Universidad Nacional de Ingeniería

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Laboratorio de Circuitos Analógicos

Informe Previo N° 8

Tema: “EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL”

”

Integrantes:

Jarra Gonzales, Renato 20060191a

Cárdenas Arizaga, Bruno Jesus 20071089i

Cueva Asparrin, Jeysson Sócrates 20020221g

Sección: “N”.

Noviembre de 2013
 1. Investigar sobre las reglas de diseño relativas de los circuitos discretos e
integrados.

Condiciones de diseño de amplificador diferencial para circuitos discretos:

El circuito propuesto para la realización del amplificador diferencial es el indicado en la

figura 1, siendo Ve1 y Ve2 las señales de entrada y Vs1 y Vs2 las de salida:

Métodos y condiciones de diseño Las condiciones impuestas al montaje representado en

la figura 1 son:
 Generador de corriente: I0 = 4 mA.
 Tensión en la resistencia R3: VR3 = 6 V.
 Tensión de alimentación: VCC = 12 V.
 Margen de salida máximo para los transistores Q1 y Q2.

Condiciones de diseño de amplificador diferencial para circuitos integrados:

Con este fin variamos la resistencia de carga R2 y vemos que la intensidad de corriente
permanece aproximadamente constante (salvo la pequeña variación debida el efecto
Early) hasta que la tensión colector-emisor alcanza el valor de saturación (0.2 V),
momento en que el transistor entra en la zona de saturación y la corriente disminuye si se
continúa aumentando R2 (al aumentar R2 aumenta la caída de tensión en esta resistencia
y disminuye la tensión colector-emisor).

Podemos utilizar un potenciómetro de 10 kW, en cuyo caso nos quedaremos justo en el

borde de la saturación, o bien uno de 50 kW, con el que es posible entrar dentro de la
zona de saturación. En cualquier caso no es la saturación la región de interés, sino ver que
en un amplio margen de valores dela resistencia de carga la corriente se mantiene
constante. La tensión de alimentación se como de 10 V para no superar la máxima
tensión permitida colector-emisor de los transistores, que es 16 V. Con objeto de poder
medir simultáneamente la corriente y la tensión utilizaremos como voltímetro el
multímetro digital portátil, mientras que como amperímetro usaremos el multímetro de
Hameg disponible en cada puesto.

El diseño de circuitos es la parte de la electrónica que estudia distintas metodologías con

el fin de desarrollar un circuito electrónico, que puede ser tanto analógico como digital.

En función del número de componentes que forman el circuito integrado se habla de

diferentes escalas de integración. Las fronteras entre las distintas escalas son difusas, pero
se denominan SSI (Small Scale of Integration) los circuitos de baja complejidad (algunas
docenas de componentes en un mismo chip), MSI (Medium Scale of Integration) y LSI
(Large Scale Integration) los circuitos de media y alta complejidad, y finalmente VLSI
(Very Large Scale Integration) para circuitos extraordinariamente complejos, hasta
cientos de millones de transistores. En esta última categoría entrarían los
microprocesadores modernos.

El diseño se realiza a distintos niveles. Por una parte tenemos la parte física, donde se
diseña la estructura real de los componentes electrónicos que constituyen el circuito, sus
dimensiones, materiales. Por encima podemos encontrar métodos de diseño de cada vez
más alto nivel, hasta llegar a los llamados lenguajes de descripción de hardware. Éstos
permiten introducir descripciones de los distintos bloques funcionales de un sistema para
su simulación, verificación e incluso para la generación automática del circuito físico con
la herramienta de síntesis apropiada. Algunos de los lenguajes de descripción de hardware
más conocidos y empleados son VHDL y Verilog. En general los circuitos analógicos no
permiten este grado de automatización y se requiere un diseño más artesano, donde la
distribución física de los componentes desempeña un papel fundamental en el resultado
final.

Una de las tecnologías más ampliamente utilizadas en aplicaciones analógicas de baja

frecuencia y digitales es la CMOS o lógica MOS complementaria, que emplea transistores
de efecto de campo MOS de tipo P y N, y que son célebres por su bajo consumo y
razonablemente alta velocidad.

2. Buscar en los manuales y detallar las características principales de los elementos

activos (2N2222A CA3086)
3. Diseñe el circuito amplificador de la fig. bajo las sgts. Premisas.

