UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
(Universidad del Perú, Decana de América)
FACULTAD DE ING. ELECTRONICA, ELECTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES
APELLIDO Y NOMBRE MATRICULA

- Huaytalla Cotrina Abel Isaac 17190013

HORARIO TEMA
Laboratorio: Lunes 11am-1pm EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN,
CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

INFORME PREVIO NUMERO

INDIVIDUAL 5

CURSO PROFESOR

Circuitos electrónicos 1 Cuzcano Rivas, Abilio

 EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN, CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

I. OBJETIVOS
 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP
 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar NPN

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Multímetro
 Micro amperímetro
 Mili amperímetro
 Cables de conexiones diversos
 01 transistor 2N4646 o 2N3904
 Resistores: Re= 220Ω, Rc= 1KΩ, R1=56KΩ, R2= 22KΩ
 Condensadores: Ci= 0.1uf, C0= 0.1uf, Ce=3.3uf
 Potenciómetro de 1M(p1)
 01 computadora con Multisim

III. INFORME PREVIO

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor

bipolar
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junción transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son
de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o
BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
 Fig.1 Transistor bipolar
ESTRUCTURA
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del
emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del
semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según
corresponda.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
otorgarle al transistor una gran β.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo
simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de
funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna
del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector
con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los
que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a
0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector.
El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente dopado, permitiendo
que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta
colapse. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. La razón
por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de
portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos
inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayoría de los portadores
inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso.
Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente
que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado
para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de
corriente controladas por tensión, pero son caracterizados más simplemente como fuentes de
corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia
de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT modernos
están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de
heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta
velocidad.

Fig.2 corte transversal de un transistor bjt

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector
en inversa debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores
que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En
una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada
en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde
la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores
puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario
del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar
la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.

Fig.3
TIPO DE TRANSISTORES
Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren
a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría
de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es
mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración
emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en
la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día
son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas
de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica
externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Fig.3 Tipos de transistores

REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por
la forma en que son polarizados:

Región activa directa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = (β + 1) ·Ib; corriente del colector= β·Ib
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en
una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra
en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian
roles. Debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente
en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo
activo.

Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del
circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un circuito abierto, ya
que la corriente que lo atraviesa es cero.
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
Corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando
la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE, sat.
Cuando el transistor está en saturación, la relación lineal de amplificación I c=β·Ib (y por ende, la
relación Ie= (β+1) ·Ib) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un cable, ya que la
diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.
Como se puede ver, la región activa es útil para la electrónica analógica (especialmente útil para
amplificación de señal) y las regiones de corte y saturación, para la electrónica digital, representando
el estado lógico alto y bajo, respectivamente.

TEORIA Y MODELOS MATEMATICOS

Análisis en continua
El modelo Ebers-Moll
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal son determinadas por:

La corriente interna de base es principalmente por difusión y

 IE es la corriente de emisor.
 IC es la corriente de colector.
 αT es la ganancia de corriente directa en configuración base común. (de 0.98 a 0.998)
 IES es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10−15 a
10−12 amperios)
 VT es el voltaje térmico KT/q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K).
 VBE es la tensión base emisor.
 W es el ancho de la base.

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de αT

es muy cercano a 1,0. En el transistor de unión bipolar una pequeña variación de la corriente base-
emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relación entre la corriente colector-
emisor con la base-emisor es llamada ganancia, β o hFE. Un valor de β de 100 es típico para
pequeños transistores bipolares. En una configuración típica, una señal de corriente muy débil
circula a través de la unión base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. β está
relacionada con α a través de las siguientes relaciones:

2. De los manuales obtener los datos de los transistores bipolares 2N3904, AC127, 25C784Y,
TR59 y 2N2222.
TRANSISTOR 2N3904
AC127
2N2222
 3. Realizar el análisis teórico de los circuitos mostrados. Determinar el punto de operación del
circuito del experimento.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados, realizar la simulación

del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere todos los casos indicados en el paso 3.
Llenar los valores correspondientes en las tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5
2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función ohmímetro del multímetro.
Llene la tabla 5.1
Tabla 5.1

Resistencia Directa Inversa

Base-Emisor 1.1M OL
Base-Colector 1.1M OL
Colector-Emisor OL OL

3. Implementar el circuito de la figura 5.1

CALCULOS TEORICOS MATEMATICOS:
Haremos uso del teorema de thevenin, divisor de tensión. Analizando el voltaje en la base y la
resistencia equivalente entre R1 y R2 que están en paralelo
𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = ( ) 𝑉𝐶𝐶
𝑅2 + 𝑅1
𝑅2 𝑅1
Y 𝑅𝐵𝐵 = (𝑅2+𝑅2)

En la malla 1 tenemos:
VBB=RBB.IB+VBE+RE.IE
VBB=RBB.IB+0.7V+RE(IB(1+β))
𝑉𝐵𝐵−0.7𝑉
Despejando 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵𝐵+𝑅𝐸(1+𝛽)

Recordar que: IE= IC+IB y IC=IB.β, IE=IB(1+β)

