Laboratorio III.

 De Comunicaciones Analógicas­ Docente Fernando Cancino

AMPLIFICADOR DE RF PEQUEÑA SEÑAL

Universidad Francisco José de Caldas

Facultad De Ingeniería
Bogotá D.C
Laboratorio N°3 Comunicaciones Analógicas­ Docente Fernando Cancino
Abstract ----The following lab report will present
the analysis of the results obtained with the Smith
Letter coupling design for a 50Ω impedance of the
source at a load of 300Ω in parallel with a
capacitor of 100pf at the working frequency of
100 MHz and perform a frequency scan from 8
MHz up to 12 MHz, establishing the range of the
reflected wave for this circuit, taking into account
for these measurements the value of the
resonance frequency found by the generator and
the oscilloscope.
Keywords-- Coupled, admittance, Smith Letter,
resonance frequency, impedance, Reflected Wave
Resumen--- En el siguiente informe de
laboratorio se presentará el análisis de los
resultados obtenidos al realizar el Diseño de un
amplificador de RF pequeña señal empleando un
transistor comercial 2N3600 donde se conocen
los parámetros “y” con fuente de alimentación
de +15 volts., impedancias de entrada y salida de
50 , montaje: Emisor Común, frecuencia de
operación de1 0 MHz, polarización según datos
del fabricante. Señal de entrada 1 mVoltio pico y
Ganancia en voltaje del orden de 100 en
magnitud. Inicialmente con factor de calidad
mayor que 1 el cual se le aplica el proceso de
neutralización obteniendo un nuevo factor de
estabilidad igual a 0.
Palabras claves--- Red de Acople, Puerto de
entrada y salida, Red de polarización, frecuencia
de resonancia, impedancia, Onda Reflejada.
I. INTRODUCCIÓN
Para asegurar la confiabilidad de un amplificador
de RF, se debe prestar suma atención a las
especificaciones del transistor a utilizar, tales como
voltajes y corrientes máximos de Base (Compuerta)
y Coletor (Drenador), temperatura de unión
máxima y condiciones de operación que conduzcan
a la ruptura secundaria en los BJT"s o FET`s. Las
especificaciones de corriente y pico de voltaje es
evidente, se debe observar con todo cuidado de que
manera la especificación dada se relaciona con
otras condiciones de circuito, como polarización de
base. La ruptura secundaria se origina por el valor
excesivo del producto instantáneo de voltaje y
corriente del colector dando lugar a un incontrolado
calentamiento en las uniones del transistor que
pueden producir su daño.[1]
Para no llegar a ese desenlace, los fabricantes de
transistores, ofrecen al usuario
un manual (datasheet) donde ofrecen los
valores mínimos, típicos y máximos de estos
dispositivos.
objetivo principal de esta práctica de laboratorio fue
diseñar e implementar un amplificador de RF
pequeña señal, sintonizado a una frecuencia de
trabajo y un ancho de banda a partir de las
especificaciones dadas por el fabricante del
dispositivo mediante los parámetros “y”.
II. MARCO TEORICO
Amplificadores RF
Los amplificadores de RF son sencillamente
dispositivos en los que se tienen en cuenta
parámetros que incrementan proporcionalmente con
la frecuencia y que influyen en la respuesta del
mismo con el tiempo, estos dispositivos son
importantes para poder analizar fenómenos y
utilizarlos a más grande escala.
Estos amplificadores por lo general son
proyectados con transistores FET como su
componente activo, los transistores BJT pueden ser
usados, pero se prefieren los FET por su alta
impedancia de entrada, lo que mejora mucho la
sensibilidad del circuito. Los amplificadores de
poder de RF son las últimas etapas activas antes de
la antena de transmisión. Suministran toda la
amplificación de potencia necesaria para radiar la
señal de RF al espacio.
Funciones de los amplificadores RF.
El amplificador de radiofrecuencia, cumple
dos funciones:
 Elevar el nivel de la portadora generada
por el oscilador.
 Servir como amplificador separador para
asegurar que el oscilador no es afectado por
variaciones de tensión o impedancia en las
etapas de potencia.
Existen etapas amplificadoras de RF, estas
etapas de un transistor amplifican la señal de RF a
un nivel suficientemente elevado para operar la
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antena. Las etapas más comunes amplificadoras son

