Procesos de Conduccion en Semiconductores PDF

LIC.
EN FÍSICA ELECTRÓNICA
Curso 03-04 Tema 1
TEMA 1. PROCESOS DE CONDUCCIÓN EN SEMICONDUCTORES.
El desarrollo de la Electrónica actual se fundamenta en el uso de diferentes dispositivos

basados la mayoría de ellos en materiales semiconductores, por ello es inevitable
comenzar un curso de Electrónica básica explicando los aspectos más importantes de la
conducción eléctrica en los materiales semiconductores, ya que estas propiedades son
las que han dado lugar a su uso masivo en la elaboración de dispositivos y sistemas
electrónicos.
1.1. Teoría de bandas de energía de los cristales.
Lo primero que se tratará de comprender es cómo es posible que diferentes materiales,

constituidos cada uno de ellos por un tipo de átomos de igual estructura electrónica de la
última capa, tengan propiedades de conducción eléctrica tan distintas. Dado el interés
por los materiales semiconductores se estudiará la conductividad de materiales
formados por átomos de elementos químicos que tienen en su última capa electrónica
cuatro electrones. Los cinco primeros elementos del Sistema Periódico con cuatro
electrones en su última capa son:
Elem. Nº e - ESTRUCTURA POR CAPAS
C 6 1s 2 2s2 p2
Si 14 1s 2 2s2 p6 3s2 p2
Ge 32 1s 2 2s2 p6 3s2 p6 d10 4s2 p2
Sn 50 1s 2 2s2 p6 3s2 p6 d10 4s2 p6 d10 5s 2 p2
Pb 82 1s 2 2s2 p6 3s2 p6 d10 4s2 p6 d10 f14 5s 2 p6 d10 6s2 p2
Fig. 1.1
El carbono en su forma cristalina como diamante es un aislante, las formas cristalinas

del Si o del Ge son semiconductoras, es decir con una cond uctividad eléctrica
intermedia entre los aislantes y los conductores, y los materiales de Sn o de Pb son
buenos conductores. Incluso para acabar de complicar la cuestión otra forma cristalina
del carbono, distinta del diamante, como es el grafito es conductor. Para comprender el
diferente comportamiento, desde el aspecto de la conductividad eléctrica de estos
materiales, se utiliza la teoría de bandas de energía de los cristales.
Si se supone un átomo aislado de Si, la resolución de la ecuación de Schrödinger para

el sistema, da la distribución de sus 14 electrones en los diferentes orbitales, con sus
niveles energéticos, y sus cuatro números cuánticos (n, l, ml y ms ). El principio de
F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA 1

FACULTAT DE FÍSICA Universitat de València
ELECTRÓNICA LIC. EN FÍSICA
Tema 1 Curso 03-04
exclusión de Pauli dice que en este sistema electrónico no habrá dos electrones con los
cuatro números cuánticos iguales.
Si se toma ahora una red cristalina de Si en la que hay N átomos, y suponiendo que se
puede aumentar y disminuir la distancia entre los átomos de la red a voluntad. Si se
alejan suficientemente, unos átomos de otros, los electrones de cada átomo no notarán la
interacción de los otros átomos y en particular los niveles energéticos de los cuatro
electrones de la última capa, 3s 2 3p2 , no habrán variado, los electrones de las capas más
cercanas al núcleo con más razón tampoco habrán variado sus estados energéticos. Por
tanto teniendo en cuenta que hay N átomos, habrá N veces repetida la distribución de
niveles energéticos de un átomo de Si aislado.
Reduciendo paulatinamente la distancia entre los átomos llegará un momento en que la

interacción sobre los electrones de la capa exterior de cada átomo debida a los otros N-1
átomos no será despreciable. Esto provoca un corrimiento en los niveles energéticos de
estos estados, de forma que ahora no habrá N veces repetida la estructura de estados de
un átomo individual si no que p.e. los 2N electrones de la subcapa 3s 2 estarán en una
banda de 2N estados diferentes, y los 2N electrones de la subcapa 3p2 estarán en otra
banda de 6N estados diferentes. Véase que en el átomo individual, la subcapa 3p tiene 6
estados, aunque sólo tenga ocupados, en el caso del Si, dos de estos estados.
Lo que ha ocurrido es que de N átomos individuales se ha pasado a un sistema

electrónico global. En esta situación el principio de exclusión de Pauli se aplica al
sistema global.
Fig. 1.2
2 F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA

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Curso 03-04 Tema 1
Si se sigue reduciendo la distancia entre los átomos en la red cristalina, la interacción

aumenta y el desdoblamiento también. Cálculos teóricos para una estructura cristalina
como la del diamante, la del Si y el Ge es similar, dan como resultado la gráfica de la
figura 1.2.
En dicha gráfica, en el eje X se representa la distancia entre átomos en la red, y en el eje