En la malla 2:
VCC=RC.IC+VCE+RE.IE
Despejando VCE=VCC-(RC.IC+RE.IE)
𝑉𝐶𝐶
Para halla el 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝑐+𝑅𝐸

Procederemos a hallar los resultados teóricos

R1= 56K, R2=22k, RC=1K,RE=220, β=100
RBB=(56K)(22K)/78K=15.79K
VBB=(22K/78K).12V=3.38V
IB=3.38V-0.7/15.78k+220(101)=70.51uA
IC=IB.β=ICQ=(70.51uA)(100)=7.051mA
IE=IC+IB=7.051071mA
VBE=0.7V, VE=RE.IE=1.55V
VCE=VCEQ=12v-[1K(7.051mA)+220(7.051071mA)]=3.397V
Icmax=12V/1K+220=9.84mA
El punto Q(3.39V,7.051mA) está en la zona activa
a. Medir las corrientes que circulan por el colector IC, el emisor IE y la base IB cuando el
potenciómetro P1 está ajustado para tener un resistencia de 0Ω
 Tabla 5.2

R1=56k IC(mA) IE(mA) IB(uA) VCE VBE VE

Teórico 7.051 7.051071 70.51 3.397 0.7 1.55
simulado 8.96 9.00 42.20 1.06 0.74 1.98

b. Medir las tensiones entre colector- emisor VCE, entre base-emisor VBE y entre emisor
tierra VE
c. Colocar los datos en la tabla 5.2
d. Cambiar R1 a 68k. repetir los pasos a y b, anotar los datos en la tabla 5.3
Para R1=68K
RBB=(68k)(22K)/90K=16.62K
VBB=((22K)/90K).12V= 2.93V
IB=2.93v-0.7v/16.62K+220(101)= 57.42uA
ICQ=IC=57.42uA.100=5.742mA
IE=5.799mA
VCEQ=VCE= 12V-[1K(5.742mA)+220.(5.799mA)]= 4.982V
Icmax= 12V/1K+220=9.84mA
VE=220.5.799mA=1.27578v
El punto Q(4.892V,5.742mA) está en la zona activa

R1=68k IC(mA) IE(mA) IB(uA) VCE VBE VE

Teórico 5.742 5.799 57.42 4.982 0.7 1.27
simulado 7.49 7.52 33.00 2.86 0.73 1.65

e. Aumentar la resistencia de P1 a 100k, 250k, 500k, 1M. Observar lo que sucede con la
corriente IB y con la tensión VC( usar RE=0) llenar la tabla 5.4
Para P1= 100K y R1= 56K, entonces R´1= 156K
RBB=156K.22K/178K=19.28K
VBB=22K.12V/178K=1.483V
IB=1.483v-0.7v/19.28K=40.6uA
IC=4.06mA
IE=4.06004mA
VCE=VC=12V-1K.4.06mA=7.94V
Icmax= 12V/1K=12mA

Tabla 5.4

Valores IC(mA) IE(mA) IB(uA) VCE VBE VE

P1=100k Teórico 4.06 4.06004 40.6 7.94 0.7 0
Simulado 8.70 8.74 38.8 3.30 0.73 0
Para P1= 250k, R1= 56k. R´1=306k, R2=22K
RBB=306K.22k/328k=20.52k
VBB=22k.12v/328k=0.81v
IB=0.81v-0.7v/20.52k=5.36uA
IC=0.536mA
IE=0.541mA
VC=11.464V
Icmax=12mA
El punto Q(11.464v,0.536mA) está muy próximo a la zona de corte

Valores IC(mA) IE(mA) IB(uA) VCE VBE VE

P1=250k Teórico 0.536 0.541 5.36 11.464 0.7 0
Simulado 1.71 1.71 5.91 10.3 0.68 0
Para P1=500K,R1=56k, R´1= 556k
RBB= 21.16k
VBB=0.457V
IB=-11.48uA
IC= -1.148mA
IE=-1.159mA
VCE=13.148V
Icmax= 12mA
El punto Q(13.148V,-1.148mA) no está en la recta de carga, no está en la zona activa

Valores IC(mA) IE(mA) IB(uA) VCE VBE VE

P1=500k Teórico -1.148 -1.159 -11.48 13.148 0.7 0
Simulado 0.00 0.00 0.00 12.00 0.46 0
Para P1=1M, R1=56K, R´1= 1.056M
RBB=21.55k
VBB=0.245V
IB=-21.11uA
IC=-2.111mA
IE=-2.132mA
VCE=14.111v
Icmax=12mA
El punto de Q(14.111v,-2.111mA) no está en la zona de trabajo

Valores IC(mA) IE(mA) IB(uA) VCE VBE VE

P1=1M Teórico -2.111 -2.132 -21.11 14.111 0.7 0
Simulado 0.00 0.00 0.00 12.00 0.24 0
f. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz onda sinusoidal. Observar la salida Vo
con el osciloscopio anotar en la tabla 5.5

Tabla 5.5
Vi Vo Av
R1=56K Teórico 2.50 3.07 1.23
Simulado 2.72 3.04 1.12
R1=68K Teórico 2.50 4.38 1,752
simulado 2.38 4.51 1.89