagnéticas (RF): estaciones base, internet inalámbrico, comunicación
satelital, radio, televisión, radiodifusión multimedia digital, etc.
- Termal.
- Impulso o cantidad de movimiento (momentum) generado por reacciones
radioactivas en energía eléctrica.
- Gradientes de presión.
- Micro-flujo de agua (por ejemplo, el grifo o llave).
- Solar y luz (óptica).
- Biológica.
Un esquema alterno de clasificación puede considerar a quien o el que provee la energía
para su conversión: el primer tipo es llamado fuente de energía humana. La energía es
provista por la actividad de los seres humanos o animales. El segundo tipo es la fuente de
cosecha de energía que obtiene su energía del ambiente [27]-[28]. Entre ellas, la energía de
la vibración mecánica ha sido intensamente estudiada porque existe en casi cualquier parte
de nuestro entorno de vida y puede ser fácil y eficientemente convertida a electricidad
mediante tres transductores electromecánicos: electrostáticos [29]-[31] electromagnéticos
[32]-[33],[8] y piezoeléctricos [34]-[37].

4
En transductores electrostáticos, la distancia o la superposición de dos electrodos de un
capacitor polarizado cambia debido al movimiento o la vibración de un electrodo móvil.
Este movimiento causa un cambio de voltaje a través del capacitor y resulta en un flujo de
corriente en un circuito externo. En transductores piezoeléctricos, vibraciones o
movimiento, causan la deformación de un elemento piezoeléctrico lo que genera voltaje. En
los transductores electromagnéticos, el movimiento relativo de una masa magnética con
respecto a una bobina es lo que genera un cambio en el flujo magnético. Esto provoca un
voltaje de C.A. a través de la bobina.
El consumo de baja potencia de electrónica basada en silicio ha permitido una amplia
variedad de dispositivos manuales alimentados por pilas, portátiles e incluso implantes
[38]. Un rango de dispositivos inalámbricos abarcan seis niveles de consumo de energía se
muestran en la Tabla 1, con su autonomía típica.

Tabla 1. Sistemas seleccionados que operan con baterías [38].

Tipo de dispositivo Consumo de energía Autonomía de energía

Smartphone 1 W 5 hrs.
Reproductor MP3 50 mW 15 hrs.
Audífonos 1 mW 5 días
Nodo sensor inalámbrico 100 µW De por vida
Marcapasos cardiaco 50 µW 7 años
Reloj de cuarzo 5 µW 5 años

Todos estos dispositivos requieren una fuente de energía compacta, de bajo costo y ligera,
que permitan la portabilidad deseada y autonomía de energía. Hoy día, las baterías
representan la fuente de energía dominante para los dispositivos de la Tabla 1 y otros. A
pesar del hecho de que la densidad de energía de la baterías ha aumentado por un factor del
triple en los últimos 15 años, en muchos casos su presencia tiene un gran impacto, o incluso
dominante, en el costo y tamaño operativo. Por esta razón soluciones alternativas a las
baterías son el objetivo de extensas investigaciones a nivel mundial.
Una posibilidad es de reemplazarlas con energía de sistemas de almacenamiento ofreciendo
una gran densidad de energía, por ejemplo, celdas de combustible miniaturizadas [39]. Una
segunda opción, consiste en suministrar la energía necesaria al dispositivo de manera
inalámbrica; esta solución, ya empleada para etiquetas RFID, puede extenderse a más
dispositivos con mayor consumo de energía, pero se requieren delicadas infraestructuras de

5
transmisión. Una tercera posibilidad es la cosecha de energía del ambiente mediante el uso
por ejemplo, de energía de vibración/movimiento, energía térmica, lumínica o de
radiaciones RF. La Tabla 2 resume la potencia de salida que se podría obtener de fuentes
ambientales cuando se usan dispositivos optimizados construidos con la tecnología de
transductores disponibles actualmente. Además sugiere que los cosechadores de energía
pueden emplearse de manera efectiva en el rango de 1 µW a 1 mW.

Tabla 2. Características de varias fuentes de energía disponibles en el ambiente y energía

cosechada [38].

Fuente Fuente de Energía Energía Cosechada

Luz Ambiental
De interior 0.1 mW/cm2 10 µW/cm2
Al aire libre 100 mW/cm2 10 mW/cm2
Vibración/Movimiento
Humana 0.5 m @ 1 Hz 1 m/s2 @ 50 Hz 4 µW/cm2
Industrial 1 m @ 5 Hz 10 m/s2 @ 1 kHz 100 µW/cm2
Energía Térmica
Humana 20 mW/cm2 30 µW/cm2
Industrial 100 mW/cm2 1-10 mW/cm2
Radiofrecuencia (RF)
Teléfono celular 0.3 µW/cm2 0.1 µW/cm2

La potencia transferida a la carga es limitada por la disponibilidad de energía en bruto, la

eficiencia del transductor y el circuito de conversión. La naturaleza discontinua de la
cosecha de energía tiene consecuencias sobre el modo de funcionamiento de los
dispositivos electrónicos que son operados con la energía de cosecha. En principio, se
pueden distinguir dos situaciones:
1. El consumo de energía del dispositivo es menor a la potencia promedio cosechada.
En este caso, el dispositivo electrónico puede operar de manera continua.
2. El consumo de energía del dispositivo es mayor a la potencia promedio cosechada.
En este caso, la operación debe ser discontinua, y el tiempo entre operaciones
depende de la energía almacenada del dispositivo [27].
Por ello, la salida de un cosechador de energía no es adecuada directamente como una
fuente de energía para circuitos debido a las variaciones en su potencia y voltaje con
transcurso el tiempo, por lo que es necesario un circuito administrador de energía se
requiere. Esta unidad de administrador de energía debe ser capaz de manejar una muy baja

6
alimentación de energía y ser capar de adaptar su entrada al cosechador de energía y su
salida a la carga [38].

I.1.2 MEMS (Sistemas Micro-Electromecánicos)

El avance observado en las últimas dos décadas de la ciencia de los materiales,

particularmente en la llamadas “microtecnologías”, ha dado lugar al advenimiento de
pequeños dispositivos llamados MEMS (Micro Electromechanical Systems) con
importantes aplicaciones [40]. Lo que permite obtener dispositivos de menor consumo y
mayor sensibilidad, facilitando la realización de equipos portátiles.
Los dispositivos recolectores de energía basados en tecnología MEMS están pensados para
convertir las vibraciones presentes de manera ubicua en el medioambiente, o bien, la
energía producida por el cuerpo humano o por los movimientos de los seres vivos en
energía eléctrica para la operación de sistemas electrónicos de bajo consumo de energía, lo
que representaría prácticamente fuentes inagotables de energía para dichos sistemas.
Usualmente, lo que hace a un dispositivo de captura de energía piezoeléctrico
particularmente atractivo para su uso en MEMS es su mayor capacidad conversión de
energía, así como su simplicidad [41].

I.1.2.1 Definición de MEMS

Se denomina MEMS a los Sistemas Micro-Electromecánicos (del acrónimo en inglés Micro

Electromechanical Systems) a la tecnología de fabricación que combina componentes
mecánicos y electrónicos miniaturizados, que dan origen a dispositivos que permiten
detectar (sensar) o actuar a escala microscópica. Dentro de esta categoría se encuentran
sensores, actuadores, micromáquinas, microsistemas o micro-instrumentos y
microcomponentes [13].

I.1.2.2 Métodos para la mejora de eficiencia en Recolección de Energía

Varios métodos han sido reportados para mejorar la energía recolectada de micro-
generadores MEMS. Algunos de estos se citan a continuación.

7
I.1.2.2.1 Selección apropiada del modo de acoplamiento de operación
Esto involucra dos modos de operación. El primero llamado modo 31, involucra a la fuerza
de la vibración excitada que se aplica perpendicular a la dirección de polarización (viga
pendiente). Y el otro es llamado modo 33, en el cual la fuerza se aplica sobre la misma
dirección de polarización. Los modos 31 y 33 son ilustrados en la Figura 1. De entre los dos
modos, el modo 31 es el más comúnmente empleado. Éste produce un coeficiente de
acoplamiento “k” cuando se compara con el modo 33.

Figura 1. Modos de Acoplamiento Piezoeléctrico [1].

Materiales piezoeléctricos tienen una polarización incorporada, y por lo tanto responden de

forma a diferentes esfuerzos dependiendo de la dirección. Hay dos modos primarios de
acoplamiento electromecánico para materiales piezoeléctricos: el modo 3-1 y el modo 3-3.
En el modo 3-1 (Figura 2-a), el campo eléctrico se produce sobre el eje ortogonal al eje de
la fuerza aplicada, pero en el modo 3-3 (Figura 2-b), el campo eléctrico es producido sobre
el mismo eje donde se aplica el esfuerzo mecánico (o fuerza).

Figura 2. Modos de acoplamiento: (a) modo 31, y (b) modo 33 [42].

8
Si bien el coeficiente piezoeléctrico es más alto en el modo 3-3 para la mayoría de los
materiales, para aprovechar un coeficiente más grande se requiere de un diseño mucho más
complejo.

I.1.2.2.2 Cambio de la configuración del dispositivo

Esto se logra mediante la adición de múltiples piezas de materiales piezoeléctricos al
cosechador. Una composición monomorfa (Figura 3-d) es básicamente un plato de
cerámica monolítica. Este tipo de actuador exhibe gradiente de propiedades piezoeléctricas
sobre la sección transversal. Se polariza en la dirección del espesor y el campo eléctrico se
aplica entre los electrodos superior e inferior. El actuador unimorfo (Figura 3-c) es por lo
general fabricado por la vinculación de la placa piezoeléctrica a la lámina elástica. La
piezo-placa es polarizada y dirigida por el campo eléctrico en la dirección del espesor.

Figura 3. Configuraciones de los actuadores de flexión piezoeléctricos: (a) dimorfa en Serie,

(b) dimorfa en paralelo, (c) unimorfa, (d) monomorfa [43].

Un actuador dimorfo generalmente es fabricado por adherir dos placas piezoeléctricas y ser
controlado por un campo eléctrico opuesto [43]. Otro esquema que hace referencia a la
composición de una viga voladiza unimorfa es mostrado en la Figura 4c. Donde Johnson et
al [44] demostraron con esta configuración que la mayor energía puede generarse a bajas
frecuencias de excitación y resistencias de carga. Dos combinaciones de estructuras
dimorfas son posibles: (a) Tipo Serie, (b) Tipo Paralelo. Estructuras de triple capa en serie
y paralelo son representadas por Ng y Liao [45]-[46] las cuales son ilustradas en la Figura
4-a y b, respectivamente.

9
 Figura 4. Una viga voladiza tipo: (a) triple capa en serie, (b) triple capa en paralelo, y (c)
unimorfa [1].

La triple capa en serie dimorfa está constituida de una capa metálica, colocada entre dos
piezoeléctricos y los parches piezoeléctricos están conectados eléctricamente en serie. En el
caso del paralelo triple, el cual también se encuentra en medio de dos capas piezoeléctricas
dimorfas, los materiales piezoeléctricos son conectados en paralelo. Por otro, la triple capa
paralela dimorfa tiene la máxima energía cuando es excitado entre frecuencias medias y
resistencias de carga, mientras que la triple capa dimorfa en serie produce una alta energía
cuando se excita a altas frecuencias y resistencias de carga. Una conexión en serie
incrementará la impedancia del dispositivo en tanto como se mejora la energía de salida
entregada a cargas más grandes. Varios investigadores han llevado a cabo estudios para
mejorar la eficiencia dimorfa.
Jiang et al [47] estudiaron una viga voladiza dimorfa con una masa de prueba adjunta a su
extremo. Sus resultados mostraron que, reduciendo el espesor dimorfo e incrementando la
masa de prueba adjunta, decrece la frecuencia resonante y se produce una máxima cosecha
de energía. De forma similar, Anderson y Sexton [48], encontraron que, variando la
longitud y anchura de la masa de prueba se afecta la energía cosechada.

I.1.2.2.3 Elección de la geometría de la estructura correspondiente a la viga

La estructura geométrica de la viga voladiza también juega un papel importante en el
mejoramiento en la eficiencia del cosechador. Las vigas voladizas con estructuras de forma
rectangular son muy comúnmente usadas en los cosechadores piezoeléctricos basados en
MEMS. Son fáciles de implementar y efectivos recolectores de energía en ambientes
vibrantes [1]. Sin embargo, el estudio propuesto por Mateu y Moll [49], mostró que la
forma triangular de la viga voladiza con un pequeño extremo libre puede soportar
deformaciones mecánicas más elevadas y permite deflexiones máximas, resultando una

10
energía mayor en la salida cuando comparado con una viga rectangular teniendo la longitud
y anchura igual a la base y la altura de la viga voladiza triangular propuesta.
Roundy et al [36], encontraron que la deformación mecánica sobre una viga voladiza en
forma trapezoidal se puede distribuir a lo largo de su estructura, y también se observó que,
por el mismo volumen de PZT en una viga voladiza en forma trapezoidal puede entregar
más del doble de energía que entrega una viga en forma rectangular.

Figura 5. Viga voladiza piezoeléctrica con forma circular, “címbalo”.

Una estructura de forma circular llamada “címbalo” fue desarrollada por Kim et al [50]
Esta estructura se compone de dos metales en forma de cúpula enlazada en una placa
circular piezoeléctrica, como se ilustra en la Figura 5.

I.1.2.2.4 Sincronizar la frecuencia de resonancia con la frecuencia de las

vibraciones del ambiente
Este método para mejorar eficiencia de la energía recolectada es mediante la sintonía del
dispositivo de modo que su frecuencia de resonancia se empareje con la frecuencia
resonante de las vibraciones del ambiente.
Rastegar et al [51] diseñaron un sistema de afinación pasiva, el cual cuenta con dos fases en
el que una muy baja frecuencia en un rango de 0.2 a 0.5 Hz que puede convertirse en
energía potencial y después transferida al sistema con una frecuencia natural más alta. El
diagrama esquemático del cosechador se muestra en la Figura 6.

11
 Figura 6. Esquema de una típica fuente de energía para la recolección de energía utilizando el
diseño de dos etapas [51].

I.1.3 Trabajos Recientes

Las técnicas de cosecha de energía y sus aplicaciones están expandiéndose y convirtiéndose

más atractivas especialmente con el avance de la microelectrónica y los MEMS. El manejo
de la energía permite la cosecha de diversas fuentes, que, dependiendo de la aplicación,
pueden dirigir la energía directamente del circuito de aplicación sin utilizar una batería [6].
Roundy et al [36] reportaron una clase de prototipo de una viga delgada (de 9-25 mm de
longitud) con una masa relativamente pesada en el extremo libre de la viga, el cual podía
generar 375mW para una fuente de vibración de 2.5m/s2 a 120 Hz. Sin embargo la escala
de estos dispositivos es más grande que la de los dispositivos MEMS, además su
fabricación de está limitada por el ensamble manual.
Por su parte, Jeon et al [52] han presentado un micro-generador de energía piezoeléctrico,
el cual utiliza el material PZT en el modo d33 para la conversión de energía acústica a
energía eléctrica. La estructura de este micro-generador es liberado desde el substrato de
silicio por medio de un grabado isotrópico de fluoruro de Xenon (XeF2), la frecuencia de
operación de este dispositivo se localizó entre 20 y 40 kHz con una potencia de salida de
1 µW. Renaut et al [53], fabricaron uno basado en una viga voladiza de PZT con una masa
de prueba integrada, que genera 40 µW a una frecuencia de vibración de 1.8 kHz. Se
conoce como viga unimorfa mostrada en la Figura 7.

12
 Figura 7. Esquema de una viga voladiza unimorfa [53].

Muralt et al [54] diseñaron, fabricaron y caracterizaron un micro-generador de energía para

la cosecha de energía de vibración mediante la oscilación inercial resonante de una viga
voladiza piezoeléctrica laminada con una masa de prueba. La parte activa con 2 µm de
espesor PZT sobre 5 µm de silicio fue equipada con electrodos entrelazados para alcanzar
mayores voltajes. El voltaje de salida, a una impedancia óptima, fue de 1.6 V a 1.4µW de
potencia, excitado con 2g (g = 9.81 m/s2) a 870 Hz. El diseño en general se ilustra en la
Figura 8.

Carga Potencia

Masa de
Marco Prueba
Figura 8. Esquemático de la estructura y el principio de operación de la viga voladiza
piezoeléctrica laminada para la cosecha de energía de vibración acoplados a través de la
vibración de la estructura [54].

Por otro lado, Shen et al [18] diseñaron y fabricaron una viga voladiza PZT con una
micromecanizada masa de prueba de silicio para una aplicación de la cosecha de energía
para una vibración de baja frecuencia. La capa de SiO2 en la oblea de SOI promueve un
control preciso del espesor del silicio el cual se emplea como una capa de soporte en la
estructura de la viga voladiza. Su volumen efectivo total es alrededor de 0.7690 mm 3.
Cuando se excita a una amplitud de aceleración de 0.75g, a una frecuencia resonante de
183.3 Hz, el voltaje de salida en C.A. medida a través de la resistencia de carga la 16 kΩ
13
conectada en paralelo al dispositivo, tiene una amplitud de 101 mV. La potencia promedio
y la densidad de potencia determinadas por las mismas condiciones de medición son,
respectivamente, de 0.32 µW y 416 µW/cm3.
La Figura 9 muestra la vista a 45° de la viga voladiza fabricada tomada desde (a) el frente y
(b) la parte trasera del MEB. De la Figura 9-a se puede observar claramente una viga
voladiza recta definida y es ligeramente doblado debido al esfuerzo de tensión residual en la
película de PZT.

Figura 9. Fotografías de MEB de un cantilever (a) frente y (b) parte trasera vista a 45°
fabricada sobre una oblea de SOI [18].

Recientemente, Lei Gu [11] presentó un recolector de energía basado en la vibración de

impacto montado con una viga móvil compatible y dos vigas rígidas generadoras (ver
Figura 10). La baja frecuencia del ambiente es convertida a frecuencia de resonancia de alta
por el impacto periódico entre la viga móvil y las vigas generadoras. La potencia promedio
de 1.53 mW del cosechador de impacto de vibración a macroescala se logra a 20.1 Hz bajo
0.4g de aceleración, siendo su densidad de potencia de 93.2 mW/cm3.

14
 Figura 10. El cosechador convencional de energía de viga voladiza piezoeléctrica (a) y el
cosechador de vibración de impacto con las separadas viga móvil y vigas generadoras [11].

Las ventajas de este cosechador son: la restricción del desplazamiento amplio de la viga
móvil, la mejora de la densidad de potencia y ser especialmente adecuado para un enfoque
compacto de MEMS.

Figura 11. El prototipo del dispositivo de cosecha de energía de vibración de impacto

montado en el centro de una bocina [11].

En este contexto, hay relativamente pocos trabajos realizados sobre dispositivos

cosechadores piezoeléctricos de película delgada en la escala de los MEMS, que cuentan
con el enfoque de conversión a bajas frecuencias. Que se requieren para orientar las
aplicaciones de un cosechador de energía hacia las energías disponibles antes mencionadas,

15
 en especial las vibraciones mecánicas alrededor de nuestro entorno producidas por las
actividades físicas y cotidianas. Cabe mencionar, que la recolección de energía proveniente
de bajas frecuencias, tales como los movimientos humanos los cuales están típicamente en
el rango de 1-30 Hz, es muy deseable pero que implica muchos desafíos [11].
Dado que las frecuencias de resonancia típicas de los recolectores de energía
piezoeléctricos MEMS están en el rango de 100-10 kHz [55]-[56], para alcanzar bajas
frecuencias bajas (menores a 30 Hz), el silicio o una viga dieléctrica de silicio necesita ser
diseñada tan larga, delgada y estrecha como sea posible, lo que consume un chip de gran
tamaño y puede fácilmente fracturarse [11].
A continuación, en la Tabla 3, se enlistan (a manera de resumen) los trabajos recientes con
los mejores resultados en la producción de potencia.

Tabla 3. Diseños de cosechadores de energía piezoeléctricos con mejor producción de energía

eléctrica, según fuentes consultadas

Dimensiones Parámetros
Potencia Estructura Ref.
Longitud Ancho Espesor Frecuencia Aceleración
de salida
2.15 W;
3000 m 1000 m 21 m 243 Hz 0.5g Unimorfa
2.33 W [57]
0.62 @ (2013)
3000 m 1000 m 21 m 243 Hz 0.5g Unimorfa
1.71 W
255.9 Hz
1500 m 500 m 500 m 2g 2.099 W Unimorfa
(d31) [58]
214.0 Hz (2009)
1500 m 750 m 500 m 2g 1.288 W Unimorfa
(d33)
13.64 608 Hz [59]
2000 m 600 m 1g 1.16 W --
m (2006)
[60]
1000 m 800 m 10 m 525-530 Hz 0.4g 0.4 W --
(2010)

I.1.4 Materiales Dieléctricos

Los materiales dieléctricos poseen un número importante propiedades eléctricas adicionales

que los hacen útiles en la industria electrónica.

16
 Figura 12. Dos placas metálicas, separadas por una distancia L, pueden almacenar energía
eléctrica después de hacer sido cargadas momentáneamente por una batería [61].

Cuando se aplica un voltaje momentáneamente sobre dos placas de metal paralelas que
están separadas por una distancia L, como se muestra a continuación en la Figura 12, la
carga eléctrica resultante permanece esencialmente en estas placas incluso después de que
la tensión haya sido retirada. Esta capacidad de almacenar una carga eléctrica se llama
capacitancia C, que se define como la carga q por unidad de voltaje aplicado V, que es:

Ecuación (1)

donde C está dada en coulombs por volt, o farad. Comprensiblemente, la capacitancia es

más mayor mientras más grande sea el área A de las placas y la más pequeña es la distancia
L, entre ellos. Además, la capacitancia depende del material que puede haber sido colocado
entre las placas. Las observaciones experimentales conducen a:

Ecuación (2)

donde

Ecuación (3)

determina la magnitud de la capacidad de almacenamiento añadido. Esto se llama la (sin

unidades) constante dieléctrica (o de vez en cuando la permitividad relativa, εr). Mientras

17
que ε0 es una constante universal que tiene un valor de 8.85x10-12 Farad por metro (F/m) y
es conocida con el nombre de permitividad del espacio vacío (o del vacío).

