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Stadio di uscita dell’ampli catore operazionale

Nicola Cantini

27 maggio 2015

1 Obiettivo
Costruzione di uno stadio di uscita per ampli catore operazionale, misura delle
propriet e tracciamento della risposta. In particolare ad uno stadio di uscita si richiede
una grande resistenza in ingresso (idealmente in nita), una piccola resistenza in uscita
(idealmente nulla) e un’ampia dinamica di uscita in tensione.

2 Materiale
2.1 Strumenti di misura
• Multimetro digitale: impiegato per la misure di intensit di corrente. Sensibilit
10-5 A.

• Oscilloscopio: sensibilit 10-2 V e 10-7 s.

2.2 Componenti
• Transistor: 2N3904 npn, 2N3906 pnp;
• resistori: tolleranza 5%; • ampli catore operazionale: LM 741;

• diodi.

3 Circuiti

Figura 1: Stadio di uscita in con gurazione A (sinistra) e B (destra)

1
Figura 2: Stadio di uscita in con gurazione AB

4 Relazioni utilizzate
(1)

(2)

(3)

(4)

La relazione (1) Ł stata utilizzata per il calcolo della soglia di spegnimento del transistor
nel caso dello stadio in classe A, ovvero la minima tensione erogabile in uscita. La (2)
rappresenta il calcolo della potenza statica assorbita dal medesimo circuito. La
relazione (3) restituisce il valore della potenza statica assorbita dallo stadio in con
gurazione AB1 e la (4) Ł stata utilizzata per calcolare la sua resistenza in ingresso. Le
relazioni vengono ricavate nell’appendice A.

5 Procedura sperimentale
Dopo aver montato i circuiti come indicato nelle rispettive gure (1, 2) e collegato gli
strumenti di misura nei punti opportuni, si rilevano le tensioni in ingresso e in uscita,
in modo da misurare l’andamento della tensione in ingresso e in uscita per poi
tracciare i gra ci di vout in funzione di vin. Nello speci co si Ł fatto ricorso ad un
oscilloscopio in modalit xy, un software per acquisizione di schermate

1
Si noti che manca la potenza statica assorbita dallo stadio in classe B. Non Ł particolarmente
illuminante in quanto se vin e vout sono nulle, anche le VBE dei due BJT lo sono, pertanto i transistor sono
spenti e si comportano da interruttori aperti. La corrente sar dunque nulla, e conseguentemente lo sar
anche la potenza assorbita.

2
dell’oscilloscopio e un foglio di calcolo per l’acquisizione dati 2. Sono state prese in
esame cinque con gurazioni dello stadio di uscita: classe A, classe B, classe B
retroazionato, classe AB e AB retroazionato. Agli stadi B e AB retroazionati Ł stata
aggiunta una retroazione negativa che connette il terminale di uscita a quello in
ingresso passando per un ampli catore operazionale (LM 741) in con gurazione bu er,
che dovrebbe migliorare le prestazioni dello stadio di uscita. A tutti gli stadi Ł stata
fornita una Vcc di circa 9 V in modulo, e a ciascuno Ł stata inserita una resistenza
addizionale in ingresso (R3, non rappresentata in gura 2) per limitare i disturbi in
entrata.
Nello stadio in classe A Ł stata scelta una resistenza di emettitore che, in accordo
con la formula (2) fosse piccola, in modo da allargare la regione di linearit dello stadio,
ma fosse su cientemente grande da limitare l’intensit di corrente sul ramo del circuito,
in modo da non surriscaldare i componenti.

6 Analisi dati
6.1 Stadio in classe A

Figura 3: Stadio in classe A, andamento di vin associato al canale 1 e vout associato al 2


(sinistra); vout in funzione di vin (destra)

Osservando la gura 3 si nota che il segnale in ingresso viene perfettamente


replicato in un ampio range di tensione, ma per vin inferiori a il
transistor si spegne e il segnale in uscita viene tagliato . Il segnale viene inoltre
diminuito di circa 0.7V a causa della caduta di tensione necessaria a mantenere acceso
il transistor.

6.2 Stadio in classe B


In gura 4 appare evidente la criticit della risposta della con gurazione in classe B nella
zona di crossover. Ci si potrebbe aspettare che il segnale in uscita appaia ridotto di

2 Nonostante l’oscilloscopio abbia una sensibilit maggiore, nei gra ci vengono rappresentati gli intervalli

di tempo con una precisione no alla quinta cifra decimale, poichŁ il software li acquisisce con tale
precisione.

3
1,4V a causa delle cadute di potenziale sui transistors, ma in e etti la topologia del
circuito fa si che il segnale attraversi un solo transistor, mentre l’altro Ł spento. Come
per lo stadio in classe A la vout Ł di circa 0.7V piø piccola della vin.

