Ejercicios propuestos: 𝑷𝒅 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝑽𝑫𝑫 𝒕𝒅(𝒆𝒏𝒄) 𝒇𝒔

𝑷𝒅 = 𝟐𝟓𝟎(𝟏𝟎−𝟑 )(𝟒𝟎)(𝟐𝟓𝒙𝟏𝟎−𝟗 )(𝟐𝟎𝒙𝟏𝟎𝟑 ) = 𝟓𝒎𝑾

Calcular para un determinado transistor NMOS,
el valor del parámetro 𝛾 que modela el efecto Durante el tiempo subida
substrato si cuando 𝑽𝑩𝑺 = −𝟏, 𝟓𝑽, la tensión
𝟎 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝒓
umbral es un 72% mayor de lo que era cuando
𝑽𝑩𝑺 = 𝟎 𝑽. 𝑰𝑫𝑺
𝒊𝑫 (𝒕) = 𝒕
𝒕𝒓
Datos 𝑽𝑫𝑺 = 𝟏𝟎𝑽, 𝑽𝑻𝑶 = 𝟏 𝑽, 𝝓𝑩 = −𝟎, 𝟐𝟓𝑽. 𝒕
𝒗𝑫𝑺(𝒕) = 𝑽𝑫𝑫 + (𝑹𝑫𝑺𝑰𝑫𝑺 − 𝑽𝑫𝑫 )( )
𝒕𝒓
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑇0 + 𝛾(√−2𝜙𝐵 − 𝑉𝐵𝑆 − √−2𝜙𝐵 )
así
Para 𝑉𝐵𝑆 = 0𝑉
𝑰𝑫𝑺 𝒕
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑇0 = 1𝑉 𝑷𝑫(𝒕) = 𝒊𝑫𝑺 𝒗𝑫𝑺 = 𝒕 [𝑽𝑫𝑫 + (𝑹𝑫𝑺𝑰𝑫𝑺 − 𝑽𝑫𝑫 )( )]
𝒕𝒓 𝒕𝒓
Para 𝑉𝐵𝑆 = −1.5 𝑉 𝑷𝒅(𝒕) será máxima para 𝒕 = 𝒕𝒎
1𝑉 100%
𝒕𝒓 𝑽𝑫𝑫 𝟔𝟎𝒙𝟏𝟎−𝟗 𝒙𝟒𝟎
𝑥 72% 𝒊𝒎 = =
𝟐(𝑽𝑫𝑫 − 𝑹𝑫𝑺𝑰𝑫𝑺 ) 𝟐(𝟒𝟎 − 𝟐𝟓𝒙𝟏𝟎−𝟑 𝒙𝟑𝟓)
𝑉𝑇𝐻 = 1,72 𝑉 = 𝟑𝟎. 𝟔𝟕𝒏𝒔

𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑇0 + 𝛾(√−2𝜙𝐵 − 𝑉𝐵𝑆 − √−2𝜙𝐵 ) La disipación total de potencia durante 𝒕(𝒐𝒏)

𝑷𝒆𝒏𝒄 = 𝑷𝒅 + 𝑷𝒓 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟓 + 𝟏. 𝟑𝟖𝟕𝟕 = 𝟏. 𝟑𝟗𝟐𝟕𝟓 𝑾