Tabla 4. Constantes dieléctricas de algunos materiales de corriente directa (CD) [61].

Niobato de potasio y tantalio 6000

Titanato de bario (BaTiO3) 4000 Ferroeléctricos
Niobato de potasio (KNbO3) 700
Sal de Rochelle (NaKC4H4O6 4H2O) 170
Agua 81.1
Acetona 20
Silicio 11.8
GaAs 10.9
Silicio fundido 4
PVC 3.5 Dieléctricos
Hielo 3
Ámbar 2.8
Polietileno 2.3
Parafina 2
Aire 1.000576

Algunos valores para la constante dieléctrica se dan en la Tabla 4. La constante dieléctrica

del espacio vacío puede ser tomada como 1, mientras que ε del aire y muchos otros gases es
casi 1. La constante dieléctrica es dependiente de la frecuencia [61]. Ahora se explica por
qué la capacitancia aumenta cuando una pieza de un material dieléctrico
se inserta entre dos conductores (ver la Ecuación (2)).
Para esto, se toma en cuenta de que, bajo la influencia de un campo eléctrico externo, la
nube de electrones con carga negativa de un átomo son desplazados con respecto a su
núcleo de carga positiva; comparar la Figura 13-a con la Figura 13-b. Como resultado, se
crea un dipolo, que tiene un momento dipolar eléctrico
Ecuación (4)
donde x es la separación entre la carga positiva y la carga negativa, tal como se representa
en la Figura 13-c. El momento dipolar es generalmente un vector que apunta desde la carga
negativa hacia la carga positiva. El proceso de formación de dipolo (o alineación de dipolos
ya existentes) bajo la influencia de un campo eléctrico externo que tiene una intensidad de
campo eléctrico, E, se llama polarización.

18
 Figura 13. Un átomo se representa por un núcleo cargado positivamente y con una nube de
electrones circundante, con carga negativa, (a) en equilibrio y (b) en un campo eléctrico
externo. (c) Representación esquemática de un dipolo eléctrico creado por la separación de las
cargas negativas y positivas por un campo eléctrico, como se ve en (b) [61].

La formación dipolar de todos los átomos involucrados dentro de un material dieléctrico

provoca una redistribución de carga de manera que la superficie más cercana a la placa de
condensador positivo está cargado negativamente (y viceversa), véase la Figura 14-a.

Figura 14. Representación esquemática de dos placas de condensador entre los que se coloca
un material dieléctrico. (a) Inducción de dipolos eléctricos de carga opuesta. (b) El

19
 debilitamiento del campo eléctrico dentro del material dieléctrico (Ecuación (5). (c) La
dirección del vector de polarización es de la carga inducida negativa a la carga positiva
inducida (véase la Figura 13-b). (d) El desplazamiento dieléctrico D dentro del material
dieléctrico es la suma de ε0E y P (Ecuación (7) [61].

Como consecuencia de ello, se crean líneas de campo eléctrico dentro de un dieléctrico que
son opuestas en dirección a las líneas de campo externo. Y, efectivamente, las líneas de
campo eléctrico dentro de un material dieléctrico se debilitan debido a la polarización,
como se representa en la Figura 14-b. En otras palabras, la intensidad de campo eléctrico en
un material:

Ecuación (5)

se reduce mediante la inserción de un dieléctrico entre dos placas de un condensador.

Dentro de un material dieléctrico de la intensidad de campo eléctrico E se sustituye por el
desplazamiento dieléctrico D (también llamado densidad de carga superficial), es decir,

Ecuación (6)

El desplazamiento dieléctrico es la superposición de dos términos,

Ecuación (7)

donde P se llama la polarización dieléctrica, es decir, el momento dipolar eléctrico inducido

por unidad de volumen (ver Figura 14-c,-d). Las unidades de D y P son (C/m2), ver
Ecuación (7). D, E, y P son generalmente vectores. En resumen, la polarización es
responsable para el aumento de la densidad de carga (q/A) anterior para el vacío.
El mecanismo descrito se conoce por el nombre de polarización electrónica. Se da en todos
los materiales dieléctricos que están sometidos a un campo eléctrico. En los materiales
iónicos, tales como los haluros alcalinos, puede ocurrir un proceso adicional, que se llama
polarización iónica. En resumen, los cationes y aniones son desplazados ligeramente de sus
posiciones de equilibrio bajo la influencia de un campo externo y por lo tanto dan lugar a
un momento dipolar neto. Finalmente, muchos materiales ya poseen dipolos permanentes
que pueden ser alineados en un campo eléctrico externo. Entre ellos se encuentran el agua,
aceites, líquidos orgánicos, ceras, polímeros amorfos, cloruro de polivinilo, y ciertas
cerámicas, tales como el PZT. Este mecanismo se denomina polarización de orientación, o

20
la polarización molecular. Los tres procesos de polarización son aditivos en su caso (véase
en la Figura 15).

Figura 15. Representación esquemática de la polarización como una función de la frecuencia

de excitación para diferentes mecanismos de polarización. (Otro mecanismo, llamado
"polarización de carga espacial", que tiene lugar en las interfases entre las impurezas y la
matriz, y en los límites de grano resiste frecuencias de hasta sólo 0.1 a 1 Hz. Esto no se
muestra aquí debido a su relativa falta de importancia para los condensadores) [61].

La mayoría de los condensadores se utilizan en circuitos eléctricos alternos. Esto requiere la

reorientación rápida de los dipolos bajo un campo eléctrico que cambia rápidamente. No
todos los mecanismos de polarización responden igualmente rápida de un campo eléctrico
alterno. Por ejemplo, muchas moléculas son relativamente lento en reorientación.
Por lo tanto, la polarización molecular se rompe o descompone a frecuencias relativamente
bajas (véase la Figura 15). En cambio, la polarización electrónica responde muy
rápidamente a un campo eléctrico alterno, incluso a frecuencias de hasta aproximadamente
1016 Hz [61]. A ciertas frecuencias, una cantidad sustancial de la energía de excitación se
absorbe y se disipa como calor. Este proceso se llama pérdida dieléctrica. Es
imprescindible conocer la frecuencia donde hay pérdidas dieléctricas para un material dado,
de modo que se evite la operación de un dispositivo en este rango.

21
I.1.5 Materiales Piezoeléctricos

Los materiales piezoeléctricos son utilizados para obtener energía utilizando las
vibraciones del medio ambiente o del objeto en estudio, debido a que pueden convertir
eficientemente el esfuerzo mecánico a una carga eléctrica sin adición de alguna fuente de
poder. Elementos piezoeléctricos de escala de centímetros pueden generar un rango de
potencia del orden de los mili-Watts empleando ambientes de vibración por debajo de
1 kHz. Han sido considerados actualmente como soluciones viables para los cosechadores
de micro-energía de larga duración desde que pueden generar energía suficiente para
manejar dispositivos electrónicos de baja potencia tales como los sensores inteligentes
inalámbricos que consumen menos de unos pocos mili-Watts [62]-[63].

I.1.5.1 Efecto Piezoeléctrico

Piezoelectricidad, proveniente del griego πιέζειν – piezo (comprimir) y electricidad [64], es

entendida como una interacción electromecánica entre el estado mecánico y eléctrico en
cristales sin un centro de simetría. Dicho fenómeno se clasifica en dos partes: efecto
piezoeléctrico directo y efecto piezoeléctrico indirecto o inverso.
El efecto piezoeléctrico directo se presenta cuando una deformación mecánica de un
material piezoeléctrico produce un cambio proporcional en la polarización eléctrica del
material (Figura 16-a). En decir, una carga eléctrica aparece en ciertas caras opuestas del
material piezoeléctrico cuando es excitado mecánicamente [65].

(a) (b)
Figura 16. Muestra el Efecto Piezoeléctrico (a) Directo e (b) Inverso, respectivamente [66].

22
 Por otro lado, el efecto piezoeléctrico inverso se refiere a que el esfuerzo mecánico
proporcional a la acción de un campo eléctrico externo es inducido en el material
piezoeléctrico (Figura 16-b). Dicho de otra forma, el material se deforma cuando un voltaje
eléctrico es aplicado, provocando reacción interna de sus cargas electrostáticas, obteniendo
como resultado un esfuerzo mecánico y, por ende, un cambio en sus dimensiones debida a
la actuación de las cargas internas [67].

I.1.6 Materiales Ferroeléctricos

Los materiales ferroeléctricos exhiben un momento dipolar eléctrico en ausencia de campo

eléctrico externo. La dirección del momento dipolar puede ser orientado (switched)
mediante la alternancia de campo [68]. Dada la “inteligencia” de los materiales
ferroeléctricos, estos se clasifican a su vez en materiales llamados triviales e inteligentes.
Los materiales “triviales” son materiales considerados elásticos o conductores, generan
corriente eléctrica y deformaciones mecánicas. Son mejor conocidos como materiales
“fenómeno”.

Tabla 5. Efectos varios en los materiales [69].

Material del
Entrada Salida
Dispositivo

Salida Carga Deformación

Magnetización Temperatura Luz
Entrada Corriente Mecánica
Efecto Efecto
Campo Permitividad Efecto Efecto
Electro- Piezoeléctrico
Eléctrico Conductividad Electro-calórico Electro-óptico
magnético Inverso
Campo Efecto Magneto- Efecto Magneto- Efecto
Permeabilidad Magnetostricción
Magnético eléctrico calórico Magneto-óptico
Esfuerzo Efecto Efecto Constante Efecto
-----
Mecánico Piezoeléctrico Piezo-magnético Elástica Foto-elástico
Efecto Expansión Calor
Calor ----- -----
Piroeléctrico Térmica Específico
Efecto Índice de
Luz ----- Fotostricción -----
Foto-voltaico Refracción

Diagonal de Acoplamiento Factor Sensor Efecto

Fuera de la Diagonal de Acoplamiento = Material Inteligente Actuador Efecto

Por otro lado, los materiales “inteligentes” producen un campo eléctrico a la aplicación de
calor y esfuerzo mecánico. Estos materiales deben poseer una función de “control/manejo”

23
o “procesamiento” que se adapte a los cambios en las condiciones del ambiente, además de
las funciones de “sensado” o “detección” (sensores) y como actuadores. La Tabla 5 lista
varios efectos aplicados y resultantes (de entrada y de salida) relacionados a un dispositivo
en general compuesto por un material ferroeléctrico. Citando las denominaciones que
tienen a su vez como los llamados “inteligentes” y “triviales”. Además, se observa que
estos materiales exhiben la mayoría de estos efectos con excepción del fenómeno
magnético. De ahí que a los ferroeléctricos se les llame materiales “muy inteligentes” dado
que pueden desarrollar la tarea de ser sensores y actuadores [69].
Los materiales ferroeléctricos son los más recurrentes debido a que poseen la habilidad de
manejo del efecto piezoeléctrico que consiste en la obtención de energía eléctrica a partir
del un esfuerzo mecánico aplicado a un material piezoeléctrico, y viceversa.
Teóricamente, el efecto piezoeléctrico es causado por el relativo movimiento de un ion el
cristal ferroeléctrico debido a una energía eléctrica o mecánica que conduce a un estado de
reorientación a una polarización en el cristal.
En los materiales ferroeléctricos con fase tetragonal, la dirección de polarización se
encuentra a lo largo del eje (c) de la celda unitaria. Cuando cristales con la misma
polarización se alinean, un dominio se forma en el material ferroeléctrico, las paredes de
dominio separan a dominios con diferente orientación de polarización. Los dominios en los
ferroeléctricos tetragonales pueden ser orientados en 180º o 90º de la dirección original del
campo eléctrico, esto es denominado 180º y 90º cambio de dominio o “domain switching”,
respectivamente. Por otro lado, los dominios pueden ser orientados solo 90º por un esfuerzo
mecánico, y se le llama conmutación o “switching” ferroelástico [69].
En la mayoría de los dispositivos sensores y actuadores, los materiales ferroeléctricos son
propensos a fatiga debido a ciclos eléctricos o carga mecánica. El efecto de fatiga se
manifiesta como una reducción en el “switcheo” de dominio o el movimiento de las
paredes de dominio o bien como la subsecuente falla prematura del dispositivo.
Actualmente el Titanato Circonato de Plomo Pb(Zr,Ti)O3 que es una síntesis del Titanato
de Plomo (PbTiO3) con el Circonato de Plomo (PbZrO3), está siendo de mucho interés en
las investigaciones en forma de películas delgadas, básicamente en su región morfotrópica
que es donde las propiedades ferroeléctricas y piezoeléctricas alcanzan valores de 2 o 3

24
ordenes mayores que otros ferroeléctricos, por lo que el volumen del material puede ser
reducido, y así poder adaptarse a la industria microelectrónica [69]-[71].
Una razón importante también para que estos materiales sean procesados en forma de
películas delgadas es de que sean homogéneas, ultrapuras, químicamente estables y de
buenas propiedades nanomecánicas. Para ello se debe tomar en cuenta el método de
elaboración ya que estos son amplios y variados.
En el proyecto de investigación, encabezado por el Dr. Abel Hurtado Macías de las
películas delgadas PZT que fueron desarrolladas en el CIMAV por el estudiante de
doctorado, M.C. Juan Ramos Cano. Quienes emplearon la técnica de CVD-AA (asistido
por aerosol) para desarrollar las condiciones óptimas, ya que es una técnica óptima y
flexible para controlar las propiedades requeridas. [72]-[74].
Por tal motivo, se optó por el procesamiento de películas delgadas ferroeléctricas PZT
[Pb(ZrxTi1-x)O3] a utilizarse en el proyecto en desarrollo mediante la técnica de CVD
asistido por aerosol con composiciones cercanas a la región morfotrópica del diagrama de
fases con estructura tetragonal. Además, dentro del avance de investigación, se está
llevando a cabo la caracterización de sus propiedades micro-estructurales, ferroeléctricas y
nano-mecánicas para determinar su comportamiento ferroeléctrico y ferroelástico. La
metodología para llevar a cabo este proceso estará basada en la utilización de precursores
carboxilatos ya que estos ofrecen ventajas como; un mejor comportamiento de la atmósfera
en el horno de recocido evitando la formación de segundas fases no deseables en las
películas [75].

I.1.6.1 Circonato Titanato de Plomo (PZT)

Dispositivos MEMS empleando películas delgadas están llamando mucho la atención, ya

que permiten la operación a bajo voltaje y pueden fácilmente convertir la energía mecánica
en energía eléctrica y viceversa. En particular, la película delgada de PZT [Pb(ZrxTi1−x)O3]
es la de principal interés por sus propiedades piezoeléctricas y dieléctricas de salida [76].
El Titanato Circonato de Plomo (PZT) es una solución sólida binaria de PbZrO 3 un

antiferroeléctrico (estructura ortorrómbica) y PbTiO 3 un ferroeléctrico (estructura

4+ 4+
tetragonal perovskita). Su estructura tipo perovskita está conformada con iones Ti y Zr

25
ocupando el sitio B de la formula general ABO3 como se muestra en la Figura 17, donde se

muestra las posiciones de los iones de cada átomo en este caso para BaTiO 3 y PZT. En la

Figura 18 se presenta el diagrama de fases de este sistema PbZrO3-PbTiO3 (PZT).

(a) (b)
p
ABO3 BaTiO3 PZT

O O2- O2-

A Ba2+ Pb2+
4+ 4+
B Ti4+ Zr ,Ti

Figura 17. Estructura tipo Perovsquita (a) paraeléctrica (T > Tc) y (b) ferroeléctrica (T < Tc).

A una temperatura por encima de la temperatura de Curie, el PZT tiene una estructura
perovskita cúbica la cual es paraeléctrica. Con un enfriamiento por debajo de la temperatura
de Curie (ver Figura 18), la estructura sufre una transición de la fase cubica paraeléctrica a
la fase tetragonal o romboédrica ferroeléctricas.

26
 500
230
450 220
FR{HT} 210
400 90

350 90
1 2 3 4
Temperatura (°C)

300

250 FT (fase
FR (fase romboédrica)
200 tetragonal)
<111>
<100>
150
100
FR{LT}
5

PbZrO3 10 20 30 40 50 60 70 80 90 PbTiO3
% mol de PbTiO3
505
Figura 18. Diagrama de las fases del sistema PbZrO3-PbTiO3 (PZT) [71].
0
En la fase tetragonal la polarización espontánea es a lo largo la dirección <100>, mientras
que en la fase romboédrica la polarización es a lo largo de la dirección <111>. Existe una
frontera de fase morfotrópica (MPB) en composición, con una razón molar 53/47 de Zr/Ti
la cual separa ambas fases, la tetragonal y la romboédrica. El material con composición
MPB presenta propiedades físicas singulares tales como elevadas constantes dieléctricas y
piezoeléctricas [77]. Por otra parte los materiales PZT pueden ser dopados con iones de
La3+ ocupando la posición A, los que dan la propiedad de ferroeléctricos suaves (menor
campo eléctrico coercitivo) o con Ag3+ denominados ferroeléctricos duros (mayor campo
eléctrico coercitivo). Cuando los cerámicos son dopados con La2O3 el mecanismo conduce
a una deformación de la celda unidad a una baja tetragonalidad y a la formación de
vacancias de Pb con carga negativa (V Pb). La calidad de las películas delgadas PZT
integradas en dispositivos de silicio han avanzado bastante desde la década pasada [78]. Es
importante para las estructuras de flexión lograr una alta densidad, debido a que la
porosidad reduce la rigidez de la película y por lo tanto la deformación mecánica
27
piezoeléctrica impuesta a la estructura flexible en el caso de los actuadores, o reduce la
carga piezoeléctrica en el caso de los sensores [79]-[80].

I.1.6.1.1 Aplicaciones del PZT

Los cerámicos piezoeléctricos – ferroeléctricos, como lo es el PZT, son comúnmente

utilizados como sensores, sensores de aceleración, motores ultrasónicos, piezomotores
lineales, actuadores, transductores biomédicos, microcomponente eléctrico-mecánicos,
entre otras aplicaciones ingenieriles de presión, las cuales requieran buenas características y
una respuesta estable [69].

I.2. Técnicas de Caracterización para Películas Delgadas.

I.2.1 Caracterización Micro–estructural

En términos generales se habla de micro–estructura de un material cuando se refiere a

tamaño, forma, y distribución de grano o dominio. Asimismo, cuando se alude a
composición, fases presentes, topografía de superficies, parámetros de red cristalina, textura
u orientación de dominios. Estas características son necesarias para poder relacionarlas con
otras propiedades del material y así establecer conclusiones que conduzcan al desarrollo de
nuevos materiales aptos para diseñar y fabricar dispositivos de mejor funcionalidad. Es por
eso que la caracterización micro–estructural toma un papel importante. De tal forma que es
una tarea necesaria para evaluar propiedades micro y nano estructurales en los procesos de
investigación. La síntesis y procesamiento de un material determina su micro–estructura, es
decir, el ordenamiento de sus átomos a todo nivel (atómico, nano, meso, micro y macro);
este acomodo, a su vez, determina la estructura electrónica y por ende las propiedades
físicas y químicas de un material.
A continuación se mencionan y describen brevemente las técnicas más comunes utilizadas
para evaluar las propiedades antes mencionadas.

I.2.1.1 Difracción de Rayos–X (DRX)

En la técnica se incide un haz de rayos-X sobre la superficie de un material. Como

resultado de esta interacción, los rayos-X son dispersados por los átomos produciéndose
interferencias que pueden ser constructivas y destructivas dependiendo de la composición

28
como del ordenamiento atómico; si la interferencia es constructiva debe cumplir con la ley
de Bragg:
Ecuación (8)
Como consecuencia el haz reflejado dejara el cristal como un estrecho haz en ciertas
direcciones predeterminadas por la energía de los rayos-X y la estructura del material tal
como se muestra en la Figura 19, con la técnica se puede determinar la estructura, tamaño
de cristalita de acuerdo a la ecuación de Scherrer (ver Ecuación (9), parámetros de red de
acuerdo a la estequiometría o fase de los materiales analizados [81].

Figura 19. Esquema representativo del haz de rayos-X interactuando con los átomos de la
superficie de un material.

Con la finalidad de evitar el contacto del haz incidente con el sustrato en películas delgadas
el haz debe de ser rasante, en 1 o 2 dimensiones (GIXRD 1D o 2D). Los patrones se
comparan con cartas correspondientes en el caso de GIXRD-1D rasante (en una o dos
dimensiones) en para evitar contacto con el substrato. De esta manera se obtienen patrones
GIDRX-1D que comparados con cartas correspondientes se conoce la fase presente. En la
Figura 20 se muestra uno de esos difractogramas.

Ecuación (9)

Donde n es un numero entero, λ es la longitud de onda de los rayos-X, d es la distancia

interplanar y  es el Angulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersión (ángulo de
Bragg). Para la ecuación (2), t es el tamaño promedio de cristalita, k es el factor de forma, B
es el semi-ancho de línea a la máxima intensidad y  es el ángulo de Bragg.

29
 Figura 20. Difractograma generado por la interacción muestra – rayos-X

I.2.1.2 Microscopía Electrónica de Barrido (MEB)

Mediante esta técnica se pueden obtener imágenes morfológicas de los materiales tales
como tamaño del cristal, aglomerados y distribución de partículas a nivel nanométrico ya
que su resolución es de 1-5 nm. Además si se cuenta con detectores adecuados se pueden
analizar propiedades químicas por discriminación de energía por rayos-X (EDS), y
cristalográficas a través de difracción de electrones de retro-dispersión (EBSD).
Con este equipo la superficie de la muestra es rastreada por un haz de electrones producidos
y acelerados por el cañón del microscopio, como los electrones son partículas de masa
pequeña con carga negativa, estos fácilmente pueden ser desviados al pasar cerca de otros
electrones o de los núcleos positivos de un átomo. Estas interacciones electrostáticas son la
causa del proceso de dispersión de electrones, lo cual hace posible la microscopia
electrónica [82]. En el proceso, un detector recolecta y mide las señales producidas por los
choques elásticos e inelásticos entre los átomos de la muestra y el haz de electrones
acelerados (hasta 40 keV), los cuales llegan a escapar de su superficie. De esta manera se
pueden obtener imágenes de la superficie análogas a figuras en tres dimensiones. Desde
aproximadamente 1990 se ha adaptado una herramienta fundamental que relaciona las
propiedades físicas, química, morfología y la cristalografía de los materiales por medio de
las técnicas de discriminación de energía por rayos-X EDS (química). Así como difracción
30
de electrones de retrodispersión EBSD (cristalografía) a nivel microestructural, las cuales
adaptadas al MEB se puede obtener resultados simultáneos de las propiedades antes
mencionadas, con este sistema se optimizan las operaciones y se obtienen resultados
rápidos y precisos de estas propiedades. Además con la técnica EBSD, se pueden obtener
análisis de mapeo para la orientación de cristales. Las dos señales más utilizadas para
producir imágenes en MEB son los electrones secundarios y los electrones
retrodispersados. Los electrones secundarios se producen por la emisión de electrones de
valencia de los átomos que constituyen el espécimen. Como la energía de estos electrones
es muy pequeña, solamente aquellos generados en la superficie de la muestra son emitidos
fuera del espécimen. De este modo solo se usan para observar la topología de la superficie
de la muestra.

