TRANSISTORES BIPOLARES

Prof. Dr. Ulisses Chemin Netto (ucnetto@utfpr.edu.br)

19 de Outubro de 2015
ET74C – Eletrônica 1
 Objetivo da Aula

 Iniciar o estudo do transistor bipolar de junção.

ET74C – Eletrônica 1 2
 Conteúdo Programático

 Estrutura do transistor bipolar de junção;

 Operação do Transistor bipolar de junção;

 Configurações do Transistor bipolar de junção

– Base-Comum;
– Emissor-Comum;
– Coletor-Comum.

ET74C – Eletrônica 1 3
 Construção de Conhecimento
esperado

 Familiarizar-se com a estrutura e operação do

transistor bipolar de junção, ser capaz de
identificar e aplicar a polarização adequada
para o transistor trabalhar na região ativa e
identificar as três regiões de operação do
transistor na curva de saída.

ET74C – Eletrônica 1 4
 Divisão dos Transistores

NPN
Transistor Bipolar
PNP

Tipo de portador
majoritário
ET74C – Eletrônica 1 5
 O que significa Bipolar?
• Dois tipos de portadores envolvidos
no processo de condução de
Bipolar corrente;
• Elétrons e Lacunas.

• Um único tipo de portador envolvido

no processo de condução de
Unipolar corrente;
• Elétrons para o JFET de canal n;
• Lacunas para o JFET de canal p.

ET74C – Eletrônica 1 6
 Estrutura do Transistor
 Construção
– Transistor Bipolar de Junção (TBJ) ou Bipolar Junction
Transistor (BJT):
• Elétrons e lacunas participam do processo de injeção.

– Construção análoga à do diodo:

• No diodo, junta-se semicondutores do tipo P e N, com mesmo
nível de dopagem. Porém, no TBJ o nível de dopagem é
distinto.

– Temos dois tipos de combinação para formar o TBJ:

• Junção de materiais do tipo P, N, e P;
• Junção de materiais do tipo N, P e N.

ET74C – Eletrônica 1 7
 Estrutura do Transistor
 Construção
– Transistor não polarizado

Junção 2
Base-coletor

Junção 1
Base-emissor
Portador
Majoritário

ET74C – Eletrônica 1 8
 Estrutura do Transistor
 Construção
– Transistor não polarizado

Comportamento
Análogo ao diodo
Após a difusão

ET74C – Eletrônica 1 9
 Estrutura do Transistor
 Construção
– Relação entre o tamanho de cada camada.

ET74C – Eletrônica 1 10
 Estrutura do Transistor
 Construção
– Emissor
• Material fortemente dopado.
– Base
• Material levemente dopado (resistência alta).
• Largura 150 vezes menor do que a largura do transistor.
– Coletor
• Material moderadamente dopado.
– Importante
• Diferentes dopagens para os materiais do transistor.

ET74C – Eletrônica 1 11
 Estrutura do Transistor
 Operação (pnp)
– Com tensão VEE aplicada na junção base-emissor,
• Polarização direta.
• Redução da zona de depleção na junção p-n.
• fluxo de portadores majoritários.

ET74C – Eletrônica 1 12
 Estrutura do Transistor
 Operação (pnp)
– Com tensão VCC aplicada na junção coletor-base,
• Polarização reversa.
• Aumento da zona de depleção na junção p-n.
• fluxo de portadores minoritários.
– Tal fluxo depende da temperatura.

ET74C – Eletrônica 1 13
 Estrutura do Transistor
 Operação (pnp)
– Polarização:
• Direta na junção base-emissor
• Reversa na junção coletor-base

ET74C – Eletrônica 1 14
 Estrutura do Transistor
 Operação (pnp)
– iE  corrente no emissor
• Induzida pela polarização direta
– iB  corrente na base
• Pela baixa dopagem, parte dos portadores majoritários
do emissor seguem pela base (ordem de μA)

ET74C – Eletrônica 1 15
 Estrutura do Transistor
 Operação (pnp)
– iC  corrente no coletor
• Parcela devida aos portadores minoritários (iCO)
– Parcela devido aos portadores majoritários da
junção emissor-base (iC-majoritários).

ET74C – Eletrônica 1 16
 Estrutura do Transistor
 Operação (pnp)
– iC  corrente no coletor
• Injeção de “minoritários” no material de base.
– iC = iCO + iC-majoritários
– Lei das correntes: iE = iC + iB

ET74C – Eletrônica 1 17
 Estrutura do Transistor
 Operação (npn)
– iC = iCO + iC-majoritários
– Lei das correntes: iE = iC + iB

ET74C – Eletrônica 1 18
 Operação
 Os transistores BJT operam na região ativa
sempre que:
– Junção base-emissor é polarizada diretamente.
– Junção coletor-base é polarizada reversamente.

