2N6052

dispositivo preferido

Darlington complementarias Transistores

de potencia de silicio
Este paquete está diseñado para el amplificador de propósito general y aplicaciones de baja
frecuencia de conmutación.

Caracteristicas http://onsemi.com

• Alta ganancia de corriente DC - h FE = 3500 (típica) según lo C = 5.0 Adc

• Sostenimiento de colector-emisor Voltaje - @ 100 mA

12 AMPERE SILICIO
V CEO (SUS) = 100 Vdc (Min) COMPLEMENTARIO
• La construcción monolítica con una función de base-emisor de derivación Resistencias
Transistor de potencia 100
• Se trata de un dispositivo Pb gratuito *
voltios, 150 vatios
MÁXIMOS RATINGS ( Nota 1)
CASO
Clasificación Símbolo Valor Unidad
COLECTOR
Colector-emisor Voltaje V CEO 100 Vdc
BASE 1
Tensión colector-base V CB 100 Vdc

Tensión de emisor-Base V EB 5.0 Vdc

Receptores de corriente - Continuo yo do 12 adc

Pico 20 EMISOR 2

Base actual yo segundo 0.2 adc

La disipación de energía total T @ C = 25 ° C Desclasifique PAG re 150 WW / ° ESQUEMA DE

encima de 25 ° do 0,857 do
MARCADO

Rango de funcionamiento y temperatura de almacenamiento T J, T STG -65-200 ° do

Características térmicas
2N6052G
Característica Símbolo Max Unidad
AYYWW
21
La resistencia térmica, Junction-a-Case R JC 1.17 °C/W MEX

Destaca que supera la clasificación máxima puede dañar el dispositivo. Las clasificaciones máximas calificaciones son sólo de
A-204AA (A-3)
estrés. La operación funcional por encima de las condiciones de funcionamiento recomendada no está implícita. La exposición
prolongada a tensiones por encima de las condiciones de funcionamiento recomendados puede afectar a la fiabilidad del
CASO 1-07
dispositivo. ESTILO 1
1. Indica JEDEC datos registrados.

160
2N6052 = Dispositivo Código G
140 = Pb-libre Paquete A
= Lugar Código YY
120
Año =
PD, la disipación de energía (vatios)

WW = Trabajo Semana
100
MEX = País de Orgin
80

60
INFORMACIÓN SOBRE PEDIDOS

40
Dispositivo Paquete Envío
20
2N6052G A-3 (libre de 100 Unidades / Bandeja

plomo)
00
25 50 75 100 125 150 175 200

T DO, Temperatura de la caja ( ° DO)

Figura Reducción de potencia 1. Energía Privilegiado dispositivos son opciones para el uso futuro y mejor valor
recomendado.

* Para obtener información adicional acerca de nuestra estrategia y de soldadura libre de plomo detalles, por favor descargar el ON Semiconductor soldadura y técnicas de montaje Manual de Referencia,
SOLDERRM / D.

© Componentes semiconductores Industries, LLC, 2008 1 Publicación Número de pedido:

De septiembre de 2008 - Rev. 5 2N6052 / D
 2N6052

CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS ( T C = 25 C a menos que se indique lo contrario) (Nota 2)

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Característica Símbolo min Max Unidad
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iii
iii
IIII
IIII
iii
iii
CARACTERÍSTICAS OFF
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ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
iiiii
iii
IIII
iii
Colector-emisor Sustaining Voltaje (Nota 3) (YO C = 100 mAcc, me B = 0) V CEO (SUS) 100 - Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
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iii
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iii
IIII
IIII
iii
iii
Corriente de corte del colector (V CE = 50 Vdc, I B = 0) yo CEO - 1.0 mAcc
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ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
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iii
iii
Corriente de corte del colector yo CEX mAcc
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iii
iii
iii
(V CE = Calificación V CEO, V BE (off) = 1,5 Vdc) - 0.5
(V CE = Calificación V CEO, V BE (off) = 1,5 Vdc, T C = 150 DO)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
iiiii
iii
IIII
iii
5.0
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
iiiii
iii
iii
IIII
iii
Emisor de corte actual (V BE = 5,0 Vdc, I C = 0) yo EBO - 2.0 mAcc

