MOSFET

El MOSFET es un transistor que se utiliza de muchas maneras para controlar señales en circuitos electrónicos
como conmutar o amplificar, su significado abreviativo viene de Metal-Oxido-Semiconductor-Transistor de
efecto campo. La parte MOS está relacionada con la estructura del transistor, mientras que la parte FET está
relacionada con su funcionamiento, el MOSFET es un dispositivo que tiene 4 terminales: compuerta (G), drenaje
(D), fuente (S) y sustrato (B), en el que una tensión en la compuerta controla la corriente que fluye entre el
drenaje y la fuente. El voltaje en el sustrato desempeña un papel secundario y no se muestra a menudo dado
que tiene un terminal de control estando conectado regularmente a la fuente, por lo tanto, solo se encuentran
transistores MOSFET de 3 pines. [1]

Tipos de transistores MOSFET

Para este tipo de transistores existe principalmente dos variedades:

 Los de canal N o NMOS consta de mayormente del material tipo P con dos pequeñas proporciones de
material tipo N conectados a cada terminar fuente y drenador.
 Canal P o PMOS es contraria del NMOS, el material tipo N cubre mayormente con 2 pequeñas zonas del
material tipo P en los terminales drenador y fuente.

En la representación esquemático de los transistores MOSFET [2]

Figura 1: MOSFET-E Canal tipo N Figura 2: MOSFET-E Canal tipo P

Transistores MOS de Enriquecimiento

El MOSFET de enriquecimiento es equivalente a un interruptor "Normalmente Abierto" y estos tipos de

transistores requieren un voltaje en los terminales fuente-compuerta para activar el dispositivo, porque no
conduce cuando la tensión de compuerta es cero. Si se aplica un voltaje positivo (+𝑉𝐺𝑆 ) al terminal de la
compuerta de canal N, el canal conduce y la corriente de drenaje fluye a través del canal. Si este voltaje de
polarización aumenta a positivo entonces la anchura del canal y la corriente de drenaje a través del canal
aumentan. Pero si el voltaje de polarización es cero o negativo (−𝑉𝐺𝑆 ) entonces el transistor puede
desconectarse y el canal entra en un estado no conductor.[4]

En la figura 9 muestra un ejemplo del Transistor MOSFET-Enriquecido de canal N construido sobre el sustrato
con dopaje de tipo P ara este caso llamado NMOS. [1]
 Figura 3: MOSFET de enriquecimiento [3]

Transistores MOS de Empobrecimiento

Los MOSFET de empobrecimiento se conocen generalmente como dispositivos de 'conmutación', porque estos
transistores están generalmente cerrados cuando no hay voltaje de polarización en el terminal de compuerta. Si
la tensión de la compuerta aumenta en positivo, entonces el ancho del canal aumenta en el modo de
agotamiento. Como resultado, la corriente de drenaje (𝐼𝐷 ) aumenta a través del canal. Si la tensión aplicada de
la compuerta es negativa, entonces el ancho del canal es menor y el MOSFET puede entrar en la región de corte.
Por este motivo el transistor MOSFET de empobrecimiento se utiliza raramente en los circuitos electrónicos. [4]

Figura 4: MOSFET de empobrecimiento [3]

Una relación principal entre el voltaje de drenaje-fuente (𝑉𝐷𝑆 ) y la corriente de drenaje (𝐼𝐷 ). Un voltaje pequeño
en la compuerta puede controlar el flujo de corriente a través del canal. El canal entre el drenaje y la fuente actúa
como un buen conductor con tensión de polarización cero en el terminal de la compuerta. La anchura de canal y
la corriente de drenaje aumenta si la tensión de puerta es positiva y estos dos (ancho de canal y corriente de
drenaje) disminuyen si la tensión de puerta es negativa. [1]
MOSFET como switch

Figura 5: MOSFET como switch

En la figura 5 se observa que el MOSFET de tipo enriquecimiento de canal N funciona con una tensión de entrada
positiva 𝑉𝐺𝑆 y tiene una resistencia de entrada extremadamente alta que hace posible la conectividad con casi
cualquier puerta lógica o controlador capaz de producir una salida positiva.

MOSFET como amplificador

En muchas aplicaciones el MOSFET se utiliza como amplificador lineal de señales pequeñas. En la figura 6
representa un MOSFET usado como amplificador.

Figura 6

Regularmente, en los circuitos amplificadores, los FET funcionan en la región de saturación. Cuya región la
corriente no depende del voltaje de drenaje. La corriente es la función de la tensión de compuerta solamente.
En los amplificadores MOSFET, el punto de funcionamiento está normalmente en la región de saturación.
REFERENCIAS

- [1] Ruiz Vázquez T. (2004) Análisis básico de circuitos eléctricos y electrónicos (Pag. 566) Pearson-Prentice Hall.
Madrid.

- [2] Figura 1 y 2 Representación esquemático de un transistor MOSFET, Wikipedia Enciclopedia Libre [Online]
es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_de_campo_metal-%C3%B3xido-semiconductor

- [3] Figura 3 y 4 modelo MOSFET Ruiz Vázquez T. (2004) Análisis básico de circuitos eléctricos y electrónicos (Pag.
568) Pearson-Prentice Hall. Madrid.

- [4] Camps Valls G. (2006) Fundamentos de electrónica analógica (Pag.173). Universidad de Valencia