 Símbolo e sentido da corrente

Fluxo convencional
De corrente (lacunas)
NPN PNP
ET74C – Eletrônica 1 19
 Operação
 Configurações

– Base-comum
– Emissor-comum
– Coletor-comum

O termo “comum” refere-se a qual terminal do

transistor é comum às suas seções de entrada e
de saída.

ET74C – Eletrônica 1 20
 Operação
 Base-Comum

PNP
BC557A NPN
BC547A

VEE VCC VEE VCC

0 0

Ponto Comum

ET74C – Eletrônica 1 21
 Operação
 Base-Comum

PNP
BC557A NPN
BC547A

VEE VCC VEE VCC

0 0

Seção de entrada
(junção base-emissor polarizada diretamente)
ET74C – Eletrônica 1 22
 Operação
 Base-Comum

PNP
BC557A NPN
BC547A

VEE VCC VEE VCC

0 0

Seção de Saída
(junção coletor-base polarizada reversamente)
ET74C – Eletrônica 1 23
 Operação
 Base-Comum
– Corrente do emissor X Tensão da junção base-
emissor.

ET74C – Eletrônica 1 24
 Operação
 Base-Comum
– Tensões abaixo de um patamar não polarizam
diretamente a junção base-emissor (VBE)
• Semelhante ao diodo;
• Independente da tensão na junção coletor-base;
• Corrente no emissor (iE) é forçada a zero.

– A partir desse patamar, a corrente sofre leve influência

da tensão na junção coletor-base (VCB).

– “Geralmente”, podemos assumir VBE=0,7 V como tensão

para “ligar” o transistor.
ET74C – Eletrônica 1 25
 Operação
Aproximação para o comportamento
 Base-Comum na seção de entrada

– Corrente do emissor X Tensão da junção base-

emissor.

VBE  0,7V –
transistor “ligado”

ET74C – Eletrônica 1 26
 Operação
 Base-Comum
– Corrente do emissor X Tensão da junção base-
emissor.

VBE  0,7V – transistor “ligado”  para

qualquer valor de corrente de emissor
que seja controlada pelo circuito
externo.

Ou seja, se o transistor estiver na região

ativa, pode-se especificar de imediato
que VBE = 0,7V.

ET74C – Eletrônica 1 27
 Operação
 Base-Comum
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
base.

Região Ativa
Região de Corte
Região de Saturação

ET74C – Eletrônica 1 28
 Operação
 Base-Comum – Região Ativa
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
base.

• A junção base-emissor é polarizada diretamente

• A junção coletor-base é polarizada reversamente ,
– Fluxo de portadores majoritários e minoritários
• O transistor está operacional
– Pode funcionar como amplificador.

ET74C – Eletrônica 1 29
 Operação
 Base-Comum
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
base.
Região Ativa

Faixa de
operação como
amplificador
linear

ET74C – Eletrônica 1 30
 Operação
 Base-Comum – Região de Corte
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-base.
• A junção base-emissor é polarizada reversamente
• A junção coletor-base é polarizada reversamente ,
• Não temos fluxo de portadores majoritários (iC-majoritários=0)
• Apenas fluxo de portadores minoritários (iCBO = iCO>0)
– Lembre-se... iCO é da ordem de μA
– iCBO  corrente em “CB” quando “E” é aberto.

– Temos então o corte do transistor.

• Resistência elevada na junção “virtual” coletor-emissor.

ET74C – Eletrônica 1 31
 Operação
 Base-Comum – Região de Corte
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
base.
Emissor aberto

BC557A BC547A

iCBO iCBO

VEE VCC VEE VCC

0 0
PNP NPN
ET74C – Eletrônica 1 32
 Operação
 Base-Comum – Região de Corte
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
base.

O amplificador está
basicamente desligado.
Há tensão, mas pouca
corrente.

“Chave Aberta”

Região de Corte
ET74C – Eletrônica 1 33
 Operação
 Base-Comum – Região de Saturação
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
base.
• A junção base-emissor é polarizada diretamente
• A junção coletor-base é polarizada diretamente ;

– Qualquer pequena variação positiva de VCB provoca

aumento exponencial da corrente no coletor (iC);
– Temos então a saturação do transistor.
• Resistência nula na junção “virtual” emissor-coletor.

ET74C – Eletrônica 1 34
 Operação
 Base-Comum – Região de Saturação
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
base.
Região de Saturação

O amplificador está
totalmente ligado.
Há corrente, mas
pouca tensão.