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iiiii
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iii
iii
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iiiii
iii
IIII
iii
SOBRE LAS CARACTERÍSTICAS ( Nota 3)

h FE -
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ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
iiiii
iii
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iii
DC ganancia de corriente
(YO C = 6.0 Adc, V CE = 3,0 Vdc) (I C = 12 750 18.000 -
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
iiiii
iii
IIII
iii
Adc, V CE = 3,0 Vdc) 100
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
iiiii
iii
IIII
iii
Colector-emisor Voltaje de saturación V CE (sat) Vdc
(YO C = 6.0 Adc, me B = 24 mAcc) (I C = 12 - 2.0
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ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
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iii
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iii
Adc, me B = 120 mAcc) 3.0
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IIII
iii
Base-emisor Voltaje de saturación (YO C = 12 Adc, me B = 120 mAcc) V BE (sat) - 4.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
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iii
Base-emisor En Voltaje (YO C = 6.0 Adc, V CE = 3,0 Vdc) V Estar en) - 2.8 Vdc
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iii
Las características dinámicas
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iii
Magnitud del Emisor Común pequeña señal de cortocircuito Corriente directa Relación de | h Fe | 4.0 - megahercio
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ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
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IIII
iii
transferencia (YO C = 5.0 Adc, V CE = 3,0 Vdc, f = 1,0 MHz)
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iii
IIII
iii
La capacitancia de salida (V CB = 10 Vcc, lo E = 0, f = 0,1 MHz) do transmisión exterior - 500 pF
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iii
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IIII
iii
Señal pequeña ganancia de corriente (YO C = 5.0 Adc, V CE = 3,0 Vdc, f = 1,0 kHz) h Fe 300 - -
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IIII
IIII
iii
iii
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
iiiii
iii
IIII
iii
2. Indica JEDEC datos registrados.
3. Prueba de pulso: ancho de pulso = 300 s, Ciclo = 2,0%.

V CC 10
R B & R do Variarse para obtener niveles de corriente deseado D 1 Deben ser del tipo de - 30 V
2N6059
recuperación rápido, por ejemplo: 1N5825 utilizada anteriormente me segundo ≈ 100
5.0 2N6052
mA MSD6100 que se utiliza por debajo segundo ≈ 100 mA
R do
ALCANCE ts
GESTO DE DESAPROBACIÓN

V2 R segundo
2.0
aprox tF
μ
t, TIME (s ??)

+ 8,0 V
re 1 1.0
51 ≈ 5,0 k ≈ 50
0
tr
V1 0.5
+ 4,0 V
aprox
- 8,0 V t d @ V BE (off) = 0
25 s
para td y tr, D1 se desconecta y V2 = 0
0.2
t r, t F ≤ 10 ns
T J = =25250
° do
I B1 = yo B2
CICLO DE = 1,0%
0.1 V CC = 30 VI DO/ yo B
0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20
Para circuito de prueba NPN inversa de diodo y de tensión polaridades.
yo DO, Colector de corriente (AMP)

Figura 2. Prueba de tiempos de conmutación de circuitos Figura 3. tiempos de conmutación

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2
 2N6052

1.0

0.7
D = 0,5
0.5
r (t), EFICAZ térmicos transitorios

0.3
0.2
RESISTENCIA (normalizado)

0.2
0.1
PAG( pk)
R JC ( t) = r (t) R JC
0.1
0.05 R JC = 1.17 ° CURVAS C / W MAX D son
0.07
aplicables para el tren de pulso de potencia
0.02
0.05
muestra el tiempo LEA en t 1 t1t2

0.03 0.01
T J (pk) - T C = PAG( pk) JC ( t)
solo CICLO DE TRABAJO, D = t 1 / t 2
0.02
pulso

0.010.01
0.02 0.03 0,05 0,1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5,0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

t, tiempo (ms)

