EXPOSICION UNIDAD 3

DIODOS Y TRANSISTORES
CONFIGURACIÓN EN COMPUERTA COMÚN

 La configuración del JFET en compuerta común es similar que la configuración de

base común en los transistores BJT.
 Una característica es que tiene una baja resistencia de entrada. La cual se diferencia
de las otras dos configuraciones.
ANÁLISIS DEL CIRCUITO
Aplicando las leyes de kirchoff

𝑣 ′ − 𝑉𝑟𝑑 − 𝑉𝑅𝐷 = 0 −V′ = 𝑉𝑔𝑠

𝑉𝑟𝑑 = 𝑣 ′ − 𝑉𝑅𝐷 = 𝑣 ′ − I′𝑅𝐷

Corriente de Kirchoff en el nodo a:

𝐼 ′ + 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 = 𝐼𝑟𝑑

𝑉 ′ − I ′𝑅𝐷
𝐼′ = 𝐼𝑟𝑑 − 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 = − 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 Impedancia de entrada
𝑟𝑑
′
𝑉′ 𝐼 ′ 𝑅𝐷 𝑉′
𝐼 = − − 𝑔𝑚 (−𝑉′) 𝑍𝑖 ′ = 𝑟𝑑 + 𝑅𝐷 1
𝑟𝑑 𝑟𝑑 𝐼′ 𝑍𝑖 = 𝑅𝑠 ԡ 𝑍𝑖 = 𝑅𝑠 ԡ
1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑑 𝑔𝑚
TRANSCONDUCTANCIA

 A partir de la curva de transferencia se define un parámetro característico del

transistor denominado transconductancia, la cual coincide con la pendiente de la
curva de transferencia den el punto de operación.

2𝑥𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚 =
𝑣𝑃
GANANCIA DE VOLTAJE
𝑉𝑖 − 𝑉0
𝐼𝐷 = + 𝑔𝑚 𝑉𝑖
𝑟𝐷
𝑉𝑖 − 𝑉0
𝑉0 = 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = + 𝑔𝑚 𝑉𝑖 𝑅𝐷
𝑟𝐷
𝑉𝑖 𝑅𝐷 𝑉0 𝑅𝐷
𝑉0 = − + 𝑔𝑚
𝑟𝐷 𝑟𝐷

Se deduce 𝑅𝐷
𝑉0 𝑔 𝑅
𝑚 𝐷 + 𝑟𝐷
𝐴𝑣 = =
𝑉𝑖 𝑅
1 + 𝑟𝐷
𝐷
Aplicamos las leyes de Kirchhoff en el nodo b
𝑟𝐷 ≫ 10𝑅𝐷
𝐼𝑟𝑑 + 𝐼𝐷 + 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 = 0
𝐴𝑣 ≌ 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐼𝐷 = −𝐼𝑟𝑑 − 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑉0 − 𝑉𝑖
𝐼𝐷 = − − 𝑔𝑚 −𝑉𝑖
𝑟𝐷
 2𝑥𝐼𝐷𝑆𝑆 2(10𝑚𝐴)
a. 𝑔𝑚0 = 𝑣𝑃
= 4𝑉
= 5 𝑚𝑆

EJEMPLO 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 1 −
𝑉𝐺𝑆𝑄
= 5 mS 1 −
(−2.2𝑉)
= 𝟐. 𝟐𝟓 𝒎𝑺
𝑉𝑃 (−4𝑉)

1 1
b. 𝑟𝐷 = 𝑌 = 50𝑢𝑆 = 𝟐𝟎𝒌Ω
𝑜𝑠

c. Con 𝑟𝐷 .
𝑟𝑑 + 𝑅𝐷 20𝑘Ω + 3.6𝑘Ω
𝑍𝑖 = 𝑅𝑠 ԡ = 1.1𝑘Ωԡ
1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑑 1 + (2.25 𝑚𝑠)(20𝑘Ω)
= 𝟎. 𝟑𝟓𝒌Ω

Sin 𝑟𝐷 .
1 1
𝑍𝑖 = 𝑅𝑠 ԡ = 1.1𝑘Ωԡ = 𝟎. 𝟑𝟏𝒌Ω
𝑔𝑚 2.25 𝑚𝑠
Datos: 𝑉𝐺𝑆𝑄 = −2.2𝑉 𝐼𝐷𝑄 = 2.03𝑚𝐴
a. Determine 𝑔𝑚 . d. Con 𝑟𝐷
b. Encuentre 𝑟𝐷 . 𝑍0 = 𝑅𝐷 ԡ𝑟𝑑 = 3.6𝑘Ωԡ20𝑘Ω = 𝟑. 𝟎𝟓𝒌Ω
c. Calcule 𝑍𝑖 con y sin 𝑟𝐷 . Sin 𝑟𝐷
d. Encuentre 𝑍0 con y sin 𝑟𝐷 . 𝑍0 = 𝑅𝐷 = 𝟑. 𝟔𝒌Ω
e. Determine 𝑉0 con y sin 𝑟𝐷 .
 𝑒. 𝐶𝑜𝑛 𝑟𝑑

𝑅𝐷 3.6𝑘Ω
𝑉0 𝑔 𝑅
𝑚 𝐷 + (2.25𝑚𝑆)(3.6𝑘Ω) +
𝑟𝐷 20𝑘Ω
𝐴𝑣 = = = = 7.02
𝑉𝑖 𝑅𝐷 3.6𝑘Ω
1+ 𝑟 1+
𝐷 20𝑘Ω

𝑉0
𝐴𝑣 = ⇉ 𝑉0 = 𝐴𝑣 𝑉𝑖 = 7.02 40mV = 𝟐𝟖𝟎. 𝟎𝟖𝐦𝐕
𝑉𝑖

Sin rd
𝐴𝑣 ≌ 𝑔𝑚 𝑅𝐷 = 2.25𝑚𝑆 3.6𝑘Ω = 8.1

𝑉0 = 𝐴𝑣 𝑉𝑖 = 8.1 40𝑚𝑉 = 𝟑𝟐𝟒𝒎𝑽

CONFIGURACIÓN DRAIN COMÚN

 La configuración drenador comun sólo se usa para adaptar impedancias dada su poca
ganancia y salida en fase.
 Algunas de sus características son alta impedancia de entrada, baja impedancia de
salida, ganancia cercana a 1, salida en fase con la entrada.
 ANÁLISIS
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff en el nodo S, obtenemos

A lo que obtenemos
Determinamos Vo con la sig formula
Realizamos la factorización de gm con cada producto

La ganancia la determinamos como:

EJEMPLO
Ganancia de voltaje Resistencia de entrada
Se define Rp = RC//RL//r
Resistencia de salida cuando Vp = -vgs Ganancia de Corriente
CONFIGURACIÓN DE MOSFET

Existen dos configuraciones de los MOSFET:

 MOSFET tipo empobrecimiento .

 MOSFET tipo enriquecimiento.

MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
REDES COMBINADAS

Con el análisis de cd de varias configuraciones de BJT y FET establecido, se presenta la

oportunidad de analizar redes con ambos tipos de dispositivos. Fundamentalmente, para el
análisis sólo se requiere que primero abordemos el dispositivo que proporcionará un nivel de
corriente o voltaje en las terminales. En general luego se abre la puerta para calcular otras
cantidades y concentrarse en las incógnitas restantes. Las ecuaciones y relaciones utilizadas
son las que se emplearon en más de una ocasión; no se requiere desarrollar métodos nuevos
de análisis.