dos tipos:
Los amplificadores de voltaje y los amplificadores
de poder. Los amplificadores de voltaje preceden a
los amplificadores de poder y generalmente
sirven para un doble propósito:
 Aíslan o amortiguan la fuente de RF del yi = Admitancia de entrada de Corto Circuito
amplificador de poder para impedir que el yr = Admitancia de transferencia inversa de C. C.
último cargue al primero.
yf = Admitancia de transferencia directa de C.C.
 Suministran una amplificación de voltaje
para operar el amplificador de poder. yo = Admitancia de salida de C.C.
Generalmente los amplificadores de voltaje a. Factor de estabilidad de Linvill:
operan como amplificadores de clase A debido (Bajo condiciones hipotéticas: sin
a que la linearidad es un factor importante en el fuente y sin carga)
propósito para el que sirven.
Transistor equivalente en configuración emisor.
Común (modelo híbrido pi): y r=Admitancia de transferencia inversa

| y r y f|
C=
2 gi g 0−ℜ ( y r y f )
y f =¿
Admitancia de transferencia  direct a
gi=¿ Conductancia de entrada.
go=¿ Conductancia de salida.
Circuito equivalente incluyendo inductancia • Si C es menor que 1 es transistor es
adelante: incondicionalmente estable en el punto de
polarización escogido.
• Si C es mayor que 1 es transistor es
potencialmente inestable.
• Si C =1, el dispositivo es críticamente
estable.

III. METODOLOGÍA EXPERIMENTAL

A. Materiales
Parámetros Y.
 Generador de señales PeakTech 1014
Son usados para caracterizar el comportamiento de
 Osciloscopio
un transistor en ciertas frecuencias y puntos de
polarización.  Baquelita
 Resistencia de 300Ω
 Condensadores variables de 100pf
 Bobina variable de 1uH
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Los parámetros Y según la consulta en el datasheet

B. Procedimiento: son:

Y i=2.5+ 0.2 jms

Diseñar un amplificador de RF pequeña señal
empleando un transistor comercial donde se
conocen los parámetros “y” con fuente de Y o=0.1+ 0.1 jms
alimentación de +15 volts., impedancias de entrada
y salida de 50 , montaje: Emisor Común,
frecuencia de operación de10 MHz, polarización Y f =100+20 j ms
según datos del fabricante. Señal de entrada 1
mVoltio pico y Ganancia en voltaje del orden de
Y r =0+0.2 j ms
100 en magnitud.

 Diseñar el amplificador con las especificaciones 1) Cálculo del factor de estabilidad de Linvill
dadas (Estabilidad, Redes de acople de entrada y de
salida, circuito de polarización, circuito final). |Y f Y r|
C=
2 gi g o−ℜ [ Y f Y r ]

 Montar el circuito sobre una baquelita 20.39

C=
2∗0.5∗0−(−4)

C=5.09>1 Dispositivo potenciamente inestable

 Conectar un generador a la frecuencia de 10 MHz
y 1VPP empleando una carga de 50  y Medir la ℜ [ Y r ] =0 , da lo
2) Debido a que el
tensión pico de entrada y de salida.
mismo neutralizar que unilaterizar.

Entonces La Unilateralizando:

 Establecer si se presenta onda reflejada.