Figura 4: Stadio in classe B, andamento di vin in blu e vout in rosso (sinistra); vout in
funzione di vin (destra)

Figura 5: Stadio in classe B con retroazione, andamento di vin in blu e vout in rosso
(sinistra); vout in funzione di vin (destra)

6.3 Stadio in classe B con retroazione


In gura 5 si osserva il miglioramento della linearit della risposta dopo l’aggiunta della
retroazione. La tensione in uscita Ł asimmetrica, si ipotizza che il segnale in ingresso
sia stato tagliato in modo non simmetrico a causa dell’ alimentazione dell’ampli
catore operazionale. Il medesimo problema si ripresenta, infatti, anche con lo stadio
in classe AB retroazionato, Ł plausibile che la manopola di regolazione della tensione
di alimentazione negativa sia stata accidentalmente spostata o settata erroneamente
in partenza.

6.4 Stadio in classe AB


Osservando la gura 6 si nota che la risposta Ł lineare in un ampio intervallo e, come
nello stadio B retroazionato, tale intervallo Ł limitato solamente dalla tensione di
alimentazione.

4
6.5 Stadio in classe AB con retroazione
La caratteristica xy della con gurazione in classe AB retroazionata Ł visivamente
indistinguibile da quella dello stadio AB senza retroazione, pertanto nel gra co

Figura 6: Stadio in classe AB, andamento di vin in blu e vout in rosso (sinistra); vout in
funzione di vin (destra)

Figura 7: Stadio in classe AB con retroazione, andamento di vin in blu e vout in rosso
(sinistra); vout in funzione di vin con massimo zoom (destra)

a destra in gura 7 si Ł scelto di mostrare l’andamento di vout in funzione di vin con


massimo zoom possibile sulla zona di crossover, nella quale lo stadio in classe AB
mostra, con ottima approssimazione, un andamento lineare3.

7 Conclusioni
Lo stadio in classe A ha una caratteristica statica particolarmente lineare. La regione
di linearit , in aggiunta, si allarga in modo inversamente proporzionale alla resistenza
di emettitore: tanto piø viene scelta piccola RE, tanto piø estesa sar tale regione, in
accordo con l’equazione (1). Questa con gurazione Ł, pertanto, particolarmente
adatta a impieghi audio, che richiedono una buona regolarit nella regione di
crossover. D’altro canto lo stadio in classe A assorbe un’ elevata potenza statica

3 Per una discussione piø approfondita sulla linearit delle con gurazioni si veda l’appendice B.

5
quando l’ampli catore non Ł in funzione. Inoltre la necessit di scegliere una RE piø
bassa possibile per il motivo appena discusso fa aumentare notevolmente il consumo
di energia, in accordo con la (2). Ulteriore svantaggio causato da un
sottodimensionamento della resistenza in questione sono correnti di emettitore
particolarmente intense, che potrebbero rendere necessario un dissipatore di calore
sulla resistenza e sul transistor. Per questi motivi lo stadio in classe A non Ł adatto ad
applicazioni portatili alimentate a batteria, che richiedono bassa potenza assorbita e
piccole dimensioni, mentre Ł una buona scelta nel caso in cui consumo energetico e
ingombro non siano fattori limitanti.
Lo stadio in classe B ha una potenza statica vantaggiosa poichŁ assorbe energia
solamente quando gli viene dato in ingresso un segnale (superiore a circa 0.7V ), in
caso contrario i transistor rimangono spenti. Questa soluzione ha per il difetto di
distorcere signi cativamente il segnale perchŁ la caratteristica di uscita presenta
irregolarit nella zona di crossover (Vedi gura 4), il che rende la con gurazione poco
adatta alle applicazioni audio. Tuttavia la bassa potenza assorbita fa dello stadio in
classe B una buona base di partenza per con gurazioni sia portatili sia con risposta
lineare. Aggiungendo la retroazione, infatti, la risposta appare priva di irregolarit
(Figura 5) e le tabelle in appendice B confermano la buona qualit della con gurazione
in questione.
Lo stadio in classe AB ha una risposta lineare in un range molto ampio di tensioni
in uscita (ampia dinamica), inoltre la potenza statica richiesta dallo stadio in classe AB
Ł ridotta rispetto allo stadio in calsse A, in quanto non abbiamo particolari limitazioni,
in termini di qualit della risposta del circuito, sul valore delle resistenze impiegate,
come invece accadeva con lo stadio in classe A. Possono quindi essere scelte, per la
relazione (3), in modo da minimizzare la potenza statica assorbita dal circuito, con i gi
discussi vantaggi che ne conseguono. Per quanto riguarda la resistenza in ingresso,
calcolabile usando la formula (4) si osservi che non Ł particolarmente elevata (alcuni
kΩ), ma Ł un problema che si pu arginare aumentando le resistenze sul ramo dei diodi.

