ESTA001-17 Dispositivos Eletrônicos

Prática 6 – Curva Característica do MOSFET

1 OBJETIVOS
a. Obter uma familiarização inicial com transistores de efeito de campo (FET) do tipo metal-
óxido-semicondutor (MOSFET)
b. Analisar a resposta destes transistores

2 LISTA DE EQUIPAMENTOS, MATERIAIS E COMPONENTES

Quantidade Equipamento / Material
1 Multímetro Portátil com adaptador jacaré em ambas as pontas de prova
1 Multímetro Bancada
1 Fonte de tensão contínua variável
1 Proto-board
1 Par de cabos banana/banana
1 Par de cabos banana/jacaré
Quantidade Componente
1 CD4007
1 Resistor de 100 kΩ

3 INTRODUÇÃO

O Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) é o dispositivo mais

amplamente empregado, especialmente no projeto de circuitos integrados (CIs). Comparados com
os transistores bipolares de junção (TBJs), os MOSFETs podem ser fabricados em dimensões
reduzidas, com processo de fabricação mais simples e com exigência inferior de potencia.

Figura 1: Tipos e simbologias de MOSFETS.

______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
3º Quadrimestre de 2018
página 1
 ESTA001-17 Dispositivos Eletrônicos

Figura 2: Circuito integrado CD4007 a ser utilizado: pinagem e diagrama de transistores.

4 PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS
4.1 Obtenção de pontos de operação para MOSFET Canal-N

Monte o circuito mostrado na Figura 3, utilizando o transistor MOS de canal-N que é acessível
através dos terminais 6-7-8 do chip CD4007, cuja pinagem é mostrada à direita. As conexões
mostradas entre alguns dos pinos do CI devem ser feitas para evitar que os outros transistores do
CI interfiram no resultado das medições. Nestas condições, varie a tensão Vds no intervalo de 0 a
5V enquanto mantém fixa a tensão Vgs em cada um dos seguintes quatro valores (1, 2, 3 e 4V).
Com os valores medidos, trace as correspondentes curvas Id X Vds parametrizadas por Vgs.

Figura 3: Circuito para obter as curvas características de um transistor MOS-N medindo as

grandezas Id, Vds e Vgs.

______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
3º Quadrimestre de 2018
página 2
 ESTA001-17 Dispositivos Eletrônicos

4.2 Obtenção de pontos de operação para MOSFET Canal-P

Monte o circuito mostrado na Figura 4, utilizando o transistor MOS de canal-P que é acessível
através dos terminais 6-13-14 do chip CD4007. A correspondente pinagem é mostrada à direita e
as conexões mostradas entre os demais pinos do CI se justificam da mesma forma que no caso
anterior. Nestas condições, varie a tensão Vds no intervalo de 0 a 5V enquanto mantém fixa a
tensão Vgs em cada um dos seguintes quatro valores (1, 2, 3 e 4V). Com os valores medidos, trace
as correspondentes curvas Id X Vds parametrizadas por Vgs.

Figura 4: Circuito para obter as curvas características de um transistor MOS-P medindo as

grandezas Id, Vds e Vgs.

4.3 Questões
Há um valor de Vgs a partir do qual o transistor começa a conduzir?
Se sim, este valor depende do valor de Vds?

Referências:
1. BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L.; Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos,
Prentice-Hall, 8a Ed., 2004.
2. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C.; "Microeletrônica", Prentice-Hall, 5a Ed., 2007.
3. MALVINO, A. P.; BATES, D. J.; "Eletrônica", vol. 1 e 2, McGraw-Hill, 7a Ed., 2007.

Notas:
• Atenção para a polaridade dos componentes.
• Em todos os experimentos, deve-se descrever o que ocorreu e explicar o motivo pelo qual
ocorreu o resultado verificado.
• Mantenha sua bancada organizada.

______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
3º Quadrimestre de 2018
página 3
 ESTA001-17 Dispositivos Eletrônicos

Pré-relatório (Prática 6)
(entregar logo após a realização da experiência)

Título da Experiência: __________________________________________________________

Data de Realização da Experiência: _____ / ___________ / 2018

Nomes dos
Integrantes
do Grupo

Anotar aqui os resultados e algumas das conclusões obtidas...

Parte 1: Obtenção de pontos de operação para MOSFET Canal-N
Curvas Id X Vds parametrizadas por Vgs

Parte 2: Obtenção de pontos de operação para MOSFET Canal-P

Curvas Id X Vds parametrizadas por Vgs

Conclusões Prévias ou comentários que julgarem pertinentes:

_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________

______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
3º Quadrimestre de 2018
página 4