Y la energía relativa de los electrones. Las estructuras cristalinas del diamante
(carbono), Si y Ge son tales que las distancias entre átomos dan lugar a la situación de
que los 2Ns estados y los 6Np estados, que estaban en la tercera capa de estos N
átomos, se han separado en dos bandas energéticas. Una banda con 4N estados y 4N
electrones, que l amaremos banda de valencia, y otra banda con 4N estados y 0N
electrones, banda de conducción, y entre ambas bandas con estados permitidos existe
una zona de energías en la que no hay estados permitidos, es la banda prohibida.
Las diferencias en la conduc tividad del diamante, Si y Ge, como se verá posteriormente,
provienen del diferente valor que toma EG para cada uno de ellos (EG anchura de la
banda prohibida medida en eV). En el caso del diamante EG es del orden de 6 eV,
mientras que para el Si es de 1,1 eV y para el Ge de 0,72 eV, a temperatura ambiente.
En el caso del Sn y del Pb las distancias interatómicas en la red son mayores y no hay
banda prohibida, la banda energética en que se ha desdoblado la última capa electrónica
de los N átomos tendrá por tanto 8N estados y 4N electrones, que se podrán mover
tranquilamente por los estados próximos desocupados, la conclusión es obvia: ambos
materiales serán buenos conductores. Por eso se dice a veces que un conductor tiene la
banda de conducción parcialmente llena y que esto es lo que le confiere la propiedad de
ser buen conductor.
Pero veamos con más detalle el caso del diamante (C), Si y Ge. Para el primero la
banda prohibida es muy grande y a temperatura ambiente no hay prácticamente ningún
electrón que haya saltado de la banda de valencia a la banda de conducción, como en la
banda de valencia no hay estados libres para moverse, no habrá conducción eléctrica
apreciable aunque le apliquemos un campo eléctrico de gran magnitud.
En el caso del silicio y a temperatura ambiente, ya hay una cierta cantidad de electrones,
aunque pequeña, con energía térmica suficiente para saltar de la banda de valencia a la
banda de conducción por ser la anchura de la banda prohibida del orden de 1 eV, y más
aún en el caso del Ge ya que la anchura de su banda prohibida EG es menor que la del
silicio.
En los semiconductores Si y Ge cada electrón que salta de la banda de valencia a la

banda de conducción da lugar a dos portadores de carga: un electrón en la banda de
conducción y un hueco, ausencia de electrón, en la banda de valencia. Si se aplica un
campo eléctrico al semiconductor, los huecos se moverán en la dirección y sentido del
vector intensidad del campo eléctrico y los electrones en sentido contrario. Se ha de ver
un hueco como una carga positiva, y por tanto la corriente eléctrica que circulará será la
suma de ambas corrientes: la de huecos y la de electrones. En la figura 1.3 se puede ver
el esquema de bandas de energía de aislantes, semiconductores y conductores.

Tema 1 Curso 03-04
BANDA
DE
CONDUCCIÓN
Eg = 6 eV 1 eV 0 eV
BANDA
DE
VALENCIA
AISLANTE SEMICONDUCTOR CONDUCTOR
Fig. 1.3
La paradoja del grafito, es de suponer que después de lo anteriormente expuesto habrá

dejado de ser tal paradoja, ya que la explicación es obvia.
1.2. Semiconductores: intrínsecos y extrínsecos.
Cuando se estableció en el apartado anterior la diferencia entre aislante y

semiconductor, ésta residía en que la anchura de la banda prohibida en un
semiconductor era mucho menor que en un aislante. Esto da lugar que a temperatura
ambiente en un aislante el número de electrones que han podido pasar a la banda de
conducción es despreciable mientras que en un semiconductor no es despreciable.
Pero decir que en un semiconductor a temperatura ambiente el número de electrones

que han saltado a la banda de conducción no es despreciable hay que matizarlo y
analizarlo cuantitativamente, centrándose para ello, en una muestra de Si puro.
El Si tiene una densidad de 2,33 g/cm3 y un peso atómico de 28,1. Utilizando el

número de Avogadro NA nos lleva a que el número de átomos Si por cm3 , nSi , será:
2, 33 N A
nSi = = 5 10
22 3
átomos / cm (1-1)
28 ,1
El número de pares electrón- hueco que se han formado por cm3 ni , electrones que han
saltado a la banda de conducción, es función de la temperatura y a partir de la
estadística de Fermi-Dirac se obtiene la expresión:
− EG0
n 2i = A 0 T3 e kT (1-2)

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En donde A0 es una constante, k es la constante Boltzman y EG0 es la anchura de la

banda prohibida a 0º K La anchura de la banda prohibida es función de la temperatura y
para el Si la expresión que relaciona ambas es:
EGT = 1,21 - 3,6 10-4 T eV (1-3)
En el Si a 300º K ni = 1,5 1010 átomos/cm3 , es decir que aproximadamente cada 3 1012

átomos de la red de Si, se ha producido un par electrón- hueco. Por tanto la
concentración de portadores de carga disponibles para conducir la corriente eléctrica
será 2 ni , ya que ni = n = p, donde n y p son las concentraciones de electrones por cm3
en la banda de conducción y huecos por cm3 en la banda de valencia respectivamente.
Estas concentraciones de portadores de carga libres, para conducir la corriente eléctrica,

son muy pequeñas y la resistividad del material es alta: ρ Si = 2,3 105 Ω cm. En un
apartado posterior se verá como obtener la resistividad del Si.
Para hacerse una idea más concreta de sus posibilidades como conductor de la corriente
eléctrica, se propone el cálculo de la resistencia de un hilo de Si de 1cm de longitud y
sección de 1mm2 :
l 1
R=ρ = 2,3 105 − 2 = 23 106 Ω (1-4)
s 10
El resultado obtenido muestra claramente que el Si puro no es buen conductor. Si se

repite el proceso con otros materiales semiconductores puros se obtendrían resultados
parecidos.
Ante esta situación cabe preguntarse cómo es posible que estos materiales sean útiles en
procesos de conducción de la corriente eléctrica, salvo que se quiera hacer resistencias
de valor elevado. La respuesta está en que los semiconductores no se utilizan en estado
puro si no dopados (contaminados) con átomos de ciertos elementos, átomos de
elementos trivalentes como el B, Ga o In o átomos de elementos pentavalentes como el
Sb, P o As.
Cuando se usa un material de un semiconductor puro se dice que el semiconductor es

intrínseco y cuando se usa un semiconductor dopado con impurezas trivalentes o
pentavalentes se dice que el semiconductor es extrínseco.
Se plantea a continuación qué ocurre cuando se dopa el Si con átomos trivalentes,