Figura 21. Interacción muestra-haz de electrones indicando los tipos de señales obtenidas [82].

Los electrones retrodispersados son aquellos reflejados fuera de la muestra cuando el haz
de electrones incide sobre ella. Como poseen mayor energía que los electrones secundarios
es posible obtener información relacionada con la composición del espécimen. Tanto mayor
sea el numero atómico de los constituyentes de la muestra, la imagen obtenida con los
electrones retrodispersados aparecerá más brillante. La espectroscopia de dispersión de
energía (EDS) identifica la composición elemental del material debido a la interacción del
haz de electrones que incide con la superficie de la muestra. La energía de cada fotón de

31
rayos-X es característica del elemento que lo produce. El sistema de microanálisis EDS
recopila los rayos-X, los clasifica por energía y automáticamente identifica los elementos
responsables de los picos en esa distribución de energía [83].
La información obtenida mediante EDS proviene de un volumen de material cercano a la
superficie del material llamado volumen de interacción, el rango de penetración de los
electrones corresponde a la dimensión vertical del volumen de interacción. Este rango
puede describirse mediante expresiones teóricas o empíricas, siendo una de las más usadas
la de Kanaya y Okayama (1972). El rango Kanaya y Okayama (Rko) considera los efectos
combinados de las dispersiones elásticas e inelásticas y se calcula mediante la ecuación:

Ecuación (10)

Donde Rk0 está dado en μm, E0 es la energía del haz incidente en keV, A es el peso atómico
en g/mol, ρ es la densidad en g/cm3, y Z es el número atómico. En la Figura 21, se muestra
la interacción del espécimen con el haz de electrones mostrando los tipos de señales
obtenidas [84]-[85].

I.2.1.3 Microscopía Electrónica de Transmisión (MET)

A diferencia del MEB, donde los electrones más utilizados son los secundarios y los
retrodispersados, en el MET, los electrones que no se desvían lejos de la dirección del haz
incidente son los más utilizados. Estos electrones dan información sobre la estructura
interna y la química del espécimen [82]. Los electrones dispersados elásticamente, es decir
aquellos que no pierden energía al interactuar con el espécimen, son la principal fuente de
contraste en imágenes MET y también crean las distribuciones de intensidad en los
patrones de difracción. En este equipo se emite un haz de electrones acelerados por el
cañón hasta adquirir una energía de 100 keV y una velocidad mayor a la mitad de la
velocidad de la luz. Una serie de lentes magnéticas son usadas para cambiar la
magnificación o foco de las imágenes. La muestra debe ser muy delgada de modo que el
haz de electrones la atraviese. Debido a que el haz incidente es fijo, es posible proyectar las
imágenes y patrones de difracción. Las imágenes de área iluminada pueden ser observadas
en campo claro (haz directo) o campo oscuro (haz difractado). Los microscopios
electrónicos de transmisión pueden aumentar la imagen de un material hasta un millón de
veces, de tal manera que se pueden observar detalles a escala atómica de los dominios

32
ferroeléctricos en los materiales PZT, siempre y cuando se preparen adecuadamente las
muestras para su análisis. Además el (MET) sondea muestras en muy pequeña escala (nm),
por lo tanto este es combinado con métodos complementarios que usan regiones grandes
(μm o mm), pero con muy alta sensibilidad analítica, que a menudo es benéfico para
resolver problemas analíticos. La tendencia general es que el uso del MET cada vez se aleja
más y más, de la obtención de simples imágenes buscando aplicaciones de métodos
analíticos, tal es el caso de la técnica de microanálisis de energía dispersiva de rayos-X
(EDX) que es un método bien establecido para determinar cuantitativa y cualitativamente la
composición química de muy pequeños volúmenes de muestra., de la misma forma la
Espectroscopia electrónica de baja energía (EELS), es otra técnica muy moderna utilizada
en el MET basada en que la dispersión de electrones en la sección transversal de la muestra,
es inversamente proporcional al cuadrado del numero atómico (Z), de manera que la
microscopia electrónica de baja energía (EELS) analiza la dispersión inelástica de
electrones directamente, que es más eficiente, teniendo como resultados mayor resolución
espacial en tiempos cortos de adquisición, menos daños del haz a la muestra y alta
sensibilidad logrando mejores detecciones de elementos ligeros principalmente, superando
a la técnica EDX que no es eficiente para detectar elementos ligeros en especímenes [86].

I.2.2 Caracterización Ferroeléctrica

Una de las técnicas apropiadas en la caracterización ferroeléctrica es determinar las curvas

de histéresis en los materiales ferroeléctricos, donde se determina la polarización remanente
Pr del material, el campo coercitivo Ec, así como otros parámetros relacionados con la
ferroelectricidad.
La histéresis es un fenómeno el cual básicamente consiste en la no linealidad entre la
deformación del cerámico o su polarización bajo la aplicación de campo eléctrico externo,
lo cual es consecuencia del desplazamiento del ion tetravalente de la estructura perovskita,
característica de estos materiales (Figura 22). Al obtener un ciclo de histéresis de un
material ferroeléctrico se pueden conocer parámetros importantes como polarización de
saturación Ps, polarización remanente Pr y el campo coercitivo Ec. Siendo la pureza del
material y la estructura cristalina las que definen tales características [87].

33
 Figura 22. Curva típica de histéresis para un material ferroeléctrico.

En la Figura 22 se observa que en la medida en que se aplica el campo eléctrico los dipolos
que se encuentra al azar se van orientando con respecto a la dirección del campo eléctrico
aplicado, hasta llegar a una polarización saturada Ps. Después que se interrumpe el campo
eléctrico aplicado existe una polarización remanente en el material (la intersección de la
curva al eje de las ordenadas). Si se invierte la dirección del campo eléctrico, nuevamente
los dipolos se van orientando hasta alinearse completamente, tomando la dirección de este
campo aplicado sucesivamente hasta formar la curva de histéresis completa.

Figura 23. (a) Circuito Sawyer – Tower simplificado, (b) voltaje aplicado en función del
tiempo.

Dentro de la caracterización de las propiedades eléctricas se utiliza un circuito llamado

Sawyer – Tower el cual sirve para medir la polarización máxima, espontánea y remanente
asociado al campo eléctrico aplicado de los cerámicos ferroeléctricos. Con el circuito que
34
se muestra esquemáticamente en la Figura 23-a, se puede medir la polarización espontánea
y remanente del material ferroeléctrico asociado al campo eléctrico aplicado. A la derecha
se muestra el potencial aplicado en función del tiempo necesario para la polarización de la
muestra. Las muestras ferroeléctricas a medir se conectan en serie con otro capacitor C m,
cuya capacitancia es mucho mayor que la de la muestra. Debido a que el voltaje medido Um
es mucho más bajo que el voltaje de entrada Ue, el cual dependiendo de la geometría de la
muestra puede tener valores de algunos kV. Para evitar que se produzca el arco eléctrico, la
muestra se sumerge a un líquido con alta constante dieléctrica para proteger la muestra en
este caso aceite de silicona. El campo eléctrico máximo aplicado es de 2 kV/mm, por lo
tanto, el voltaje máximo depende de la geometría de la muestra. El voltaje de salida es más
pequeño que el voltaje de entrada. Una buena aproximación puede ser entre el campo
eléctrico, el voltaje de entrada y el espesor de la muestra, dada por la siguiente expresión.
Ue
E Ecuación (11)
d
Debido a la conexión en serie de los capacitores del circuito, la carga de la muestra es igual
a la carga del capacitor, siendo Q=CmUm. El desplazamiento eléctrico en este caso está
dado por:
Q CmU m
D   0E  P  P Ecuación (12)
A A
Donde P es la polarización total de las componentes que se encuentran en diferente
dirección, A es el área de capacitor y ε0 es la permitividad del vacío. Los valores de voltaje
durante la medición y el voltaje de entrada son adquiridos usando un convertidor A/D y una
tarjeta de adquisición de datos controlada por computadora [88].

I.2.3 Caracterización Mecánica por Nano–indentación

Los orígenes de la indentación instrumentada se remontan al año 1977 con Froelich, Grau y
Grellmann, quienes analizaron las curvas de carga y descarga de varios materiales y
predijeron el uso de la técnica para la medición de propiedades de superficie de materiales
[89]. Este método consiste en aplicar una carga sobre la superficie del material a evaluar
con un indentador, como se muestra en la Figura 24-a. En esa figura se muestra
esquemáticamente el efecto de la deformación de la superficie, penetración del indentador,
recuperación y la huella o área ocasionada por la deformación plástica. Así como sus

35
relaciones de profundidad de penetración. Durante la carga y descarga el nano-indentador
registra la curva P-h (carga-profundidad de penetración) como se muestra en la
Figura 24-b.
El análisis de la curva P-h se describe a continuación. La relación entre la profundidad de
indentación y la carga P, durante la descarga es descrita en la siguiente relación
fundamental (ley de potencias):
P  c( h  h f )
m
Ecuación (13)

En donde c es una constante que depende del módulo elástico y el coeficiente de Poisson
del indentador y la muestra, hf es la profundidad final después de la descarga y m es un
exponente que depende de la geometría del indentador. Valores típicos de m: 1 para un
cilindro plano, 2 para esfero-cónicos y 1 < m < 2 para indentadores cónicos.

Carga
Carga Pmax
Descarga

Descarga h
h0
hc hs
hmax
Profundidad de penetración (h)

Figura 24. (a) Indentador penetrando la superficie de la muestra durante la carga y descarga;
(b) representación esquemática de la deformación plástica de materiales en función de la carga
aplicada (P) y la profundidad de penetración (h) del indentador.

Basándose en la grafica carga-profundidad de penetración, la rigidez (S=dp/dh) se

determina mediante la línea tangente a la descarga durante la recuperación elástica inicial
como se muestra en la Figura 24-b.
Por otra parte, la profundidad de contacto hc, se determina mediante la siguiente ecuación
pmax
hc  h max   Ecuación (14)
S

36
Donde hmax es la profundidad de contacto máxima a la carga máxima Pmax y ε es un factor
geométrico que depende de cada indentador cuyo valor es ~ 1 para el indentador
Berkovich. Una vez conocido el valor de hc podemos calcular el área de contacto usando la
siguiente expresión:
Ahc   3 3hc tan 2   24.5hc Ecuación (15)
Donde: θ es el ángulo apical del indentador que se está utilizando, el cual tiene un valor de
65º para el caso del indentador Berkovich que es el que se utilizó en este trabajo [90]. Por
otro lado, con el valor de la rigidez (S) podemos conocer el módulo de Young reducido ya
que están relacionados mediante la relación siguiente:
dp 2 *
S  E A Ecuación (16)
dh 
Donde A es el área real de contacto, β factor geométrico de corrección y E* es el módulo
reducido o combinado expresado por:

1 1  I 1  S
2 2

*
  Ecuación (17)
E EI ES ,

Donde: E y  son el módulo de Young y el coeficiente de Poisson, respectivamente; con el

subíndice S para la muestra e I para el indentador.
Por último para determinar la dureza se usa la relación siguiente:
Pmax
H Ecuación (18)
A(hc )
En orden de calcular la dureza (H) el modulo elástico (E) en películas delgadas, la rigidez
elástica (S) de contacto debe ser conocida.

I.3. Método de Elemento Finito (MEF)

El método de elemento finito es una técnica numérica poderosa que emplea métodos
variacionales y de interpolación para el modelado y resolución de problemas con valores en
la frontera. Éste es extremadamente útil para dispositivos o estructuras con formas
geométricas complejas o inusuales (de ahí que puede aplicase para el caso de una viga o
“cantilever”). Siendo este método muy sistemático y modular. Por ende, el método de
elemento finito puede implementarse fácilmente en un sistema digital de cómputo para
resolver un amplio rango de problemas de vibración [91].

37
El método de elemento finito se aproxima a una estructura por dos diferentes caminos. La
primera aproximación hecha en el modelado por elemento finito es por la división de la
estructura entera en un número de elementos pequeños y simples. Estas pequeñas partes son
llamadas elementos finitos y al proceso de la división de la estructura entera, se le conoce
como discretización. Cada elemento, por lo general, es de geometría simple, tal como lo es
una barra, una viga, o un címbalo, los cuales tienen una ecuación de movimiento que puede
ser fácilmente resuelta o aproximada. Cada parte cuenta con extremos puntuales llamado
nodos, los cuales se conectan con elementos subsecuentes. Al conjunto de elementos y
nodos se le llama mallado de elementos finitos o red de elementos finitos.

El segundo nivel de aproximación para el método de elemento finito consiste en que la

ecuación de vibración para cada elemento finito individual es determinada y resuelta. Las
soluciones de las ecuaciones de los elementos son aproximadas mediante una combinación
lineal de polinomios de bajo orden. Cada una de las soluciones polinomiales son hechas
compatibles con una solución adyacente (llamada condición de continuidad) en nodos
comunes para dos elementos. Dichas soluciones son entonces reunidas en un proceso de
ensamble, para formar matrices globales de masa y rigidez (del inglés “global mass and
stiffness matrices”), las cuales describen la vibración de la estructura como un todo. Este
modelo global de masa y rigidez representa una aproximación conjunta paramétrica de la
estructura que puede ser analizada y resuelta por los métodos aplicados en sistemas de
múltiples grados de libertad [91].

El vector x(t) de desplazamientos asociados con la solución del modelo global de elemento
finito correspondiente al movimiento de los nodos del mallado del elemento finito. Dado
que para las estructuras simples tienen “soluciones cerradas”, el desarrollo de la
aproximación por elemento finito en tales provee una comparación sencilla con una
solución de mayor exactitud. Sin embargo, el alcance y utilidad del método de elemento
finito no se emplea en el análisis de estructuras simples con “soluciones cerradas”, sino que
en la modelación y resolución de partes complicadas y estructuras que no tienen
“soluciones cerradas”.

Cabe mencionar que, la palabra nodo en el análisis de elemento finito tiene un significado
completamente diferente a un nodo en el análisis de vibraciones. Un nodo, en el análisis

38
vibracional, se refiere a un nodo de un modo de forma (en otras palabras, un lugar o sitio
donde no ocurre movimiento). Mientras que en el análisis de elemento finito, un nodo es un
punto sobre la estructura que representa un límite o frontera entre dos elementos,
correspondientes a un punto o un coordinado de ellos sobre la estructura que representa el
movimiento de las estructura como un todo. Los nodos en los métodos de elemento finito
son utilizados para captar el movimiento global de la estructura según como esta vibre [91].

I.4. Diseño de experimentos

Se llaman Experimentos Factoriales a aquellos experimentos en los que se estudia

simultáneamente dos o más factores, y donde los tratamientos se forman por la
combinación de los diferentes niveles de cada uno de los factores [92].
Los experimentos factoriales en si no constituyen un diseño experimental si no un Diseño
de Tratamiento (un arreglo de tratamiento es una disposición geométrica de ellos bien en el
espacio o en el tiempo y que deben ser llevados en cualquiera de los diseños experimentales
clásicos tal como el Diseño Completo al Azar, el Diseño en Bloques Completos al Azar, el
Diseño en Cuadrado Latino. Los experimentos factoriales se emplean en todos los campos
de la investigación, son muy útiles en investigaciones exploratorias en las que poco se sabe
acerca de muchos factores. Muy frecuentemente usados en investigaciones comparativas.

I.4.1 Ventajas

 Permiten estudiar los efectos principales, efectos de interacción de factores, efectos

simples y efectos cruzados y anidados.
 Todas las unidades experimentales intervienen en la determinación de los efectos
principales y de los efectos de interacción de los factores, por lo que el número de
repeticiones es elevado para estos casos.
 El número de grados de libertad para el error experimental es alto, comparándolo
con los grados de libertad de los experimentos simples de los mismos factores, lo
que contribuye a disminuir la varianza del error experimental, aumentando por este
motivo la precisión del experimento.

39
I.4.2 Desventajas

 Se requiere un mayor número de unidades experimentales que los experimentos

simples y por lo tanto se tendrá un mayor costo y trabajo en la ejecución del
experimento.
 Como en los experimentos factoriales cada uno de los niveles de un factor se
combinan con los niveles de los otros factores; a fin de que exista un balance en el
análisis estadístico se tendrá que algunas de las combinaciones no tiene interés
práctico pero deben incluirse para mantener el balance.
 El análisis estadístico es más complicado que en los experimentos simples y la
interpretación de los resultados se hace más difícil a medida de que aumenta el
número de factores y niveles por factor en el experimento.

I.5. Objetivo General

Simulación de un cosechador de energía basado en tecnología MEMS y materiales

piezoeléctricos PZT para el aprovechamiento de la energía vibracional que está disponible
en el medio ambiente urbano y convertirla en energía eléctrica.

I.5.1 Objetivos Específicos

 Analizar las ecuaciones constitutivas de esfuerzos y deformaciones involucradas en un

material piezoeléctrico y aplicarlas por métodos analíticos, para relacionarlas con el
voltaje de salida del material piezoeléctrico.
 Depósito de películas delgadas Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) mediante la técnica de
depositación química de vapor asistido por aerosol (CVD–AA).
Empleada en CIMAV, con condiciones de síntesis referenciadas de la tesis doctoral
“Procesamiento de Películas delgadas ferroeléctricas PZT mediante la técnica
CVD–AA, con composición cercana a la zona morfotrópica y Caracterización de las
propiedades Microestructurales, Ferroeléctricas y Mecánicas” del Dr. Juan Ramos
Cano [95].
 Caracterización estructural de películas delgadas PZT por las técnicas de difracción de
rayos-X (DRX), microscopía electrónica de barrido (MEB) y microscopía electrónica
de transmisión (MET).

40
 Caracterización eléctrica de películas delgadas PZT.
Esto comprende: (i) la medición de capacitancia, una vez teniendo la configuración del
dispositivo piezoeléctrico. Manejando un medidor LCR para lograr este propósito.
(ii) Realizar el cálculo de la constante dieléctrica del material PZT.
 Simulación del micro-cosechador de energía.
Evaluar, mediante la simulación, los factores que permitan predecir el desempeño del
dispositivo generador de potencia ante las variables físicas de frecuencia, voltaje,
desplazamiento, potencia generada, entre otros. Empleando en paquete informático de
análisis y resolución por elemento finito, para simular el diseño propuesto.

I.6. Hipótesis

La energía mecánica vibracional de baja frecuencia ( a 250 Hz) disponible en el medio

ambiente se puede capturar o cosechar y transformar a energía eléctrica mediante el efecto
piezoeléctrico directo, utilizando películas delgadas ferroeléctricas PZT basado en
tecnologías MEMS. De esta manera se pretende lograr el aprovechamiento de la energía
producida por los movimientos vibratorios del medio ambiente disponibles para
transformarla en energía eléctrica orientada a la alimentación de dispositivos electrónicos
portátiles de bajo consumo de energía.

I.7. Justificación

El auge tecnológico en la nanotecnología y la microelectrónica ha fomentado la

miniaturización de sistemas electrónicos móviles, que a su vez, ha ido conduciendo el
desarrollo de fuentes de poder de pequeños volúmenes. El motivo está relacionado a que las
fuentes tradicionales de energía impiden este progreso teniendo grandes volúmenes. Por
otro lado, es importante recolectar la energía de vibraciones mecánicas del medio ambiente
y transformarla a energía eléctrica. A tal grado, que están empezando a emerger
aplicaciones que se pueden llevar puestas sobre el cuerpo humano para la generación de
energía para dichos dispositivos [1]-[2].

41
I.8. Problema a Resolver

Este proyecto de investigación busca a través de la tecnología basada en MEMS y el

desarrollo de dispositivos para el tratamiento de la energía originada en vibraciones
mecánicas, proporcionar una alternativa viable y sustentable para sistemas eléctricos de
pequeña escala. Dada la presencia cotidiana de vibraciones mecánicas a nuestro alrededor
que, a su vez, representa una fuente potencial de energía disponible para su manejo y
conversión a energía eléctrica útil. Extendiendo posteriormente la funcionalidad de dichos
dispositivos a otros campos tales como el monitoreo de máquinas de automoción,
dispositivos médicos, control de procesos y la industria aeroespacial y militar. Es de suma
importancia el desarrollo de fuentes alternas de energía que no contaminen, ya sea durante
su operación o al final de su vida útil. Es además esencial que provengan de fuentes de
energía renovable y disponible de manera ubicua. Cabe el hacer énfasis que cuando las
fuentes de energía basadas en petróleo empiecen a agotarse, las diferentes formas de la
cosecha de energía se incrementarán y es por eso que la propuesta hecha en este proyecto
no solo está direccionada al campo de la tecnología MEMS y de materiales, sino que
también está dirigida al problema de proporcionar energía a los dispositivos para los cuales
las baterías no son una opción deseable, contribuyendo a la emergencia de fuentes de
energía o de poder sustentables localmente en dispositivos electrónicos y extendiendo la
funcionalidad de los dispositivos MEMS, con lo que se agregará un valor inestimable a esta
tecnología.

42
II. METODOLOGÍA

En la presente investigación se trazaron las fases del desarrollo del proyecto,

comprendiendo actividades vitales como la síntesis y la caracterización del material
ferroeléctrico PZT, como etapas iniciales. Posteriormente, se propusieron los modelos
analíticos a desarrollar para estudiar el fundamento físico y matemático aplicado al
cosechador de energía en forma de viga en voladizo (cantilever).
Se propuso un diseño de experimentos para inspeccionar el efecto de la variación de
parámetros dimensionales del cosechador. Se analizaron y evaluaron los resultados
obtenidos. Por último, en la fase de simulación se emplearon las propiedades de los
materiales utilizados en la configuración del cosechador, resaltando los valores
experimentales del material PZT: módulo elástico, constante dieléctrica, coeficiente de
carga d33; obtenidos en la etapa de caracterización. Asimismo se implementó el diseño de
experimentos para delimitar las dimensiones y geometría del cantilever. Para establecer los
valores de las dimensiones se citan trabajos recientes (ver Tabla 3).

