UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Decana de América)

PROFESOR: Ing. Ponce Martínez Luis

CURSO: Dispositivos Electrónicos

INTEGRANTES:

 Carhuarica Aguilar, Carla  17190077

 Guevara Castillo Jose  17190173

 Jose Claudio Peña Sáenz  17190012

 Bedon Justo Cristian  17190246

LIMA – PERÚ
2018

ZSFSDF
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre
sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido
contrario.

En la Figura se muestran el símbolo del funcionamiento del diodo ideal. El sentido

permitido para la corriente es de ánodo (a) a cátodo (k).

El diodo ideal es un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en

un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha
del símbolo de la figura indica el sentido permitido de la corriente.

En forma ideal el diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha en el

símbolo y actuará como un circuito abierto para cualquier intento de establecer la
corriente en cualquiera de las direcciones opuestas.
Así que cuando el voltaje positivo se aplica a través del ánodo al cátodo, el diodo
conduce la corriente delantera inmediatamente. Cuando se aplica voltaje a la inversa, el
diodo no conduce ninguna corriente.
Comportamiento:
Si el diodo está conduciendo. -

 Decimos que está cerrado

 Se comporta como un
cable, 0V(IDEAL)

Si el diodo NO está conduciendo. -

 Decimos que está “abierto”

 Se comporta como un
circuito abierto, 0 A(IDEAL)

Curva característica del diodo ideal:

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta nula al paso de

la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto.
Puede ver que cuando el diodo recibe el voltaje directo, conduce inmediatamente una
cantidad infinita de corriente que puede suministrar a un circuito. Cuando el voltaje
inverso se alimenta al diodo, no conduce ninguna corriente en absoluto, no importa cuán
grande es este voltaje inverso.

Interpretación:
A cualquier nivel de corriente sobre la línea vertical, el voltaje a través del diodo
ideal es de 0 V y la resistencia es de 0 V.
Dado que la corriente es de 0 mA en cualquier parte de la línea horizontal, la
resistencia es de ∞V en cualquier punto del eje.

Por la forma y ubicación de la curva para la unidad comercial en la región de

polarización en directa, habrá una resistencia asociada con el diodo de más de 0 Ω. Sin
embargo, si la resistencia es lo bastante pequeña comparada con los otros resistores de
la red conectados en serie con el diodo, a menudo es una buena aproximación suponer
que la resistencia de la unidad comercial es de 0 Ω.

En la región de polarización en inversa, si suponemos que la corriente de saturación en

inversa es tan pequeña que puede ser aproximada a 0 mA, tenemos la misma
equivalencia de circuito abierto provista por el interruptor abierto.

Características:
Voltaje de Umbral:

Los diodos ideales no tienen un voltaje de umbral. Una vez que se aplica una tensión
directa a través del diodo, conducirá la corriente instantáneamente a través de sus
cruces.
Corriente directa:

Los diodos ideales tienen una corriente directa infinita cuando se aplica una tensión
directa a través de sus terminales. Esto se debe a que, en la condición ideal, la resistencia
interna del diodo sería 0. El diodo no tendría ninguna resistencia interna en absoluto.
Por lo tanto, habría una cantidad infinita de corriente conducida y suministrada a un
circuito con un diodo ideal.

Voltaje de Ruptura:

Los diodos ideales no tienen un voltaje de ruptura. Esto se debe a que los diodos ideales
tienen una resistencia infinita al voltaje invertido. No conducirá ninguna corriente en
absoluto cuando el voltaje se aplique al revés, no importa cuán grande sea el voltaje.

Corriente inversa (fuga):

Dado que un diodo ideal no tiene un punto de ruptura; Nunca produce ninguna
corriente inversa, llamada corriente de fuga. Es un aislador perfecto cuando se aplica
voltaje en sentido inverso.

A medida que el punto de operación de un diodo se mueve de una región a otra, su

resistencia también cambia debido a la forma no lineal de la curva de características. En
los párrafos siguientes demostrará que el tipo de voltaje o señal aplicada definirá el nivel
de resistencia de interés. En esta sección se presentarán tres niveles diferentes, los cuales
volverán a aparecer cuando examinemos otros dispositivos. Es de suma importancia,
por consiguiente, que su determinación se entienda con toda claridad.

