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Diodos y Transistores
Publicado en septiembre 20, 2015
Articulo leido en el programa Colombiano para Radioaficionados, Domingo 20 Septiembre 2015.
Todos recordamos desde el colegio nos hablaros del físico ruso Dmitri Ivánovich Mendeléyev
quien publicó su primera Tabla Periódica de los Elementos Químicos en 1869. Según su
propuesta, generalmente aceptada, todos los elementos químicos pueden ser agrupados en 8
grupos que poseen características similares. Los elementos localizado en los primeros grupos; 1,
2,.. se consideran “metales” y son buenos conductores de la electricidad, en cambio lo de grupos
altos 7, 8, su comportamiento es no metálicos y no conducen bien la electricidad.
Pero en la mitad de la tabla está el grupo 4 al cual pertenecen el Carbón, Silicio, Germanio Estaño
y Plomo. De este grupo el Silicio y el Germanio presentan características especiales muy usadas
en electrónica. El Silicio y el Germanio, en estado puro, no son ni buenos ni malos conductores de
electricidad por eso han tomado el nombre de Semi-Conductores pero si se contaminan un
poquito con elementos del grupo 5 o 3 (de la tabla periódica) mejoran su conductividad y
presentan características muy interesantes para la electrónica que se conoce como “electrónica
de estado sólido”.
Fig. 1 Tabla Periodica segun Mendeleyev en 1869. Observe que en el grupo iv esta el Carbon “C”
y el Silicio “Si” pero no figura el Germanio (Ge) porque en 1867 no se conocía su existencia pero
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Mendeleyev lo predijo con el nombre de Eka-Silicio. Este elemento fue descubierto en 1881 y se
incluyendo como controlar las cookies, mira aquí: Política de Cookies.
le dio el nombre de Germanio en honor a Alemania y ayudo a confirmar que las ideas de
Mendeleyev eran correctas. Cerrar y aceptar
https://hk3eu.com/2015/09/20/diodos-y-transistores/ 1/10
Debido a una mejor estabilidad térmica y menor coste de silicio, en la actualidad se prefiere el uso
del Silicio sobre el Germanio, pero al principio de los semiconductores era muy usado el
Germanio.
Cuando un semiconductor puro se mezcla (alea) con una pequeñísima parte del Galio o indio
(elemento del grupo 3), se dice que el semiconductor se ha “dopado” y el nuevo elemento se
llama Semiconductor tipo P, en cambio si se dopa con un elemento del grupo 5: Arsénico o
Antimonio, el semiconductor se llama de tipo N.
Si ponemos en contacto un semiconductor tipo P con otro tipo N se forma lo que se denomina un
DIODO y tiene la propiedad que la electricidad puede fluir en un sentido pero es nula en sentido
inverso. Esta propiedad permite usar los diodos de semiconductor como elementos rectificadores
de corriente.
Fig 2. Diodo semiconductor
En otros términos decimos que un diodo semiconductor es simplemente una unión (juntura) de un
semiconductor tipo P con otro N, se llama diodo por su similitud a los diodos hechos con tubos de
vacío ya que su comportamiento es similar y su uso primario era la rectificación de corriente. Con
el tiempo han aparecido diodos de semiconductores con comportamientos eléctricos muy
interesantes:
Existen unos diodos llamados Zener, los cuales se polarizan en el sentido inverso a su
conducción, pero si el voltaje inverso sobrepasa cierto valor predeterminado, el diodo entra en
conducción. Como el voltaje a que entra en conducción es muy exacto, los diodos Zener son
usados como reguladores de voltaje.
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Fig 3. Diodo Zener.
Hay unos diodos llamados Túnel porque cuando están funcionando en el sentido de conducción y
el voltaje directo es pequeño, el diodo presenta características de resistencia negativa debido a
un fenómeno físico llamado efecto Túnel.
¿Pero que es resistencia negativa?
En una resistencia normal, si nosotros aumentamos el voltaje aplicado a la resistencia entonces la
corriente aumenta debido a la ley de Ohm I = V/R. Pero, hablamos de resistencia negativa de un
dispositivo cuando un aumento de voltaje aplicado nos produce una disminución de la corriente,
es decir lo contrario al efecto de una resistencia. . Pues resulta que un diodo Túnel presenta
características de resistencia negativa que en cierta manera lo podemos asociar a un amplificador
(lo contrario de atenuar) y lo hace muy útil como oscilador y amplificador de radiofrecuencia de
muy bajo ruido.
Fig 4. Diodo Tunel y su caracteristica.
Hay otro tipo de diodo llamados Schottky. En los diodos normales existe un retardo entre un diodo
que está en estado de no conducción pasa a conducir o viceversa, esto limita el uso de los diodos
a frecuencias
incluyendo elevadas
como controlar (VHF,
las cookies, miraUHF
aquí:y Política
microondas), en cambio los diodos Schotky pueden hacer
de Cookies.
transiciones mucho más rápidas permitiendo su uso en frecuencias muy elevadas.
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Fig 5. Extructura del diodo Schottky y su simbolo.
Por último mencionaremos los LED o “Diodos Emisores de Luz” Light Emmiting Diode que son
diodos de semiconductor adaptados para que cuando pase corriente por la unión PN emita luz en
el espectro de luz visible y su utilización está en aumento.
Así como la unión de un semiconductor tipo P con otro tipo N crean un Diodo, la combinación de
tres elementos P y N producen lo que se llama un Transistor. Un transistor presenta
características eléctricas muy similares a los tubos electrónicos (tríodos, tetrodos, pentodos) que
paso a sustituirlo.
Fig 6. Diodos LED
Con tres elementos P o N podemos hacer dos configuraciones básicas: Combinación PNP o NPN
por lo cual existen dos tipos de transistores llamados precisamente PNP o NPN. Los tres
contactos de estos elementos se llaman Emisor, Base, y Colector. El emisor y colector utilizan