1.72 = 1 + 𝛾(√−2(−0,25) − (−1,5) − √ −2(−0,25))
0,72 = 𝛾(1,41 − 0,5)
𝜸 = 𝟎, 𝟕𝟗
Un MOSFET se usa como interruptor. Sus
parámetros son 𝑽𝑫𝑫 = 𝟒𝟎 𝑽, 𝑰𝑫 = 𝟑𝟓 𝑨,
𝑹𝑫𝑺 = 𝟐𝟖 𝒎𝜴, 𝑽𝑮𝑺 = 𝟏𝟎𝑽, td(enc) = 25 ns, tr=
60 ns, td(apag) = 70 ns, tf = 25 ns y fs= 20 kHz.
La corriente de fuga de drenaje a fuente es
𝒍𝑫𝑺𝑺 = 𝟐𝟓𝟎 𝒖𝑨. El ciclo de trabajo es k = 60%.
Calcule la disipación de potencia debida a la
corriente de drenaje a) durante el encendido
tenc = td(n) + tr; b) durante el periodo de
conducción tn.
𝟏
𝑲 = 𝟎. 𝟔, 𝑻 = = 𝟓𝟎𝝁𝒔
𝒇𝒔
𝒌𝑻 = 𝒕𝒅(𝒆𝒏𝒄) + 𝒕𝒓 + 𝒕𝒏 = 𝟓𝟎𝟎𝟎𝟎𝒏𝒔
𝒕𝒏 = 𝟓𝟎𝟎𝟎𝟎 − 𝟐𝟓 − 𝟔𝟎 = 𝟐𝟗𝟗𝟏𝟓 𝒏𝒔
(𝟏 − 𝒌)𝑻 = 𝒕𝒇 + 𝒕𝒅(𝒂𝒑𝒂𝒈) + 𝒕𝒐 = 𝟐𝟎𝟎𝟎𝟎𝒏𝒔
𝒕𝒐 = 𝟐𝟎𝟎𝟎𝟎 − 𝟕𝟎 − 𝟐𝟓 = 𝟏𝟗𝟗𝟎𝟓𝒏𝒔
Durante el tiempo de retardo
Periodo de conducción
𝟎 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝒏 

𝒊𝑫 (𝒕) = 𝑰𝑫𝑺
𝒗𝑫𝑺 (𝒕) = 𝑹𝑫𝑺𝑰𝑫𝑺
𝑷𝒄 (𝒕) = 𝑰𝑫 𝑽𝑫𝑺 = 𝑹𝑫𝑺𝑰𝑫𝑺 𝑰𝑫𝑺
= 𝟐𝟓 𝒙 𝟏𝟎−𝟑 𝒙𝟑𝟓𝟐 = 𝟑𝟎. 𝟔𝟐𝟓 𝑾
𝑷𝒏 = 𝑹𝑫𝑺 𝑰𝑫𝑺𝑰𝑫𝑺 𝒕𝒏 𝒇𝒔
−𝟑
= 𝟐𝟓 𝒙 𝟏𝟎 𝒙𝟑𝟓𝟐 𝒙 𝟐𝟗𝟗𝟏𝟓 𝒙 𝟏𝟎−𝟗 𝒙 𝟐𝟎 𝒙 𝟏𝟎𝟑 = 𝟏𝟖. 𝟑𝟐 𝑾
Un MOSFET funciona como interruptor pulsado
a una frecuencia de 𝒇𝒔 = 𝟓𝟎 𝒌𝑯𝒛. El arreglo del
circuito se ve en la figura. El voltaje de entrada
de cd al interruptor es Vs = 30 V, y la corriente
de la carga es 𝒍𝑳 = 𝟒𝟎 𝑨. Los tiempos de
conmutación son 𝒕𝒓 = 𝟔𝟎 𝒏𝒔 y 𝒕𝒇 = 𝟐𝟓 𝒏𝒔.
Determine los valores de a) Ls; b) Cs; c) 𝑹𝒔 , para
la condición de amortiguamiento crítico; d) 𝑹𝒔 ,
si el tiempo de descarga se limita a un tercio del
período de conmutación.

𝟎 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝒅(𝒐𝒏)

𝑰𝑫(𝒕) = 𝑰𝑫𝑺𝑺

𝑽𝑫(𝒕) = 𝑽𝑫𝑫

La potencia instantánea debido a corriente de colector

𝑷𝑫(𝒕) = 𝑰𝑫𝑺 𝑽𝑫𝑺 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝑽𝑫𝑫 = 𝟐𝟓𝟎𝒙𝟏𝟎−𝟑 𝒙𝟒𝟎 = 𝟎, 𝟎𝟏 𝑾

La disipación potencia promedio durante el tiempo de

retardo es
 30 𝑥 60 𝑥 10−9
(𝑎) 𝐿𝑠 = = 0.045𝜇𝐻
40
40 𝑥 25 𝑥 10−9
(𝑏) 𝐶𝑠 = = 0.0333𝜇𝐹
30

45
(𝑐 )𝑅𝑠 = 2 ∗ √ = 2.324 𝛺
33.33

106
(𝑑 ) 𝑅𝑠 = = 200.02𝛺
3𝑥50𝑥33.33