DIODO SEMICONDUTOR

Guilherme Lima Botelho, Jéferson Ferronato

Universidade Federal do Pampa – Engenharia de Energias Renováveis e Ambiente – EERA UNIPAMPA, CEP 96400-000,Bagé (RS), Brasil
e-mail: guilhermelimab@hotmail.com, jeferronato@hotmail.com

Resumo - Nesse relatório serão relatadas as O diodo semicondutor é um componente que

características dos diodos, tal como seu pode comportar-se como condutor ou isolante elétrico,
funcionamento e função, e os resultados do
dependendo da forma como a tensão é aplicada aos
experimento realizado. Este que tinha como
objetivo achar o valor da tensão no diodo e a tensão seus terminais. Essa característica permite que o diodo
na carga, para ser calculada a corrente no diodo e semicondutor possa ser utilizado em diversas
consequentemente achar o seu ponto quiescente,
aplicações, como, por exemplo, na transformação de
num circuito dado.
corrente alternada em corrente contínua. Ele é formado
Palavras-Chave – Diodo, Tensão, Ponto Quiescente,
a partir da junção entre um semicondutor tipo p e um
Circuito.
semicondutor tipo n:
SEMICONDUCTOR DIODE

Abstract – This report describes the characteristics

of diodes such as the operation, function and the
results of the experiment. The point was find the
tension voltage and the charge voltage in the diode
to be calculated the current in the diode and finally
to find the quiescent point.
Fig.1. Junção PN
Keywords - Diode, Voltage, Quiescent Point, Circuit.

I. INTRODUÇÃO Logo após a formação da junção pn, alguns

elétrons livres se difundem do semicondutor tipo n
O diodo semicondutor é um componente que
para o semicondutor tipo p. O mesmo processo ocorre
pode comportar-se como condutor ou isolante elétrico,
com algumas lacunas existentes no semicondutor tipo
dependendo da forma como a tensão é aplicada aos
p que difundem para o semicondutor tipo n.
seus terminais. Essa característica permite que o diodo
semicondutor possa ser utilizado em diversas
aplicações, como, por exemplo, na transformação de
corrente alternada em corrente contínua. Ele é formado
a partir da junção entre um semicondutor tipo p e um
semicondutor tipo n:

II. ANÁLISE TEÓRICA

Fig. 2. Migração elétrons junção PN
 As cargas produzidas nas proximidades da junção
são cargas fixas à rede cristalina. Essa região de cargas
próxima à junção é denominada região de depleção. [1]
Com o aparecimento da região de depleção, o
transporte de elétrons para o lado p é bloqueado, pois
estes são repelidos da região negativamente carregada
do lado p. O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo
transporte para o lado n é repelido pelas cargas
positivas existentes no lado n da junção.
Portanto, imediatamente após a formação da
junção, uma diferença de potencial positiva é gerada
entre os lados n e p. Essa barreira de potencial previne
a continuação do transporte de portadores através da
junção pn não polarizada.
A tensão proporcionada pela barreira de
potencial no interior do diodo depende do material
utilizado na sua fabricação. Os materiais mais comuns
são Silício (V=0,7) e Germânio (V=0,3). Na figura 3
estão presentes as curvas características desses diodos.
Fig. 3. Curva característica do diodo de Germânio e Silício.
O diodo em circuitos elétricos funciona como uma
chave que varia de estado conforme a maneira que é
ligado á fonte. Daí surgem duas formas de polarização,
a polarização direta que é quando se liga o polo
positivo da fonte com o polo positivo do diodo, o polo
negativo da fonte com o polo negativo do diodo. Neste
estado, como as cargas emitidas pela fonte são iguais
as cargas dos extremos do diodo, elas se repelem,
aproximando-se do centro do diodo até que a camada
de depleção diminua tanto que o diodo comece a
conduzir. Assim, o diodo se comporta como uma
chave fechada, tendo corrente e não tendo tensão. [2]
E há também a polarização reversa que é quando se
liga o polo positivo da fonte com o polo negativo do
diodo e o polo negativo da fonte com o polo positivo
do diodo. Neste estado, como as cargas emitidas pela
fonte são diferentes das cargas dos extremos do diodo,
elas se atraem e se acumulam nesses extremos fazendo
com que a camada de depleção aumente. Assim, não é
possível que a corrente passe pelo diodo fazendo com
que neste estado, o diodo se comporte como uma
chave aberta, tendo tensão e não tendo corrente.
Nos circuitos, usamos um Resistor para servir
como limitador de corrente, pois se a corrente que
passar pelo diodo for maior que sua máxima corrente
direta, haverá perda do componente. Mesmo se esta
corrente for próxima ao valor máximo, a vida útil do
diodo reduz bastante. Quanto maior for o valor da
resistência, menor será a corrente no diodo.
A curva característica de um diodo é um gráfico
que relaciona cada valor da tensão aplicada com a
respectiva corrente elétrica que atravessa o diodo.
A tensão para a qual a corrente começa a aumentar
rapidamente é chamada de tensão joelho (no silício é
aproximadamente 0,7V). [3]
O diodo polarizado reversamente conduz uma
corrente elétrica extremamente pequena, (chamada de
corrente de fuga). Aumentando-se a tensão reversa
aplicada sobre o diodo, em um determinado momento
atinge-se a tensão de ruptura a partir da qual a corrente
aumenta sensivelmente causando a destruição do diodo
semicondutor.
A resistência dinâmica ou resistência ôhmica é
apresentada pelo corpo do diodo quando circula por ele
uma componente alternada.
Para cálculo da resistência dinâmica ou resistência
CA de um diodo, é necessário conhecer a variação de
tensão e corrente no diodo.
Usando o gráfico de linha de carga, determinamos
∆ID e ∆VD, traçando uma linha reta tangente à curva no
ponto quiescente. A linha tangente deve ” aproximar o
mais possível” as características na região de
interesse. A figura 5 demonstra como acharmos o
ponto quiescente.

Fig. 4. Curva característica de um diodo semicondutor

Para chegarmos ao valor da corrente no diodo é

usada a equação:
𝑉𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
Id = (1)
𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎

Resistencia estática ou resistência ôhmica

apresentada pelo corpo do diodo no ponto quiescente
quando o mesmo opera em C.C., é também conhecido
como resistência DC. Fig. 5. Ponto quiescente

𝑉𝐷
RDC = (2)
𝐼𝐷 Com isso usamos a equação:
Para a região de polarização inversa de um diodo ∆𝑉𝐷
Rd = (3)
∆𝐼𝐷
semicondutor ele apresenta uma corrente inversa
(IOR). Seguindo os dados contidos na figura 5 e utilizando

Uma vez determinada à resistência estática, o a equação 3, nesse caso, o valor de Rd seria igual a 5Ω.

diodo pode ser substituído por um resistor com este

valor. Qualquer mudança na tensão aplicada ou na A. Representação do diodo

resistência de carga, entretanto, resultará em um ponto

quiescente diferente e, portanto, uma resistência DC O diodo semicondutor é representado em

diferente. [4] diagramas de circuitos eletrônicos pelo símbolo da

figura 6. O terminal da seta representa o material p,
denominado de anodo do diodo, enquanto o terminal
da barra representa o material n, denominado de catodo Tabela 2. Materiais

do diodo.
Em primeiro plano foi nos dado o circuito que
está na figura 8, e este foi montado em uma placa
protoboard.

Fig. 6. Simbologia Diodo

A identificação dos terminais do componente real

Fig. 8. Circuito montado
pode aparecer na forma de um símbolo impresso sobre
o corpo do componente ou ainda o catodo do diodo
Com o auxilio de um multimetro foram feitas
pode ser identificado através de um anel impresso na
as medições das tensões no circuito, a localização dos
superfície do componente.
multimetros está perceptiva na figura 9.

