Aguirre Vergara Christopher Wilding SERIE 3

Serie de problemas del tema 6. Dispositivos de dos terminales.

Juntura P-N en condición electrostática.
Problema 1
Un diodo semiconductor de Silicio está dopado con 𝑁𝑎= 5𝑥10^15/𝑐𝑚3, y con
𝑁𝑑=3𝑥10^16/𝑐𝑚3, la permitividad relativa del silicio intrínseco es de 𝜖 = 11.5, y la
permitividad del vacío es de 𝜖0 = 8.85410^-12 𝐹/𝑚. Hallar la longitud de la región
vacía:
A) En el lado N.
B) En el lado P.
C) La total.
A la temperatura ambiente de 300𝐾 hay 𝑛𝑖= 1𝑥10^10 portadores en la banda de
conducción 𝑐𝑚3 en el Silicio intrínseco.
𝑁𝑏
𝜑𝑏 = 𝜑(𝑥𝑏 ) = 60 𝑙𝑜𝑔
1𝑥1010
𝑁𝑑 3𝑥1016
𝜑𝑛 = 𝜑(𝑥𝑛 ) = 60 𝑙𝑜𝑔 = 60 𝑙𝑜𝑔 = 388.62[𝑚𝑉]
1𝑥1010 1𝑥1010
𝑁𝑎 5𝑥1015
𝜑𝑝 = 𝜑(𝑥𝑝 ) = 60 𝑙𝑜𝑔 = 60 𝑙𝑜𝑔 = − 341.93[𝑚𝑉]
1𝑥1010 1𝑥1010
𝜑𝐵 = 𝜑𝑛 − 𝜑𝑝 = 388.62 + 341.93 = 730.55[𝑚𝑉]
2𝜑𝐵 ϵ 𝑁𝑎
𝐴) 𝑥𝑛 = √( . )
𝑞 𝑁𝑑(𝑁𝑑 + 𝑁𝑎)

2(730.55𝑥10−3 )(8.854𝑥10−14 ) (5𝑥1015 )

𝑥𝑛 = √( .
(1.6𝑥10−19 ) (3𝑥1016 )(3.5𝑥1016 )
𝑥𝑛 = 6.654𝑥10−6
𝑁𝑑 3𝑥1016
𝐵) 𝑥𝑝 = 𝑥𝑛 = (6.654𝑥10−6 )( )
𝑁𝑎 5𝑥1015
𝑥𝑝 = 3.99𝑥10−5
𝐶) 𝑥𝑇 = 𝑥𝑛 +𝑥𝑝
𝑥𝑇 = 4.65
Problema 2
Considerando el mismo diodo del problema 1, calcula en el centro de la juntura:
A) El campo eléctrico en V/cm.
B) El potencial eléctrico en mV.
a)
𝑞 𝑁𝑑 𝑥𝑛
𝐸(0) = −
𝜀
(1.6𝑥10−19 )(3𝑥1016 )(6.654𝑥10−6 )
𝐸(0) = −
(11.5)(8.854𝑥10−14 )
𝑉
𝐸(0) = −31.37𝑥103 [ ]
𝑐𝑚

b)
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𝑞 𝑁𝑑
𝜑(0) = 𝜑𝑛 − ( ) (𝑥𝑛 )2
2𝜀
(1.6𝑥10−19 )(3𝑥1016 )
𝜑(0) = (388.62𝑥10−3 ) − ( )(6.654𝑥10−6 )2
2(11.5)
𝜑(0) = 284[𝑚𝑉]

Polarización en inversa y la capacitancia asociada.

Problema 3
Un fabricante de diodos utiliza 𝑁𝑑=3𝑥10^17/𝑐𝑚3 y 𝑁𝑎=4.5𝑥10^15/c𝑚3, y mide
experimentalmente un campo máximo en el centro de la unión de 4.5𝑥10^5 𝑉/𝑐𝑚.
A) Calcula el voltaje máximo en inversa que puede aplicarse al diodo. Es decir, su
voltaje de ruptura.
B) Suponga que el diodo se somete a un voltaje pico repetitivo en inversa de 120V.
¿Se dañaría el dispositivo? .
El silicio intrínseco utilizado tiene Ɛ = 104.48x10-14 𝐹/𝑐𝑚 y 𝑛𝑖= 1.1𝑥10^10/𝑐𝑚3.
a)
𝑞 𝑁𝑑 𝑥𝑛 (𝑉𝐴 )
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝐸(0) = −
𝜀
2ϵ𝜑𝐵 𝑁𝑎 𝑉𝐴
𝑥𝑛 = √ . √1 −
𝑞 𝑁𝑑(𝑁𝑑 + 𝑁𝑎) 𝜑𝐵
𝑁𝑑 3𝑥1017
𝜑𝑛 = 𝜑(𝑥𝑛 ) = 60 𝑙𝑜𝑔 = 60 𝑙𝑜𝑔 = 446.14 [𝑚𝑉]
1𝑥1010 1.1𝑥1010
𝑁𝑎 4.5𝑥1015
𝜑𝑝 = 𝜑(𝑥𝑝 ) = 60 𝑙𝑜𝑔 = 60 𝑙𝑜𝑔 = − 336.71[𝑚𝑉]
1𝑥1010 1.1𝑥1010
𝜑𝐵 = 𝜑𝑛 − 𝜑𝑝 = 446.14 + 336.71 = 782.85 [𝑚𝑉]