Ecuación de Euler-Bernoulli
Estructural (cantilever)
(I) Síntesis y (II)
Eléctrica Caracterización Modelo Ecuaciones Constitutivas
del PZT Analítico (Piezoelectricidad)
Mecánica
Acoplamiento Mecánico-Eléctrico
(Sistema MRA 2°Orden)
Ferroeléctrica

METODOLOGÍA

1er. Modo de
Espesor (th) (III) (IV) Frecuencia Vibración
Diseño de Simulación del
Ancho (w) experimentos Cosechador Desplazamiento

Longitud (L) Voltaje Potencia

Figura 25. Metodología empleada durante el desarrollo de la investigación

43
En la Figura 25 se ilustran a grandes rasgos las fases de la investigación realizada.

II.1. Caracterización del material PZT

La caracterización de las propiedades micro-estructurales (composición, estructura

cristalina y morfología), eléctricas (capacitancia y constante dieléctrica), mecánicas
(módulo elástico y esfuerzo soportados) y ferroeléctricas (campo coercitivo y cálculo del
coeficiente piezoeléctrico d33) fueron realizadas por las técnicas como difracción de rayos-
X (DRX) con incidencia de haz rasante, microscopía electrónica de barrido (MEB) y de
transmisión (MET), medición de impedancias, nano-indentación y de ferroelectricidad. En
la sección III.1.2 se detallan los procedimientos y condiciones de implementación. Mientras
que de la sección IV.1 a la sección IV.4 se ilustran y discuten los resultados obtenidos por
las diferentes técnicas de caracterización empleadas.

II.2. Modelo analítico

El modelado del cosechador de energía tiene su base en los modelos matemáticos

orientados a la descripción del comportamiento de un cantilever o viga en voladizo.
Los fenómenos físicos relacionados en el comportamiento de un cosechador como la
piezoelectricidad, flexión de una estructura, esfuerzos y potencial producido, son
analizados por las ecuaciones que los rigen: ecuaciones constitutivas de la piezoelectricidad
y ecuación de Euler – Bernoulli. El empleo de estos modelos fue fundamental para predecir
y calcular parámetros de interés de diseño del cosechador, tales como: desplazamiento
máximo, primer modo de vibración (frecuencia) y voltaje producido.
Los modelos citados para el desarrollo de este trabajo de investigación se desarrollan en la
sección III.2.1 y sección III.2.2, respectivamente.

II.3. Diseño de experimentos

El diseño de experimentos propuesto para la realización del diseño del cantilever como
precursor del cosechador de energía, está basado en el “diseño factorial de experimentos”
(del inglés Factorial Experimental Designs) [93].
Los objetivos de la implementación de este método son:

a) Inspeccionar el efecto de la variación de las dimensiones del cantilever:

44
  Espesor: de los materiales piezoeléctrico (PZT) como del contacto y soporte
metálico (Al o Pt);
 Longitud y ancho del cantilever: implementado para la evaluación en su desempeño
mecánico.
b) Evaluar y analizar los resultados de las simulaciones, teniendo principal interés en
resultados como máximo desplazamiento y el primer modo de frecuencia natural, del
cantilever propuesto (con las variantes dimensionales) en la etapa anterior.

Como se mencionó anteriormente, se tienen a las dimensiones del cantilever como factores
que contribuirán al desarrollo del experimento. Se realiza una combinación de las variables
de dimensión para obtener la combinación que muestre un mejor desempeño, es decir, un
máximo desplazamiento y un valor de frecuencia bajo. En la Tabla 6 se muestran los
valores que adquieren los factores a considerar.

Tabla 6. Valores de los factores considerados para el diseño de experimentos factorial.

Factor
Espesor (th)
Longitud (L) Ancho (w)
PZT-Al PZT-Pt
L1 = 1500 um w1 = 500 um th1 = 105 nm th1 = 190 nm
L2 = 3000 um w2 = 1000 um th2 = 550 nm th2 = 210 nm

Cabe mencionar que los valores para el espesor sólo corresponden al espesor del material
piezoeléctrico (PZT) depositado sobre contactos de Al y Pt, debido a que esta variable
provoca una mejora en la conversión de energía mecánica a eléctrica. Mientras que el
espesor para los contactos (Al o Pt) se mantiene constante, 150 nm, debido a la
disponibilidad de los materiales. Teniendo así la tabla de datos, según el experimento
propuesto: (ver Tabla 7)

Tabla 7. Diseño propuesto para el experimento factorial (2 3) propuesto.

Número de Factor
condición Espesor
experimental Longitud Ancho
(PZT)
1 th1
w1
2 L1 th2
3 w2 th1

45
 4 th2
5 th1
L2 w1
6 th2
7 th1
L2 w2
8 th2

A continuación en la sección IV.5 correspondiente a los resultados de la simulación se

colocan las tablas con las variaciones de dimensiones con sus respectivos resultados.

II.4. Simulación del cosechador

En esta etapa del trabajo se obtuvieron los resultados correspondientes de los parámetros de
interés considerados para el diseño de un cosechador. Es este trabajo se citan: el
desplazamiento máximo, el primer modo de vibración (frecuencia) y voltaje producido.
Para establecer parámetros de operación y de cosecha de energía del generador propuesto,
en base al desempeño mostrado en las combinaciones resultantes del diseño de
experimentos. Optando posteriormente por la combinación de mejores resultados.
El procedimiento de simulación se ilustra en la Figura 26, el cual fue empleado en el
software COMSOL Multiphysics para en análisis del cosechador de energía (cantilever).

(a) Parámetros, (b) Geometría, (a) Stationary

(4) Modelado
(c) Materiales, (d) Física, (b) Eigenfrequency
(e) Mallado

(1) Espacio SIMULACIÓN

(3) Tipo de Estudio
Dimensional COMSOL
(Study type)
(Space Dimension) Multiphysics

Piezoelectric
(a) 2D, (b) 3D (2) Física
devices (pzd)
(Add Physics)

Figura 26. Proceso de simulación en COMSOL Multiphysics

En la etapa (1) se elige el espacio dimensional donde se implementará el cuerpo superficial

(2D) o volumétrico (3D) del cantilever a analizar. Esto ayuda a la visualización del
comportamiento del cantilever conforme a los resultados obtenidos. Se emplearon los
espacios 2D y 3D con objeto de corroborar resultados de la simulación. También para tener

46
un ahorro en el poder de cómputo debido a que una modelación en 3D implica un
crecimiento en el número de elementos resultantes en el mallado, limitando la rapidez y
capacidad de memoria para el desarrollo de operaciones. Es por ello que se realizaron
simulaciones en 2D.
Por otra parte, en la etapa (2) se selecciona el conjunto de ecuaciones correspondientes a los
modelos apropiados a los fenómenos físicos a analizar. En esta investigación, se empleó la
interfase piezoelectric devices (pzd) la cual es una combinación de los módulos solid
mechanics y electrostatics. Para resolver problemas de planteamiento piezoeléctrico basado
en las ecuaciones constitutivas estándar de piezoelectricidad [109].
Para la etapa (3), se realizan los análisis estático y dinámico del cantilever mediante los
tipos de estudio: estacionario (stationary) y modal (eigenfrequency), respectivamente [111].
En la fase (4), se declaran los parámetros a controlar como las dimensiones del cosechador
(longitud, ancho y espesores), el tipo y las magnitudes para valores de carga asociados a la
excitación del cantiléver. También se definen: la geometría del cantilever a utilizar; las
propiedades de los materiales (mecánicas y eléctricas) a emplear en el cosechador; las
condiciones de frontera acorde al modelo analítico; el tipo de mallado aplicado y en el
estudio, la elección del solver, el barrido paramétrico para obtener resultados con la
variación de parámetros dimensionales del cantilever y la elección del tipo de estudio.
Una descripción pormenorizada de las etapas correspondientes al proceso de simulación se
presenta en la sección III.2.5.

47
III. DESARROLLO EXPERIMENTAL Y TEÓRICO

III.1. Desarrollo Experimental

Se depositaron películas de Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) sobre substratos de

Pt111/Ti/SiO2/Si100 y Al/SiO2/Si100, con dimensiones de 35 X 15 mm2 por la
técnica de depósito de evaporación química asistida por aerosol (por sus siglas en inglés
CVD–AA), respectivamente. Las condiciones de síntesis fueron las mismas que se
reportaron en proyecto de investigación de tesis doctoral desarrollada en el CIMAV por
M.C. Juan Ramos Cano y encabezado por el Dr. Abel Hurtado Macías. Quienes
desarrollaron las condiciones óptimas para depositar PZT en esta la técnica de CVD
asistido por aerosol ya que es una técnica óptima y flexible para controlar las propiedades
requeridas [95],[98].

III.1.1 Síntesis del material piezoeléctrico PZT

En virtud de que este tipo de películas (PZT) tipo ferroeléctricas, su estructura fundamental
es del tipo perovskita (ABO3), que proviene a partir de una estructura metaestable llamada
pirocloro (formada a temperaturas relativamente bajas) de formula química ABO 3.5, es
decir, en los aniones existen vacancias de oxigeno además de que los cationes de las
esquinas pueden ser ocupados por sitios de Zr o Ti (más pequeños), o bien, Pb la cual es no
ferroeléctrica, es necesario durante la síntesis llevar a cabo dos procesos fundamentales: (i)
depósito de la película delgada PZT por la técnica CVD–AA y (ii) tratamiento térmico de
recocido [95]. (Ver Figura 27).

48
 Figura 27. Diagrama de flujo para la síntesis de películas delgadas PZT por la técnica
CVD–AA empleando precursores órgano-metálicos [95].

El proceso de síntesis fue realizado conforme el diagrama de flujo propuesto en la Figura

27, con los parámetros recomendados en [95]. A continuación, en la Tabla 8 se enlistan los
precursores órgano-metálicos diluidos con metanol, para obtener la solución líquida del
material PZT.

Tabla 8. Componentes de síntesis y parámetros de depósito de películas delgadas PZT por la

técnica CVD–AA [95]

Variables a controlar Condiciones de depósito

Acetato de Plomo (Pb[(C2H3O2)2 3H2O])
Precursores Oxiacetilacetonato de Titanio (IV) (C5H8O2)2TiO2
Acetilacetonato de Zirconio (IV) (C20H28O8Zr)
Temperatura (°C) 350
Flujo de aire (l/min) 4
Número de pasadas 15 30
Tiempo (hh:mm:ss) 00:45:00 1:30:00

Una vez formada la solución química del PZT, se procede al depósito de las películas
delgadas PZT. Para ello, se emplea el reactor del sistema CVD–AA para películas delgadas.

49
Para la instalación del reactor se montan los siguientes componentes (Figura 28): (a)
nebulizador piezoeléctrico, (b) tobera y (c) contenedor de sustrato.

Figura 28. Montaje de componentes del reactor empleado por la técnica CVD–AA para el
depósito de películas delgadas PZT.

El extremo ancho y delgado de la tobera debe acomodarse a una distancia de 2 mm del

sustrato para la obtención de un espesor adecuado, según las condiciones óptimas para el
depósito. El proceso de depósito debe llevarse a cabo a 350 °C.
Durante el proceso de depositación, se rocía la superficie del sustrato con la solución
química PZT desde un extremo lateral del sustrato hacia el lado opuesto, es decir, el equipo
recorre de izquierda a derecha (o viceversa) la superficie, vaciando la sustancia PZT sobre
el sustrato. Este recorrido se entiende como “pasada”. Cuando el equipo se recorre de
derecha a izquierda (o viceversa), se dice que realizó otra “pasada”, o bien, se dice que se
depositó una segunda capa. Es por ello que el espesor varía en función del número de
pasadas y por tanto, al tiempo de depositación.

50
 700
S4 Recocido
600

S3
500

Temperatura (°C) 400

S2
S5
300

S1
200

100

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Tiempo (h)

Figura 29. Gráfica que describe la secuencia del tratamiento térmico de recocido realizado
para las películas delgadas de PZT [95].

Por otra parte, la Figura 29 ilustra el diseño del recocido. Este tratamiento térmico
contempló 5 segmentos de calentamiento denominados S1, S2,…,S5. El segmento S2
(@ 350 °C) tuvo la finalidad de eliminar los residuos orgánicos presentes durante la
depositación. Mientras que el segmento S4 contempló un tiempo de recocido de 1 h, el cual
tuvo por objetivo el estabilizar la fase perovskita (ferroeléctrica) a partir de una matriz
pirocloro (antiferroeléctrica) nanocristalina generada en las etapas de depositación [95]-
[97].
Este tratamiento térmico fue realizado en un horno de tubo marca LINDBERG/BLUE M,
Modelo STF54454C. Además, el tratamiento térmico de recocido, tiene como finalidad
liberar tenciones, volatilización de posibles residuos de constituyentes orgánicos y
estabilización de constituyentes cerámicos en cuanto a composición química y estructura
además de una homogenización en el tamaño de grano. Para mayores detalles, consultar
[95].

51
III.1.2 Condiciones experimentales de las técnicas de caracterización.

III.1.2.1 Difracción de Rayos–X (DRX).

La estructura cristalina de las películas delgadas PZT fue analizada por difracción de rayos-
X (DRX) con incidencia de haz rasante en un sistema PANalytical X-pert. Los patrones
unidimensionales de DRX fueron obtenidos utilizando una radiación Cu K a 40 kV y
35 mA. La trayectoria del haz difractado incluye un cristal monocromador plano de grafito.
El ángulo de incidencia de haz rasante fue fijado a 0.5° mientras que el ángulo de lectura
varió desde 20° hasta 80°, con un tamaño de paso de 0.01°.

III.1.2.2 Microscopía Electrónica de Barrido (MEB)

La morfología superficial y microestructura de sección transversal de las películas fueron

estudiadas por microscopía electrónica de barrido (MEB) utilizando el microscopio JEOL
JSM-7401F operado a 15 kV. Las imágenes de MEB se obtuvieron en modo de electrones
retrodispersados y secundarios. Los análisis de sección transversal fueron realizados para
determinar el espesor de las muestras PZT. Además, el análisis elemental de las películas
delgadas se logró mediante espectroscopía de energía dispersada de rayos-X (EDS),
empleando un sistema de microanálisis Oxford Inca adjunto al microscopio electrónico, con
100 s de tiempo de adquisición en vivo y 5 eV/canal de la dispersión de energía.

III.1.2.3 Microscopía Electrónica de Transmisión (MET)

Microscopía electrónica de transmisión de alta resolución (HRTEM) de la sección

transversal de las películas delgadas PZT fue realizada con un sistema JEOL JEM-2200FS
operado a 200 kV. Las muestras para HRTEM fueron preparadas empleando un sistema de
haz de iones enfocado (FIB) JEOL JEM-9320 operado a 30 kV, con iones de Ga.

III.1.2.4 Nanoindentación

El módulo elástico (EY) de una muestra representativa de la películas delgada PZT fue
evaluado a partir de un esfuerzo aplicado mediante nano-indentación utilizando el método
de la medición de rigidez continua (CSM, del inglés continuous stiffness measurement),
empleando un Nano-Indentador G200 de Agilent Technologies acoplado con un cabezal
DCM II. El equipo fue calibrado usando una muestra de prueba de silicio fundido. Un

52
indentador de punta Berkovich de diamante con radio de 20  5 nm, límite de profundidad
de 170 nm, velocidad de deformación de 0.05 s-1, con un desplazamiento amónico y
frecuencia de 1 nm y 75 Hz, respectivamente, fue utilizado.

III.1.2.5 Caracterización Eléctrica

Esta etapa se subdivide dos periodos: (i) la medición de capacitancia de las películas
delgadas PZT depositadas sobre contactos de aluminio (Al) y platino (Pt), respectivamente;
(ii) el cálculo de la constante dieléctrica. Para la medición de capacitancia de las películas
delgadas PZT se empleó un analizador de impedancias (LCR) de precisión Agilent E4980A,
teniendo adjunto un adaptador Agilent 16089C (Kelvin IC clips leads) de cuatro puntas. La
medición fue realizada dentro del rango de frecuencia desde 20 Hz hasta 90 Hz, con un
voltaje de 1 V en corriente alterna. Posteriormente, a partir de los valores de capacitancia
obtenidos, se desarrolló el cálculo de la constante dieléctrica del material PZT.

III.1.2.5.1 Medición de Capacitancia

En la Figura 30-a se observa la fracción de una oblea aluminio que contiene sobre su
superficie la película de PZT. Cabe mencionar que la película PZT se depositó sobre una
fracción de una oblea con superficie geométrica irregular. Es por ello que se adaptó la
geometría del sustrato para delimitar las dimensiones del material y con ello
distribuir ordenadamente los contactos de Al (ver Figura 30-b). Las dimensiones
fueron 35 X 15 mm2. Se aprecian tres partes con diferentes tonalidades: la parte lateral de la
oblea color gris oscuro corresponde al depósito de aluminio; mientras que la franja de
colores azul claro y tonalidades de rojo, es decir, la superficie de mayor extensión en el
sustrato, se trata de la película de PZT. Por último, se observan los contactos de aluminio,
color plata con geometría circular sobre la superficie de la película de PZT.

53
 Figura 30. Vista de la película delgada PZT con contactos de Al: (a) oblea con geometría
irregular y (b) oblea de con geometría rectangular.

Los contactos circulares de Al fueron depositados mediante la técnica de RF-Sputtering.

Cada contacto tuvo un diámetro de 1 mm y un espesor de 100  5 nm, con un inter-
espaciado de 6 mm. Esto se realizó con el sistema Sputter Angstrom Nex Dep.

Posteriormente, con el analizador LCR, con puntas adaptadas a manipulares, se realizó la

medición de capacitancia de la película delgada de PZT con contactos de aluminio. Con
ello, se corrobora la naturaleza dieléctrica del material.

Figura 31. Medición de capacitancia del material PZT: (a) sistema de cuatro puntas sujetas a
manipuladores y (b) valores de medición con variación de frecuencia.

Para la medición se eligieron cada uno de los contactos ordenados a lo largo del substrato
(ver Figura 30-b y Figura 31-a). Se menciona que el sistema de cuatro puntas del analizador
54
de impedancias LCR se acopló a unas puntas afiladas de unos manipuladores, con el objeto
de realizar la medición de capacitancia con una mayor precisión y sensibilidad. Sin
embargo, se dañaron los contactos de Al debido a que estas puntas son muy afiladas y
puntiagudas. Provocando, en algunos casos, la remoción del aluminio, afectando la
estabilidad de las mediciones. A pesar de esta situación se obtuvieron valores en el rango de
frecuencia propuesto (20 @ 90 Hz). Se realizaron lecturas programando el analizador LCR
para que realizara un barrido de frecuencia en cada medición con el fin de obtener valores
de capacitancia conforme a la variación de frecuencia. Siendo que la magnitud de
capacitancia depende de la frecuencia de excitación la que esté sujeto el condensador
eléctrico medido [61]. Fueron tres lecturas las que mostraron una mejor estabilidad, es
decir, una lectura de datos más ecuánime y sin tener fluctuaciones o datos con error en la
medición (lo que se despliega en la pantalla del medidor LCR con número negativos). (Ver
Figura 31-b). Se consideró que los posibles errores en la obtención de resultados se
debieron a la posición de las puntas de medición, dado que los manipuladores (en algunos
casos) necesitaban una estabilidad en su postura estática al momento de hacer las lecturas.
Aunada la naturaleza delicada de las películas delgadas PZT como de los contactos de Al,
en relación al contacto burdo con las punta afiladas de los manipulares acoplados al LCR.

Figura 32. Contactos metálicos de referencia para las mediciones de capacitancia realizadas.

En la Figura 32, se muestran los contactos de aluminio que se tomaron de referencia para
las mediciones de capacitancia de la película de PZT. El contacto denominado “de
referencia” o inferior, en la Figura 32, sirvió como un contacto común respecto a los
contactos superiores (o secundarios) depositados sobre el PZT. De ahí que las mediciones
variaron conforme fue tomándose cada contacto superior.

55
Por otro lado, se realizaron las mediciones de capacitancia para la película de PZT
depositada sobre Pt. El procedimiento fue el mismo que el empleado para el PZT sobre Al,
es decir, se colocaron contactos de Al sobre el PZT. Después, se situaron las puntas del
LCR sobre los contactos: de referencia (inferior) y secundario (superior). Los resultados de
las mediciones se enlistan en la Tabla 12 y Tabla 13, respectivamente. Estas se encuentran
en la sección IV.4 de resultados y discusión.

III.2. Desarrollo Teórico

Los modelos analíticos que se emplearon para la modelación de un cosechador de energía

basado en el cantilever de configuración unimorfa son descritos a continuación. Los cuales
corresponden a los efectos de piezoelectricidad y acoplamiento electromecánico de los
materiales metálicos (contactos de Pt o Al) y ferroeléctrico (PZT), respecto a una excitación
periódica de entrada. Para describir el efecto en la conversión de energía mecánica a
eléctrica del cosechador. Por otro lado, se realizaron simulaciones para modelar el
comportamiento de un cantilever (o viga en voladizo), siendo este el precursor del
cosechador. Con el objeto de evaluar los factores que permitan predecir el desempeño del
dispositivo generador de energía ante las variables físicas de desplazamiento máximo
(flexión) y frecuencia (primer modo de vibración). Se empleó el paquete informático de
análisis y resolución por elemento finito, COMSOL Multiphysics, para simular el diseño
propuesto. Las variables a analizar fueron las dimensiones de la viga en voladizo: longitud,
ancho y espesor.

III.2.1 Ecuaciones Constitutivas de Materiales Piezoeléctricos

Cuando un material piezoeléctrico es sometido bajo un esfuerzo mecánico, una diferencia

de potencial (voltaje) aparece a través del material. De forma contraria, si el elemento
piezoeléctrico es sometido a un voltaje externo, en función de la magnitud de éste, el
material será comprimido o presionado de forma proporcional [99]. Las ecuaciones
constitutivas para el material piezoeléctrico, que describen el comportamiento
electromecánico, son dadas en primera instancia por Ecuación (19) y Ecuación (20).

