Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
CICLO:
SÉPTIMO
TRANSISTORES DE POTENCIA
INTEGRANTES:
LUCAS OBREGON CRISTHIAN
SALAZAR CHILA JOHAN
SOLÓRZANO MEDRANDA LIZ
VERA SAAVEDRA VIVIANA
DOCENTE:
MATERIA:
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
ESMERALDAS – ECUADOR
INTRODUCCIÓN
A fin de explicar las técnicas de conversión de potencia, los BJT s o MOSFET. SIT o IGBT
se pueden tratar como interruptores ideales. Un transistor interruptor es mucho más simple
que un tiristor interruptor dc conmutación forzada. Sin embargo, en los circuitos dc
convertidores no es obvia la elección entre un BIT y un MOSFET, ya que cualquiera de ellos
puede reemplazar a un tiristor, siempre que su especificación de voltaje y de corriente cumpla
con los requisitos de salida del convertidor. Los transistores reales difieren de los dispositivos
ideales. Los transistores tienen ciertas limitaciones estando restringidos a algunas
aplicaciones. Las características y especificaciones de cada uno de estos tipos deberán
examinarse para determinar su adecuación a una aplicación en particular.
TRANSISTORES DE POTENCIA
Un transistor bipolar se forma añadiendo una segunda región p o n a un diodo de unión pn.
Con dos regiones n y una región p, se forman dos uniones conociéndose como un transistor
NPN, tal y como se muestra en la figura 1a. Con dos regiones p y una región n, se conoce
como un transistor PNP, tal y como se muestra en la figura 1b. Las tres terminales se llaman
colector, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones, la unión colector base (CBJ)
y la unión base emisor (BEJ).
2. TRANSISTOR MOSFET
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere sólo de una
pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los tiempos
de conmutación del orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia están encontrando
cada vez más aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los
MOSFET no tienen los problemas de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los
BIT. Sin embargo, los MOSFET tienen problemas de descargas electrostáticas, por lo que su
manejo requiere de cuidados especiales. Además, es relativamente difícil protegerlos bajo
condiciones de falla por corto circuito.
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada
muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequeña, del orden de los
nanoamperios. La ganancia de corriente, que es la relación entre la corriente de drenaje ID y
la corriente de compuerta IG suele ser del orden de 10 a la 9na potencia. Sin embargo, la
ganancia de corriente no es un parámetro importante. La transconductancia, que es la relación
de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta, define a las características de transferencia,
y es un parámetro muy importante. En la figura 3 se muestran las características de
transferencia de MOSFET de canal n y de canal p.
Figura 3: Características de transferencia de los MOSFET
Las características de un SIT son similares a las de un MOSFET. Por lo general, un SIT es
activado al aplicarse un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y se
desactiva al aplicarse un voltaje negativo a su compuerta. Las características experimentales
estáticas son más pequeñas en el SIT. El SIT tiene velocidades de conmutación muy rápidas
y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6
microsegundos. La especificación de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente
está limitada a 500 A.
CARACTERISTICAS
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y a sustituido
al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energías
como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.
Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo
que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de
bloqueo de 6.000voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad
de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para
mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de
la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es
intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos
siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.
CONEXIONES
Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes
de polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser:
Esto hace que por el circuito circule una corriente cuya forma de onda está representada en
la siguiente figura.
Los semiconductores presentan unos límites muy estrictos en cuanto a valores máximos de
tensión corriente y potencia soportadas, que si son superados podrían provocar la destrucción
del dispositivo. Cuando se diseña un circuito se ha de poner especial cuidado en que sus
componentes puedan resistir las condiciones de trabajo más desfavorables que tengan lugar,
tanto durante su funcionamiento normal como ante determinadas acciones ajenas a la propia
operación normal del circuito (sobretensiones espúreas, cortocircuitos externos, etc.).
Los circuitos de ayuda a la conmutación conocidos comúnmente como “snubber” son una
parte esencial en muchos de los circuitos electrónicos de potencia. Básicamente podemos
considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan al
circuito de potencia para reducir en el dispositivo semiconductor el estrés eléctrico durante
las conmutaciones y asegurar un régimen de trabajo seguro.
ASOCIACIÓN DE SEMICONDUCTORES
REFRIGERACIÓN DE SEMICONDUCTORES
Cuando por un semiconductor circula una corriente se producen perdidas do energia en forma
de calor cuya cuantía depende del componente en cuestión y de las condiciones de
funcionamiento. Por tanto, el primer paso en el diseño de la refrigeración de un
semiconductor de potencia será el cálculo de dichas perdidas.
BIBLIOGRAFÍA
https://riverraid17.files.wordpress.com/2010/03/electronica-de-potencia-rashid-
espanol.pdf
http://dispositivoselectronicadepotencia.blogspot.com/2012/03/transistores-de-
potencia.html
https://es.calameo.com/read/00037915627fb5c252b97
https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html?fbclid=IwAR25jFnVZPAC3Uzz
6zMh9tgXbkeMFeofcr82bD
https://mantenimientoiia.wordpress.com/2016/03/11/rectificadores-de-media-onda-
y-onda-completa/
Electrónica de potencia: componentes, topologías y equipos