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La reducción del campo eléctrico de la unión reduce el efecto tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100
de arrastre. Al ser la zona de transición más estrecha, aumenta a 1000 V. (Cortez)
el gradiente de las concentraciones en ella y Un material altamente dopado significa que tiene un mayor
consecuentemente, aumenta el efecto de difusión. No se número de impurezas, generalmente de tipo p o de tipo n. Por
alcanza el equilibrio, produciéndose una circulación neta de lo mismo, existirá una menor resistencia al paso de la
carga por el circuito, de forma que la corriente en la unión es corriente. Para un material no dopado, es decir intrínseco,
por difusión y fuera de ella por arrastre. (ETIS) presentará una resistencia mucho mayor al paso de la
corriente, dependiendo del material semiconductor que se esté
1) Unión p-n, polarizada inversamente utilizando. En la práctica un diodo p-i-n tiene una alta
resistividad en la parte media de la zona p o n. Mientras que
Una unión p-n está polarizada inversamente, cuando a la existe una baja resistividad en los límites en las zonas p y n.
región p se le aplica un potencial inferior al de la región n. Los La nomenclatura p+ y n+ indica un alto dopaje de los
portadores mayoritarios (huecos de p y electrones de n) de materiales p y n, respectivamente. Se utilizan las letras griegas
ambas regiones tienden a separase de la unión, empujados por “π” y “ν” para los materiales altamente resistivos y
el campo eléctrico a que da lugar la polarización, aumentando ligeramente dopados p y n respectivamente. El material usado
la anchura de la zona de transición. El campo eléctrico en la en la región I puede ser tipo “π” o “v”. En la práctica,
unión aumenta reforzado por la el de la polarización del generalmente se utiliza el silicio como el material
mismo sentido, y la barrera de potencial pasa a ser Vo+V. semiconductor, el cual no es perfectamente intrínseco.
Utilizando cualquiera de estas dos estructuras no se presentan
cambios en el desempeño de un dispositivo.
B. Características eléctricas
El diodo p-i-n presenta una región p y una región n 1) Uso del diodo PIN
altamente dopadas, y separadas por una región intrínseca con
resistividad más elevada que las regiones p y n. Estos Este diodo se puede utilizar como interruptor o como
dispositivos son ampliamente usados en aplicaciones tales modulador de amplitud de frecuencias de microondas ya que
como desplazadores de fase y conmutadores de señales para todos los propósitos se puede presentar como un corto
microondas. Los dispositivos diseñados con diodos p-i-n se circuito en sentido directo y como un circuito abierto en
destacan por bajas pérdidas de inserción y elevado desempeño sentido inverso. La principal ventaja del diodo p-i-n frente a
en altas frecuencias. A estas frecuencias, el diodo tiene una un diodo convencional es la mejora en la respuesta de
impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado conmutación de señales microondas. También se lo utiliza
(circuito abierto) y una impedancia muy baja cuando está para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy
polarizado en sentido directo (corto circuito). Además, las grandes. Destaca en su utilización como fotodiodo el cual es
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uno de los fotodetectores más comúnmente utilizados hoy en La velocidad a la cual el diodo p-i-n puede ser conmutado
día en campos que van desde las comunicaciones en fibra desde una baja impedancia (polarización directa) a una alta
óptica hasta la electrónica de consumo. Esto se debe impedancia (polarización inversa) es determinada por la
principalmente a su elevado índice de eficiencia respecto a velocidad a la cual la carga libre puede ser extraída del diodo.
otros dispositivos similares debido a la zona intrínseca, Los diodos con región intrínseca larga y gran área de sección
entendiendo por eficiencia la proporción entre la luz que le transversal, almacenarán más carga y por lo tanto percibirán
llega y la que es capaz de absorber y convertir en corriente tiempos más largos para conmutar. El tiempo de conmutación
eléctrica. (Pavón) actual tiene dos componentes:
2) Funcionamiento del diodo PIN El tiempo requerido para remover mayor parte de la carga de
la región intrínseca, llamado tiempo de retardo.