Ecuación (19)

56
 Ecuación (20)

La Ecuación (19) en relación a la deformación mecánica del elemento piezoeléctrico

(cantilever) que se considera para el diseño del cosechador de energía (a base de
vibraciones mecánicas), surge a partir de la acción de dos términos.
El primer término se debe a que la viga voladiza del recolector es excitada por el
movimiento producido. La relación lineal entre el esfuerzo σ y la deformación e de un
elemento flexible (cantilever), dada la característica elástica material piezoeléctrico [101].

Figura 33. Un material sólido sometido a fuerzas externas, provocando una deformación.

Con la notación de la Figura 33, donde se han dispuesto dos placas metálicas de manera
que se constituye un condensador, se tiene, para un material dieléctrico, que al aplicar una
fuerza (F), según la Ley de Hooke, dentro del margen elástico aparece una deformación:

Ecuación (21)

Donde ε es la deformación mecánica producida por la relación lineal entre un esfuerzo

mecánico σ y la elasticidad e del material. El esfuerzo mecánico, a su vez, se refiere a la
aplicación de fuerza F sobre un área A determinada, tal como se cita en la Ecuación (22):

Ecuación (22)

El módulo de elasticidad (o módulo Young) se escribe como e, el cual también se le

relaciona de manera proporcional inversa con la rigidez s, dada la Ecuación (23):

Ecuación (23)

Ahora, despejando s de Ecuación (23) y sustituyendo en Ecuación (21), se tiene que la

deformación es el producto de la rigidez y el esfuerzo mecánico, dado por la Ecuación
(24):

57
 Ecuación (24)
Por otra parte, la deformación (definida como la razón del desplazamiento ΔL y la longitud
inicial L de la dimensión de un material) causada por un esfuerzo mecánico es conocida
como deformación elástica. En materiales dieléctricos, la aplicación de un campo eléctrico
puede ser la causa de una deformación. A esto se le llama la deformación mecánica
inducida por campo eléctrico [69]. En la teoría del estado sólido, el efecto piezoeléctrico
indirecto es definido como un efecto de acoplamiento electromecánico primario, esto es
que la deformación es proporcional a la intensidad de campo eléctrico, y cambia el sentido
cuando lo hace el campo eléctrico [102],[69]. Se considera a un cristal iónico con su
respectiva red cristalina, la cual se conforma por celdas unitarias como las de estructura
tetragonal (como se ilustra en Figura 17-b), siendo estas estructuras las que conforman
básicamente a un elemento piezoeléctrico, que a la vez es ferroeléctrico, como el material
que se pretende utilizar (el PZT). La presencia de un campo eléctrico (E) en un material
piezoeléctrico, que a su vez es ferroeléctrico (como lo es el material PZT para el
cosechador de energía), provoca que las moléculas del material, que también es dieléctrico,
sean afectadas. Produciéndose una fuerza sobre cada partícula cargada, empujando las
partículas positivas (cationes) en la dirección del campo eléctrico (E) y las negativas
(aniones) en sentido contrario, de modo que las partes positivas y negativas de cada
molécula se desplazan de sus posiciones de equilibrio en sentido opuesto, permitiendo un
relativo cambio en la distancia inter-iónica. Consecuentemente, se producen momentos
dipolares inducidos.

Figura 34. Reacomodo de las cargas eléctricas en un material ferroeléctrico debido a la

presencia de un campo eléctrico, formando los momentos dipolares.

58
Dependiendo de la dirección del campo eléctrico, los momentos dipolares del cristal
ferroeléctrico se expanden o se contraen, causando una deformación mecánica X (cambio
de longitud de una celda unitaria) en proporción a la magnitud de campo eléctrico (E). Esto
es el efecto piezoeléctrico inverso [103],[69]. Cuando está dado por (7):

Ecuación (25)

Cabe mencionar, que el comportamiento piezoeléctrico está ligado al reacomodo de las

partículas cargadas eléctricamente durante la deformación. Cuando existen dos partículas
cargadas eléctricamente en igual magnitud q y distinto signo, separadas por una distancia l
se produce un momento eléctrico o momento dipolar p, dado por:

Ecuación (26)

Por convención l está orientada desde la carga negativa hacia la positiva. Un cristal que
posee un momento dipolar resultante distinto de cero se dice que es polar.
La polarización ps está definida como el momento dipolar por unidad de volumen, y puede
expresarse como:

Ecuación (27)

Donde ps es la polarización eléctrica inducida por la deformación mecánica del material

que tiene que ver “switcheo” de dominios que se generan consecuentemente por la
alineación, Δp se refiere al pequeño incremento de la longitud del vector de polarización de
la estructura tetragonal de por cada celda unitaria del material ferroeléctrico, y Δv es el
aumento del volumen de la celda unidad por cada dipolo formado.
Si no existe momento dipolar resultante el cristal es no polar (ps = 0). Cuando el cristal es
deformado, la distancia entre los centroides de las cargas positivas y negativas puede variar
de forma tal que un cristal no polar en el estado no deformado puede convertirse en polar
en el estado deformado. En el caso contrario, si existe un momento dipolar resultante,
existe un campo eléctrico en el cristal paralelo al vector que conecta los dos centroides.
Para hacer uso de los efectos de los piezoeléctricos se colocan electrodos en las superficies
opuestas del material piezoeléctrico. Los electrodos que se observan en la Figura 34 y

59
Figura 35, forman un capacitor con sus placas paralelas, con el piezoeléctrico actuando
como dieléctrico.

Figura 35. Configuración típica de un sistema electrodo-piezoeléctrico.

Cuando el material es traccionado y deformado, el campo eléctrico resultante se manifiesta

como una diferencia de potencial entre los electrodos. La relación entre la intensidad del
campo eléctrico (E) y el voltaje (V) es:

Ecuación (28)

Los materiales policristalinos compuestos de cristales piezoeléctricos pueden transformarse

en piezoeléctricos mediante un proceso conocido como polarización (ver Figura 36).

Figura 36. Efectos de la polarización: (a) dipolos antes de la polarización, (b) dipolos después
de la polarización [102].

La polarización es considerada o expresada cuantitativamente como la suma de los dipolos

eléctricos por unidad eléctricos por unidad de área (C/m2).
Tales características tienen un vínculo con la estructura interna del material PZT dado que
cuenta con una estructura cristalográfica tetragonal, (ver Figura 17-b), donde existe un
pequeño dipolo por cada celda unidad. Estas celdas, a su vez, forman las redes
cristalográficas. Estas agrupaciones dependiendo del número de redes, que en grupo
conforman dominios, forman en total un conjunto de momentos dipolares produciendo una

60
polarización eléctrica en cadena, es decir, comenzando por cada celda unidad, pasando por
cada red y después por cada dominio; cada grupo sumándose hasta formar una polarización
total del elemento piezoeléctrico. Este fenómeno se puede considerar como un momento
dipolar total por unidad de volumen llamado polarización espontánea [69].
Entonces, se observa que la polarización del material ferroeléctrico proviene no sólo de la
presencia de un campo eléctrico, sino también es producida por el esfuerzo al que es
sometido el material piezoeléctrico, relacionando esta acción con el efecto piezoeléctrico
directo. Siendo este fenómeno por el que una carga eléctrica (Coulomb por unidad de área)
se genera por la aplicación de un esfuerzo mecánico σ externo (fuerza por unidad de área)
[69], expresándose como:

Ecuación (29)

Donde P es la magnitud de polarización eléctrica generada. Note que d representa al tensor

piezoeléctrico, que contiene a las constantes piezoeléctricas, citado en la Ecuación (25)
relacionada con la deformación mecánica de un material ferroeléctrico.
Por otro lado, la segunda ecuación constitutiva expresada por la Ecuación (30), describe el
desplazamiento eléctrico desarrollado por los dipolos formados en el material
piezoeléctrico. El desplazamiento eléctrico es la cantidad física correspondiente a la carga
eléctrica almacenada por unidad de área, dada por Ecuación (30):

Ecuación (30)

El primer término de la Ecuación (30) es el producto de la permitividad del material ( ) por

campo eléctrico (E) aplicado. Observe que en la Ecuación (20) se utiliza la notación de
(permitividad en el vacío) refiriéndose a la definición dada de manera conceptual por varios
autores considerando a un material dieléctrico (por ejemplo un capacitor), pero que en esta
aplicación se pretende construir una viga voladiza donde se refiere a la separación de las
capas que conforman esta viga y por estar en contacto entre ellas debe considerarse la
permitividad propia de los materiales que se estén utilizando. Por ello, se adopta en este
trabajo la notación de la Ecuación (30) para describir las ecuaciones constitutivas del
material piezoeléctrico.

61
El segundo término se refiere al vector de polarización P resultante del esfuerzo mecánico
(σ) y la matriz de constantes piezoeléctricas d, tal como se describió anteriormente por la
Ecuación (29). Por lo tanto, la Ecuación (30) puede reescribirse como:

Ecuación (31)

Retomando las características de la Ecuación (25). El segundo término de la primera

ecuación constitutiva, citada en el texto como Ecuación (19), es el producto un tensor de
tercer orden (por estar en el plano tridimensional), representado por la matriz de
coeficientes o constantes piezoeléctricos (d) y un campo eléctrico (E) aplicado al material
piezoeléctrico. El resultado es una deformación mecánica (X) inducida en el material
piezoeléctrico, expresada por la Ecuación (25):

Ecuación (25)

Se refiere a la deformación del material piezoeléctrico debido a un campo eléctrico (E)

externo que puede ser aplicado al material piezoeléctrico. Esta reacción está ligada a las
características de ferroelectricidad asociadas al material piezoeléctrico que se contempla
para el diseño del recolector piezoeléctrico de energía, particularmente en la viga voladiza
(cantilever) de PZT a utilizarse. Como resultado del análisis y la reescritura de los términos
resultantes de la Ecuación (24) y Ecuación (25), correspondientes a la Ecuación (19), esta
se replantea como la Ecuación (32) de la siguiente manera:

Ecuación (32)

Ahora, citando la Ecuación (31) y la Ecuación (32), se tiene que el sistema de ecuaciones
constitutivas para un material piezoeléctrico es el siguiente:

Ecuación (31)

Ecuación (32)
Donde ε es la deformación mecánica, σ es el esfuerzo mecánico, s es la rigidez del material,
D es el desplazamiento eléctrico (o densidad de carga), E es el campo eléctrico, la
constante dieléctrica (o permitividad relativa del material), d es coeficiente de deformación
piezoeléctrico (matriz de coeficientes piezoeléctricos) [69].
Si el término de acoplamiento piezoeléctrico (d) desaparece, estas ecuaciones pierden la
relación entre ellas para un material dieléctrico elástico. El acoplamiento electromecánico
62
provee el mecanismo de generación de energía electrostática a causa de vibraciones
[8],[44].
El término d es de suma importancia, dado que la magnitud y el número de constantes
dentro de la matriz de coeficientes d para un piezoeléctrico, depende del tipo de material
con que se esté trabajando, de la estructura cristalográfica con que cuente, así como del
modo de excitación a la que se somete. De ahí que, se resalta el empleo del PZT para el
diseño del cosechador de energía.

III.2.2 Modelado de una estructura piezoeléctrica

Weinberg et al [104] menciona las ecuaciones constitutivas de la estructura cristalina que

están definidas por la interacción entre el comportamiento mecánico y eléctrico que
presenta el efecto piezoeléctrico, así como el medio en el que opera:

Ecuación (31)

Ecuación (32)
Donde D es el desplazamiento eléctrico (o densidad de carga), es la matriz de constante
dieléctrica, E es el campo eléctrico, d es la matriz de coeficientes piezoeléctricos y σ es el
esfuerzo mecánico. Mientras que ε es la deformación mecánica y s es la matriz de
elasticidad [69].
Por otro lado, las propiedades elásticas, piezoeléctricas y dieléctricas de las ecuaciones
constitutivas de la Ecuación (31) y Ecuación (32) se presentan por el siguiente arreglo de
matrices.
Propiedades elásticas:

Propiedades piezoeléctricas:

63
Propiedades dieléctricas:

III.2.2.1 Modelo genérico de conversión de energía mecánica – eléctrica

Uno de los primeros modelos generales para recolectores de energía por vibración, fue
propuesto por Williams et al [31]. Este modelo representa un sistema de masa-resorte-
amortiguador como muestra en la Figura 37.

Figura 37. Diagrama esquemático de un sistema masa-resorte-amortiguador para un

recolector por vibración [31].

En la Figura 37 se puede deducir que cuando una masa (M) es excitada con un
desplazamiento (y(t)), se produce un desplazamiento en la red (z(t)) y la ecuación genérica
derivada de la segunda ley de Newton, se escribe de la siguiente manera:

Ecuación (33)

donde es la constante del resorte. Para un artefacto recolector de energía el efecto de

amortiguación esta inducido por el coeficiente amortiguador b (índice e y m refiriéndose a
su amortiguación eléctrica o mecánica). Donde puede representarse por sus relaciones de
Ecuación (34) amortiguamiento y su frecuencia natural :

Ecuación (34)

Como el sistema pasa por una vibración armónica relativa a la base con un desplazamiento
dado por , ocurre una transferencia de potencia mecánica a potencia
eléctrica, resolviendo la Ecuación (33) la magnitud de la potencia eléctrica generada es:

64
 Ecuación (35)

donde es la relación total de amortiguamiento ( ), es la excitación de la

base en frecuencia angular y es la amplitud de la vibración. La potencia máxima la
obtenemos cuando la base es excitada a una frecuencia de resonancia :

Ecuación (36)

donde es la aceleración de entrada de la fuente de vibración ( ), esta

ecuación muestra, que para obtener más potencia se debe aumentar la aceleración.

III.2.2.2 Modelo analítico mejorado de un cosechador de energía

piezoeléctrico

El modelo analítico genérico, presentado anteriormente, muestra cómo funciona el

recolector de energía, donde la Ecuación (33) muestra el modelo masa-resorte-
amortiguador, donde se explica básicamente la transducción de energía mecánica a
eléctrica.
Roundy et al [105] presenta un modelo mejorado (circuito equivalente), donde describe que
entre la energía mecánica y eléctrica, hay un transformador que representa el entrelazado
electromecánico.

Figura 38. Circuito equivalente de un recolector de energía por vibración piezoeléctrico con
resistencia de carga [105].

La Figura 38 muestra el circuito equivalente, donde en la parte izquierda está el dominio

mecánico, representa la masa del generador, el amortiguamiento mecánico, la
rigidez mecánica.

65
En la parte derecha está el dominio eléctrico, es la capacitancia del material
piezoeléctrico y es la carga resistiva externa, mientras que es la razón total de vueltas
del transformador, la cual es proporcional a la constante de carga piezoeléctrica ; es el
voltaje a través del piezoeléctrico e es flujo de corriente en el circuito.

El voltaje de salida derivado del modelo a una frecuencia de resonancia es:

Ecuación (37)

donde es un numero imaginario, es la frecuencia de trabajo ( ), es la frecuencia

fundamental de la estructura ( ), es la constante elástica de la estructura compuesta
( ), es el coeficiente de carga piezoeléctrica ( ), es el grosor del material
piezoeléctrico, es la constante dieléctrica del piezoeléctrico, es una constante
relacionada a la distancia desde la superficie del piezoeléctrico al eje neutral de la
estructura, es la relación total de amortiguamiento, es el factor de acoplamiento del
piezoeléctrico y es la capacitancia del piezoeléctrico. La potencia es dada por ,
entonces de la Ecuación (37) se obtiene:

Ecuación (38)

Estas ecuaciones explican muy bien el modelo mejorado del recolector de energía por
vibración piezoeléctrico, ya que proporcionan una muy buena estimación para la
generación de potencia.

III.2.2.2.1 Frecuencia de resonancia de una estructura unimorfa

Del desarrollo analítico de la tesis doctoral de S-L Kok [106], se emplea la derivación de la
ecuación de Bernoulli-Euler, una viga delgada con un lado anclado y el otro libre como el
de la Figura 39, la frecuencia natural de esta estructura queda de la siguiente manera:

Ecuación (39)

66
donde es un coeficiente relacionado a un estado de funcionamiento, es el grosor total
de la estructura, es la longitud de la estructura, es el resultante del modulo de
elasticidad y es la densidad de la estructura. Ahora la Ecuación (39) puede analizarse de
forma que quede expresada en el modulo de doblez , que daría la siguiente ecuación:

Ecuación (40)

donde es la masa por unidad de área, y es igual a:

Ecuación (41)

Para calcular se utiliza la siguiente expresión dada por [107]:

Ecuación (42)

Aplicando la Ecuación (42) para una estructura unimorfa (del inglés unimorph) mostrada en
la figura 8, da la siguiente expresión:

Ecuación (43)

Sustituyendo la Ecuación (41) y Ecuación (43), como que corresponde al

primer modo de frecuencia fundamental de resonancia, en la Ecuación (40), se obtiene:

Ecuación (44)

Conforme vaya disminuyendo la escala de las estructuras, se puede observar en la Ecuación

(44), que la frecuencia de resonancia de la viga va a aumentar. Para esto se utiliza una masa
de prueba , que va al final de la estructura y entonces así disminuir considerablemente
la frecuencia de resonancia de la viga , así da la siguiente expresión:

Ecuación (45)

donde es la masa efectiva en la punta de la viga y es igual a:

Ecuación (46)

67
Donde , , y son la densidad, ancho, grosor y longitud de la viga, y es la masa
total de la viga que es igual a:

Ecuación (47)

III.2.2.2.2 Localización del eje neutral de una estructura unimorfa

Una estructura recolectora de energía por vibración es sometida a una tensión y
compresión, proporcional a la distancia que hay, para arriba y abajo, del eje neutral o de
inicio de movimiento. Entonces la ecuación de estrés es la siguiente:

Ecuación (48)

donde la relación modular elástica es:

Ecuación (49)

Entonces la distancia desde el material PZT de la estructura al eje neutral es:

Ecuación (50)

III.2.2.2.3 Voltaje y Potencia estimado

El voltaje que produce un recolector de energía piezoeléctrico por vibración puede
estimarse usando la Ecuación (37), donde se puede simplificar, si se asume que la
estructura está trabajando a la frecuencia de resonancia, entonces se deduce la siguiente
ecuación:

Ecuación (51)

donde es el modulo elástico resultante total, que se define de la siguiente manera:

Ecuación (52)

es el área de la sección transversal de la capa de PZT.

68
Para la potencia solamente aplicamos la fórmula para calcular la potencia disipada en una
resistencia, y la acondicionamos solamente haciendo el voltaje absoluto como se observa en
la Ecuación (53):

Ecuación (53)

III.2.3 Método de Elemento Finito en COMSOL

El modelado del cantilever fue realizado con el paquete de informático de simulación por el
método de elemento finito (MEF) COMSOL Multiphysics (versión 4.3).
COMSOL Multiphysics es una herramienta poderosa de ambiente interactivo para el
modelado y solución de problemas ingenieriles y científicos. El software provee un entorno
integrado de escritorio de gran alcance con un constructor de modelo (Model Builder)
donde se obtiene una visión más completa del modelo y con acceso a toda la funcionalidad
del mismo [108]. El paquete de COMSOL es fácil de usar debido principalmente a las
interfaces físicas predeterminadas, que se pueden utilizar para incluir las ecuaciones que
rigen (governing equations) una amplia variedad de problemas de física en un modelo. Para
este análisis se empleó la interfase piezoelectric devices (pzd), la cual es una combinación
de los módulos solid mechanics y electrostatics. La interfase piezoelectric devices (pzd)
resuelve problemas de planteamiento piezoeléctrico basado en las ecuaciones constitutivas
estándar de piezoelectricidad [109].

III.2.4 Configuración y modo de operación del transductor piezoeléctrico

Se demostró que la configuración de una cantilever unimorfo es la que mayor energía

puede generar a bajas frecuencias de excitación y resistencias de carga [44]. El actuador
unimorfo (ver Figura 39) es por lo general fabricado por la unión del material
piezoeléctrico y láminas elásticas. Entonces, la piezo-placa es polarizada en la dirección del
espesor.

69
 Figura 39. Configuración unimorfa para cantilever piezoeléctrico [106].

Un cantilever piezoeléctrico unimorfo es modelado para analizar su respuesta mecánica y

eléctrica [107]-[110]. Este consiste de una capa piezoeléctrica PZT con dos contactos
metálicos colocados en la parte inferior y superior, formando un sándwich. La longitud,
anchura y espesor del cantilever se encuentra a lo largo de las direcciones 1, 2 y 3,
respectivamente. (Ver Figura 40 y Figura 41-a).

Figura 40. Ilustración del modo 33 y modo 31 para la operación de un material

piezoeléctrico [8].

Los ejes coordenados X, Y y Z están marcados por 1, 2 y 3, respectivamente. De manera

usual, el material piezoeléctrico se utiliza en el modo 33, lo que significa que tanto la
voltaje y el esfuerzo mecánico actúan paralelos a la dirección 3 (el material se polariza en el
eje 3). Sin embargo, el material también puede ser operado en el modo 31, lo que significa
que el esfuerzo mecánico es ejercido en la dirección 1 y el voltaje actúa en la dirección 3 (el
material se polariza perpendicularmente al eje 1, es decir, en la eje 3). Del mismo modo,

70
estos modos de operación son aplicados en estructuras con sección transversal y área
superficial rectangulares [112]-[113],[8].

Figura 41. (a) Definición convencional de ejes para un material PZT [114]; (b) modo
piezoeléctrico 31 de conversión de una energía mecánica de excitación dependiente de la
dirección relativa de la dirección del esfuerzo aplicado  (o deformación ) y del campo
eléctrico E [115].

Dado que el factor de acoplamiento eléctrico–mecánico es mayor en el modo 33 que en el

modo 31, al emplear el modo 33 se puede lograr una mayor conversión de energía mecánica
a eléctrica. Sin embargo, hay ventajas clave para operar en el modo 31: (i) el sistema es
mucho más adaptable y (ii) el funcionamiento en el modo 31 conduce a la utilización de
elementos delgados de flexión en el que un gran esfuerzo de deformación en la dirección 1
se desarrolla debido a la flexión [8]. Por tanto, para una fuente de excitación muy baja y un
dispositivo de tamaño limitado, la conversión en el modo 31 es mejor para la recolección de
energía porque se pueden producir esfuerzos de deformación más grandes con fuerzas de
entrada pequeñas a una frecuencia de resonancia baja [8],[113].