átomos que tienen en su última capa electrónica tres electrones. Cada uno de estos
átomos de impurezas tiene tres electrones para compartir en los enlaces con los átomos
próximos de una red de átomos Si que comparte cuatro electrones cada uno de ellos.
Evidentemente en la posición del átomo de la impureza trivalente falta un electrón
respecto a la estructura que había cuando no había impurezas en la red. Esa ausencia de
un electrón va a ser rápidamente cubierta por otro electrón de la red que va a saltar a
dicha posición, en la red se ha creado un hueco sin que aparezca un electrón en la

Tema 1 Curso 03-04
banda de conducción. Un semiconductor extrínseco de este tipo se denomina

semiconductor de tipo P, y a este tipo de impurezas se las denomina impurezas
aceptoras.
Desde el punto de vista de la teoría de bandas de energía, la adicción de impurezas

trivalentes al semiconductor puro va a significar la aparición de unos estados
energéticos nuevos en la banda prohibida, no ocupados, muy próximos a la banda de
valencia. A temperatura ambiente todos estos estados se habrán cubierto por electrones
que han saltado de la banda de valencia, creando tantos huecos por cm3 como impurezas
haya por cm3 . En la figura 1.4 se puede observar el diagrama de bandas de energía de
un semiconductor extrínseco de tipo P.
SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO TIPO P
BANDA CONDUCCIÓN
ESTADOS ENERGÉTICOS
NUEVOS, CREADOS POR
LAS IMPUREZAS ACEPTORAS
BANDA VALENCIA
Fig. 1.4
Si ahora el dopado del semiconductor de Si se realiza con átomos de impurezas

pentavalentes, el átomo de impureza en la red de Si tiene cinco electrones para
compartir en los enlaces, cuando se comparten cuatro por cada átomo. El quinto
electrón sobra y saltará fácilmente del átomo convirtiéndose en un electrón libre. Se ha
obtenido un electrón en la banda de conducción sin generar un hueco en la banda
de valencia. Un semiconductor extrínseco de este tipo se denomina semiconductor de
tipo N, y a este tipo de impurezas se las denomina impurezas dadoras.
Desde el punto de vista de la teoría de bandas de energía, la adicción de impurezas

pentavalentes al semiconductor puro de Si va a significar la aparición de unos estados
energéticos nuevos en la banda prohibida, y todos ocupados a 0º K, muy próximos a la
banda de conducción. A temperatura ambiente los electrones de estos estados nuevos
habrán saltado a la banda de conducción, apareciendo tantos electrones libres por cm3
como impurezas haya por cm3 . En la figura 1.5 se puede observar el diagrama de
bandas de energía de un semiconductor extrínseco de tipo N.

Curso 03-04 Tema 1
SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO TIPO N
BANDA CONDUCCIÓN
ESTADOS ENERGÉTICOS
NUEVOS, CREADOS POR
LAS IMPUREZAS DADORAS
BANDA VALENCIA
Fig. 1.5
El nivel de dopado de los semiconductores extrínsecos suele estar entre 108 y 106
átomos de semiconductor por cada átomo de impureza. A pesar de que la proporción de
impurezas es pequeña, se verá que la resistividad del material cambia fuertemente.
Tomando el nivel más bajo de dopado, 1 átomo de impurezas dadoras cada 108 átomos
de silicio, y calculando nuevamente la resistencia de un hilo de 1 cm de longitud y 1
mm2 de sección, de este material de tipo N.
La resistividad del material es ahora de 9,62 Ω cm, luego la resistencia del hilo será:
l 1
R= ρ = 9,62 − 2 = 962 Ω (1-5)
s 10
Evidentemente las cosas han cambiado radicalmente. La razón de que la resistividad

haya bajado tanto es que a temperatura ambiente la concentración de electrones en la
banda de conducción es ahora prácticamente igual a la de impurezas, por tanto:
5 10 22
n= 8
= 5 1014 electrones cm − 3 (1-6)
10
Mientras que el Si puro a temperatura ambiente tiene tan solo 1,45 1010 electrones cm-3
en la banda de conducción.
En la construcción de los dispositivos electrónicos se usarán semiconductores

extrínsecos, tanto de tipo P como de tipo N.

Tema 1 Curso 03-04
1.3. Ley de acción de masas.
En un semiconductor intrínseco la concentración de ambos tipos de portadores libres,

electrones y huecos, es la misma:
n = p = ni (1-7)
donde ni es función de la temperatura. Por tanto:
ni 2 = n p (1-8)
La ley de acción de masas dice que esta expresión se cumple también para un
semiconductor extrínseco. Dicha ley se demostrará posteriormente, al final del tema.
Es importante analizar que implicaciones tiene esta ley en un semiconductor extrínseco.