Vcc =15v,
VBE = 0.7v ,
 = 100 ,

Vee = +15 V
RC = 10 KΩ
RC = 10 KΩ

Q1 Q2

Vin1 Vin2
Rref = 5.1 KΩ

QA QB

RB = 2 KΩ
RA = 2 KΩ

Vee = -15 V

V: 5.00 V
V: 5.00 V V(p-p): 213 pV
V(p-p): 213 pV
Rc1 Rc2 VCC
10kΩ 10kΩ V(rms): 5.00 V
V(rms): 5.00 V V(dc): 5.00 V
V(dc): 5.00 V I: 1.00 mA
I: 1.00 mA Probe2,Probe2 I(p-p): 0 A
I(p-p): 0 A 15V
Probe1,Probe1 I(rms): 1.00 mA
I(rms): 1.00 mA I(dc): 1.00 mA
I(dc): 1.00 mA Freq.: 24.4 kHz
Freq.: 24.4 kHz Q1 Q2

2N2222A 2N2222A

V: -622 mV
V(p-p): 0 V
Rref V(rms): 622 mV
Probe3,Probe3
V(dc): -622 mV
5.1kΩ Probe4,Probe4 I: 2.01 mA
QA QB I(p-p): 0 A
V: -10.3 V I(rms): 2.01 mA
V(p-p): 28.6 pV I(dc): 2.01 mA
V(rms): 10.3 V Freq.:
V(dc): -10.3 V
I: 2.02 mA 2N2222A 2N2222A
I(p-p): 0 A
I(rms): 2.02 mA
I(dc): 2.02 mA
Freq.: 24.0 kHz
RA RB
2kΩ 2kΩ

VEE

-15V
Análisis del circuito en DC
Del circuito QA y QB forman un espejo
Las condiciones de espejos son:
Ica=Icb=Io=2mA
IBa =IBb , IEa=IEb
Del circuito Iref =Io =2mA

Iref = Ica+ IBA+ IBB , IBA = IBB

Iref = IcA+ 2*IBA

Iref = IcA+2* (IcA/β)

Entonces Iref = Ica*(1+2/ β)

Pero si β>>1,entonces Iref = IcA = IcB=Io=2mA.

0-Iref *Rref -VBE-RA*IEA=Vee =-15v

14.3=2*(2+Rref) ,
Rref =5.15KΩ

4.- Usando las técnicas de pequeña señal demostrar que la resistencia de salida del
espejo de corriente con resistencia de emisor es:

 Io * RB 
Ro  1   * ro
 Vt 

Donde ro es la resistencia de salida de QB.

Calcular teóricamente este valor

Rref

Qa Qb
Vcc

Q2N2222A Q2N2222A
0 0

Rb
Ra

Vee
En AC: gmA : Transconductancia de QA
gmB: Transconductancia de QB

Rref

I1 I2
hiea 1Aac R3 R5 1Aac hieb

Vx
1Vac

Ra Rb

0
0
0

Haciendo: Re=Rref.//roA//1/gmA//hieA + RA; como roA es muy grande y hieA=

 1 1 1 1
 hieA  y como en general Rref.>>  Re   RA 
gmA gmA gmA gmA gmA
…(  )

Haciendo un nuevo circuito:

Vx
I2 1Vac
1Aac hieb
Rref
R3
0

0
Rb

Del gráfico:

V3  Ix * RB //( hie B  Re)  ...(c)

V3 * hie B  Ix * hie B * RB //( hie B  Re)
 V2  V2  ...(d )
hie B  Re hie B  Re

Como: Vx  V3  roB * ( Ix  gmB *V2 )  Vx  V3  roB * Ix  roB * gmB *V2

Reemplazando c y d:

 gmB * hieB * RB //( hieB  Re) 

Vx= Ix * roB * 1    RB //( hieB  Re) * Ix
 hieB  Re 

Como roB es muy grande entonces:

Vx gmB * hie B * RB //( hie B  Re)

 Ro  ro B * (1  )
Ix hie B  Re

Por teoría:

 Ic A
gmA  
hie A Vt Ic B * hie B * RB //( hie B  Re)
Entonces: Ro  ro B * (1  )
 Ic B Vt * (hie B  Re)
gmB  
hie B Vt

Además:
IcA>>IcB y hieB>>hieA
 1
 hieB   hie B 
gmA gmA
Usando 
 hie B  Re  hie B  Re  hie B 

Ic B * RB //( hie B )
Ro  ro B * (1  ) En general hieB>>RB e IcB=Io 
Vt
Io * RB
Ro  ro B * (1  )
Vt

5. Calcule la ganancia de tensión esperado para diferentes modos de entrada y

modo de salida , usando un valor razonable para la resistencia de salida
incremental de la fuente de corriente.
 Vee = +15 V
RC = 10 KΩ
RC = 10 KΩ

