CURVAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

OBJETIVO:
 Obtención de las curvas características del transistor Bipolar.

MATERIAL Y EQUIPO:
 01 transistor 2N2222 o 2N3904
 01 resistor de 100Ω, 0.5W
 01 resistor de 10KΩ, 0.5W
 01 Potenciómetro lineal de 50KΩ, 0.5W
 01 Potenciómetro lineal de 500KΩ, 0.5W
 01 Protoboard
 01 Fuente de alimentación programable
 01 Multímetro
 02 puntas de prueba

FUNDAMENTO TEÓRICO:
El transistor bipolar o BJT es un dispositivo electrónico mediante el cual puede controlarse
una cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente. Este dispositivo
consta de 3 patitas, terminales o pines; cada uno de estos pines tienen un nombre
especial y es muy importante no olvidarse de esos nombres los cuales son: colector, base
y emisor, tal como se ve en la imagen, el orden de los pines depende del transistor que se
esté utilizando, para ello será necesario recurrir a su hoja de datos. En la imagen se
puede ver el orden de los pines correspondientes para el transistor bipolar 2N2222 así
como para el transistor bipolar 2N3904.
El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo p. De
acuerdo a la distribución de los materiales semiconductores se tienen 2 tipos de transistor
bipolares: transistor NPN y transistor PNP. El funcionamiento del transistor se basa en los
movimientos de electrones (negativos) y de huecos (positivos), de allí el nombre de
transistor bipolar o BJT (“Bipolar Junction Transistor” o “Transistor de Unión Bipolar” en
español).

Para un mejor entendimiento, se puede imaginar interiormente el transistor bipolar como

se muestra en la figura. Observar que entre la base y el emisor hay un diodo, lo mismo
entre la base y el colector hay otro diodo; el transistor bipolar tiene 3 zonas diferentes en
los cuales puede operar y son conocidos como: región activa, región de corte y región de
saturación.
Para que opere en la región de saturación, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma directa y el diodo base colector también tendrá que estar polarizado
en forma directa.

Para que opere en la región de corte, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en
forma inversa y el diodo base colector también tendrá que estar polarizado en forma
inversa.
Para que opere en la región activa, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en
forma directa y el diodo base colector tendrá que estar polarizado en forma inversa.
Cuando el transistor bipolar se prepara para que opere en la región activa, se cumple que
la corriente que ingrese por la base IB va a controlar la cantidad de corriente que circulará
por el colector IC, este control es de forma lineal, y se cumple una relación matemática a la
cual se le llama ganancia del transistor y se le simboliza con β, esto es β=IC / IB, este valor
en la hoja de datos se le encuentra como hfe.
En un transistor bipolar siempre se va cumplir, que si se encuentra operando en la región
de saturación o en la región activa, la tensión que existirá entre la base y el emisor
VBE=0,7V ya que el diodo existente entre la base y el emisor está polarizado en forma
directa.
Los símbolos utilizados para representar el transistor bipolar o BJT tanto para el tipo NPN
así como para el tipo PNP son los que se muestran en la figura; la flecha indica que el
diodo base emisor se tiene que polarizar en forma directa para hacer operar el transistor
en la región activa.