Resistencia de CD o estática:
La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor
produce un punto de operación en la curva de características que no cambia con el
tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operación se halla determinando los
niveles correspondientes de VD e ID y aplicando la siguiente ecuación:
Los niveles de resistencia de cd en la rodilla y debajo de ella son mayores que los niveles
de resistencia obtenidos para la sección de levantamiento vertical de las características.
Los niveles de resistencia en la región de polarización en inversa son por naturaleza
bastante altos. Como los óhmetros en general emplean una fuente de corriente
relativamente constante, la resistencia determinada será un nivel de corriente
preestablecido (por lo general de algunos miliamperios).

En general, por consiguiente, cuanto mayor sea la corriente a través de un diodo, menor
será el nivel de resistencia de cd.

Resistencia de CA o dinámica:
Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una de
cd, la situación cambiará por completo. La entrada
variable moverá el punto de operación instantáneo
hacia arriba y hacia abajo de una región de las
características, y por lo tanto define un cambio
específico de la corriente y voltaje.

Sin ninguna señal variable aplicada, el punto de

operación sería el punto Q, determinado por los
niveles de cd aplicados. La designación de punto Q
se deriva de la palabra quiescente, que significa “fijo
o invariable”.

Una línea recta trazada tangente a la curva por el

punto Q como definirá un cambio particular del
voltaje y corriente que se puede utilizar para
determinar la resistencia de ca o dinámica en esta región de las características del diodo.
Se deberá hacer un esfuerzo por mantener el cambio de voltaje y corriente lo más
pequeño posible y equidistante a ambos lados del punto Q.

En forma de ecuación donde indica un cambio finito de la cantidad.

Cuanto más inclinada sea la pendiente, menor será el valor de Vd con el mismo cambio
de Id y menor es la resistencia. La resistencia de ca en la región de levantamiento vertical
de la característica es, por consiguiente, bastante pequeña, en tanto que la resistencia de
ca es mucho más alta con niveles de corriente bajos.

En general, por consiguiente, cuanto más bajo esté el punto de operación (menor
corriente o menor voltaje), más alta es la resistencia de ca.

Determinamos la resistencia dinámica gráficamente, pero hay una definición básica en

el cálculo diferencial que manifiesta que:

La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente

trazada en dicho punto.

Por consiguiente, la ecuación (1.4) se encuentra hallando esencialmente la derivada de

la función en el punto Q de operación. Si determinamos la derivada de la ecuación
general (1.1) para el diodo semiconductor con respecto a la polarización en directa
aplicada y luego invertimos el resultado, obtendremos una ecuación para la resistencia
de ca o dinámica en dicha región. Es decir, si tomamos la derivada de la ecuación (1.1)
con respecto a la polarización aplicada tendremos

Luego aplicamos algunas maniobras básicas de cálculo diferencial. En general, ID>>Is

en la sección de pendiente vertical de las características y
Invirtiendo el resultado para definir una relación de resistencia (R = V/I) se tiene:

(1.5)

La importancia de la ecuación (1.5) debe entenderse con claridad. Implica que la

resistencia dinámica se determina con sólo sustituir el valor quiescente de la corriente
de diodo en la ecuación.

No es necesario disponer de las características o preocuparse de trazar líneas tangentes

como lo define la ecuación (1.4). Es importante tener en cuenta, sin embargo, que la
ecuación (1.5) es precisa sólo con valores de ID en la sección de levantamiento vertical
de la curva. Con valores menores de ID, n=2 (silicio) y el valor de rd obtenido debe
multiplicarse por un factor de 2. Con valores pequeños de ID por debajo de la rodilla de
la curva, la ecuación (1.5) se vuelve inapropiada.

Todos los niveles de resistencia determinados hasta ahora fueron definidos por la unión
p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor propiamente dicho (llamada
resistencia del cuerpo) y la resistencia introducida por la conexión entre el material
semiconductor y el conductor metálico externo (llamada resistencia de contacto). Estos
niveles de resistencia adicionales se pueden incluir en la ecuación (1.5) agregando una
resistencia denotada rB:
CIRCUITO EQUIVALENTE EN EL DIODO
Un circuito equivalente es una combinación de elementos apropiadamente
seleccionados para que representen mejor las características terminales reales de un
dispositivo o sistema en una región de operación particular.

CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL

La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de
coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es
ideal.
 Polarización directa: Es como sustituir un
diodo por un interruptor cerrado.

Quiere decir que la corriente entra por ánodo, donde

el Vd= 0

Entonces:

Vp=RI Donde I>0

Y cabe recalcar que la potencia disipada en el diodo será Pd=Vd*I = 0W

Polarización inversa: Es como sustituir el diodo por un

interruptor abierto.