Fig. 7. Identificação diodo

III. MATERIAIS E MÉTODOS

Os materiais utilizados estão descritos na tabela 2.

Quantidade Material Descrição Fig. 9. Circuito com os multimetros

1 Diodo Modelo 1N4007
Dispositivo responsável por Os dados adquiridos através do multimetro
Fonte de
1 fornecer energia elétrica aos
alimentação foram analisados e tabelados, para que os resultados
componentes
1 Resistência 47 Ω solicitados fossem obtidos.
Prancha que permite a conexão
1 Placa protoboard de componentes eletrônicos IV. RESULTADOS
sem a necessidade de solda

Aparelho que mede diferentes Os dados obtido a partir do experimente estão

1 Multimetro grandezas concernentes a uma
corrente elétrica, tais como contidos na tabela 1. Para achar o valor da corrente no
intensidade, voltagem,
resistência etc.
diodo (ID) foi utilizada a equação (1).
 VCarga ID Conforme a equação (3), com a ajuda de um
V (Volts) VD (Volts) (Amperes)
papel milimetrado e o gráfico contido na figura 10,
0,1 0,0000 0,000102 0
0,2 0,0000 0,000263 0 pode-se achar o ponto quiescente. Na figura 11, está
0,3 0,0004 0,00039 8,4388E-06 demonstrado como achamos os valores utilizados na
0,4 0,0030 0,466 6,3291E-05 fórmula.
0,5 0,0102 0,518 0,00021519
0,6 0,0516 0,5979 0,00108861
0,7 0,1292 0,642 0,00272574
0,8 0,2224 0,66 0,00469198
0,9 0,2922 0,679 0,00616456
1 0,3602 0,688 0,00759916
2 1,285 0,745 0,0271097
3 2,334 0,768 0,04924051 Fig. 11. Ponto quiescente do estudo

4 3,325 0,785 0,07014768

6 5,3 0,802 0,11181435 Assim o valor obtido nesse caso foi igual a
8 7,29 0,817 0,15379747
0,4857 Ω.
10 9,24 0,825 0,19493671
12 11,24 0,832 0,2371308 4. Conclusão
14 13,27 0,839 0,27995781
16 15,26 0,842 0,32194093 O diodo semicondutor tem uma grande
18 17,2 0,845 0,3628692
importância em materiais eletrônicos, auxiliando no
Tabela 1 – Valores experimento
surgimento de novas tecnologias e materiais.
A partir desses dados foi gerado o gráfico, Podemos perceber e descobrir de uma forma
contido na figura 10, com este será possível descobrir simplificada a achar o ponto quiescente e como devem
o ponto quiescente ser executados os procedimentos para tal.

Curva Característica do Diodo Nesse experimento vimos sua utilidade, tanto

Semicondutor de Silicio em uma aplicação simples e com fim didático como foi

0,45 executado por nós, como de formas mais complexas

0,4
Corrente Diodo

0,35 como são usados pelas grandes empresas do ramo de

0,3
0,25 informática por exemplo.
0,2
0,15
0,1 5. Referências Bibliográficas
0,05
0
[1] Fuentes, Rodrigo Cardozo Eletrônica / Rodrigo
Cardozo Fuentes.– Santa Maria : Universidade Federal
Tensão Carga (Volts) de Santa Maria, Colégio Técnico Industrial de Santa
Maria, Curso Técnico em Automação Industrial, 2009.
Fig. 10. Gráfico da curva caracteristica do diodo de Silicio.
[2] MALVINO, Albert Paul. Eletrônica, vol 1. 4. ed.
São Paulo: Makron, 1997.
[3] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis.
Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. São
Paulo, SP.
[4]http://estudandoeletronica.xpg.uol.com.br/eletronica
/II-Diodos.pdf acessado em 01 de Setembro de 2015 às
22:45.