Figura 4. Respuesta térmica

Hay dos limitaciones en la capacidad de un transistor de potencia: ACTIVA-REGIÓN área de operación segura
temperatura media de unión y segunda avería. Seguros curvas de área
de operación que indican do - V CE 0,1 ms

límites del transistor que debe ser observada para un funcionamiento fiable; es
decir, el transistor no debe ser sometido a una mayor disipación de las curvas IC, colector de corriente (AMP)
indican. Los datos de las Figuras 5 y 6 se basa en T J (pk) = 200 C; T do es variable 5.0 0,5 ms
1,0 ms
dependiendo de las condiciones. límites segundo pulso de ruptura son válidos
2.0 5,0 ms
para ciclos de trabajo a 10% proporcionado T J (pk)
1.0 T J = 200 ° do
20 10
200 C; T J (pk) puede ser calculado a partir de los datos en la Figura 4. A 0.5
SEGUNDO desglose limitado vinculación
temperaturas altas de casos, las limitaciones térmicas reducirán la potencia que puede
0.2 del alambre LIMITED desajuste térmico
ser manejado a valores menores que las limitaciones impuestas por segunda avería. dc
@TC = 25 ° C (impulso único)
0.1

0.05
10 20 30 50 70 100

V CE, Colector-emisor VOLTAJE (voltios) 50

Figura 5.

3000 500
HFE, PEQUEÑA SEÑAL DE CORRIENTE DE GANANCIA

2000 T J = 25 ° do

300
1000
C, capacitancia (pF)

500 200 do ib

VI C = 5.0 A

200 do transmisión exterior

100
100
T C = 25 ° CV CE = 3.0
70
50

30 50
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1,0 2,0 5.0 10 20 50 100

f, la frecuencia (kHz) V R, Tensión inversa (voltios)

Figura 6.-Señal pequeña ganancia de corriente Figura 7. capacitancia

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3
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20000

10.000 t J = 150 ° do

5000

hFE, ganancia de corriente DC

3000
25 ° do
2000

1000 - 55 ° do

500

300

200
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5,0 V CE = 3,0 V10 20

yo DO, Colector de corriente (AMP)

Figura 8. DC ganancia de corriente

3.0
do

2.6
VCE, tensión colector-emisor (voltios)

yo C = 3.0 AT J = 25 ° 6.0 A 9.0 A

2.2

1.8

1.4

1.0
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 12 A 50

yo SEGUNDO, Base actual (mA)

Figura 9. Colector Saturación Región

3.0

2.5
V, voltaje (VOLTIOS)

2.0

V BE (sat) @ yo DO/ yo B = 250

1.5

V BE @ V CE = 3,0 V

1.0

V CE (sat) @ yo DO/ yo B = 250

0,5 T J = 25 ° do
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20

yo DO, Colector de corriente (AMP)

Figura 10. “ON” Tensiones

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DIMENSIONES DEL PAQUETE

A-204 (A-3)
CASO NÚMERO
1-07 Z

NOTAS:
UN 1. Acotación y tolerancia POR ANSI Y14.5M de 1982.

2. DIMENSIÓN DE CONTROL: pulgada.

do 3. Todas las reglas y notas asociadas a REFERENCIA
ESQUEMA A-204AA será aplicable.
AVIÓN
mi PULGADAS MILÍMETROS

re 2 PL K-T- ASIENTOS DIM MIN MAX MIN MAX

UN 1.550 REF 39.37 REF
0,13 (0,005) T
METRO Q METROY METRO
segundo --- 1.050 --- 26.67
do 0,250 0,335 6.35 8.51
re 0,038 0,043 0.97 1.09
UL mi 0,055 0,070 1.40 1.77
Y-
V GRAMO 0,430 BSC 10.92 BSC
H 0,215 BSC 5,46 BSC
2 K 0,440 0,480 11.18 12.19
L 0,665 BSC 16.89 BSC
GB
H 1
norte --- 0,830 --- 21.08
Q 0,151 0,165 3.84 4.19
T 1.187 BSC 30.15 BSC
V 0,131 0,188 3.33 4.77
Q-
ESTILO 1:
0,13 (0,005) T
METRO Y METRO
PIN 1. BASE
2. EMISOR
CASO: COLECTOR

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