Para hacer trabajar el transistor bipolar se dice que hay que polarizarlo, esto es lo mismo
que decir que hay que polarizar el diodo base emisor y el diodo base colector, de acuerdo
a la región en la cual se quiere que opere.
Por ejemplo para polarizarlo en la región activa, se tiene que hacer que la tensión de la
base VB sea mayor a la tensión del colector VC en al menos 0,7 V, ya que el diodo se
activa a partir de esta tensión cuando se polariza en forma directa; esta tensión quedará
en forma constante entre la base y el emisor mientras el transistor esté polarizado en la
región activa, esto es VBE =0,7V. Para el caso del transistor NPN, además debe cumplirse
que la VC tiene que ser mayor que la tensión de la base VB para que el diodo base
colector se polarice en forma inversa; mientras que para el transistor PNP, la tensión de la
base VB tiene que ser menor en al menos 0,7V a la tensión del emisor VE para que el
diodo emisor base esté polarizado correctamente, es decir en forma directa; esto hace
que VBE =-0,7V; además debe cumplirse que la VC tiene que ser menor que la tensión de
la base VB para que el diodo colector base se polarice en forma inversa.
En lo que sigue se comentará para el caso del transistor bipolar NPN, pero se cumplirá lo
mismo para el transistor bipolar PNP con la diferencia que las tensiones y las corrientes
tendrán valores inversos con respecto al transistor NPN, en la imagen del transistor
bipolar se muestran los símbolos de las tensiones y corrientes, así como se aprecian los
sentidos de las tensiones y las corrientes en los transistores cuando estos se polarizan
para que operen en la región activa.
Aplicando la ley de corrientes de Kirchoff, se tiene que:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
Donde la corriente de la base 𝐼𝐵 es pequeña comparada con la corriente del colector 𝐼𝐶 ,
por eso muchas veces se la puede ignorar, con lo cual la corriente del emisor 𝐼𝐸 se puede
asumir como:
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶
Esto se hace con el fin de no complicar los cálculos. Al hacer esto los resultados
obtenidos son muy próximos a los valores reales. La tensión entre la base emisor 𝑉𝐵𝐸 en
el transistor bipolar NPN es un valor positivo 𝑉𝐵 mayor en 0,7V al 𝑉𝐸 ; la tensión colector
emisor 𝑉𝐶𝐸 es un valor positivo que depende del circuito en el cual se encuentre el
transistor; para el transistor bipolar PNP, la 𝑉𝐵𝐸 es un valor negativo, ya que la 𝑉𝐸 es
mayor en 0,7V a la 𝑉𝐵 , la tensión colector emisor 𝑉𝐶𝐸 también es un negativo que
depende del circuito en el cual se encuentre el transistor. Las medidas más importantes
que hay que tener en el circuito de polarización son 𝐼𝐶 y la 𝑉𝐶𝐸 .
𝐼𝐶
De la relación de ganancia 𝛽 = ⁄𝐼 se puede despejar 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 que es la forma en que
𝐵
se utilizará mayormente, esto es muy importante tenerlo siempre presente ya que indica
cuantas veces es mayor la corriente que circula por el colector 𝐼𝐶 con respecto a la
corriente que esté entrando por la base 𝐼𝐵 .
En la siguiente imagen se muestra un circuito en el cual se utiliza el transistor bipolar,
para el ejemplo se asume que el transistor está polarizado en la región activa, este tipo de
polarización se le llama de emisor común porque el emisor está directamente conectado a
tierra, la idea hasta aquí es ver cómo se puede utilizar en el transistor bipolar del circuito1
las relaciones matemáticas vistas hasta el momento. La forma en que se procede será
muy similar en adelante, la resistencia 𝑅𝐵 sirve para limitar la corriente que circula por la
base 𝐼𝐵 hasta un valor adecuado para obtener 𝐼𝐶 , la corriente 𝐼𝐶 depende de la corriente
𝐼𝐵 , 𝑅𝐶 es la carga en la que se utilizará 𝐼𝐶 .
Analizando en la malla 1:
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
Siendo (𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉):
𝑉𝐵𝐵 − 0.7
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Luego:
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
Analizando la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶
Despejando:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶
Las corrientes y las tensiones sobre el transistor bipolar tienen valores máximos que no
hay que sobrepasar, ya que de lo contrario se dañarán. Estos valores máximos se
encuentran en la hoja de datos del transistor que se esté utilizando.

Las curvas características de un transistor relacionan las siguientes variables: corrientes a

través de sus terminales y diferencia de potencial entre los mismos. El número de
variables es seis, aunque dos de ellas pueden deducirse directamente de las otras cuatro.

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

 Corrientes y tensiones en un transistor NPN en Emisor Común (EC).

Como en un plano se pueden relacionar como máximo tres variables mediante una familia
de curvas, resultan necesarias dos familias para relacionar las cuatro variables.

En la configuración emisor común (EC), el término común a la entrada y salida es el

emisor. Entendemos por curvas características de un transistor la representación gráfica
de las relaciones entre las tensiones y las corrientes. Las curvas características que se
van a estudiar son las curvas características de entrada y las curvas características de
salida, que veremos en detalle en los apartados siguientes. En ambos casos son
representaciones de tres variables; dos de ella se representan en los ejes X e Y, y se
dibuja una curva para cada valor de la tercera variable.

Curvas características de Entrada:

Estas curvas representan 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 ), con 𝑉𝐶𝐸 como parámetro.

Las curvas son similares a las del diodo. Al aumentar la polarización inversa de la unión
colector-base disminuye la anchura de la base y la corriente de recombinación en la
misma (Efecto Early).

Características de entrada en Emisor Común del transistor NPN 2N2222

Curvas características de Salida:

Estas curvas representan 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ), con 𝐼𝐵 como parámetro.

Características de salida en Emisor Común del transistor NPN de silicio

2N2222

A partir de estas curvas es posible determinar el punto de trabajo del transistor bipolar (es
decir, las tensiones y las corrientes en el mismo), una vez polarizado.

50K

500k

IC
100K DC = 12V
IB
C
B

10k E
Ecuaciones del circuito:

12 = 𝑉𝑐𝑒 + 𝐼𝑐 ∗ (1𝑘 + 𝑅50𝑘 )

12 = 0.7 + 𝐼𝑏 ∗ (10𝑘 + 𝑅500𝑘 )

𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 + 𝐼𝑐

𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝑏

PROCEDIMIENTO:

1.- Mida las resistencias y los potenciómetros con el Multímetro y anote los valores.
2.- Determine los terminales del transistor con el Multímetro (use las escalas para diodos
y de ganancia del transistor).
3.- Ensamble el siguiente circuito:

50K

500k

IC
100K DC = 12V
IB
C
B

10k E

Figura 1

4.- Verifique las conexiones, ajuste la fuente a 12 VDC y conéctela al circuito.