Denominando NA a la concentración de impurezas aceptoras en el semiconductor, y ND
a la concentración de impurezas dadoras en el mismo. La conservación de la carga
eléctrica lleva a que en cada elemento de volumen del semiconductor se ha de cumplir
la expresión:
ND + p = NA + n (1-9)
En un semiconductor tipo N solo hay impurezas dadoras, NA = 0, por tanto:
ND + p = n (1-10)
A temperatura ambiente, supuestas todas las impurezas dadoras ionizadas, y para los
valores habituales de dopado de un semiconductor extrínseco se cumple:
ND >> p (1-11)
por tanto:
ND = n y n >> p (1-12)
En un semiconductor extrínseco de tipo N se cumple que la concentración de

electrones en la banda de conducción es mucho mayor que la de huecos en la banda de
valencia. En este semiconductor se dice que los electrones son los portadores

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mayoritarios y los huecos los portadores minoritarios, y a las concentraciones se les

pone el subíndice del tipo de semiconductor: nn y pn .
De la ley de acción de masas se deduce que en un semiconductor tipo N:
n2i n2
pn = = i (1-13)
nn N D
En un semiconductor extrínseco de tipo P pasa algo similar pero cambiando el tipo de

impurezas, por tanto ahora los portadores mayoritarios serán los huecos, su
concentración será igual a la de impurezas aceptoras NA, y los portadores minoritarios
serán los electrones.
NA = p y p >> n (1-14)
Para indicar el tipo de semiconductor a las concentraciones de portadores se les pone el

subíndice del tipo, en este caso p. Igualmente de la ley de acción de masas se deduce
que la concentración de portadores minoritarios es:
n2i n2
np = = i (1-15)
pp N A
1.4. Semiconductor extrínseco, movilidad de los portadores de carga:

conductividad.
Si se aplica un campo eléctrico en el seno de un material semiconductor, los portadores

libres de carga, electrones en la banda de conducción y huecos en la banda de valencia,
sufrirán una aceleración debida a la fuerza que el campo eléctrico ejerce sobre ellos
ganando velocidad hasta que chocan con la red y son frenados, pero nuevamente son
acelerados hasta el siguiente choque. Este proceso da como resultado que los portadores
se mueven con una velocidad promedio, vn los electrones y vp los huecos tal que se
cumple:
vn = µn E y vp = µ p E (1-16)
donde µ n es la movilidad de los electrones y µ p es la movilidad de los huecos. Supuesto

que las concentraciones de portadores libres de carga en el material semiconductor son
n electrones por cm3 y p huecos por cm3 , la densidad de corriente será:
J = q n vn + q p vp = q (nµ n + pµ p) E = σ E (1-17)

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Donde q es la carga de un electrón y σ es la conductividad del material, σ es la inversa

de la resistividad ρ (σ = 1/ρ).
La movilidad es independiente del campo eléctrico para valores de éste menores de 103
V cm-1 , varía con E-1/2 para 103 V cm-1 < E < 104 V cm-1 , y para valores de E superiores
empieza a variar inversamente con el campo eléctrico alcanzando los electrones una
velocidad máxima de saturación del orden de 107 cm s-1 .
La movilidad lógicamente disminuye con la temperatura, a mayor temperatura mayor

vibración en la red y mayor probabilidad de choques, variando en proporción a T-m
donde para el Si m vale 2,5 para los electrones y 2,7 para los huecos.
A temperatura ambiente, 300º K, en el Si µ n = 1300 cm2 V-1 s -1 y µ p = 500 cm2 V-1 s-1 .
La conductividad en un material semiconductor intrínseco aumenta con la temperatura

ya que el aumento de ni es mayor que la disminución de las movilidades. Para un
semiconductor extrínseco, en un entorno amplio de la temperatura ambiente, como la
concentración de portadores mayoritarios no varía apreciablemente la conductividad
disminuye con la movilidad.
Dado que la resistividad es el inverso de la conductividad:
1
ρ= (1-18)
q ( µn n + µ pp)
Se propone utilizar la expresión previa para confirmar los valores de la resistividad del
Si, a temperatura ambiente, que se ha utilizado en el apartado 1.2 del tema, en los casos:
Si puro y Si dopado con impurezas dadoras en la proporción 1 átomo de impurezas cada
108 de Si.
1.5 Creación y recombinación de pares.
A partir de la estadística de Fermi-Dirac y de la densidad de estados permitidos en las

bandas de valencia y conducción, se obtiene que el cuadrado de la concentración de
pares electrón-hueco que se han generado por la temperatura en un semiconductor
extrínseco es:
− EG0
n 2i = A 0 T3 e kT (1-19)
Pero esta concentración de portadores es fruto de un proceso dinámico constante de

generación de pares y de su recombinación.
Si se toma una barra de un semiconductor extrínseco de tipo N, en el equilibrio

térmico las concentraciones de portadores libres de carga serán nn0 y pn0 , y cumplirán la
relación:

Curso 03-04 Tema 1
ni 2 = nn0 pn0 (1-20)
Si ahora se ilumina la barra semiconductora con una luz tal que su longitud de onda sea
capaz de generar pares electrón-hueco, las concentraciones nn0 y pn0 pasarán a ser nn y
pn , donde:
nn - nn0 = pn - pn0 (1-21)
Admitiendo la suposición de que la intensidad de la luz es de una magnitud que sólo

desequilibra apreciablemente la concentración que existía de portadores minoritarios
pn0 , lo cual es bastante lógico ya que inicialmente nn0 >> pn0 . Una vez que cese la
excitación luminosa la vuelta al estado de equilibrio de la concentración de huecos
estará regulada por la velocidad de recombinación de éstos que será proporcional a su
concentración y a un parámetro que se denomina vida media τ p:
Velocidad de decrecimiento de la concentración de huecos = pn /τ p
Pero a la vez nuevos pares de electrón-hueco se están generando por efecto de la

temperatura. Llamando g a dicha velocidad de generación de pares, la ecuación que rige
la vuelta a la concentración de equilibrio será:
dp n p
= g− n (1-22)
dt τp
Cuando se haya alcanzado el equilibrio:
dp n p
= 0 ⇒ g = n0 (1-23)
dt τp
Por tanto:
dp n p − pn p'
= n0 =− n
dt τp τp
(1-24)
−t −t
p'n (t ) = p'n (0 ) e ( p n (0 ) − pn0 ) e
τp τp
=
donde p'n (t) es el exceso de la concentración de huecos respecto a la concentración en

el equilibrio en el instante t.

Tema 1 Curso 03-04
1.6. Difusión de portado res en un semiconductor graduado.
Supuesto un semiconductor extrínseco de tipo P con una concentración de impurezas

NA graduada según el eje X de modo que de lugar a un gradiente de la concentración de
huecos dp/dx. Por agitación térmica se producirá una difusión de huecos en el sentido
opuesto a dp/dx, dando lugar a una densidad de corriente de huecos:
dp
J p = − qD p (1-25)
dx
donde Dp es la constante de difusión de los huecos.
Tanto la movilidad como la constante de difusión son constantes de un mismo

fenómeno estadístico y no serán independientes cumpliendo la relación:
Dp Dn kT T
= = VT = = V (1-26)
µp µn q 11600
La expresión 1-26 se denomina relación de Einstein. A 300º K VT vale 25,86 mV. Esta
constante será muy usada en los temas posteriores y se suele redondear su valor por 25
o 26 mV para temperatura ambiente.
Por tanto en un semiconductor extrínseco pueden coexistir corrientes de difusión, si

existe gradiente en la concentración de portadores, y corrientes de desplazamiento si
existe gradie nte de potencial. La densidad de corriente total de huecos y electrones
tomará en general la expresión:
dp
J p = qµ ppE − qD p
dx
(1-27)
dn
J n = qµ nnE + qDn
dx
1.7. La ecuación de continuidad.
Supuesto un material semiconductor en el que se ha alterado el equilibrio de la

concentración de portadores en la dirección del eje X, y tomando un elemento de
volumen de sección A y espesor dx en el que la concentración media de huecos es p en
el instante t, tal que la corriente de huecos que penetra por la sección A izquierda es Ip y
la corriente de huecos que lo abandona por la sección derecha A es Ip+dI p,, figura 1.6.

Curso 03-04 Tema 1
Ip Ip+dIp
x x+dx
Fig. 1.6
El número de huecos que abandonan el volumen por segundo será:
dI p
(1-28)
q
y la disminución de huecos por unidad de tiempo y unidad de volumen:
1 1 dJ p
dI p = (1-29)
qAdx q dx
Pero en el elemento de volumen se están recombinando huecos con una velocidad p/τ p y
generando con una velocidad p0 /τ p, por unidad de volumen. De la conservación de la
carga se deduce la expresión:
∂p p − p 1 ∂J p
= 0 − (1-30)
∂t τp q ∂x
La expresión obtenida es lo que se denomina ecuación de continuidad.
1.8. Inyección de portadores minoritarios en un semiconductor extrínseco.
Sea una barra fina y homogénea de un semiconductor extrínseco de tipo N que se

ilumina permanentemente un extremo con un haz de luz de longitud de onda tal que sus
fotones generan en dicho extremo pares electrón-hueco. Imponiendo la condición de
que la velocidad de generación de dichos pares adicionales cumple que la concentración
de portadores minoritarios pn siguen siendo despreciable frente a la concentración de
portadores mayoritarios nn

Tema 1 Curso 03-04
pn = pn ' + pn0 << nn (1-31)
Como se ha creado un gradiente de concentración de portadores, aparecerán corrientes

de difusión y desplazamiento, siendo la corriente de desplazamiento de los portadores
minoritarios, huecos, no así la de los mayoritarios, electrones, despreciable frente a la
corriente de difusión de éstos, como se justificará posteriorment e.
Una vez alcanzado el equilibrio, y de la ecuación de continuidad:
∂pn p − pn 1 ∂J p
= 0 = n0 − (1-32)
∂t τp q ∂x
puesto que la corriente de desplazamiento de huecos se ha supuesto despreciable frente

a la de difusión, la densidad de corriente de huecos será:
dp n
J p = − qD p (1-33)
dx
Sustituyendo en la ecuación de continuidad:
d 2p n p − pn p n − pn 0
= − n0 = (1-34)
dx 2
Dp τp D pτ p
introduciendo la constante, se obtiene:
d 2p n ' p'
2
= 2n (1-35)
dx Lp
La solución de la ecuación 1-35 es del tipo:
−x x
p'n (x ) = K 1 e
Lp Lp
+ K2 e (1-36)