A Relazioni ricavate
(1) La regione di linearit dello stadio in classe A pu essere estesa no ad ottenere
un range in uscita che vada da un minimo di −Vcc +0.7V a un massimo di +Vcc −0.7V .
Nei gra ci in gura 3 notiamo chiaramente che la risposta del circuito Ł fortemente
asimmetrica. Ricaviamo il minimo valore sperimentale di tensione in uscita che tale
circuito pu raggiungere senza distorsione, indicheremo tale valore con VEmin. La
regione di non linearit Ł dovuta allo spegnimento del transistor, analizziamo dunque
il circuito considerando la parte rimanente:

∆VRL = VEmin = IRL

(1)

6
Dalla quale segue che per ottenere la massima linearit Ł necessario che VEmin sia uguale
a −Vcc, pertanto:

(2) L’equazione si ricava banalmente considerando che quando vin Ł nulla, anche
vout lo Ł, ma il transistor Ł acceso. Di conseguenza la corrente che uisce sul ramo
conduttore Ł limitata unicamente da RE:

Quindi la potenza statica assorbita dallo stadio in classe A Ł data da:

(2)

(3) La potenza statica assorbita dallo stadio AB si ricava considerando che nel
caso in cui vin e vout siano nulle i due transistor sono comunque accesi, perchŁ le cadute
di potenziale sul ramo dei diodi sono su cienti a mantenere accesi i transistor4. La
corrente assorbita dallo stadio Ł pari alla somma dell’intensit di corrente che passa
sul ramo dei diodi e quella sul ramo dei transistor, inoltre la corrente sui due rami si
equivale per le propriet dello specchio di corrente, quindi:
Itot = Idiodi + Itransistor =⇒ Itot =2I
La corrente sul ramo dei diodi vale (tenendo conto del fatto che R1 = R2):

Quindi, sapendo che la ∆V Ł pari a 2Vcc :

(3)

(4) La resistenza di ingresso dello stadio in classe AB si calcola tenendo conto dei
due casi che si possono presentano durante il funzionamento del circuito:
. Nel primo caso il transistor 1 Ł spento, perchŁ Vcc − vin < 0.7V
mentre il transistor 2 Ł acceso, nel secondo caso, T1 Ł acceso e T2 Ł spento. I circuiti
equivalenti nei due casi ci portano entrambi risultato:

4 ∆V
diodo ≈ 0.7V , che Ł la tensione che si richiede tra base ed emettitore a nchŁ il transistor si possa
considerare completamente acceso.
mentre βRL = β4.7kΩ ≈ 470kΩ

mentre

7
Considerando che Ł trascurabile rispetto a βRL5 e che il primo termine Ł
decisamente piø piccolo del secondo6:

(4)

Essendo R1 = R2 sono state rinominate con R.


B Coe cienti di correlazione
Per confrontare in modo piø rigoroso le varie con gurazioni dello stadio di uscita Ł
possibile valutare il coe ciente di correlazione dei set di dati in un intorno della zona
di crossover. Il calcolo Ł stato e ettuato prendendo in considerazione 3 periodi con
tensioni di ingresso oscillanti tra ±5.00V . Vengono riportati di seguito i risultati
ottenuti con i diversi circuiti in ordine crescente di coe cienti di correlazione:
Classe Retroazione Coe ciente di correlazione
B No 0.99643
B S 0.99934
AB No 0.99940
AB S 0.99943
Si noti che il valore del coe ciente di correlazione associato allo stadio B potrebbe
sembrare buono, ma questo Ł dovuto al fatto che intervalli di tensione cos ampi
nascondono la distorsione nella regione di crossover, che Ł molto piø stretta
dell’intervallo considerato (vedi gra ci gura 4). Andando a considerare segnali di
ampiezza ±2.00V e ±1.00V ci si aspetta che la distorsione diventi sempre piø in uente
e si veri chi un brusco calo del coe ciente di correlazione dello stadio B non
retroazionato, che indica una marcata non linearit nel range di tensione considerato.
Negli altri stadi il calo Ł sensibilmente minore ed Ł dovuto sia ad una leggera
distorsione da parte dello stadio sia alla riduzione del campione statistico. Proprio a
causa del ridotto numero di dati la statistica diviene meno signi cativa, i coe cienti
riportati di seguito sono inseriti solo per mostrare quantitativamente la perdita di
linearit dello stadio in classe B non retroazionato nella regione di crossover, rispetto
alle altre con gurazioni.
Classe Retroazione Coe . correl (±2.00V ) Coe . correl (±1.00V )
B No 0.966 0.860
B S 0.996 0.988
AB No 0.996 0.989
AB S 0.996 0.988