5.- La corriente de base ( I B ) la puede ajustar con el potenciómetro de 500KΩ.
La corriente de base ( I B ) la puede medir indirectamente con la tensión en la
resistencia de 10KΩ. La tensión de colector-emisor ( VCE ) la puede ajustar con el
potenciómetro de 50KΩ. La corriente de colector ( I C ) la puede medir indirectamente
con la tensión en la resistencia de 100Ω.
6.- Obtenga la curva 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝑉𝐶𝐸 . Ajuste y mantenga I B en 40µA y llene la siguiente tabla:
𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
𝐼𝐶 (𝑚𝐴)
Ajuste y mantenga I B en 80µA y llene la siguiente tabla:
𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
𝐼𝐶 (𝑚𝐴)
𝐼
7.- Obtenga la curva 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝐼𝐵 : (𝛽 = 𝐼𝐶 )
𝐵
Mantenga 𝑉𝐶𝐸 = 5𝑉 y llene la siguiente tabla:
 𝐼𝐵 (𝜇𝐴) 2 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
𝐼𝐶 (𝑚𝐴)
𝛽
8.- Obtenga la curva I B vs VBE
Mantenga 𝑉𝐶𝐸 = 5𝑉 y llene la siguiente tabla:
𝐼𝐵 (𝜇𝐴) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
𝑉𝐶𝐸 (𝑉)

INFORME PREVIO:

1.- Haga los cálculos usando el simulador ORCAD/Pspice o similar.

Las simulaciones se realizan con el simulador Proteus.

2.- Simule los pasos de la guía de laboratorio y anote las tensiones y corrientes que se
piden en el experimento.

 Hallando la curva 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝑉𝐶𝐸 manteniendo constante 𝐼𝐵 = 40 𝑢𝐴.

De las simulaciones obtenemos la siguiente tabla:

𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 0.16 0.17 0.18 0.20 0.22 0.25 0.30 0.42 3.45 7.10 11.10
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 2.32 2.57 2.88 3.28 3.80 4.52 5.57 7.24 7.77 8.16 8.59

 Hallando la curva 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝑉𝐶𝐸 manteniendo constante 𝐼𝐵 = 80 𝑢𝐴

De las simulaciones obtenemos la siguiente tabla:

𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 0.14 0.15 0.16 0.18 0.20 0.22 0.26 0.33 0.45 3.28 10.4
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 2.33 2.58 2.89 3.28 3.81 4.53 5.59 7.30 10.5 14.5 16

𝐼
 Hallando la curva 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝐼𝐵 (𝛽 = 𝐼 𝐶 )
𝐵
De las simulaciones. Mantenemos 𝑉𝐶𝐸 = 5.22𝑉y llenamos la siguiente tabla:

𝑉𝐶𝐸 4.81 5.33 4.36 6.09 5.61 5.04 4.54

𝐼𝐵 (𝜇𝐴) 22.2 30.1 35.3 50.1 55 60.9 66.3
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 4.49 6.06 6.95 9.95 10.7 11.6 12.4
𝛽 202 201 197 199 195 190 187

 Hallando la curva 𝐼𝐵 𝑣𝑠 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐶𝐸 4.81 5.33 5.61 5.04 4.54

𝐼𝐵 (𝜇𝐴) 22.2 30.1 55 60.9 66.3
𝑉𝐵𝐸 0.7 0.7 0.72 0.73 0.73
3.- Con los valores obtenidos con el simulador, haga las gráficas de las curvas: 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝑉𝐶𝐸 ,
𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝐼𝐵 , 𝛽 𝑣𝑠 𝐼𝐶 , 𝐼𝐵 𝑣𝑠 𝑉𝐵𝐸 .

 Curva 𝑰𝑪 𝒗𝒔 𝑽𝑪𝑬 :

18
IC
16

14

12

10

0
0 2 4 6 8 10 12
VCE

 Curva 𝑰𝑪 𝒗𝒔 𝑰𝑩 :

14
IC

12

10

6 Ic mA

0
0 10 20 30 40 50 60 70
IB
 Curva 𝜷 𝒗𝒔 𝑰𝑪 :

204
B
202

200

198

196

194
beta
192

190

188

186
0 2 4 6 8 10 12 14
ICE

 Curva 𝑰𝑩 𝒗𝒔 𝑽𝑩𝑬 :

70
IB
60

50

40

30

20

10

0
0.695 0.7 0.705 0.71 0.715 0.72 0.725 0.73 0.735
VBE
BIBLIOGRAFÍA:

Manual de Laboratorio de Electrónica I (EE441).

Robert L. Boylestad – Louis Nashelsky. Teoría de Circuitos y Dispositivos

Electrónicos. Décima Edición. 2009. México D.F.

Charles A. Schuler. Electrónica, Principios y Aplicaciones. 2002. Editorial Reverté

S.A. Barcelona.

Simulador NI Multisim 14.0

Simulador Proteus 8 Demonstration

ENLACES:

https://www.youtube.com/watch?v=lkvGYqe4lns