Curso 03-04 Tema 1
Por condiciones de contorno K2 es cero, ya que si no en un extremo suficientemente

alejado el exceso de la concentración de huecos tendería a infinito. Por tanto:
− x
p'n (x ) = p'n (0) e
Lp
(1-37)
Luego el exceso de la concentració n de portadores minoritarios pn ' decrece a lo largo de

la barra exponencialmente. Si la sección de la barra es A la intensidad de la corriente de
huecos será:
dp n (x )
I p (x ) = A J p (x ) = − AqD p (1-38)
dx
Admitiendo la hipótesis de neutralidad eléctrica en cada elemento de volumen del

material:
nn ' = pn '
n n − n n 0 = p n − p n0 (1-39)
dn n dp n
=
dx dx
Luego la corriente de difusión de los electrones:
dn n ( x ) dp ( x)
I n ( x) = AqD n = AqD n n
dx dx
(1-40)
Dn
I n ( x) = − I p ( x)
Dp
Dado que el circuito está abierto la corriente total debe ser cero, y por otra parte
Dn /D p≅3. Por tanto debe existir una corriente de desplazamiento de electrones Ind(x), tal
que:
I p (x) + In (x) + I n d(x) = 0 (1-41)

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Despejando en la expresión 1-41 Ind(x) :
D 
I n d( x ) =  n − 1 I p ( x) (1-42)
 Dp 
 
Lógicamente la corriente de desplazamiento la ha generado un campo eléctrico que se

ha creado en la barra:
J n d ( x) 1  Dn 
E( x) = =  − 1 I p ( x ) (1-43)
σn A q n n ( x ) µ n  Dp 

Para acabar este apartado se probará que la hipótesis inicial I pd (x) << I p (x) es cierta:
A q p n (x) µ p  Dn 
I pd (x) = A σp E(x) =  − 1  I p (x) (1-44)
A q n n (x) µ n  D p 

Como pn (x) << nn (x) se cumple que Ipd(x) << Ip(x). Luego la corriente de portadores
minoritarios, en estas condiciones, es esencialmente una corriente de difusión. Es
decir si en un semiconductor extrínseco se inyectan portadores adicionales la
corriente de portadores minoritarios será mayoritariamente por difusión. Este
resultado, como se verá en temas posteriores es de gran importancia.
1.9. Variación de potencial en un semiconductor graduado.
Sea una barra de un semiconductor de tipo P, cuya concentración de impurezas

aceptoras está graduada según el eje longitudinal x.
En el equilibrio y sin excitación externa, en todos los puntos de la barra semiconductora

la corriente de cada tipo de portadores debe ser nula. Existirá por tanto una corriente de
desplazamiento igual y de sentido contrario a la de difusión y por tanto un campo
eléctrico en la barra. La corriente total de ambos tipos de portadores ha de ser nula:
dp p 0 ( x )
J p ( x) = q µ p p p 0 ( x) E ( x) − q D p = 0
dx
(1-45)
dn p 0 ( x)
J n ( x) = q µ n n p 0 ( x) E ( x) + q D n = 0
dx

Curso 03-04 Tema 1
Despejando E(x) de la primera ecuación se obtiene:
Dp dp p0 ( x ) VT dp p0 ( x )
E( x) = = (1-46)
µ pp p0 ( x) dx p p0 ( x) dx
Como en la barra se supone simetría axial sobre el eje longitudinal X:
dV ( x)
− = E( x)
dx
(1-47)
dp p0 ( x)
dV ( x ) = − VT
pp 0 ( x )
Por tanto la diferencia de potencial entre dos puntos a y b de la barra será:
pp 0 (a )
Vba = VT ln (1-48)
p p0 ( b )
La relación de la concentración de huecos entre ambos puntos de la barra será:
Vba
pp 0 (a ) = pp 0 ( b) e VT
(1-49)
La diferencia de potencial entre dos puntos de la barra en función de la concentración de

portadores minoritarios, electrones, a partir de la corriente total de éstos da como
resultado la expresión:
n p0 (a )
Vba = − VT ln (1-50)
n p 0 ( b)
La concentración de electrones entre ambos puntos de la barra cumple la relación:
V
− ba V
n p 0 ( a) = n p 0 ( b) e T
(1-51)

Tema 1 Curso 03-04
Si se multiplica la igualdad que relaciona la concentración de huecos entre dos puntos

de la barra por la correspondiente de huecos, se obtiene:
np0 (a) pp0 (a) = np0 (b) pp0 (b) = ni 2 (1-52)
Lo que se ha obtenido es la demostración de la ley de acción de masas, ya que se

cumplirá para cualquier nivel y tipo de dopado en la barra. En general esta ley se
expresa como que en cada punto de una barra semiconductora en equilibrio se cumple:
n p = ni 2 (1-53)