A esquerda
de VCB = 0

ET74C – Eletrônica 1 35
 Operação
 Base-Comum
– Para a região ativa:
• Similaridade entre iC e iE.
• Na prática temos:
– αDC = iC-majoritários/iE (para sinais CC)
» O índice DC refere-se a valor de α definido em um ponto da
curva na região de operação. Apenas para portadores
majoritários.

– αAC = ΔiC-majoritários/ΔiE (para sinais CA)

Definido para
» O índice AC refere-se a variação de IC em relação a IE em um
o ponto de
ponto da curva na região de operação (para um VCB
operação
específico). O ponto de operação move-se sobre a curva
característica.

ET74C – Eletrônica 1 36
 Operação
 Base-Comum
– Para a região ativa:
• iC = iCO + iC-majoritários
 Varia entre
• iC = αiE + iCBO 0,9 e 0,99
– Geralmente
• αDC = αAC = α
– Lembrando que:
• Lei das correntes: iE = iC + iB
• iE ≈ iC
– Então: (para efeitos de análise):
• iB ≈ zero

ET74C – Eletrônica 1 37
 Operação
 Base-Comum
– As condições descritas implicam na configuração
abaixo:

ET74C – Eletrônica 1 38
 Operação
 Base-Comum
– Região de Ruptura

Região de Ruptura
Aumento elevado da
corrente IC pequenos
aumentos de VCB.

limite
ET74C – Eletrônica 1 39
 Operação
 Emissor-Comum

PNP NPN

BC557A
BC547A VCC
VCC
VBB
VBB

0 0

Ponto Comum

ET74C – Eletrônica 1 40
 Operação
 Emissor-Comum

PNP NPN

BC557A
BC547A VCC
VCC
VBB
VBB

0 0

Seção de entrada
(polarizada diretamente a junção base-emissor)
ET74C – Eletrônica 1 41
 Operação
 Emissor-Comum

PNP NPN

BC557A
BC547A VCC
VCC
VBB
VBB

0 0

Seção de saída
(polarizada reversamente a junção coletor-base
através da tensão coletor-emissor)
ET74C – Eletrônica 1 42
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente da base X Tensão da junção base-emissor.

ET74C – Eletrônica 1 43
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente da base X Tensão da junção base-emissor.

ET74C – Eletrônica 1 44
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente da base X Tensão da junção base-emissor.
• Tensões abaixo de um patamar não polarizam
diretamente a junção base-emissor (vBE).
– Semelhante ao diodo.
– Independente da tensão na junção coletor-emissor.
– Corrente na base (iB) é forçada a quase zero.

• A partir desse patamar, a corrente sofre influência da

tensão na junção coletor-emissor (VCE).
• “Geralmente”, podemos assumir VBE=0,7V como tensão
para “ligar” o transistor.

ET74C – Eletrônica 1 45
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

Não tão lineares 

influência de VCE.
Região Ativa
Região de Corte
Região de Saturação

ET74C – Eletrônica 1 46
 Operação
 Emissor-Comum – Região de Saturação
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

• A junção base-emissor é polarizada diretamente

• A junção coletor-base é polarizada diretamente
• Tensão VCE-sat  Tensão de saturação entre coletor e
emissor.

ET74C – Eletrônica 1 47
 Operação
 Emissor-Comum – Região de Saturação
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor. Região de Saturação

ET74C – Eletrônica 1 48
 Operação
 Emissor-Comum– Região de Saturação
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

• Qualquer pequena variação positiva de VCE provoca

aumento exponencial da corrente no coletor (iC);

• Temos então a saturação do transistor;

• Resistência nula na junção “virtual” coletor-emissor.

ET74C – Eletrônica 1 49
 Operação
 Emissor-Comum – Região de Corte

– A junção base-emissor é polarizada reversamente

– A junção coletor-base é polarizada reversamente
– Temos então o corte do transistor.
– Resistência elevada na junção “virtual” coletor-
emissor.

ET74C – Eletrônica 1 50
 Operação
 Emissor-Comum – Região de Corte
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

BC557A BC547A

iCEO iCEO VCC

VCC
VBB
VBB

0 0

PNP NPN

ET74C – Eletrônica 1 51
 Operação
 Emissor-Comum – Região de Corte
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

ET74C – Eletrônica 1 Região de Corte 52

 Operação
 Emissor-Comum – Região de Corte
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

• Quando a corrente na base é zero, temos uma corrente

não-nula no coletor.
– Temos que iC = α iE + iCBO = α (iC + iB) + iCBO;
– Rearranjando: iC = [α iB / (1 - α)] + [iCBO / (1 - α)];
– Para a situação de iB = zero: iC = iCBO / (1 - α).

• Definiremos então a grandeza

– iCEO = iCBO / (1 – α) ou iCEO = iC para iB = zero.
– iCEO depende da temperatura pois, iCBO comporta-se assim.

