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Informe Práctica de Laboratorio N°2:

“Diseño de un Amplificador de Fuente
Común (fc) con JFET Utilizando la
Caracterización del Dispositivo y la Recta de
Carga”
A.F. Rivera Carrillo, ferica1005@gmail.com – 1161269, C.A. Carvajal-Téllez,
carvajal200732@gmail.com – 1161090
D.A. García-Carrillo, Member IEEE, dixonaliriogc@ufps.edu.co,dixon.a.garcia.c@ieee.org -1161093


Resumen
El diseño de amplificadores, es una herramienta útil para la
amplificación de señales de entrada. Por ello en durante el
desarrollo de la práctica, se evidenciara como diseñar
amplificadores utilizando transistores jfet, como encontrar sus
parámetros principales como Vp, K, Idss, uso de la recta de
carga, ecuaciones de diseño, entre otros. Los cuales
proporcionaran una amplificación de la respectiva señal de
entrada. Este diseño se probara mediante expresiones
matemáticas, el uso de la herramienta computacional Orcad
Pspice y por último implementando físicamente el diseño
obtenido.
Palabras Clave: Amplificador, Diseño, Fuente comun, Orcad Pspice
Abstract
The design of amplifiers, is a useful tool for the amplification
of input signals. Therefore, during the development of the
practice, it will be evident how to design amplifiers using jfet
transistors, how to find their main parameters such as Vp, K,
Idss, use of the load line, design equations, among others.
Which will provide an amplification of the respective input
signal. This design will be tested by means of mathematical
expressions, the use of the Orcad Pspice computer tool and
finally by physically implementing the obtained design
1. OBJETIVOS
1.1. OBJETIVO GENERAL
 Diseñar e implementar un amplificador con transistor JFET
de unión PN para comprobar las técnicas de diseño basado
en la caracterización de los parámetros básicos de activación
del transistor JFET y la recta de carga.
1.2. OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Familiarizar al estudiante con el uso de los manuales de los
fabricantes de transistores FET para identificar los
parámetros eléctricos que definen su comportamiento y
poder manejar sus especificaciones a la hora del diseño de
amplificadores.
 Determinar los parámetros característicos del transistor de
manera experimental utilizando como referente la hoja de
especificaciones del fabricante (VP = VGS con ID = 0),
(IDSS con VGS = 0). Con base en estos parámetros
determinar la región de operación del JFET.
 Desarrollar en el estudiante una metodología para el diseño
de amplificadores JFET utilizando una sola fuente de
polarización.
 Ampliar el conocimiento del uso de la herramienta ORCAD
PSPICE para la simulación del circuito

Keywords: Amplifier, Design, Common font, Orcad Pspice 2. INTRODUCCIÓN

Los transistores jfet (Transistor de Efecto de Campo) son
dispositivos electrónicos de tres terminales controlados por
voltajes. Como primera consideración a la hora de iniciar un
proceso de diseño de amplificadores multietapa, se caracteriza,
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con el propósito de obtener el voltaje de ruptura del transistor 𝑉𝑝1 = 1.9𝑣 (1)
(Vp), a partir de él, se obtienen los demás parámetros mediante 𝑉𝑝2 = 1.8𝑣 (2)
la aplicación de leyes de circuitos eléctricos como leyes de
voltajes y corrientes de Kirchhoff, divisores de voltajes, ley de Mediante las ecuaciones de diseño se calculó la
ohm entre otros artificios matemáticos de ingeniería. corriente Idss.

𝐼𝐷𝑆𝑆1 = 9.7𝑚𝐴 (3)

3. PROCEDIMIENTO 𝐼𝐷𝑆𝑆2 = 8.9𝑚𝐴 (4)
Para el diseño del amplificador con dispositivos de tres
terminales para este caso el transistor JFET, se caracterizan los 3.2. Diseño Amplificador Jfet
parámetros del transistor.
La caracterización del transistor Jfet
3.1. Caracterización del transistor Jfet tipo N implementado, en esta sección de diseño es donde
Los parámetros de caracterización a tener en toma mayor valor, debido a que a partir de estos
cuenta para el diseño son Vp, Idss, Vgs. Mediante parámetros, que se encuentran en las ecuaciones
el uso de la recta de carga de los transistores jfet, 1, 2, 3 y 4 se aplicaran las respectivas ecuaciones
y teniendo en cuenta las consideraciones de Id=0 de diseño para cada caso.
y Vds=0 se procede a encontrar los valores
mencionados anteriormente. Partiendo de las condiciones propuestas para el
diseño.
Mediante el esquema mostrado en la Figura 1, se
caracteriza el transistor jfet para hallar el voltaje 𝐼𝐷𝑄 → 0.3𝐼𝐷𝑠𝑠 ≤ 𝐼𝐷𝑄 ≤ 0.7𝐼𝐷𝑠𝑠 (5)
Vp, mientras que con el esquema de la figura 2 se
puede encontrar los valores para Idss. 𝐴𝑣 → 15 ≤ 𝐴𝑣 ≤ 20 (6)

𝑅𝑖𝑛 ≥ 100𝑘Ω (7)

Durante el proceso de diseño de cada una de las etapas del

amplificador, se implementara la configuración fuente común,
como se muestra en la figura 3.