Curso 03-04 Tema 1
PROBLEMAS
1. Una barra de silicio intrínseco tiene 10 mm de longitud y una sección cuadrada

de 40x40 micras. Determinar la intensidad del campo eléctrico en la barra y la
diferencia de potencial entre sus extremos cuando circula por ella una corriente
de 2 µA y la temperatura es de 300º K.
(A 300ºK en el silicio: ni = 1,45 1010 cm-3 , µn = 1300 cm2 /Vs, µ p = 500 cm2 /Vs)
Resultados: E = 29.933 V/cm V = 29.933 V
Puesto que:
J=σ E y V=lE
Para obtener E y posteriormente V, se calcula la conductividad y la densidad de

corriente en la barra:
σ = q (µn n + µ p p) = q ni (µn + µ p) = 1,6 10-19 1,45 1010 (1300 + 500) Ω -1 cm-1 =
= 4,176 10-6 Ω -1 cm-1
I 2 10− 6 A 1
J = = −8 2
= A cm − 2
S 1600 10 cm 8
J 0,125 A cm −2
E= = = 29.933 V cm −1
σ 4,176 10− 6 Ω −1cm −1
V = l E = 29.933 V
2. Dado un semiconductor extrínseco, obtener la expresión que relaciona las

concentraciones de electrones (n) y huecos (p) con la concentración de
impurezas dadoras ND e impurezas aceptoras NA, y las concentraciones de
electrones y huecos (ni ) que tendría el semiconductor si fueran nulas las
concentraciones de impurezas.
La ley de acción de masas, da la relación:
n p = n 2i
n = concentración de electrones en la banda de conducción en un semiconductor

extrínseco
p = concentración de huecos en la banda de valencia en un semiconductor extrínseco
ni = concentración de electrones en la banda de conducción o de huecos en la banda de
valencia en un semiconductor intrínseco.

Tema 1 Curso 03-04
La neutralidad eléctrica en cualquier elemento de volumen de un semiconductor

extrínseco implica que se cumpla la expresión:
n + NA = p + ND
NA = concentración de impurezas aceptoras

ND = concentración de impurezas dadoras
Despejando p en la última expresión y sustituyéndola en la expresión de la ley de acción

de masas se obtiene:
n (n + (N A − N D )) = n 2i
n 2 + n (N A − N D ) − n 2i = 0
La ecuación de segundo grado previa tiene como soluciones:
2
 N − NA   ND − NA 
n= D ±   + n 2i
 2   2 
de las cuales solo es físicamente posible la solución:
2
 N − NA   ND − NA 
n= D +   + n 2i
 2   2 
Este último paso se deja como ejercicio al alumno.
De igual forma se obtiene para la concentración de hue cos la expresión:
2
 N − ND   NA − ND 
p= A +   + n 2i
 2   2 

Curso 03-04 Tema 1
Para un semiconductor extrínseco de tipo N (N D ≠ 0 y NA = 0):
2 2
N   ND  N   ND 
nn =  D  +   + n 2i pn = −  D  +   + n 2i
 2   2   2   2 
Para un semiconductor extrínseco de tipo P (N A ≠ 0 y ND = 0):
2 2
N   NA  N   NA 
pp =  A  +   + n 2i np = −  A  +   + n i2
 2   2   2   2 
3. Si la concentración de átomos en la muestra de silicio es de 5 1022 cm-3 . Repetir

el problema 1º si ahora se dopa el semiconductor con impurezas donadoras en
la proporción de un átomo de impureza por cada 108 átomos de silicio.
Resultados: E = 1,25 V/cm V = 1,25 V
Ahora la conductividad vendrá dada por los conductores mayoritarios n, ya que pn <<
nn , y esta última se puede aproximar por la concentración de impurezas ya que:
5 10 22
ND = 8
= 5 1014 >> n i = 1,45 10 10
10
Por tanto:
σ = q (µn nn + µ p pn ) = q nn µ n = 1,6 10-19 5 1014 1300 Ω -1 cm-1 = 0,1 Ω -1 cm-1
y la densidad de corriente será la misma:
I 2 10− 6 A 1
J = = −8 2
= A cm − 2
S 1600 10 cm 8
Sustituyendo J y σ:
J 0,125 A cm − 2
E= = = 1,25 V cm −1
σ 0,1 Ω − 1cm − 1
V = l E = 1,25 V

Tema 1 Curso 03-04
4. En el gráfico de la figura anexa se da la

variación de ni con la temperatura (T), de tres
semiconductores (Ge , Si y Ga As ). Utiliza dicha
gráfica y las expresiones de nn y pn obtenidas
en el problema 2º para obtener las
concentraciones electrones y huecos a 400 ºK
en el semiconductor del problema anterior.
Resultados: nn = 5 1014 cm-3 pn = 8 109 cm-3
De la gráfica se obtiene que a 400 ºK:
ni ≈ 2 1012 cm-3
La concentración de impurezas dadoras del

problema anterior era 5 1014 cm-3 . Sustituyendo en
las expresiones de nn y pn del problema 2º, resulta:
2
 5 1014 
n n =  +

 5 10 14 
 
 2  + 2 10 (
12
)
2
 2   
= 2,5 1014 + 6, 25 10 28 + 4 10 24
= 2,5 1014 + 2,50008 1014 = 5 10 14 cm −3
= ND
2
 5 1014 
pn = − 
 2 
+
 5 10 14 

 2 
(
 + 2 1012 )
2
= − 2,5 10 14 + 2,50008 10 14 = 8 10 9 cm − 3
   
La concentración de portadores minoritarios, pn , se podía haber obtenido directamente

de la expresión de la ley de acción de masas:
n n p n = n 2i
pn =
n 2i
=
(
2 10 12
=
)2
4 10 24
= 8 10 9 cm − 3
nn 5 1014 5 10 14

