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+
ID IP
IL
RP V
I = IL − ID − IP
e (V + I RS ) V + I RS
I = I L − I 0 exp − 1 −
m k Tcel RP
CURVA CARACTERÍSTICA I‐V
M X N células
Asociación de células y módulos
PVCDROM
Asociación de células y módulos
Asociación de células y módulos
Asociación de células y módulos
e(V + IRS V + IRS
−n
1−δ a V + δ I exp e(VB ) −1
I = I SC − I O exp −1 − V DBP OB
mkT RP Vbr
m kT
B B
• Rp é a resistência paralela da célula (ou do módulo). • IOB é a corrente de saturação reversa do diodo de
bypass.
• m é o fator de idealidade da célula (ou do módulo).
• VB é a tensão do diodo de bypass.
• k é a constante de Boltzmann.
• mB é o fator de idealidade do diodo de bypass.
• T é a temperatura da célula (ou das células dos
módulos). • TB é a temperatura do diodo de bypass.
Accionar el programa
Ejemplos de
Aplicaciones
(programa CREARRAY)
40 40
30 30
T ens ão ( V )
T e ns ã o ( V )
20 20
Tensão ES1
Tensão ES2
Tensão ES3
Tensão ES4
10
Tensão ES5 10
Tensão ES6
Tensão ES7
Tensão ES8
0
0
7 7.2 7.4 7.6 7.8 8
17 17.2 17.4 17.6 17.8 18
Tempo ( h ) Tempo ( h )
40
Tensão ES1
Tensão ES2
Tensão ES3
Tensão ES4
30
Tensão ES5
Tensão ES6
Tensão ( V )
Tensão ES7
Tensão ES8
20
10
0
17 17.2 17.4 17.6 17.8 18
Tempo ( h )
Antes de limpiar
40
30
Tensão ( V )
20 Tensão ES1
Tensão ES2
Tensão ES3
Tensão ES4
10 Tensão ES5
Tensão ES6
Tensão ES7
Tensão ES8
0
0 200 400 600 800 1000 1200
Irradiância ( W / m² )
Después de limpiar
40
30
Tensão ( V )
20 Tensão ES1
Tensão ES2
Tensão ES3
Tensão ES4
10 Tensão ES5
Tensão ES6
Tensão ES7
Tensão ES8
0
0 200 400 600 800 1000 1200
Irradiância ( W / m² )
300 40
250
Tensão ES (Manhã) 30
Tmod - Tamb ( °C )
Tensão ( V )
200 Tensão ES (Tarde)
Tmód - Tamb (Manhã)
Tmód - Tamb (Tarde)
150 20
100
10
50
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200
Irradiância ( W / m² )
26°C
35°C
46°C
48°C
49°C
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