semiconductor del mismo tipo, pero la base es de semiconductor del otro tipo a emisor y colector.
Los transistores de tres contactos: emisor, Base, Emisor, hechos con material semiconductor tipos
N y P se conocen como Transistores Bipolares y como se hace juntando elementos
semiconductores entonces su nombre mas exacto son Transistores Bipolares de Juntura o en
ingles inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT
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Fig 7. Transistores y su simbolo.
Los transistores bipolares fueron inventados en los Laboratorios Bell que era el centro de
desarrollo de la compañía Norteamericana de teléfonos ATT por John Bardeen y Walter Brattain
bajo la dirección de William Shockley, en diciembre de 1947. Los primeros transistores se
construían utilizando un semiconductor tipo N, la base, al cual se tocaba con dos electrodos
metálicos muy finos y poca distancia. Después de construido se le aplicaba una corriente eléctrica
elevada que provocaba que la región cercana al electrodo se dopaba pasando a ser de tipo P, de
esta forma se creaba el emisor y colector para posterior uso. Los transistores hechos de esta
forma se denominan transistores de punta de contacto pero ya no se fabrican de esta forma.
Fig
incluyendo 8. Elcontrolar
como primer las
transistor
cookies, mira aquí: Política de Cookies.
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Hay otro tipo de transistor de arquitectura diferente a los bipolares. Estan construido de una y aceptar
barra
de material semiconductor tipo P o N alimentada en corriente en sus dos extremos. Un terminal se
llama en ingles Source que significa fuente y el otro estremo se llama Drain o drenaje. En la mitad
de la barra, entre Source y Drain se conecta un electrodo metálico aislado de la barra que se
llama Gate o compuerta en español. Entre el source y el Gate se aplica un voltaje. A pesar que el
Gate no está unido eléctricamente a la barra el voltaje aplicado genera un campo eléctrico que
afecta el flujo de electrones que van de Souce a Drain. Esto se comporta como si la resistencia
existente entre Source y Drain es afectada por el voltaje de la Gate.
Este tipo de transistores se llaman Field Effect Transistor o FET que se traduciría como
Transistores de Efecto de Campo ya que su funcionamiento es debido al efecto del campo
eléctrico generado en la Gate. La barra que conecta el Souce y el Drain se llama el substrato y
puede ser de tipo P o N, es decir que existen FET de sustrato P o substrato N.
Fig 9. Transistor de Efecto de Campo FET y su simbolo.
Hay algunas buenas propiedades para los transistores FET, primero que todo el substrato puede
ser un pequeño bloque de material semiconductor al que se le agrega los terminales S y D y la
Gate seria pequeños contactos metálicos colocados sobre la superficie del bloque. Esto facilita la
construcción de circuitos integrados en la cual se incorporan ciento y millones de transistores
sobre un substrato común. Otra ventaja es que como la Gate esta aislada del sustrato su
resistencia se considera muy elevada o lo que se dice que su impedancia de entrada es muy
elevada lo cual tiene su importancia en la construcción de circuitos.
En un FET clásico el gate es una superficie metálica separada del substrato por una capa de
material aislante pero hay otros transistores que el Gate se construye como si fuera un diodo o
juntura de material contrario al substrato. Estos transistores se denominan en ingles Juntion FET
abreviados JFET o en español diríamos FET de Juntura. Cerrar y aceptar
El desarrollo de los transistores han creado otro tipo de transistor que funcionan por el mismo
efecto de campo de los FET pero con algunos detalles constructivos diferentes. El sustrato es de
semiconductor puro, el source y el drein se construye con un material dopado N o P. Entre S y D
donde se encuentra el semiconductor no dopado se superpone la Gate separado del substrato
por un material que lo denominan Metal Oxido Silicio por lo cual estos transistores se conocen
como MOS, mas exactamente MOSFET.Si S y D son de tipo P se denominan de Canal P y si S y
D son N entonces tendremos transistores de canal N.
Fig 10. Estructura y simbolo del MOSFET
Es posible conectar un MOSFET de canal P con otro de canal N y hacerlos trabajar como si fuera
una sola unidad. Estos montajes se llaman Complementarios y dan origen a otros tipos de
dispositivos denominados CMOS FET
Una característica de los CMOS-FET es que dependiendo del voltaje de Gate la resistencia entre
Source y Drain cambia entre casi 0 (cero) a un valor casi infinito, es decir que un CMOSFET se
comporta como un switch casi perfecto controlado por el Gate. Esto ha permitido construcción de
circuitos impensables en otras épocas.
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Fig11. Extructura y simbolo de CMOS FET.
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UN PENSAMIENTO EN “DIODOS Y TRANSISTORES”
Oscar Robledo
en septiembre 21, 2015 en 2:38 am dijo:
Cerrar y aceptar
Excelente trabajo, que explica con sencillez la electrónica del ESTADO SÓLIDO.
Felicitaciones Eugenio muy bien ilustrado.
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Articulo leido en el programa Colombiano para Radioaficionados, Domingo 20 Septiembre 2015.

Fig 2. Diodo semiconductor

Fig 3. Diodo Zener.

Fig 4. Diodo Tunel y su caracteristica.

Fig 5. Extructura del diodo Schottky y su simbolo.

Fig 6. Diodos LED

Fig 7. Transistores y su simbolo.

Fig 9. Transistor de Efecto de Campo FET y su simbolo.

Fig 10. Estructura y simbolo del MOSFET

Fig11. Extructura y simbolo de CMOS FET.

UN PENSAMIENTO EN “DIODOS Y TRANSISTORES”

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