Curso 03-04 Tema 1
5. Determinar el nivel de dopado de un semiconductor tipo P de Si, si una barra de

10 cm de longitud y sección 1 mm2 a temperatura ambiente tiene una resistencia
de 100 Ω .
Resultado: 4 105 átomos de Si por cada átomo de impurezas
Se calcula en primer lugar la conductividad de la barra:
1 l 10 cm
σ = = = −2
= 10 Ω − 1 cm − 1
ρ Rs 100 10 Ω cm 2
Como la barra semiconductora es de tipo P se cumple:
σ = q (µn np + µ p pp) = q pp µ p
Por tanto despejando pp :
σ 10 Ω −1 cm −1
pp = = −19 −1 − 1
= 1, 25 1017 hue cos cm − 3
q µp 1,6 10 C 500 cm V s 2
La concentración de huecos obtenida será la concentración existente de impurezas

aceptoras NA. Puesto que la concentración de átomos de Si es 5 1022 átomos por cm3 , el
nivel de dopado será de:
5 1022 / 1,25 1017 = 4 105 átomos de Si por cada átomo de impurezas


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LIC.

TEMA 1. PROCESOS DE CONDUCCIÓN EN SEMICONDUCTORES.

El desarrollo de la Electrónica actual se fundamenta en el uso de diferentes dispositivos

1.1. Teoría de bandas de energía de los cristales.

Lo primero que se tratará de comprender es cómo es posible que diferentes materiales,

Elem. Nº e - ESTRUCTURA POR CAPAS

Ge 32 1s 2 2s2 p6 3s2 p6 d10 4s2 p2

Sn 50 1s 2 2s2 p6 3s2 p6 d10 4s2 p6 d10 5s 2 p2

Pb 82 1s 2 2s2 p6 3s2 p6 d10 4s2 p6 d10 f14 5s 2 p6 d10 6s2 p2

El carbono en su forma cristalina como diamante es un aislante, las formas cristalinas

Si se supone un átomo aislado de Si, la resolución de la ecuación de Schrödinger para

F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA 1

Reduciendo paulatinamente la distancia entre los átomos llegará un momento en que la

Lo que ha ocurrido es que de N átomos individuales se ha pasado a un sistema

2 F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA

Si se sigue reduciendo la distancia entre los átomos en la red cristalina, la interacción

En dicha gráfica, en el eje X se representa la distancia entre átomos en la red, y en el eje

En los semiconductores Si y Ge cada electrón que salta de la banda de valencia a la

F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA 3

La paradoja del grafito, es de suponer que después de lo anteriormente expuesto habrá

1.2. Semiconductores: intrínsecos y extrínsecos.

Cuando se estableció en el apartado anterior la diferencia entre aislante y

Pero decir que en un semiconductor a temperatura ambiente el número de electrones

El Si tiene una densidad de 2,33 g/cm3 y un peso atómico de 28,1. Utilizando el

4 F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA

En donde A0 es una constante, k es la constante Boltzman y EG0 es la anchura de la

EGT = 1,21 - 3,6 10-4 T eV (1-3)

En el Si a 300º K ni = 1,5 1010 átomos/cm3 , es decir que aproximadamente cada 3 1012

Estas concentraciones de portadores de carga libres, para conducir la corriente eléctrica,

El resultado obtenido muestra claramente que el Si puro no es buen conductor. Si se

Cuando se usa un material de un semiconductor puro se dice que el semiconductor es

Se plantea a continuación qué ocurre cuando se dopa el Si con átomos trivalentes,

F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA 5

banda de conducción. Un semiconductor extrínseco de este tipo se denomina

Desde el punto de vista de la teoría de bandas de energía, la adicción de impurezas

SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO TIPO P

Si ahora el dopado del semiconductor de Si se realiza con átomos de impurezas

Desde el punto de vista de la teoría de bandas de energía, la adicción de impurezas

6 F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA

SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO TIPO N

Evidentemente las cosas han cambiado radicalmente. La razón de que la resistividad

En la construcción de los dispositivos electrónicos se usarán semiconductores

F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA 7

1.3. Ley de acción de masas.

En un semiconductor intrínseco la concentración de ambos tipos de portadores libres,

donde ni es función de la temperatura. Por tanto:

Es importante analizar que implicaciones tiene esta ley en un semiconductor extrínseco.

En un semiconductor tipo N solo hay impurezas dadoras, NA = 0, por tanto:

En un semiconductor extrínseco de tipo N se cumple que la concentración de

8 F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA

mayoritarios y los huecos los portadores minoritarios, y a las concentraciones se les

De la ley de acción de masas se deduce que en un semiconductor tipo N:

En un semiconductor extrínseco de tipo P pasa algo similar pero cambiando el tipo de

Para indicar el tipo de semiconductor a las concentraciones de portadores se les pone el

1.4. Semiconductor extrínseco, movilidad de los portadores de carga:

Si se aplica un campo eléctrico en el seno de un material semiconductor, los portadores

donde µ n es la movilidad de los electrones y µ p es la movilidad de los huecos. Supuesto

F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICA 9

Donde q es la carga de un electrón y σ es la conductividad del material, σ es la inversa

La movilidad lógicamente disminuye con la temperatura, a mayor temperatura mayor

La conductividad en un material semiconductor intrínseco aumenta con la temperatura

Dado que la resistividad es el inverso de la conductividad:

1.5 Creación y recombinación de pares.