Q1 Q2

Vin1 Vin2
Rref = 5.1 KΩ

QA QB

RB = 2 KΩ
RA = 2 KΩ

Vee = -15 V

Los voltajes son

Vd=V1-V2 ……..(1)
Vc=V1+V2 ………………(2)
De las ecuaciones anteriores de tiene que :
V1=Vc-Vd /2 V2=Vc+Vd/2

Para polarización Vd =0
V1 =Vc , V2 =Vc

Además VBE1=VBE2
C1=IC2 , IB1=IB2
IE1=IE2
IE1+IE2 =2mA …..IE1=IE2=1mA

Como los BJT son iguales hay simetría

Solo se trabaja en un solo BJT
Datos VCE1=VCE2=6v

Vcc= IC1*RC+VCE1+V

Para la fuente V1= Vc

Vc-VBE=Vcc -IC1*RC-VCE1
Vc-0.7=15-1*Rc - 6

Para diseño se considera Vc=0

Entonces

Rc=9.7KΩ

Análisis en AC

hie1
hie2

1k
Rc
I1 I2
Rc V2
V1

0 0

0
0
R

Modo común: Vd =0

El circuito en AC es

hie1
hie2

1k
Rc
I1 I2
Rc V2
V1

0 0

0
0
R

V1 =Vc
V2 =Vc
β=100
hie1 = hie2 =25kΩ
ib1=ib2=ib

V01
hie1

V1
B.ib
Rc1 Rc

0 0 0 0

Av01 =V01/V1 =(V01/ib)(ib/V1)

ib =Vc/( hie1+2*R*β)= Vc/( 25+2*R*100)

ib/ Vc=1/(25+200*R)

V01 = -β1* ib *Rc

V01/ib =-100*9.7=-970K

Av01 =V01/V1 =(V01/ib)(ib/V1)

Av01 =-970K/(25+200R)

Como hay simetría entonces

Av02 = Av01
Luego la ganancia

Av0 = Av01- Av02 =0

Modo diferencial: Vc=0

Para el modo diferencial el circuito es el siguiente
 V02

V01 hie2
hie1
V2

V1
B1.ib1 I2=B2.ib2
Rc Rc

0
0 0 0

ib1=ib2=ib
β 1 = β2 = β
ie1=ie2
Luego el circuito reducido es el siguiente

V01
hie1

V1
B.ib
Rc1 Rc

0 0 0 0

V01= -β1* ib1 *Rc ……………(a)

V02=-β2* ib2 *Rc ……………(b)

Vo = V01-V02= -β1* ib1 *Rc -(-β2* ib2 *Rc )

Vo=- 2*β*ibRc
Pero : Vd/2 =hie1*ib
ib= Vd/(2*hie1)

Vo= - 2*β*Rc*Vd/(2*hie1)
Vo= -β*Rc*Vd/hie1
AVo=Vo/Vd = -β*Rc/hie1= -100*9.7/25

AVo= -38.8

De la ecuación (a) se tiene:

V01= -β1* ib1 *Rc

 Vd/2= hie1*ib1

Vd/(2* hie1)=ib1

Vo1= - β*Rc*( Vd/(2* hie1))

Entonces
Vo1/Vd=- β*Rc*( 1/(2* hie1))=-100*9.7/(2*25)

Av01Vo1/Vd= -19.4
De la ecuacion (b)
V01= -β2* ib2 *Rc

Vd/2= -hie2*ib2
Vd/(2* hie2)=ib2
Vo2= β*Rc*( Vd/(2* hie2))
Entonces
Vo2/Vd= β*Rc*( 1/(2* hie2))=-100*9.7/(2*25)

AV02=Vo2/Vd= 19.4

6. Simular en computadora el circuito de la figura e imprima los principales

parámetros del amplificador
 V1
Rc Rc1 15Vdc
10k 10k

Q1 V Q2 0

V3 Q2N2222A Q2N2222A V4
VOFF = 0 VOFF = 0
VAMPL = 10m VAMPL = 0
FREQ = 1k FREQ = 1k

0 0
Rref

5.1k

QA QB 0
0

Q2N2222A Q2N2222A

V2
RA RB
2k 2k 15Vdc

7.0V

6.0V

5.0V

4.0V

3.0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(Rc:1)
Time

Barrido de frecuencias
1.6976V

1.6975V

1.6974V

1.6973V
0Hz 10KHz 20KHz 30KHz 40KHz 50KHz
V(Rc:1)
Frequency