A frecuencias más altas el diodo se parece a una resistencia El tiempo durante el cual el diodo está cambiando del estado
casi perfecta es decir que hay una gran cantidad de carga de baja impedancia al de alta, llamado tiempo de transición.
almacenada en la región intrínseca. A bajas frecuencias, la
carga se quita y el diodo se apaga. Si el diodo esta polarizado
en sentido directo los huecos del material P se difunden en la Para frecuencias más bajas el diodo p-i-n se comporta como
región P-I creando una capa P de baja resistividad, como ya un varactor, el cual es un diodo que dependiendo de la tensión
sabemos la corriente es debido al flujo de los electrones y de que se le aplique el valor de la capacitancia varía. Es decir, si
los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente la tensión aplicada al diodo varactor aumenta la capacitancia
iguales en la región I, la condición de polarización directa la disminuye, si por el contrario, la tensión disminuye la
caída de tensión en la región I es muy pequeña debido a que la capacitancia aumenta. El valor de la resistencia en paralelo RP
zona de agotamiento es muy estrecha e igual que el diodo PN, es proporcional al voltaje e inversamente proporcional a la
si se aumenta la corriente también disminuye la resistencia. frecuencia.
Como la región intrínseca es altamente resistiva, la zona de En la mayoría de las aplicaciones en RF este valor es más alto
agotamiento se extiende hasta las regiones de alta conducción, que la reactancia del capacitor CT. El voltaje de ruptura
incluso aun cuando no se ha polarizado al diodo. Se dice que masiva o avalancha, VB, siempre será más grande que el
la capacitancia equivalente del diodo no se ve alterada por el voltaje inverso, VR. Así mismo, VB es proporcional al ancho
voltaje suministrado. de la región I. Una excursión instantánea de la señal de RF en
situación de polarización directa por lo regular no causa que el
La siguiente figura muestra el circuito equivalente del diodo. diodo entre en conducción debido a la lentitud de la velocidad
de conmutación de la polarización inversa a directa. La
magnitud de la señal RF y el ancho de la región I están
relacionados con la polarización inversa de DC necesaria para
mantener al diodo p-i-n en baja conductancia.
IV. CONCLUSIONES
Los diodos pin tienen un campo aplicativo muy amplio
Fig. 7 Esquema del circuito equivalente del diodo
debido a su ventaja sobre los diodos pn en cuanto al
Cuando se manejan frecuencias bajas en un diodo p-i-n los tiempo de conmutación y los altos voltajes que maneja;
por lo tanto son dispositivos con gran aplicabilidad dentro
efectos reactivos que se presentan en las uniones se consideran
despreciables. Estos efectos son asociados con la difusión de de la electrónica de potencia.
portadores a través de la unión. En estado de baja impedancia,
situación de polarización directa, el diodo tiene una excelente V. REFERENCIAS
linealidad y baja distorsión. En estado de alta impedancia, Cortez, M. (s.f.). Scribd. Recuperado el 2019, de
situación de polarización inversa, la región intrínseca produce https://es.scribd.com/document/400407115/diodo-
valores muy altos de voltaje de ruptura e impedancia. Así PIN
proporciona una buena aproximación a un circuito abierto. La ETIS. (s.f.). Recuperado el Marzo de 2019, de
presencia de la región intrínseca permite obtener http://quegrande.org/apuntes/ETIS/1/TE/teoria/09-
características operacionales muy deseables para aplicaciones 10/diodo_de_union_p-n.pdf
de conmutación. A medida que el ancho de la región intrínseca Pavón, E. (s.f.). ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE
(I) aumenta, la capacitancia formada en las uniones del diodo INGENIERÍA . Recuperado el 2019, de
disminuye. Esta característica es benéfica en la conmutación http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema4.pdf
de señales de microondas, puesto que una capacitancia baja y Univesidad de Valencia. (s.f.). Recuperado el 2019, de
una alta impedancia del diodo p-i-n en situación de https://www.uv.es/candid/docencia/Tema3(01-
polarización inversa, hacen posible que el diodo se comporte 02).pdf
como un circuito abierto