2(782.85𝑥10−3 )(104.48𝑥10−14 )(4.5𝑥1015 ) 𝑉𝐴

𝑥𝑛 = √ −19 17 17
. √1 −
(1.6𝑥10 )(3𝑥10 )(3.045𝑥10 ) 782.85𝑥10−3

𝑉𝐴
𝑥𝑛 (𝑉𝐴 ) = (7.097𝑥10−7 ) √1 −
782.85𝑥10−3

(1.6𝑥10−19 )(3𝑥1017 ) 𝑉𝐴
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝐸(0) = − −14
(7.097𝑥10−7 ) √1 −
(104.48𝑥10 ) 782.85𝑥10−3
2
(4.5𝑥105 )
𝑉𝐴 𝑚𝑎𝑥 = [1 − ( ) ](782.85𝑥10−3 ) = −148.33 [𝑉]
(32604.9)
b) Como |120 [𝑽]| < |𝑽𝑨𝒎𝒂𝒙|, el diodo no se daña por ruptura en avalancha.
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Polarización en inversa y la capacitancia asociada.

Problema 4
Un diodo semiconductor tiene en su juntura un área de 15𝜇𝑚𝑥15𝜇𝑚 .Un cálculo
previo sin polarización, revela que la longitud en la zona vacía, en el lado P, es de
𝑥(0)= 0.355𝜇𝑚 , y un potencial de contacto Ф= 585𝑚𝑉 . Asumiendo una juntura
uniformemente dopada (m=1/2), calcula:
A) La capacitancia sin tensión aplicada, en 𝑛𝐹/𝑐𝑚2, si su lado P está dopado con
𝑁𝑎=10^17/𝑐𝑚3.
B) La capacitancia inversa en 𝑛𝐹/𝑐𝑚2, al aplicar -35V
C) La capacitancia inversa total en femtofarads (fF), al aplicar -35V.
qNaxp(0) (1.6𝑥10−19 )(1017 )(0.355𝑥10−6
a) 𝐶𝑗0 = = = 485.5𝑥10−9 F/𝑐𝑚2 =485.5nF/𝑐𝑚2
2ФB 2(585𝑥10−3 )
𝐶𝑗𝑜 485.5𝑥10−9 𝑛𝐹
b)𝐶𝑠 = = = 62.25
𝑉𝑑 −35 𝑐𝑚2
√1− √1−
ФB 585𝑥10−3

c) 𝐶𝑡𝑖𝑛𝑣 = 𝐶𝑠𝐴 ; A=(15µm)^2= 2.25𝑥10−6 𝑐𝑚2

−9
𝑪𝒕𝒊𝒏𝒗 = (62.25𝑥10 )(225𝑥10−6 )𝑐𝑚2=140.06𝑥10−15 𝐹 = 140.06𝑝𝐹

Polarización en directa y la capacitancia asociada.

Problema 5
Un diodo presenta una capacitancia en inversa sin polarización, de 𝐶𝑗0=5𝑛𝐹/𝑐𝑚2.
Las dimensiones de sus lados dopados son 𝑊𝑝= 4.5𝜇𝑚 y 𝑊= 6𝜇𝑚, y además las
concentraciones de impurezas son 𝑁𝑑=10^17𝑐𝑚3 y 𝑁𝑎= 10^15/𝑐𝑚3. Calcula:
A) El valor máximo de la capacitancia de vaciamiento en femtofarads.
B) El tiempo de transición que le toma a los electrones en cruzar el lado N.
C) La capacitancia de difusión a una 𝐼= 3.5𝑚𝐴.
El coeficiente de difusión es 𝐷𝑛=18/𝑐𝑚2 y la sección transversal es de 10𝜇𝑚𝑥10𝜇𝑚.
a)𝐶𝑠𝑚𝑎𝑥 = √2𝐶𝑗𝑜(𝐴) = √2(5𝑥10−9 )(10−6 ) = 7.071𝑥10−15 𝐹 = 7.071𝑓𝐹
b) Se comprueba que 𝑁𝑎 << 𝑁𝑑 , ya que el factor implicado es de 10 ó más, por lo
𝑊𝑝2 (4.5𝑥10−4 )2
que se emplea: 𝜏𝑛 = = = 5.625𝑥10−9 [𝑠]
2𝐷𝑛 2(18)
τ 5.625𝑥10−9 𝑠
c)𝐶𝑑 = 𝑈𝑡 𝑖𝐷 = 𝑥3.5𝑥10−3 𝐴 = 787.5𝑥10−12 𝐹 = 787.5𝑝𝐹
25𝑥10−3 𝑉
Se comprueba que en polarización en directa la capacitancia de difusión domina sobre la
capacidad de vaciamiento.
Polarización en directa y la capacitancia asociada.
Problema 6
Un diodo con un dopado tal que Nd << Na, tiene un coeficiente de difusión para
huecos Dp=125 cm2/s, y una longitud física en su lado N de Wn = 3.5 µm.
Determina el rango dinámico de la capacitancia de difusión en picofarads (pF),
considerando una variación en 𝑖𝐷 de 2 mA a 75 mA.
−4
(3.5𝑥10 )^2
𝜏𝑝 = = 490𝑥10−12 𝑠
2(125)
−12
(490𝑥10 ) −3
𝐶𝑑 = −3 (2𝑥10 )= 39.2𝑥10−12 𝐹 = 39.2 𝑝𝐹
25𝑥10