III.2.5 Modelado en COMSOL Multiphysics

Hay dos modos básicos en los que estos cantilevers pueden ser operados en función del
parámetro de salida requerida. Se denomina modo estático si la medida de salida es la
deformación estructura y modo dinámico si la cantidad medida es la frecuencia de
resonancia del cantilever [111]. En el modo estático, el desplazamiento de la viga en
voladizo depende del tipo de carga, las dimensiones de la estructura, módulo de elasticidad,
constante elástica de resorte, etc. Estos dos modos de funcionamiento utilizan diferentes
parámetros de diseño del cantilever. Las restricciones de diseño requieren que la viga en

71
voladizo (cantilever) sea larga y deformable para su funcionamiento en modo estático
[111].

Figura 42. Simulación del cantilever: (a) análisis estático (o estacionario) y (b) análisis
dinámico (o modal), para identificar el desplazamiento máximo y el primer modo de vibración,
respectivamente.

El modelado geométrico en 2D y 3D fueron considerados para las simulaciones, teniendo

una geometría como la mostrada en la Figura 39. El dispositivo convertidor piezoeléctrico
está compuesto de dos placas metálicas elásticas de Al y Pt, respectivamente, que contienen
al material PZT, para ser polarizado a lo largo de la dirección del espesor. Las placas de Al
y Pt se comportan como electrodos. Las dimensiones del cantilever fueron de 3000 m de
longitud por 1000 m de ancho. Mientras que el espesor de los electrodos fueron
considerados de 150 nm. Cabe mencionar que los espesores del PZT fueron tomados de los
valores experimentales de las películas PZT depositadas sobre los susbtratos del Pt y Al,
respectivamente. (Ver Tabla 9).

Tabla 9. Espesores de las películas delgadas PZT, obtenidas experimentalmente.

Número de pasadas Espesor

(depósito PZT) PZT-Al PZT-Pt
15 105 nm 190 nm
30 550 nm 210 nm

Una densidad volumétrica de carga F (aceleración x densidad) está dada como excitación
de entrada para la placa piezoeléctrica a fin de inducir una deformación a lo largo del eje 1.

72
(Ver Ecuación (54). Este tipo de carga asemeja a una deformación causada en ambientes
comunes de vibración que además es compatible con el modo de operación 31.
El modelo emplea módulo piezoelectric devices (pzd) para la simulación del
comportamiento mecánico y eléctrico cuando se aplica una aceleración sinusoidal vertical.
El modo de aplicación de malla en movimiento (moving mesh) se utiliza para cambiar el
espesor de la capa piezoeléctrica, el cálculo de la deformación de malla se hace mediante la
técnica arbitraria de Lagrange-Euler (ALE).

III.2.5.1 Técnica de Mallado

El mallado fue compuesto por 432 elementos cuadrados para un número total de 6076
grados de libertad. La malla se crea utilizando la herramienta de malla asignada (mapped
mesh) dividiendo la longitud del cantilever en 20 elementos exponencialmente espaciados
con una relación de elemento igual a 10, con una malla fina cercana al extremo fijo. Cada
capa de material se divide en 3 elementos linealmente espaciados a lo largo del espesor, y
en 4 elementos linealmente espaciados a lo largo de la anchura.

Figura 43. El mallado hecho para el cantilever piezoeléctrico modelado en COMSOL

Multiphysics.

Una malla de barrido (swept mesh) se realiza utilizando las superficies verticales (caras)
opuestas de cada capa como cara fuente y cara objetivo. La Figura 43 muestra la malla
obtenida.

73
III.2.5.2 Mallado móvil

Se empleó un mallado móvil (moving mesh) a fin de cambiar el espesor, la longitud y el

ancho de tanto la capa piezoeléctrica (PZT) como de los contactos metálicos (Al o Pt).
La cara inferior de la subdominio piezoeléctrico está limitada como una abrazadera.
Mientras que las caras verticales que se encuentran a lo largo de la dirección normal están
sujetas. Dejando sin restricciones de movimiento a aquellas que están a lo largo de la
dirección tangencial, permitiéndoles estirarse libremente. La cara superior de la capa
piezoeléctrica es tangencialmente limitada y desplazada en la dirección normal a la
superficie. El desplazamiento se incrementa con el uso de tres parámetros: delta de espesor,
delta de longitud y el delta de ancho.

III.2.5.3 Configuración de subdominios

La estructura se compone en tres subdominios que es la capa metálica base, la capa

piezoeléctrica y la capa metálica superior. Los materiales elegidos para las capas metálicas
son el aluminio (Al) y el platino (Pt), debido a que estos materiales fueron donde se
depositaron las películas delgadas PZT. Además, se consideraron de acuerdo con la
disponibilidad (en el caso del Al) y las recomendaciones para el favorecimiento en la
síntesis (caso del Pt). El platino cuenta características estructurales importantes como su
alto valor de módulo de Young de 168 x109 Pa y alta densidad () de valor 21450 kg/m3.
Recordando que estas capas metálicas cumplen tanto la función de electrodos o contactos
eléctricos como soportes del cantilever. Por su parte, el aluminio cuenta con un módulo de
Young de 70 x 109 Pa y una densidad de 2700 kg/m3.
Los valores para el PZT como: la constante dieléctrica (), módulo de Young (EY), y
coeficiente piezoeléctrico de carga (d33); obtenidos de la caracterización realizada para el
material PZT procesado en CIMAV, son considerados en el modelo de simulación. Las
condiciones óptimas de síntesis del material ferroeléctrico PZT son los correspondientes a
la tesis doctoral del Dr. Juan Ramos Cano. Estos valores son enlistados en la Tabla 10.

74
 Tabla 10. Propiedades del material ferroeléctrico PZT obtenido en CIMAV.

Propiedad de PZT Magnitud

Constante dieléctrica (r) 783.14
Módulo elástico (EY) 156 GPa
Coeficiente piezoeléctrico de carga (d33) 700 pm/V

Como datos complementarios para el PZT como son los coeficientes restantes del tensor de
piezoeléctrico de carga (dE) y de los coeficientes del tensor de elasticidad (SE), son tomados
de la literatura [116]. Para cumplir con las ecuaciones constitutivas que rigen el
acoplamiento electro-mecánico para los materiales piezoeléctricos – ferroeléctricos
[69],[109].
Una aceleración de 0.5g (g = 9.81m/s2) es aplicada en cada subdominio, lo que resulta en
una carga de fuerza (F) por unidad de volumen (V), es decir,

Ecuación (54)

Donde  es la densidad del PZT y a es la aceleración constante.

III.2.5.4 Condiciones de frontera

Las condiciones en los dominios y los límites fueron aplicados de tal modo que la viga
fuese polarizada con una conexión en serie. El modelo fue diseñado para que el dispositivo
estuviese sujeto en un extremo dejando libre al resto del cantilever para que vibre
libremente, acorde con las condiciones mecánicas de frontera. Esto se logró mediante la
aplicación de una restricción fija (fixed constrained) en el lado vertical del dispositivo a lo
largo de la anchura. Con el propósito de polarizar la capa piezoeléctrica en la dirección 3, el
comportamiento eléctrico del PZT debe de considerarse y este se modeló con las
condiciones de contorno (boundary conditions) electrostáticas. El modo d31 es seleccionado
haciendo potencial flotante (floating potential) para la cara superior y aterrizando la cara
inferior de la capa de PZT. Por otro lado, para operar en el modo d33, la cara vertical del
extremo fijo se declara como potencial flotante y la cara vertical del extremo libre se pone a
tierra (ground potential). Mientras que todas las demás caras de la capa piezoeléctrica se
mantienen como con carga cero/restricción de simetría (zero charge/symmetry constraint).

75
IV. RESULTADOS Y DISCUSIÓN

En esta sección se presentan los resultados así como su discusión. Primeramente se

presentan los resultados de la estructura cristalina de material ferroeléctrico
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) que fueron depositadas por la técnica de depósito de evaporación
química asistida por aerosol (CVD–AA). Posteriormente se realiza la caracterización de la
morfología y espesores de las películas PZT mediante microscopia electrónica de barrido y
trasmisión. Por otra parte, se presentan los resultados de la caracterización de las
propiedades eléctricas tales como la capacitancia, permitividad del medio material y el
cálculo indirecto de la constante piezoeléctrica d 33 de las películas PZT con ambos
contactos Al y Pt. Finalmente se presentan los resultados y su discusión respecto a la
simulación sobre el diseño del dispositivo cosechador de energía basado en tecnología
MEMS usando el software COMSOL Multiphysics Versión 4.3.

IV.1. Estructura cristalina del material ferroeléctrico PZT

La estructura cristalina fue evaluada por DRX con incidencia en haz rasante, obteniéndose
patrones unidimensionales (1D) de las películas PZT con composición Pb(Zr0.52Ti0.48)O3
depositadas sobre Pt y Al, respectivamente (ver Figura 44 y Figura 45). Los patrones de
DRX experimentales se compararon con el patrón teórico de la base de datos ICSD [117]
con código de referencia 01-074-9194 y código de colección ICSD 153692, para un
material PZT de estructura tetragonal correspondiente al grupo espacial P4mm [117].

En la Figura 44, se aprecia que la fase cristalina de la película delgada PZT depositada
sobre el contacto Al concuerda con el patrón PZT 01-074-9194 que presenta una estructura
tetragonal tipo perovskita [117]. Es decir, teniendo los picos característicos con las
intensidades y en las posiciones angulares del patrón experimental, comparadas con el
patrón teórico [118]. Se presentan impurezas formadas posteriores al tratamiento térmico de
recocido, subsecuente a la depositación sobre el substrato debido a la reacción incompleta
durante el recocido [98].

76
 3000

(101) (110)
01-074-9194_PZT
PZT-Al_15P
2500 PZT-Al_30P

* Al0.52Zr0.48O1.74
2000
+ Ti5O5
Intensity (A.U.)

(001) (100)
~ PbO
1500 ^ Zr5O2

(111)

(112)
> PbO2

(002)

(211)
(200)
1000

(202)
(201)

(310)
+
+

500 ~* ^
*

(311)
(210)

(220)
(212)
0 > >

20 30 40 50 60 70 80
2*theta (degrees)

Figura 44. Comparación entre los patrones de DRX para las muestras de PZT depositadas
sobre aluminio (Al)

Se observa claramente en la muestra con 15 pasadas (difractograma de color verde) el

desenvolvimiento de los picos (002) y (200) son referentes a la tetragonalidad que se
presentan entre 42 a 47 de 2, siendo estos picos correspondientes a los parámetros de red a
y b, respectivamente [119],[69],[98]. Además, se tiene textura debidos la orientación
preferencial del pico (002) comparado con difractograma teórico PZT 01-074-9194.
De la misma forma ocurre para el patrón experimental de DRX de la película de PZT sobre
substrato de platino (ver Figura 45), es decir, se ilustra que la fase tetragonal del PZT se
formó de acuerdo con el patrón de referencia [118]. Las intensidades de los picos
corresponden a la fase tipo perovskita deseada. Esta separación de los picos se relaciona
directamente con las magnitudes de los parámetros reticulares de la celda primitiva del
PZT, teniendo como resultado la identificación de la estructura tetragonal [119],[69].
También se deduce la existencia de textura en el material PZT dado que las intensidades de
los planos (002), (201) y (112) son mayores a sus contrapartes, es decir, a los planos (200),
(210) y (211). Sin embargo, se observa en el patrón que las posiciones angulares de los
picos difractados están recorridas ligeramente hacia la derecha en comparación con el
patrón de DRX [118] (el cual corresponde a un material en bulk). Esto puede ser atribuido a

77
una deformación de la estructura primitiva a causa de micro-tensiones producidas durante
la síntesis o el tratamiento térmico de recocido [95],[98].

3500
01-074-9194_PZT

(101)
3000
PZT-Pt_15P
PZT-Pt_30P
2500
(001)(100) + Pt
Intensity (A.U.)

2000 > PbO2

1500

(202) (220)
(211)
(112)
(201) (210)

(301) (310)
(200)
(002)
1000
(111)

(003)
>
+
500

+
+

+
0

20 30 40 50 60 70 80
2*theta (degrees)

Figura 45. Comparación entre los patrones de DRX para las muestras de PZT depositadas
sobre platino (Pt)

Asimismo, se observa claramente que la película con 15 pasadas en este caso con contactos
de Pt no se encuentra texturizada comparada como en la de 30 pasadas enfocándonos en los
picos característicos a la tetragonalidad (002) y (200).

Tabla 11. Valores micro-estructurales de las películas delgadas PZT depositadas sobre
Al y Pt, respetivamente.

Parámetros
Fases obtenidas Tamaño de cristalita Espesor
reticulares
Muestra DRX Rietveld (DRX) MET MEB/MET
PZT-Al PZT; PbO2, a = 0.405 nm (12.25  2) nm 10.11 nm (105  5) nm
(15-P) Al0.62Zr0.48O1.74 c = 0.409 nm
PZT-Al PZT; Ti6O6, a = 0.405 nm (15.37 4) nm 14.32 nm (550  10) nm
(30-P) PbO, Zr6O2 c = 0.409 nm
PZT-Pt PZT; a = 0.405 nm (8.03 1) nm 5.1 nm (190  5) nm
(15-P) Pt, PbO2 c = 0.409 nm
PZT-Pt PZT; a = 0.404 nm (5.83 1.5) nm 5.52 nm (210  5) nm
(30-P) Pt, PbO2 c = 0.409 nm

78
Por otro lado, se empleó el método Rietveld para determinar los parámetros reticulares y
aproximar el tamaño de cristalita del material PZT. Para ello se empleó el software Full-
Prof Suite Program [120] con el procedimiento descrito en [121] para refinar el
difractograma experimental del PZT. Los resultados obtenidos se muestran en la Tabla 11.
Los valores de parámetros reticulares (parámetros a y b) para el PZT depositado tanto en Al
como en Pt, son prácticamente iguales y corresponden a los valores de un estructura
tetragonal. Mientras que ambos son menores al parámetro c (c > a). Sin embargo, por la
diferencia de longitud tan mínima entre a y c, puede decirse también que la estructura es
cuasi-cúbica. Esto puede atribuirse a la presencia de textura o a la deformación inducida
durante la síntesis y/o recocido [98].
Las discrepancias entre los resultados de las técnicas empleadas para la medición del
tamaño de cristal son debidas a que existen cristales de menor dimensión contenidos en
cristales de mayor tamaño. Es decir, los granos son conjuntos de cristales unidos que
acoplados forman un policristal de mayor tamaño (ver Figura 48-b) con textura presente en
el cada policristal. Siendo estos aglomerados de cristalitos los medidos por la técnica de
DRX. Para corroborar esta afirmación se recurre a la técnica de microscopía electrónica de
transmisión (MET) dada su capacidad de resolución nanoscópica.

IV.2. Morfología y análisis de sección transversal de las películas PZT

Las imágenes superficiales obtenidas por microscopía electrónica de barrido (MEB) se

ilustran en las Figura 46 y Figura 47, respectivamente.

79
 Figura 46. Micrografías superficiales y de sección transversal, de películas delgadas PZT
depositadas sobre (a) Pt y (b) Al, obtenidas por MEB.

Por su parte, las Figura 47-a y Figura 47-b muestran que las condiciones de síntesis y
tratamiento térmico de recocido [98] propiciaron la producción de películas delgadas
homogéneas, libres de grietas y la formación de granos definidos.

Figura 47. Micrografías superficiales y de sección transversal, de películas delgadas PZT

depositadas sobre (a) Pt y (b) Al, obtenidas por MEB.

Los espesores medidos con MEB modo de vista de sección transversal de las películas
delgadas PZT muestran que están en una escala nanométrica. Sin embargo, el crecimiento
del PZT sobre el substrato de Al alcanzó los 0.5 m, esto muestra el favorecimiento del
acoplamiento entre el PZT y el substrato de Al. No obstante, cabe destacar que la película
PZT depositada sobre Pt (ver Figura 47-a y Figura 48-a) muestra una homogeneidad y

80
uniformidad mejores que el PZT depositado sobre Al, al tener menor porosidad en su
espesor. Por otra lado, imágenes de sección transversal obtenidas por microscopía
electrónica de transmisión (MET), ilustradas en la Figura 48, corroboran dos cuestiones: (i)
el logro de homogeneidad y uniformidad a lo largo del espesor de la película delgada de
PZT; (ii) la medición del tamaño de cristalita, ratificando las mediciones realizadas
previamente, mediante la técnica de DRX apoyada del análisis por método Rietveld.

Figura 48. Análisis de la sección transversal de la película delgada PZT depositada sobre Pt
mostrando en: (a) homogeneidad y uniformidad; (b) el tamaño de cristal.

Los datos están concentrados en la Tabla 11. Sin embargo, en la Figura 48-b se observan
que existen líneas, correspondientes a los planos cristalinos, que tienen una trayectoria
continua de mayor longitud con respecto a aquellas que están delimitadas por los granos
ovalados. De ahí se deduce que hubo una formación de cristales de menor tamaño que están
contenidos en cristales o granos de mayor tamaño. Como se enunció en el apartado anterior,
para explicar la divergencia de resultados para la medición del tamaño de cristalita en la
Tabla 11.

IV.3. Propiedades nano-mecánicas y ferroeléctricas

Se realizó la medición del módulo elástico y la evaluación el esfuerzo máximo soportado

por una muestra representativa del material PZT mediante la técnica de nano-indentación
utilizando el método de la medición de rigidez continua (CSM) con la finalidad de obtener

81
el valor experimental de estos y poder utilizarlos en la simulación. Siendo el método CSM
es una opción especialmente útil para la evaluación de películas delgadas depositadas sobre
substratos, donde las propiedades mecánicas cambian en función de la penetración de la
superficie [95].

Figura 49. Curvas experimentales de (a) penetración superficial de la película PZT empleando
el método CSM; (b) histéresis ferroeléctrica del material PZT.

En la Figura 49-a se observa una curva característica de carga-desplazamiento de la cual se

determinó el módulo elástico EY. Por otra parte se caracterizó la ferroelectricidad a 1 kHz
de frecuencia y utilizando voltajes alterno de 3 a 10 V dando como resultados las curvas de
histéresis de polarización contra campo eléctrico aplicado como se muestra en la
Figura 49-b. De estas curvas se puede obtener el campo eléctrico coercitivo,
EC=220 kV/cm. EC es el campo eléctrico necesario para que se lleve a cabo el
re-direccionamiento de los dominios ferroeléctricos [69]-[70].
El módulo elástico medido para la película delgada de PZT fue de (156  4) GPa, sometida
a una carga máxima de 5 mN. Con el valor de modulo elástico, conociendo el esfuerzo
involucrado y el campo eléctrico coercitivo EC tomado de la Figura 49-b se determinó el
valor de la constante piezoeléctrica d33.

IV.4. Caracterización Eléctrica

En la Figura 32, se muestran los contactos de aluminio que se tomaron de referencia para
las mediciones de capacitancia de la película de PZT. El contacto denominado “de

82
referencia” o inferior, en la Figura 32, sirvió como un contacto común respecto a los
contactos superiores (o secundarios) depositados sobre el PZT. De ahí que las mediciones
variaron conforme fue tomándose cada contacto superior, como se muestra en la Tabla 12.

Tabla 12. Valores de capacitancia obtenidos de la medición de la película delgada PZT-Al.

Capacitancia (nF)
Constante
Frecuencia
Medición dieléctrica
(Hz) Promedio (adim)
1ª 2ª 3ª
20 269.43 381.33 109.06 253.30 3642.09
30 85.21 267.16 95.86 149.40 2148.53
40 139.97 149.75 91.20 127.00 1825.89
50 70.05 56.71 22.46 49.74 715.27
60 54.11 44.77 25.71 41.53 597.20
70 47.44 25.71 -- 36.58 350.63
80 22.25 2.95 19.50 14.90 214.26
90 9.00 361x10-3 -- 4.68 44.87

Los resultados de las mediciones realizadas para la película PZT depositada sobre substrato
de Al, se muestran en Figura 50-a y Tabla 12, respectivamente.
La variación en los datos obtenidos de las mediciones realizadas para el PZT depositado
sobre el substrato de Al se atribuyeron a dos causas principales. La primera causa fue el
estado de los contactos sobre los cuales se realizó la medición. Cabe mencionar que no
pudieron tomarse lecturas en todos los contactos de Al colocados sobre el PZT por causa
del daño o fractura que sufrieron durante la medición causadas por las puntas de medición
que atravesaron, en algunos casos, el espesor del orden de nanómetros tanto de los
contactos de Al como de la película delgada PZT.
La segunda razón en el cambio de los resultados se asigna a la falta de uniformidad en el
espesor de la película PZT. Es decir, que en cada zona en donde se ubicó el contacto de
cada medición probablemente hubo un espesor diferente. Esto es a causa de un crecimiento
no uniforme del PZT sobre toda a sección depositada, resultado una variación del espesor.
Además puede tomarse en cuenta la distribución aleatoria de los cristales con tamaños de
diferente dimensión, o bien, la aparición de una fase o una composición distinta al
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 [91], tomando como referencia los patrones de DRX (ver Figura 44 y
Figura 45). Por otro lado, se realizaron las mediciones de capacitancia para la película de
PZT depositada sobre Pt.

83
 Figura 50. Graficas para valores de capacitancia medidas en función de la frecuencia para el
material PZT depositado sobre (a) Al y (b) Pt, respectivamente.

El procedimiento fue el mismo que el empleado para el PZT sobre Al, es decir, se
colocaron contactos de Al sobre el PZT. Después, se situaron las puntas del LCR sobre los
contactos: de referencia (inferior) y secundario (superior).
Los resultados de las mediciones se enlistan en la Tabla 13, mostrando una estabilidad en
las lecturas de capacitancia al tener una variación menor frente a cambio observado en las
mediciones anteriores (ver Tabla 12). A pesar de tener una magnitud de 26 nF frente a su
contraparte 253 nF (comparación entre valores máximos alcanzados del PZT).

Tabla 13. Valores de capacitancia y constante dieléctrica obtenidos de la medición de la

película delgada PZT-Pt.