Figura 1 Configuración para determinar Vp

Fuente [1]

Figura 2. Configuración para hallar Idss

Fuente [1]
Cabe mencionar que para efectos del diseño, se
implementara un transistor tipo N, por lo que las
configuraciones a implementar son del canal N,
mostradas en las figuras 1 y 2.
Figura 3. Configuración Amplificador Fuente Común
Fuente [1]
Mediante la aplicación de leyes de la ingeniería y leyes de los
circuitos se obtienen los parámetros faltantes del diseño de
transistor jfet multietapa.

Los valores obtenidos para Vp e Idss fueron los Los valores obtenidos para las corrientes y resistencias para
siguientes valores. las dos etapas fueron:
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𝐼𝐷1 = 4.85𝑚𝐴 (8) Figura 5. Señal de salida

Fuente. Autor
𝐼𝐷2 = 4.45𝑚𝐴 (9)
𝑅1 = 390𝑘Ω (10)
𝑅2 = 270𝑘Ω (11) El valor de la ganancia se puede calcular mediante la
𝑅𝑑1 = 560Ω (12) ecuación 22, los valores que la componen son la
𝑅𝑠1 = 1𝑘Ω (13) diferencia de los valores picos que se obtienen mediante
𝑅3 = 330𝑘Ω (14) la herramienta cursores en Orcad Pspice como se muestra
𝑅4 = 270𝑘Ω (15) en la figura 5 y 6 y el valor del voltaje de entrada
𝑅𝑑2 = 560Ω (16) aumentado en 2.
𝑅𝑠2 = 1.2𝑘Ω (17)
El parámetro k propio de cada transistor se encontró mediante 1.6194
el uso de la ecuación 18 𝐴𝑣 = = 16.194 (22)
2(50𝑚𝑉)
𝐼𝑑𝑠𝑠
𝐾= (18)
𝑉 2𝑝
Obteniendo como resultado:
𝐾1 = 2.97𝑚 𝐴⁄𝑉 2 (19)
𝐾2 = 2.75𝑚 𝐴⁄𝑉 2 (20)

Ya con los parámetros obtenidos, y teniendo en cuenta que el

valor de las resistencias obtenido se debe aproximar al valor
más cercano que sea comercial, se implementa el esquema
eléctrico mostrado en la figura 4.
Figura 6. Diferencia de los valores picos mediante la herramienta Orcad.
Fuente. Autor
Otra de las maneras de comprobar es implementando en
montaje físico el esquema eléctrico, de allí generaremos
una señal de salida con la ayuda de un generador de
señales y un osciloscopio. La señal de salida generada se
muestra en la figura 7.

Figura 4. Amplificador Fuente común con jfet

Fuente. Autor

El valor de la ganancia para este diseño fue de:

𝐴𝑣 = 16.11 (21)

Comprobando el valor de la ganancia obtenida con este

diseño se simulo en la herramienta computacional orcad Figura 7. Señal de salida en el osciloscopio
Fuente. Autor
el esquema de la figura 4, en la simulación se pudo
Con todo esto podemos evidenciar que la ganancia
comprobar la amplificacion de la señal de salida con
generada está dentro del rango mostrado en la ecuación 6.
respecto de la entrada como se muestra en a figura 5.
4. RECOMENDACIONES

 A manera de recomendación, en las futuras

prácticas de diseño de amplificadores con el uso
de jfet, se debe caracterizar de manera óptima los
parámetros de cada transistor a utilizar. Debido a
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que la mala caracterización de estos puede

generar gran inconveniente durante todo el
proceso de diseño si permitir la salida deseada.

5. CONCLUSIONES

 La aplicación adecuada y trato adecuado de las

ecuaciones de diseño, recta de carga y
caracterización. Permitirán el funcionamiento
óptimo del amplificador diseñado.
 Durante el montaje practico, se debe considerar el
buen funcionamiento del generador de señales y
demás materiales, debido a que con la mínima
falla de alguno de ellos, no permitirá el
funcionamiento adecuado del diseño.

6. REFERENCIAS

[1] Garcia, M and Ramirez, J. Practica de Laboratorio 2

“Diseño de un Amplificador de Fuente Común (fc) con
JFET Utilizando la Caracterización del Dispositivo y la
Recta de Carga”

[2]SAVANTC. J, RODEN Martin S. CARPENTER

Gordon. Diseño Electronico. Circuitos y Sistemas.
Tercera Edición. México. Pearson Educación Mexica
S.A. 2000.

[3] SEDRA, Adel. Circuitos Microelectrónicos, Quinta

Edición. México D.F. Editorial Mc Graw-Hill, 2006.

[4] BOYLESTAD, Robert L. Electrónica: Teoría de

Circuitos. México D.F. Editorial Prentice
HallHispanoamericana, S.A. 1997