Vd<0 entonces la corriente será I= 0

CIRCUITO EQUIVALENTE POR SEGMENTOS(Silicio)

Como un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de conducción hasta que
Vd alcanza 0.7 V con una polarización en directa debe aparecer una batería VK opuesta
a la dirección de conducción en el circuito equivalente La batería especifica que el voltaje
a través del dispositivo debe ser mayor que el voltaje de umbral de la batería antes de la
conducción a través del dispositivo antes de que se pueda establecer la dirección dictada
por el diodo ideal. Cuando se establezca la conducción, la resistencia del diodo será el
valor especificado de Rprom.

Para la siguiente gráfica La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V
y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.
Tomemos como ejemplo:
Cuando Id = 10 mA (Corriente en conducción en
directa) Vd= 0.8v, y sabemos que para el silicio un
nivel de voltaje de 0.7V antes de que se eleven las
características, y obtenemos:
0.8−0.7
Rprom = = 10 Ω
10−0

Para la polarización directa tomaremos el siguiente ejemplo donde Rb = 0.23 Ω

Tomamos como ejemplo el siguiente circuito:

Podemos aplicar ley de mallas:

-10 + 0.7 + (1 + 0.23x 10-3) I = 0

I= 9.3 mA

Donde el voltaje del diodo será igual Vd = 0.7+(0.23x10-3)9.3 = 7.02 V

Pd = Vd*I = 6.5286 Mw

CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO

El circuito equivalente reducido aparece en la misma figura. Manifiesta que un diodo de
silicio polarizado en directa en un sistema electrónico en condiciones de cd experimenta
una caída de 0.7 V a través de éste en el estado de conducción a cualquier nivel de
corriente en el diodo (dentro de valores nominales, por supuesto).

La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este
valor es el valor de la tensión umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es
de silicio, si fuera de germanio se tomaría el valor de 0,2 V).

Donde la resistencia Rprom es suficientemente pequeña para ser ignorada.

 En pocas palabras Rprom = 𝟎 𝜴

Capacidades de transición (C T)
En un condensador básico, la capacitancia es directamente proporcional al tamaño de
los electrodos o placas e inversamente proporcional a la distancia entre dos placas.

Al igual que los condensadores, un diodo de unión pn polarizado inversamente también

almacena carga eléctrica en la región de empobrecimiento . La región de agotamiento
está compuesta de iones positivos y negativos inmóviles.

En un diodo de unión pn polarizado inversamente, las regiones de tipo p y n tienen baja

resistencia. Por lo tanto, las regiones tipo p y tipo n actúan como los electrodos o las
placas conductoras del condensador. La región de empobrecimiento del diodo de unión
pn tiene una alta resistencia. Por lo tanto, la región de empobrecimiento actúa como el
material dieléctrico o aislante. Por lo tanto, el diodo de unión pn se puede considerar
como un condensador de placa paralela.

En la región de agotamiento, las cargas eléctricas (iones positivos y negativos) no se

mueven de un lugar a otro. Sin embargo, ejercen campo eléctrico o fuerza eléctrica. Por
lo tanto, la carga se almacena en la región de agotamiento en forma de campo
eléctrico. La capacidad de un material para almacenar carga eléctrica se denomina
capacitancia. Por lo tanto, existe una capacitancia en la región de agotamiento.
Capacidad de difusión (C D)
La capacitancia de difusión ocurre en un diodo de unión pn polarizado hacia
adelante. La capacitancia de difusión también se conoce a veces como capacitancia de
almacenamiento. Se denota como C D.

En un diodo polarizado hacia adelante, la capacitancia de difusión es mucho más grande

que la capacitancia de transición. Por lo tanto, la capacitancia de difusión se considera
en diodos polarizados hacia adelante.

La capacitancia de difusión ocurre debido a la carga almacenada de electrones

minoritarios y agujeros minoritarios cerca de la región de agotamiento.

Cuando se aplica voltaje de polarización directa al diodo de unión pn, los electrones
(portadores mayoritarios) en la región n se moverán a la región p y se recombinarán con
los agujeros. Del mismo modo, los agujeros en la región p se moverán a la región ny se
recombinarán con electrones. Como resultado, el ancho de la región de agotamiento
disminuye.

Los electrones (portadores mayoritarios) que cruzan la región de depleción y entran en

la región p se convertirán en portadores minoritarios de la región p de manera
similar; los agujeros (portadores mayoritarios) que cruzan la región de agotamiento y
entran en la región n se convertirán en portadores minoritarios de la región n.