Capacitancia (nF) Constante

Frecuencia Medición dieléctrica
(Hz) Promedio
1ª 2ª 3ª (adim)
20 27.00 26.93 26.98 26.97 814.44
30 26.00 26.52 26.59 26.37 796.33
40 26.30 25.97 26.55 26.27 793.41
50 26.10 26.08 26.05 26.08 787.47
60 26.20 25.70 26.26 26.05 786.76
70 25.30 25.49 25.80 25.53 770.96
80 25.60 25.29 25.60 25.50 769.95
90 25.50 25.14 25.50 25.38 766.43

84
Estos resultados pueden atribuirse a la homogeneidad y uniformidad a lo largo del espesor
de la película delgada de PZT que se depositó sobre el susbtrato de Pt (ver Figura 46 y
Figura 47), demostrando que el acoplamiento del PZT con Pt favorece al crecimiento
uniforme de las películas delgadas PZT. Además, con se ilustran en los patrones de DRX
(ver Figura 48), la fase de PZT predomina en las películas ante la aparición casi nula de
otras fases incompletas del PZT o de impurezas, desarrolladas durante la síntesis y
recocido.

IV.4.1 Cálculo de la constante dieléctrica del material PZT

El cálculo de la constante dieléctrica del material se realizó a partir de las mediciones de

capacitancia. Tomando la Ecuación (55) para el modelo de un capacitor de placas paralelas
conteniendo a un material dieléctrico despreciando los efectos de borde.

Ecuación (55)

Donde C es la magnitud de capacitancia en farads (F) o coulombs por volt (C/V), ke es la

constante dieléctrica del medio material (adimensional), 0 es la constante de permitividad
en el vacío (0 = 8.854 x 10-12 F/m), A es el área cubierta por las placas del capacitor dada
en metros cuadrados (m2) y L la distancia entre las placas medida en metros (m).
Tomando la Ecuación (55) para despejar el valor de la permitividad o constante dieléctrica
del material (ε) PZT. Considerando en cuenta las constantes físicas como la permitividad en
el vacío (ε0) como el valor de L equivalente al espesor de la película delgada de PZT.
También, se tomó en cuenta el diámetro de 1 mm de los contactos circulares de aluminio
para obtener el parámetro de área de las placas para el condensador formado por los
contactos de aluminio como la película delgada de PZT. Siendo el área de los contactos de
785.39 nm2. El espesor promedio para la película delgada de PZT depositada sobre el
contacto inferior (de Al y Pt) se tomó de 100 nm.

85
 Figura 51. Gráficas para valores de constante dieléctrica calculados en función de la
frecuencia para el material PZT depositado sobre (a) Al y (b) Pt, respectivamente.

Como se observa en la Figura 51-b, la variación en el cálculo de la constante dieléctrica

para el PZT depositado sobre Pt es de aproximadamente 48 unidades entre los valores:
máximo (814.44) y mínimo (766.43); reflejando una estabilidad de operación. En
comparación con el cálculo hecho para el PZT depositado sobre Al donde se presentó una
diferencia de 3597 unidades, representando una evidente inestabilidad y pérdida de
funcionalidad por arriba de los 60 Hz.
La constante dieléctrica depende de diversos factores, tales como la composición (razón
molar Zr/Ti) la temperatura tanto del proceso de síntesis como de la etapa de recocido del
material PZT [94]-[95],[98].
Se resalta que el valor medio de la constante dieléctrica (εr = 783.14) calculada para el PZT
depositado sobre el contacto Pt es de una magnitud aceptable frente a valores reportados en
la literatura [61],[91]. Comparándolo con valores de materiales como el titanato de
bario (BaTiO3, εr = 4000) y el niobato de potasio (KNbO3, εr = 700) ambos de carácter
ferroeléctrico (ver Tabla 4), es decir, de estructura tetragonal tipo perovskita, puede decirse
que la funcionalidad del material es aceptable a bajas frecuencias.
Cabe mencionar en esta sección, que se repitieron algunos de los ensayos de las mediciones
de capacitancia usando contactos más grandes y homogéneos por ambos lados para
evidenciar los efectos de borde y tiene que ver con la siguiente ecuación:

86
 Ecuación (56)

Donde el factor f es un factor que tienen que ver con los efectos de borde del campo
eléctrico y los contactos [122]. Dando como resultado un factor de corrección de f =1.042.

IV.5. SIMULACION DEL CANTILEVER CONVERTIDOR DE ENERGIA

PZT

IV.5.1 Método de Elemento Finito en COMSOL

La simulación del cantilever fue realizada con el paquete de informático de simulación

COMSOL Multiphysics (versión 4.3) por método de elemento finito (FEM). COMSOL
Multiphysics es una herramienta poderosa de ambiente interactivo para el modelado y
solución de problemas ingenieriles y científicos. El software provee un entorno integrado
de escritorio de gran alcance con un constructor de modelo (Model Builder) donde se
obtiene una visión más completa del modelo y con acceso a toda la funcionalidad del
mismo [108]. Ver sección III.2.1.
Se comparan los datos acordes a los acoplamientos del PZT con los contactos de Al y Pt,
respectivamente. Propuestos para la conformación del cantilever unimorfo modelado en
COMSOL. Los tipos de estudio empleados en la simulación en COMSOL Multiphysics
fueron análisis de valores de eigen-frecuencia (Eigenfrequency analysis) y análisis
estacionario (Stationary analysis). Para el cálculo de la frecuencia y los modos de
vibración, así como el máximo desplazamiento o flexión que se produce en el cantilever.
Con el objeto de optimizar el diseño propuesto y compararlo con otros diseños reportados
hasta entonces.
En la Figura 52, se ilustran: (a) el desplazamiento del extremo libre del cantilever debido a
una aceleración aplicada en tal sitio; (b) el modelo de frecuencia para un cantilever
piezoeléctrico con una configuración unimorfa.
La configuración unimorfa empleada para el diseño de un cosechador de energía
aprovechando el efecto piezoeléctrico directo, se muestra en la Figura 7. Una viga en
voladizo (cantilever) de tres capas: soportes y contactos metálicos (Pt o Al) y una capa
piezoeléctrica de PZT.

87
 Figura 52. Gráficos obtenidos de la simulación del cantilever: (a) desplazamiento máximo y
(b) primer modo de vibración.

Se toman en cuenta la variación de los parámetros dimensionales del cantilever a modo de

analizar el comportamiento de los resultados obtenidos y seleccionar aquellos parámetros
que reflejen el mejor desempeño, es decir, la obtención de mayor flexión y voltaje a una
baja frecuencia. Además, de comparar resultados con otros trabajos reportados. En la Tabla
14 se detallan la variación de los parámetros.

Tabla 14. Variación de los parámetros para el cantilever modelado.

Espesor
Longitud Ancho
PZT Contactos
1500 m 105 nm (Al_15P)
500 m
2000 m 190 nm (Pt_15-P) 150 nm
2500 m 210 nm (Pt_30-P) (Al o Pt)
1000 m
3000 m 550 nm (Al_30-P)

Cabe mencionar que los valores del espesor de los contactos metálicos (Al o Pt) se
mantuvieron constantes, debido a la disponibilidad limitada del material. Los valores de
espesor del piezoeléctrico fueron incrementándose en base al control de número de pasadas
para la síntesis del material PZT. Siendo los depósitos de 15 y 30 pasadas para los
contactos de Al y Pt, respectivamente.

88
IV.5.2 Análisis de frecuencia

El análisis de frecuencia fue realizado con dos objetivos: (i) el obtener el modo de
resonancia fundamental (primer modo de vibración), dado que este es el modo de flexión
del cantilever (sin sufrir torsiones en su desplazamiento) y donde alcanza su mayor
desplazamiento [91],[116]. (Ver Figura 52-b). (ii) Conseguir un máximo de voltaje en la
operación del cantilever en la frecuencia de resonancia de menor magnitud.

300
PZT-Al_105nm_15-P
280 PZT-Pt_190nm_15-P
PZT-Al_550nm_30-P
260 PZT-Pt_210nm_30-P

240
Frecuencia (Hz)

220

200

180

160

140

120

100
1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 3200
Longitud cantilever (um)

Figura 53. Valores de frecuencia frente a la variación de la longitud del cantilever y

del espesor de la capa piezoléctrica PZT.

Como se muestra en la Figura 53, se grafican los valores de frecuencia para el cantilever
piezoeléctrico. Tomando en cuenta la variación de parámetros de dimensión como la
longitud del cantilever y el espesor de la capa piezoeléctrica. (Ver Tabla 14).
Se obtuvo un rango de operación del cantilever desde los 110 Hz a 256 Hz. Siendo la
combinación PZT-Pt (con material PZT de 210 nm de espesor) la mejor frente a las demás
dado que su rango de operación (110 @ 144 Hz) está cercano al valor mínimo del rango de
operación obtenida para todas las combinaciones realizadas. Siendo que uno de los
objetivos principales es el funcionamiento del cosechador a bajas frecuencias, las cuales se
pueden cosechar del medio ambiente urbano. (Ver Anexo A).

89
IV.5.3 Análisis estacionario

El análisis estacionario de dispositivo cosechador de energía (cantilever unimorfo) se

realizó para determinar su desempeño en un régimen estable de operación. Los resultados
obtenidos son el potencial eléctrico, la distribución de esfuerzos y el desplazamiento
máximo del cantiléver, para delimitar los parámetros de operación del cosechador. Las
variables consideradas en los cálculos fueron los enlistados en la Tabla 14.

IV.5.3.1 Distribución de esfuerzos en el cantilever

En la Figura 54 se muestra los resultados de la simulación de la distribución de esfuerzos o

configuración de von Mises del dispositivo (cantilever). En esta figura se puede apreciar
claramente dónde se concentra los máximos esfuerzos cuando el dispositivo está en
operación. Lo cual ocurre justo donde se encuentra empotrado el cantilever, con un
esfuerzo máximo de 3.6 MPa.

Figura 54. Esquema del dispositivo (cantilever) que muestra la distribución de esfuerzos o
configuración de von Mises.

90
Por otra parte, en la Figura 55 se muestra la distribución del potencial eléctrico que se
genera en el dispositivo cantilever. En esta figura muestra claramente como el máximo
potencial es generado donde la concentración de esfuerzos es máxima. Este fenómeno se
debe a que los esfuerzos son los causantes de que se lleve a cabo el redireccionamiento de
los dominios ferroeléctricas en el material PZT, provocando una densidad de carga
superficial positiva y negativa en los contactos, produciendo una diferencia de potencial.

Figura 55. Distribución del potencial eléctrico en el dispositivo (cantilever) obtenido.

IV.5.3.2 Desplazamiento del cantilever

La variación de la flexión de la punta respecto con el espesor de la capa piezoeléctrica

(PZT) de la viga en voladizo (cantilever) unimorfa se muestra en la Figura 52-a.
El máximo desplazamiento y los modos de vibración se relacionan con las frecuencias de
resonancia para un cantilever. De modo que el cálculo realizado para el cantilever
compuesto por el PZT y los contactos metálicos (Pt/Al), tiene por objetivo determinar el
primer modo de vibración para la viga debido a que a esta frecuencia la viga alcanza su

91
máximo desplazamiento [91]. Además, ese dato es vital definir el rango de operación de
frecuencia para el diseño del cosechador. De modo que opere a bajas frecuencias, como se
pretendió.

220

200 PZT-Al_105nm_15-P
PZT-Pt_190nm_15-P
180 PZT-Al_550nm_30-P
160 PZT-Pt_210nm_30-P
Desplazamiento (um)

140

120

100

80

60

40

20

1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 3200
Longitud cantilever (um)

Figura 56. Valores de desplazamiento frente a la variación de longitud del cantilever y

del espesor de la capa piezoeléctrica PZT.

Se compararon los cálculos para los acoplamientos del PZT con los contactos de Al y Pt,
respectivamente. De la Figura 56, se observan las curvas correspondientes a los valores del
desplazamiento o flexión del cantilever relación al incremento de la longitud de la viga y
los espesores del material PZT. En principio se muestra una relación directa y proporcional
entre la longitud de la viga y el desplazamiento alcanzado. Además, se observó que se
mantiene esta relación entre el espesor del PZT y el desplazamiento.
Los valores de espesor del piezoeléctrico fueron incrementándose en base al control de
número de pasadas para la síntesis del material PZT. Las curvas correspondientes a la
combinación de PZT-Al son aquellas de color rosado y verde. La gráfica de color rosa
describe el desplazamiento para la película delgada de PZT con 550 nm de espesor
mostrando una flexión máxima de 56.37 m. Mientras que la curva de color verde alcanza
un desplazamiento máximo de 163.82 m acorde al espesor de 105 nm para el PZT. Por
otro lado, las gráficas correspondientes a la combinación de PZT-Pt son aquellas de color
azul y rojo. Para la gráfica de color rojo (película PZT de 190 nm de espesor) se observa un

92
desplazamiento máximo de 187.84 m respecto a la curva de color azul (película PZT de
210 nm de espesor) que alcanzó un máximo de 201.57 m. Siendo esta última combinación
la de mejor desempeño, tomando como parámetro el desplazamiento o flexión máxima del
cantilever. Los valores simulación para el desplazamiento del cantilever respecto a la
variación de su anchura no tiene una repercusión o efecto significativo sobre el
desplazamiento. Este cambio es tan pequeño en comparación con la variación en la longitud
de la viga (cantilever) de 1500 m a 3000 m. Esto también se puede concluir a partir de
las relaciones analíticas que demuestra que la flexión de la punta de la viga es
independiente de la variación de la anchura. Es bien conocido que el área de momento de
inercia de una viga es directamente proporcional a su anchura y la deflexión es
inversamente proporcional al momento de inercia. Por lo tanto, un aumento de la anchura
daría lugar a disminución de la desviación de la punta. Sin embargo, un aumento de la
anchura también se traduce en el aumento de la carga que actúa sobre la viga. De ahí que,
hay un aumento en el desplazamiento de su punta, aunque no significativamente [111].

IV.5.3.3 Potencial eléctrico del cantilever

En Figura 57 se grafican los resultados de simulación concernientes a los valores de

potencial eléctrico producido por el cosechador.

14
PZT-Al_105nm_15-P
13
PZT-Pt_190nm_15-P
12 PZT-Al_550nm_30-P
11 PZT-Pt_210nm_30-P
10
9
Voltaje (mV)

8
7
6
5
4
3
2
1
0
1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 3200
Longitud cantilever (um)

Figura 57. Valores de potencial frente a la longitud del cantilever como del espesor del PZT.

93
Se observó que el comportamiento del potencial obtenido es creciente respecto al aumento
en magnitud tanto de la longitud del cantilever como del espesor del material PZT.
Asimismo, se notó que conforme se aumentó el espesor de la película delgada de PZT se
incrementó el potencial en ambos contactos, mostrando un comportamiento proporcional y
lineal. Se alcanzó un voltaje de 4.94 mV, correspondiente al espesor de 550 nm del PZT
(gráfica color rosado). Mientras que para la película PZT de 190 nm el voltaje máximo fue
de 13.1 mV. Ambos datos acordes a una longitud para el cantilever de 3 mm. Finalmente,
se observó que la combinación PZT-Pt fue mejor que la combinación PZT-Al dada la
obtención de mayor magnitud de voltaje. Además, como resultado de los cálculos, hubo
una diferencia de 0.1 mV entre los espesores del PZT (190 y 210 nm).

IV.5.3.4 Potencia de salida del cosechador

La potencia generada por el cosechador está descrita por las gráficas mostradas en la Figura
58. La resistencia de carga externa acoplada al cosechador fue de 10 Ohms (R L=10).

18
PZT-Al_105nm_15-P
16 PZT-Pt_190nm_15-P
PZT-Al_550nm_30-P
14 PZT-Pt_210nm_30-P
12
Potencia (uW)

10

1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 3200
Longitud cantilever (um)

Figura 58. Valores de potencia generada por el cosechador frente a la variación de longitud
del cantilever y del espesor de la capa piezoeléctrica PZT.

Se notó que acorde a los resultados de voltaje obtenidos del cosechador, los valores de la
potencia también reflejan un comportamiento y tendencia similares. De acuerdo con la

94
relación directa y proporcional entre el voltaje y la potencia, de acuerdo con la ecuación
derivada de la ley de Ohm (P=V2/RL).
La combinación de mejor desempeño fue la del PZT-Pt, para el espesor del PZT de 190 nm
y la longitud de 3000 m para el cantilever, logrando un máximo de 17.16 W. Sin
embargo, el PZT de 210 nm logró una potencia de 16.90 W, siendo menor en apenas de
0.26 W respecto al anterior.
Frente a los resultados de la literatura: 2.33 W [57] con una resistencia de carga de 2 M
a una operación de 243 Hz. Se tiene que el desempeño del cosechador está entre los valores
aceptables de desempeño. Sin embargo, la resistencia de carga debe ajustarse y estabilizarse
para un mejoramiento de captura de energía.

95
V. CONCLUSIONES

a) Se logró el depósito, caracterización estructural, morfología, tamaño de cristal y

espesores de películas delgadas Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) sobre contactos de aluminio y
platino por DRX, MEB y MET, respectivamente. Logrando la formación de la fase
tetragonal de PZT, con tamaños de cristalita de (5.831.5) nm @ (15.374)nm y
espesores de PZT-Al=105, 550 nm; PZT-Pt=190, 210 nm.
b) Se determinaron los parámetros: módulo de Young (EY), coeficiente piezoeléctrico (d33)
y campo eléctrico coercitivo (E3), experimentalmente para los cálculos de simulación.
Con magnitudes: EY = (1567)GPa; d33 = 700 pm/V; E3 = 200 kV/cm, respectivamente.
c) Se caracterizó eléctricamente las películas delgadas de PZT sobre sustratos de aluminio
y platino, respectivamente. Es decir, se midió la capacitancia y el cálculo de la
constante dieléctrica en función de la frecuencia, mostrando el depósito sobre platino
una mejor estabilidad en valores medidos.
d) Se obtuvo el diseño del cosechador de energía tipo MEMS con una geometría
rectangular, con dimensiones: L = 3mm, w = 1mm y d = 510nm (PZT=210nm y
contactos de Pt=150nm), mediante la simulación en el software COMSOL-
Multiphysics versión 4.3.
e) Se obtuvo un voltaje óptimo (V= 13mV) con contacto de Pt y espesor de la película
PZT de 210 nm con 30 pasadas de depósito en CVD-AA, que corresponde a una
potencia de 16.9 W para una resistencia de carga (RL) de 10  (Ohms).
f) Se obtuvo un intervalo frecuencia de operación del dispositivo cosechador de energía en
la simulación de 110-256 Hz.

96
VI. REFERENCIAS CONSULTADAS

[1] Saadon S, Sidek O. A review of vibration-based MEMS piezoelectric energy harvesters. Energy
Convers Manage (2010), doi:10.1016/j.enconman.2010.07.024
[2] L. M. Swallow, J. K. Luo, E. Siores, I. Patel and D. Dodds, “A piezoelectric fibre composite
based energy harvesting device for potential wearable applications”, Smart Materials and
Structures 17 (2008) 025017.
[3] H-S Kim, J-H Kim, J. Kim, A review of piezoelectric energy harvesting based on vibration,
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing Vol. 12, No. 6, pp. 1129-
1141, KSPE and Springer 2011, DOI: 10.1007/s12541-011-0151-3
[4] Energy Harvesting Journal, http://www.energyharvestingjournal.com/glossary/energy-
harvesting-332.asp [consulta: 5/1/2014].
[5] S.P. Beeby, M.J. Tudor, N.M. White, Energy harvesting vibration sources for microsystems
applications, Measurement Science and Technology 17 (2006) R175–R195.
[6] Harb A, Energy harvesting: State-of-the-art, Renewable Energy (2010),
doi:10.1016/j.renene.2010.06.014
[7] S. Priya and D.J. Inman, Energy Harvesting Technologies, Springer Science+Business Media,
LLC 2009. ISBN 978-0-387-76463-4. DOI 10.1007/978-0-387-76464-1.
[8] S. Roundy, P. K. Wright, J. Rabaey, A study of low level vibrations as a power source for
wireless sensor nodes, Computer Communications 26 (2003) 1131–1144.
[9] S-G Kook, S. Priya, I. Kanno, “Piezoelectric MEMS for energy harvesting”, Materials Research
Society (MRS) Bulletin, Vol. 37, November 2012.
[10] I. Chopra, “Review of State of Art of Smart Structures and Integrated Systems,” Journal of
AIAA, Vol. 40, No. 11, pp. 2145-2187, 2002.
[11] L. Gu, Low-frequency piezoelectric energy harvesting prototype suitable for the MEMS
implementation, Microelectron. J (2010), doi:10.1016/j.mejo.2010.10.007
[12] J.G. Korvink and O. Paul, MEMS a practical guide to design, analysis and applications,
William Andrew Inc., Norwich, NY, USA, 2006.
[13] Maec Madou, Fundamentals of Microfabrication, CRC Press, New York, 1999.
[14] S. Priya and D.J. Inman, Energy Harvesting Technologies, Springer Science+Business Media,
LLC 2009. ISBN 978-0-387-76463-4. DOI 10.1007/978-0-387-76464-1.
[15] N. Kong, T. Cochran, D. S. Ha, H-C Lin, D. J. Inman, “A self-powered power management
circuit for energy harvested by a piezoelectric cantilever,” In: 25th annual IEEE Applied
Power Electronics Conference and Exposition (APEC), pp. 2154-2160, 2010.
[16] M. Marzencki, S. Basrour, B. Charlot, A. Grasso, M. Colin, L. Valbin, Design and fabrication
of piezoelectric micro power generators for autonomous Microsystems, Proc. Symp. on
Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS DTIP05, (2005) 299-302.
[17] A. Erturk and D.J. Inman, On Mechanical Modeling of Cantilevered Piezoelectric Vibration
Energy Harvesters, Journal of Intelligent Material Systems and Structures, Vol. 19, November
2008. Sage Publications. DOI: 10.1177/1045389X07085639.
[18] D. Shen, J-H Parka, J. H. Noh, S-Y Choe, S-H Kim, H. C. Wikle III, D-J Kim, Micromachined
PZT cantilever based on SOI structure for low frequency vibration energy harvesting, Sensors
and Actuators A 154 (2009) 103–108.
[19] Justin R. Farmer. A comparison of power harvesting techniques and related energy storage
issues M.S Thesis. Dept. Mech. Eng., Virginia Polytechnic Institute and State Univ.
Blacksburg, VA; 2007.
[20] Blatt FJ, Schroeder PA, Foiles CL, Greig D. Thermoelectric power of materials. New York:
Plenum Press; 1976.
[21] Nolas GS, Sharp J, Goldsmid HJ. Thermoelectrics: basic principles and new materials
developments. New York: Springer; 2001.