Condendensador
Y N =Y r =0.2 j mmho ¿ )

−1
0.2 mΩ

C. Diseño y Medidas realizadas: 0.2 mΩ−1 0.2 mΩ −1

c= = =3.18 pF
2 πf 2 π (10 x 10 6)
Escogemos el Transistor 2N3600 y trabajamos con
las siguientes características de un Vcc=15V,
Zs=Z L =650 Ω configuración en Emisor 3) Parametros Compuestos
Común. f=10MHz, Señal de entrada = 1mVp, Av=
100, Ic= 5mA,, Vce= 10V. −1 −1
Y rf =Y of =0.2 j m Ω ; Y rf =Y ff =−0.2 j mΩ
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Y ic =Y rt +Y of =2.5+0.2 j+0.2 j=2.5+ 0.4 j m Ω−1 B 0.74 Ω−1

C P= = =117.7 pF
wN 2 π (10 x 106)(100)
−1
Y oc =Y ot +Y of =0.1+0.1 j +0.2 j=0.1+0.3 jm Ω 7) Red de acople de Salida:

Y fc =Y ft +Y ff =100+20 j−0.2 j=100+19.8 jm Ω−1 Y L =( 0.1+ 0.3 j mΩ −1 ) ( 100 )=0.01+0.03 j Ω−1

50
Y ic =Y rt +Y of =2.5+0.2 j+0.2 j=2.5+ 0.4 j m Ω
−1 Z L= =0.5 Ω
100

4) Máxima Ganancia Disponible Los valores leídos de la carta de Smith nos da:

|Y fc| |100+19.8 j| X LP=0.44 Ω

−1

MAG= =
4 g ic g oc 4 x 2.5 x 0.1 X CS =2.5 Ω
MAG=100,47
N 100
MAG dB=10 log ( MAG )=20 dB LP = = =3.6 μH
wB 2 π (10 x 106 )(0.44)
5) Calculamos ahora el nuevo factor de
Estabilidad.
1 1
C S= = =63.6 pF
|Y fc Y rc| wXN 2 π (10 x 10 )(100)(2.5)
6
C=
2 gic goc −ℜ [ Y fc Y rc ] Red de Polarización:

 Punto de Polarización: Ic= 5mA, Vcc=15V,

|(100+19.8 j)(0)| β=50
C= =0 Vce= 10V,
2 gic goc −ℜ [ Y fc Y rc ]
 V C =V CE +V E=10 v +2.5 v=12.5 v
C<1 Estable Incondicionalmente
 Calculo de R E y RC
6) Diseño de la red de acople de entrada: se
debe acoplar la impedancia de la fuente de V E 2.5
5 a la entrada del transistor R E= = =500 Ω
I E 5 mA
Y s =2.5+0.4 jm Ω−1 V CC −V C 15 v−12.5 v
X LS =1.3 Ω RC = = =500 Ω
IC 5 mA
X CP =0.74 Ω−1  Calculo de R1 y R2.
Usando un N=100 I C 5 Ma
I B= = =0.1 mA
XN β 5
LS = =2.6 μH
w Vth= 3.2V
−1
Y s =(2.5+0.4 j mΩ )(100) = 0.25+0.04j Asumiendo Rth=20K Ω
Ω
−1
Rb1= 23.8K Ω
50 Rb2= 125.263K Ω
Z s= =0.5 Ω
100
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IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS de reducida dimensiones, ya que trabajan

con señales débiles y de alta frecuencia.

 El criterio de estabilidad de Rollet o

también conocido como Rollet Factor es
análogo del criterio de estabilidad de Stern
que utiliza parámetros Y, Rollet utiliza
parámetros S. Este se utiliza para
comprobar la estabilidad incondicional de
un transistor, de manera que nos dice que
un transistor es incondicionalmente estable
si se cumplen las condiciones necesarias.

BIBLIOGRAFIA
[1] Pr. Héctor Fernando Cancino de Greiff,
Circuitos de Rf y las Comunicaciones
analógicas, página 53.
 WEBGRAFIA
[2] http://escueladeltrabajo.net/telecom3.pdf

[3]http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com
.co/2016/06/resonancia-en-paralelo-y-paralelo-
rlc.html

V. CONCLUSIONES

 El acoplamiento entre amplificadores de

RF aprovecha las características de los
circuitos resonantes paralelos para adaptar
las impedancias. Los transistores RF son