Simulaciones

CIRCUITO 1
a) La corriente de drenador deja de ser constante en la resistencia de 5K con
un voltaje drenador-surtidor de 8.61V.

b) El circuito está conformado por una malla “Principal” que aplicando ley de
Kirchhoff se obtiene que: el voltaje de la fuente menos el voltaje del
potenciómetro menos el voltaje drenador-surtidor menos el voltaje en la
resistencia de 1KΩ es igual a cero:
Vcc-VRL-VDS-VRs=0
CIRCUITO 2
CIRCUITO 3
 Cuestionario
1. Resultados obtenidos
En el primer circuito se observa que los valores de la corriente drenador
(ID) no varían más de una vez, es decir, se mantiene constantes con dos
valores: 0.58mA y 0.39mA.
En el segundo circuito podemos apreciar que a media que la resistencia
va aumentando el voltaje compuerta-fuente y el voltaje drenador-fuente
aumentan su valor a excepción de la resistencia de 1kΩ que baja a cero.
En el tercer circuito las simulaciones nos muestran gráficas con distorsión
por lo que se debió cambiar algunos valores para lograr una mejor
representación de la misma.
2. Del Circuito 1 podemos decir:
El circuito está conformado por una malla “Principal” que aplicando ley de
Kirchhoff se obtiene que: el voltaje de la fuente menos el voltaje del
potenciómetro menos el voltaje drenador-surtidor menos el voltaje en la
resistencia de 1KΩ es igual a cero:
Vcc-VRL-VDS-VRs=0
Conforme la resistencia del potenciómetro va aumentando el voltaje
drenador-surtidor (VDS) va disminuyendo mientras que la corriente

drenador (ID) se mantiene estable y solo varía en ciertos valores

3. Aplicaciones
 Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de
salida baja, uso general, equipo de medida, receptores.
 Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones.
 Mezclador, baja distorsión de intermodulación, receptores de FM y
TV, equipos para comunicaciones.
 Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia
receptores, generadores de señales.
  Amplificador cascodo, baja capacidad de entrada, instrumentos de
medición, equipos de prueba.
 Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores
operacionales, control de tono en órganos.
 Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequeña de
acoplamiento, audífonos para sordera, transductores inductivos.
 Control de un motor DC.

4. En un cuadro realice la comparación entre un BJT y un FET.

COMPARACIÓN

BJT FET

Controlado por tensión entre puerta y

Controlado por corriente base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las
cargas libres de los huecos y electrones.
IC es una función de IB.
fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las
cargas libres de los huecos (canal p) o
electrones (canal n).
ID es una función de VGS.

Relación lineal entre IB e IC. Relación cuadrática entre VGS e ID.

Ganancias de corriente indefinidas y
Altas ganancias de corriente y voltaje. ganancias de voltaje menores a las de
los BJT.

Ventajas del FET con respecto al BJT

 Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
 Son más estables con la temperatura que los BJT.
 Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar más dispositivos en un CI.
 Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.
 La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de
almacenamiento.
Desventajas de los FET
 Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
 Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.
 Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
Conclusiones
 Se recomienda utilizar el respectivo datasheet de los FET para verificar
sus características.
 Se recomienda calcular con el IDSS y el Vp real, para que los cálculos
sean más exactos.
 El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de
corriente controlada por voltaje
 Para que el Transistor FET funcione correctamente las resistencias
deben ser lo más exactas posibles.
 Los valores de los FET pueden ser diferentes aunque sean del mismo
tipo.
 Las mediciones obtenidas en el laboratorio confirman el
comportamiento teórico de los transistores de efecto de campo.
 Se pudo observar que las curvas obtenidas a la salida del FET son
similares a las curvas que se obtenían con los BJT.