97
[22] Mah O. Fundamentals of photovoltaic materials. National Solar Power Research Institute, Inc.;
1998.
[23] Damaschke JM. Design of a low-input-voltage converter for thermoelectric generator. IEEE
Transactions on Industry Applications 1997;33(5):1203e7.
[24] Myers RL. The basics of physics. Westport, Conn: Greenwood Press; 2006.
[25] Elliot RS. Electromagnetics: history, theory, and applications. Piscataway: IEEE´Press; 1993.
[26] Murugavel Raju. Energy harvesting, white paper, Texas instruments; November, 2008.
[27] Mateu Loreto, Moll Francesc. Review of energy harvesting techniques and applications for
microelectronics. Proceedings of the SPIE Microtechnologies for the New Millenium
2005;5837:359e73.
[28] Stevels A, Jansen AJ. Renewable energy in portable radios: an environmental benchmarking
study. The Journal of Sustainable Product Design; January, 1998:51e5.
[29] W.J. Li, T.C.H. Ho, G.M.H. Chan, P.H.W. Leong, H.Y. Wong, Infrared signal transmission by
a laser-micromachined vibration induced power generator, in: Proceedings of the 43rd IEEE
Midwest Symposium on Circuits and Systems, vol. 1, 2000, pp. 236–239.
[30] R. Amirtharajah, A.P. Chandrakasan, Self-powered signal processing using vibration-based
power generation, IEEE J. Solid State Circuits 33 (1998) 687–695.
[31] C.B. Williams, R.B. Yates. Analysis of a Micro-Electric generator for mycrosystems, 1995
[32] S. Meninger, J.O. Mur-Miranda, R. Amirtharajah, A.P. Chandrakasan, J.H. Lang, Vibration-to-
electric energy conversion, IEEE Trans. Very Large Scale Integr. VLSI Syst. 9 (1) (2001) 64–
76.
[33] R. Tashiro, N. Kabei, K. Katayama, Y. Ishizuka, F. Tsuboi, K. Tsuchiya, Development of an
electrostatic generator that harnasses the motion of a living body, JSME Int. J. Ser. C 43 (4)
(2000) 916–922.
[34] P. Glynne-Jones, S.P. Beeby, E.P. James, N.M. White, The modeling of a piezoelectric
vibration powered generator for microsystems, in: Proceedings of the Eleventh International
Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Transducers 2001 and Eurosensors XV,
Munich, Germany, 2001, pp. 46–49.
[35] P. Glynne-Jones, et al., Towards a piezoelectric vibration powered microgenerator, IEE Sci.
Meas. Technol. 148 (2) (2001) 68–72.
[36] S. Roundy, E.S. Leland, J. Baker, E. Carleton, E. Reilly, E. Lai, B. Otis, J.M. Rabaey, P.K.
Wright, V. Sundararajan, Improving power output for vibration-based energy scavengers,
IEEE Pervasive Compt. 4 (1) (2005) 28–36.
[37] K. Sood, Piezoelectric micro power generator (PMPG): A MEMS based energy scavenger,
MIT dissertation, 2003.
[38] R.J.M. Vullers, R. van Schaijk, I. Doms, C. Van Hoof, R. Mertens, Micropower energy
harvesting, Solid-State Electronics 53 (2009) 684-693.
[39] Kamarudin S, Daud W, Ho S, Hasran U. Overview on the challenges and developments of
micro-direct methanol fuel cells (DMFC). J Power Sources 2007;163:743–54.
[40] A. Lamagna, A. Boselli, Sensor de gas tecnología MEMS y sus aplicaciones, Revista de la
CNEA, Año 1, No. 1, Enero-Marzo 2001, pp. 28-31.
[41] J. Liu, H. Fang, Z. Xu, X. Mao, X. Shen, D. Chen, H. Liao, B. Cai, “A MEMS-based
piezoelectric power generator array for vibration energy harvesting”, Microelectronics Journal
39 (2008) 802–806.
[42] A. Townley, Vibrational energy harvesting using MEMS piezoelectric generators,
http://www.ese.upenn.edu/sunfest/FinalReports09/TownleyAndrew09.pdf,
[consulta:15/02/2014].
[43] T. Li, Y.H. Chen, F.Y.C. Boey, J. Ma, Domain reorientation of piezoelectric bending actuators,
Sensors and Actuators A 134 (2007) 544–554.

98
[44] Johnson TJ, Charnegie D, Clark WW, Buric M, Kusic G. Energy harvesting from mechanical
vibrations using piezoelectric cantilever beams. Smart structures and materials: damping and
isolation, vol. 6169; 2006. p. D1690 [art. no. 61690D].
[45] Ng TH, Liao WH. Feasibility study of a self-powered piezoelectric sensor. Smart structures
and materials: smart electronics, MEMS bio-mems and nanotechnology, vol. 5389; 2004. p.
377–88.
[46] Ng TH, Liao WH. Sensitivity analysis and energy harvesting for a self-powered piezoelectric
sensor. J Intell Mater Syst Struct 2005;16:785–97.
[47] Jiang SN, Li XF, Guo SH, Hu YT, Yang JS, Jiang Q. Performance of a piezoelectric bimorph
for scavenging vibration energy. Smart Mater Struct 2005;14:769–74.
[48] Anderson TA, Sexton DW. A vibration energy harvesting sensor platform for increased
industrial efficiency. In: Smart structures and materials 2006: sensors and smart structures
technologies for civil, mechanical, and aerospace systems, proceedings of the SPIE 6174;
2006. p. 621–9.
[49] Mateu L, Moll F. Optimum piezoelectric bending beam structures for energy harvesting using
shoe inserts. J Intell Mater Syst Struct 2005;16: 835–45.
[50] Kim HW, Batra A, Priya S, Uchino K, Markley D, Newnham RE, et al. Energy harvesting
using a piezoelectric ‘‘cymbal” transducer in dynamic environment. Jpn J Appl Phys 1, Regul
Pap Short Notes Rev Pap 2004;43:6178–83.
[51] Rastegar J, Pereira C, Nguyen HL. Piezoelectric-based power sources for harvesting energy
from platforms with low frequency vibration. Smart structures and materials: industrial and
commercial applications of smart structures technologies, vol. 6171; 2006. p. 17101 [art. no.
617101].
[52] Y.B. Jeon, R. Sood, J.H. Jeong, S.G. Kim, “MEMS power generator with transverse mode thin
film PZT”, Sensors Actuators A 122 (2005) 16–22.
[53] Renaud M, Karakaya K, Sterken T, Fiorini P, Van Hoof C, Puers R. Fabrication, modeling and
characterization of MEMS piezoelectric vibration harvesters. Sensors Actuat A – Phys
2008;145:380–6
[54] P. Muralt, M. Marzencki, B. Belgacem, F. Calame, S. Basrour, Vibration Energy Harvesting
with PZT Micro Device, Proceedings of the Eurosensors XXIII conference, Procedia
Chemistry 1 (2009) 1191–1194.
[55] M. Marzencki, Y. Ammar, S. Basrour, Integrated power harvesting system including a MEMS
generator and a power management circuit, Sensors and Actuators A 145–146 (2008) 363–
370.
[56] J.-Q. Liu, H.-B. Fang, Z.-Y. Xu, X.-H. Mao, X.-C. Shen, D. Chen, H. Liao, B.-C. Cai, A
MEMS-based piezoelectric power generator array for vibration energy harvesting,
Microelectronics Journal 39 (2008) 802–806.
[57] S.B. Kim, H. Park, S-H Kim, H. Clyde-Wikle III, J-H Park, D-J Kim, “Comparison of MEMS
PZT cantilevers based on d31 and d33 modes of vibration Energy Harvesting”, Journal of
Microelectromechanical Systems, Vol. 22, No. 1, February 2013.
10.1109/JMEMS.2012.2213069.
[58] B.S. Lee, S.C. Lin, W.J. Wu, X.Y. Wang, P.Z. Chang and C.K. Lee “Piezoelectric MEMS
generators fabricated with an aerosol deposition PZT thin film”, Journal of Micromechanics
and Microengineering 19, 065014 (8pp), IOP Publishing, (2009).
[59] H-B Fang, J-Q Liu, Z-Yi Xu, Lu Dong, Li Wang, Di Chen, B-C Cai, Y. Liu, “Fabrication and
performance of MEMS-based piezoelectric power generator for vibration energy harvesting”,
Microelectronics Journal 37 (2006) 1280–1284. doi:10.1016/j.mejo.2006.07.023.
[60] J. C. Park and J. Y. Park, “Modeling and characterization of piezoelectric d33 mode energy
harvester”, Journal of Microelectromechanical Systems 19(5), 1215 (2010).
[61] Rolf E. Hummel, Electronic properties of materials, 4 th edition, Springer, Florida, USA, 2010.

99
[62] S. Roundy and P. K. Wright, “A piezoelectric vibration based generator for wireless
electronics,” Smart Materials and Structures, vol. 13, no. 5, pp. 1131–1142, Oct. 2004.
[63] S. R. Anton and H. A. Sodano, “A review of power harvesting using piezoelectric materials
(2003–2006),” Smart Mater. Struct., vol. 16, no. 3, pp. R1–R21, Jun. 2007.
[64] http://buscon.rae.es/draeI/SrvltConsulta?TIPO_BUS=3&LEMA=piezoelectricidad; Real
Academia de la Lengua Española, [consulta: 13/04/2014].
[65] Gautschi G. Piezoelectric sensorics: force, strain, pressure, acceleration and acoustic
emmission sensors, materials and amplifiers. Spriger-Verlag Berlin Heidelberg; 2002.
[66] http://homepage.ntu.edu.tw/~yichung/power_harvesting_sms_2006.pdf
[67] George E. Dieter Jr. Metalurgia Mecánica, Ediciones Aguilar, S.A., España 1967.
[68] Carter C.B., Norton M. G. Ceramic Materials: Science and Engineering. Springer, 2007.
[69] Uchino, Kenji. Ferroelectric Devices. ISBN: 0-8247-3133-3. Marcel- Dekker, Inc. 2000.
[70] M.E. Lines and A.M. Glass, “Principles and Applications of Ferroelectrics and
RelatedMaterials” Oxford: Clarendon, (2004).
[71] P. Froelich, P. Grau and W. Grellmann, Phys. Status Solidi 42 (1977) 79.
[72] Jan-Thorsten Resta, Alexandre E. Glazounov, Michael J. Hoffmann, “Analysis of Intrinsic
Lattice Deformation in PZT-Ceramics of Different Compositions”, Journal of the European
Ceramic Society, 21, (2001), 1349-1352.
[73] A. E Glazounov, M. J. Hoffmann “Investigation of Domain Switching in Fracture Ferroelectric
Ceramics by using imaging of X-ray diffraction”, Journal of the European Ceramic Society”,
21, (2001), 1417-1420.
[74] A. Peláiz Barranco, L. Y. Suárez Campos, A. Pentón, “Dielectric, Pyroelectric and
Ferroelectric Behavior of PZTN 65/35/x Ferroelectric Ceramic System”, Elsevier: Journal of
the European Ceramic Society, 25, (2005), 963-967.
[75] Yu, Ya. Tomashpoo ski, L.F. Rybakova, T.V. Lunina, O.F Fedoseeva, S.G. Prutchenko, and
S.A. Ment’shikh. “Ferroelectric Lead Zirconate Titanate Films Prepared by Spray Pyrolysis of
Carboxylate Solutions” inorganic materials, vol.37 No.5, (2001) pag. 500-507.
[76] X.M. Jing, et al., Vibration characteristics of micromachined piezoelectric diaphragms with a
standing beam subjected to airflow, Sens. Actuators A: Phys. (2010),
doi:10.1016/j.sna.2010.09.017
[77] Ennio Fatuzzo and Walter J. Merz “Ferroelectricity” North-Holland Publishing Componay-
Amsterdam 1967.
[78] Muralt P: Recent progress in materials issues for piezoelectric MEMS. J.Amer.Ceram.Soc.
2008: 91; 1385-96.
[79] Calame F and Muralt P: Growth and properties of gradient free sol-gel lead zirconate titanate
thin films. Appl.Phys.Lett. 2007: 90; no 062907.
[80] Sigman J, Brennecka GL, Clem PG, and Tuttle BA. Fabrication of perovskite-based high-value
integrated capacitors by chemical solution deposition. J.Amer.Ceram.Soc. 2008: 91; 1851-57.
[81] Reed-Hill, R. E. Principios de Metalurgia Física. 1982. Van Nostrand Company.
[82] D.B. Williams and C.B. Carter, Transmission Electron Microscopy, A Texbook for Material
Science, Springer Science+Business Media, LLC 1996, 2009. ISBN 978-0-387-76500-6
[83] L. Reimer, Scanning Electron Microscopy, Physics of Image Formation and Microanalysis,
Springer.
[84] Nowel, M.M., Witt, R.A., y True, B.W. 2005. Microscopy Today. 13:44.
[85] Goldstein,J, I., Newbury, D, E., Echlin, P., Joy,C.D., Roming. Jr., Lyman,Ch,E., Fiori,Ch.,
Lifshin, E. 1992. Scannig Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis.Plenum Press, New
York and London
[86] Engelmann,H, H.J., Zschech, E. Transmission Electron Microscopy in Semiconductor
Manufacturing. Pag. 187-198
[87] Fatuzzo E. and Merz W. J. 1967 “Ferroelectricity” North-Holland Publishing Componay-
Amsterdam.

100
[88] P. Froelich, P. Grau and W. Grellmann, Phys. Status Solidi 42 (1977) 79.
[89] Oliver, W. C., Pharr G. M., 1992 Mater J. Res. 7:1564.
[90] W. C. Oliver, G. M. Pharr, J. Mater. Res. 7(6), 1564 (1992).
[91] Daniel J. Inman, Engineering vibration, 3 rd edition, Pearson Education, Inc., Upper Saddler
River, New Jersey, 2008.
[92] http://www.uru.edu/fondoeditorial/libros/pdf/manualdestatistix/cap5.pdf
[93] http://methodology.psu.edu/ra/most/factorial
[94] D. Fasquelle and J.C. Carru, Electrical characterizations of PZT ceramics in large frequency
and temperature ranges, Journal of the European Ceramic Society 28 (2008) 2071–2074.
doi:10.1016/j.jeurceramsoc.2008.01.024.
[95] J. Ramos-Cano, tesis doctoral: “Procesamiento de películas PZT mediante CVD-AA, cerca a la
zona morfotrópica y caracterización de sus propiedades microestructurales, ferroeléctricas y
mecánicas”. Centro de Investigación en Materiales Avanzados S.C., Chihuahua, Chihuahua,
México. Julio de 2013.
[96] Perednis,D., y . Gauckle, L, Jr. 2005.Thin Film Deposition Unsin Spray Pyrolysis. Journal of
Electroceramics. 14:103-111
[97] El Bouchikhi, A., Philippot,E., Et-tabirou, M. 2007. PZT film preparation by pyroso process.
The Moroccan Statistiical Physical and Condended Matter Society. 8: 69-71.
[98] J. Ramos-Cano, A. Hurtado-Macías, W. Antúnez-Flores, L. Fuentes-Cobas, J. González-
Hernández, P. Amézaga-Madrid, M. Miki-Yoshida, Synthesis by aerosol assisted chemical
vapor deposition and microstructural characterization of PbTiO3 thin films, Thin Solid Films
531 (2013) 179–184. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.01.021
[99] S. Roundy, E.S. Leland, J. Baker, E. Carleton, E. Reilly, E. Lai, B. Otis, J.M. Rabaey, P.K.
Wright, V. Sundararajan, Improving power output for vibration-based energy scavengers,
IEEE Pervasive Compt. 4 (1) (2005) 28–36.
[100] J. Cho, M. Anderson, R. Richards, D. Bahr, C. Richards, Optimization of electromechanical
coupling for a thin-film PZT membrane: I. Modeling, Journal of Micromechanics and
Microengineering, 15 (2005) 1797-1803.
[101] George E. Dieter Jr. Metalurgia Mecánica, Ediciones Aguilar, S.A., España 1967.
[102] S. Preidikman, J.C. Massa, M.F. Bandi, Accionamiento mediante actuadores piezoeléctricos
de alas flexibles para micro-vehículos aéreos súper maniobrables inspirados en la biología,
Mecánica Computacional Vol XXV, pp. 2359-2381, Santa Fe, Argentina, Noviembre 2006.
[103] Reitz J.R., Milford F.J., Christy R.W. Fundamentos de Teoría Electromagnética. ISBN: 968-
444-403-6. Addison-Wesley Iberoamericana, S.A. México, 1996.
[104] Marc Weinberg, Working equation for piezoelectric actuators and sensors, 1999.
[105] S. Roundy and P K Wright. A piezoelectric vibration based generator for wireless electronics,
2004.
[106] S-L Kok, N.M. White and N.R. Harris, Fabrication and characterization of free-standing
thick-film piezoelectric cantilevers for energy harvesting, Meas. Sci. Technol. 20 (2009)
124010 (13pp). doi:10.1088/0957-0233/20/12/124010.
[107] Xiaoping Li, Wan Y. Shih, Ilhan A. Aksay, Wei-Heng Shih. Electromechanical Behavior of
PZT-Brass Unimorphs, 1999.
[108] COMSOL, “COMSOL Multiphysics 4.3 Documentation”, www.comsol.com, 2012.
[109] A. Nechibvute, A. Chawanda, P. Luhanga, Design and Characterisation of a Piezoelectric
Bimorph Energy Harvesting Device, International Journal of Engineering and Technology
(IJET) Volume 3 No. 6, June, 2013. ISSN: 2049-3444 © 2013.
[110] G.R. Prakash, K.M. Vinayaka-Swamy, S. Huddar, B.G. Sheeparamatti, “Study of Effect on
Resonance Frequency of Piezoelectric Unimorph Cantilever for Energy Harvesting”,
Proceedings of the 2012 COMSOL, Conference in Bangalore.

101
[111] V. Tiwari and G. Srivastava, Study of the Tip Deflection in Static State of a Piezoelectric
Polymer based Bimorph Actuator with Varying Thickness and Length Ratios, International
Journal of Engineering Trends and Technology (IJETT) - Volume4 Issue6- June 2013.
[112] M. Norouzi and A. Kashaninia, “Design of Piezoelectric Microcantilever Chemical Sensors in
COMSOL Multiphysics Area,” Journal of Electrical and Electronics Engineering, vol. 2, pp.
184 188, June. 2009.
[113] K.A. Cook-Chennault, N. Thambi, A.M. Sastry. Powering MEMS portable devices-a review
of non-regenerative and regenerative power supply systems with emphasis on piezoelectric
energy harvesting systems, 2008.
[114] Shenck, N. S. and Paradiso, J. A., Energy scavenging with Shoe-mounted piezoelectrics,
Micro IEEE, Vol. 21, No. 3, pp. 30-42, 2001.
[115] Y.B. Jeon, R. Sood, J.H. Jeong, S.-G. Kim, Sens. Actuators 122, 16 (2005).
[116] A.Erturk and D.J. Inman, Piezoelectric Energy Harvesting, Wiley. 2011
[117] U.S. National Institute of Standards, Technology, Fachinformationsnntrum Karlsruhe,
Germany and the U.S. Department of Commerce on the behalf of the United States. Inorganic
Crystal Structure Database - ICSD, Version 1.7.1 2010-2.
[118] Cox, D.E., Noheda, B., Shirane, G., Phys. Rev. B: Condens. Matter. Mater. Phys., 71, 13411,
(2005)
[119] J. Ramos-Cano, M. Miki-Yoshida, A.M. Gonҫalves, J.A. Eiras, J. González-Hernández, J.A.
Rodírguez-López, P. Amézaga-Madrid, A. Hurtado-Macías, Characterization of
nanomechanical, ferroelectric, and piezoelectric properties by nanoindentation and
piezoresponse force microscopy of PbTiO3 thin films, Industrial and Engineering Chemistry
Research Journal, American Chemical Society Publications, 2013.
dx.doi.org/10.1021/ie401134m.
[120] Juan Rodríguez-Carvajal, software Full-Prof Suite (2.05), Version July-2011.
[121] L. Fuentes-Cobas, Introducción al Método Rietveld, Sociedad Mexicana de Cristalografía
A.C., Instituto de Investigaciones en Materiales UNAM, Centro de Investigación en Materiales
Avanzados S.C. (CIMAV), 2004.
[122] E.M. Purcell Electricity and Magnetism, Berkeley Physics Course-Vol2, Mc Graw Hill, 1985.
ISBN 0-07-004908-4.

102
 ANEXOS

Anexo A Fuentes de vibración, disponibles en el medio ambiente [8].

Fuente de Vibración Aceleración Frecuencia

pico
(m/s2) (Hz)
Compartimiento del motor 12 200
Base de 3 ejes de máquina herramienta 10 70
Carcasa de licuadora 6.4 121
Secadora de ropa 3.5 121
Persona nerviosa golpeando el piso con el talón 3 1
El panel de instrumentos del carro 3 13
Marco de puerta cuando se cierra la puerta 3 125
Microondas pequeño 2.5 121
Rejillas del HVAC en oficinas de un edificio 0.2 @ 1.5 30
Ventanas cerca de una calle transitada 0.7 100
CD en computadora portátil 0.6 75
Suelo del segundo piso de una oficina transitada 0.2 100

Anexo B Propiedades del material piezoeléctrico PZT-5A y PZT-5H [116].

Coeficientes
PZT-5A PZT-5H
piezoeléctricos
(pm2/N) 16.4 16.5
(pm2/N) – 5.74 – 4.78
(pm2/N) – 7.22 – 8.45
(pm2/N) 18.8 20.7
(pm2/N) 47.5 43.5
(pm2/N) 44.3 42.6
(pm/V) – 171 – 274
(pm/V) 374 593
(pm/V) 584 741
1730 3130
1700 3400

103