ET74C – Eletrônica 1 53
 Operação
 Emissor-Comum– Região de Corte
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.
• Para amplificação linear, a região de corte para a
configuração emissor-comum é definida por IC = ICEO.

ET74C – Eletrônica 1 54
 Operação
 Emissor-Comum – Região Ativa
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

• A junção base-emissor é polarizada diretamente

• A junção coletor-base é polarizada reversamente
• O transistor está operacional
– Pode funcionar como amplificador.

ET74C – Eletrônica 1 55
 Operação
 Emissor-Comum – Região Ativa
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.
Região de operação

ET74C – Eletrônica 1 56
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

• Há relação entre iC e iB.

• βDC = iC/iB(considerando sinal CC)
– O índice DC refere-se ao valor de β definido em um ponto da
curva na região de operação.

• βAC = ΔiC/ΔiB (considerando sinal CA)

– O índice AC refere-se a variação de IC em relação a IE em um
ponto da curva na região de operação (para um VCE específico).

ET74C – Eletrônica 1 57
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-emissor.
• βDC = hFE (em folha de dados);
• βAC = hfe (em folha de dados);
• São “fatores de amplificação de corrente direta em emissor
comum”
– Termo “h” vem do modelo híbrido do transistor;
– Termos “fe” e “FE” são “forward current in common-emissor
configuration”;

• hFE é obtido da curva a partir do ponto de operação Q.

• hfe é obtido da curva a partir do intervalo de variação em torno
de Q.

ET74C – Eletrônica 1 58
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.

• βDC ≠ βAC por causa de iCEO ≠ zero

– Se iCEO = zero  βDC = βAC.

ET74C – Eletrônica 1 59
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.
• As curvas iC x vCE possuem uma inclinação
– Resistência intrínseca na saída do emissor-comum.

ET74C – Eletrônica 1 60
 Operação
 Emissor-Comum
– Corrente do coletor X Tensão da junção coletor-
emissor.
• Primeiramente, relacionando α e β
– iE = iC + iB  iC / α = iC + iC / β
– α = β / (β + 1) ou β = α / (1 – α)
• Isso implica em:
– iCEO = (β + 1) iCBO
– iE = (β + 1) iB
• Essas são relações importantes para análise de circuitos
com transistores.

ET74C – Eletrônica 1 61
 Operação
 Emissor-Comum
– Região de Ruptura

ET74C – Eletrônica 1 62
 Operação
 Coletor-Comum

PNP NPN

BC547A
BC557A VEE VEE

VBB
VBB

0 0

Ponto Comum

ET74C – Eletrônica 1 63
 Operação
 Coletor-Comum

PNP NPN

BC547A
BC557A VEE VEE

VBB
VBB

0 0

Seção de entrada
(Polarizada diretamente a junção base-emissor
através da tensão emissor-coletor)
ET74C – Eletrônica 1 64
 Operação
 Coletor-Comum

PNP NPN

BC547A
BC557A VEE VEE

VBB
VBB

0 0

Seção de saída
(polarizada reversamente a junção coletor-base)

ET74C – Eletrônica 1 65
 Operação
 Coletor-Comum

– As curvas de comportamento são aproximadamente

as mesmas do emissor comum.

• Entrada: iB  vBE para diferentes valores de vECs;

• Saída: iE  vEC para diferentes valores de iBs;
– E não vCE.
– Como é iE e não iC, haverá pequena diferença devido a α.
» iC = α iE.
» Se α fosse 1, as curvas de saída das configurações emissor-
comum e coletor-comum seriam iguais.

ET74C – Eletrônica 1 66
 Operação
 Limites de Operação

• Condições para o transistor não queimar:

– Corrente máxima no coletor (iC-max)
– Tensão máxima coletor-emissor (vCE-max)
» “breakdown” – v(br)CE
• Potência máxima de dissipação (PC-max)

– Contidas na folha de dados do transistor.

ET74C – Eletrônica 1 67
 Operação
 Limites de Operação

• Base-comum:
PCmáx  VCBIC

• Emissor-comum:

PCmáx  VCEIC

• Coletor-comum:
PCmáx  VCEI E

ET74C – Eletrônica 1 68
 Operação
 Exemplo de folha de dados

ET74C – Eletrônica 1 69
 Operação
 Exemplo de folha de dados

ET74C – Eletrônica 1 70
 Referências Utilizadas
 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis.
Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11.
ed. São Paulo: Pearson education do Brasil, 2013.

 SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C..

Microeletrônica. 5ed. São Paulo: Pearson Prentice
Hall, 2007.

 MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. 4. ed. São Paulo:

Makron, c1997. 2v.
ET74C – Eletrônica 1 71
 Obrigado pela Atenção!
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ET74C – Eletrônica 1