Desglose-Oppenheimer Nacido en grafeno

Simone Pisana 1, Michele Lazzeri 2, Casiraghi 1, Kostya Novoselov S. 3,

arXiv: cond-mat / 0611714v1 [cond-mat.mes-Hall] 28 Nov de 2006

Andre K. Geim 3, Andrea C. Ferrari 1 *, Francesco Mauri 2 †

4 de febrero de, 2008

1 Departamento de Ingeniería de la Universidad de Cambridge, Thomson Avenida 9 JJ, Cambridge CB3 0FA,

Reino Unido
2 IMPMC, Universit'es París 6 y 7, CNRS, IPGP, 140 rue de Lourmel, 75015 París, Francia

3 Departamento de Física y Astronomía de la Universidad de Manchester, Manchester, M13 9PL, Reino

Unido
La aproximación Born-Oppenheimer (BO) [1] es la ansatz estándar para describir la interacción
entre los electrones y los núcleos. BO supone que los electrones más ligeros se ajustan a la
adiabáticamente movimiento de los núcleos más pesados, permaneciendo en todo momento en su
estado fundamental instantánea. BO es bien justificado cuando la brecha de energía entre los
estados fundamental y electrónicos excitados es más grande que la escala de energía del
movimiento nuclear. En los metales, la diferencia es cero y fenómenos más allá de BO (tales como
la superconductividad de fonones o mediada renormalización fonón inducido de las propiedades
electrónicas) se producen [2]. El uso de BO para describir el movimiento de celosía en los metales
es, por lo tanto, cuestionable [3, 4]. A pesar de esto, BO ha demostrado reflexivo e ff para la
determinación precisa de las reacciones químicas [5], dinámica molecular [6, 7] y las frecuencias de
fonones [9, 8, 10] en una amplia gama de sistemas metálicos. El grafeno, recientemente
descubierto en el estado libre [11, 12], es un semiconductor de intervalo de banda cero [13], que se
convierte en un metal si la energía de Fermi se sintoniza la aplicación de una puerta de voltaje

V g [ 14, 12]. electrones de grafeno cerca de la energía de Fermi tienen dispersiones sin masa de dos
dimensiones, que se describen por los conos de Dirac. aquí
* acf26@eng.cam.ac.uk
† francesco.mauri@impmc.jussieu.fr

1
se muestra que un cambio en V gramo induce una Ening sti ff del pico Raman G (es decir, la zona
centro E 2 gramo fonón óptico [15, 16]), que no puede ser descrito dentro de BO. De hecho, el E 2 gramo vibraciones
causan oscilaciones rígidas de las Dirac-conos en el espacio recíproco [17]. Si los electrones
siguieron adiabáticamente las oscilaciones Dirac de cono, se observó ningún cambio en la
frecuencia de fonones. En lugar de ello, ya que la relajación de electrones impulso cerca del nivel
de Fermi [18, 19, 20] es mucho más lento que el movimiento del fonón, los electrones no siguen los
desplazamientos Dirac-cono. Esto invalida BO y los resultados en el fonón observado STI ff Ening.
Este espectacular fracaso de BO es bastante significativo desde BO ha sido el paradigma
fundamental para determinar las vibraciones de cristal desde los primeros días de la mecánica
cuántica [1, 9, 21, 8, 10].

muestras de grafeno se preparan por escisión micromecánica de grafito a granel en la superficie de

una oblea de Si se oxida con una capa de óxido gruesa nm 300, siguiendo los procedimientos descritos
en la Ref. [11]. Esto nos permite obtener monocristales de grafeno superiores a 30 micras de tamaño.
Mediante el uso de la fotolitografía, que a continuación, hacer Au / Cr contactos eléctricos, que permiten
la aplicación de una tensión de puerta, V gramo, entre la oblea de Si y grafeno (Fig. 1A, B). Los dispositivos
resultantes se caracterizan por eléctrico- campo e-FF ect mediciones [12, 14, 22], produciendo una
movilidad de portadores de carga μ de 5000 a

10.000 cm 2 / Vs a 295K y una polarización cero (V g = 0) dopaje de ~ 10 12 cm - 2 [ 23]. Esto se refleja en la

existencia de un infinito tensión de puerta V norte en el que la resistencia Hall es cero y la resistividad
longitudinal alcanza su máximo. Por consiguiente, un positivo (negativo) V gramo- V norte induce un dopaje
(orificio) de electrones, que tiene un exceso de electrones en la superficie concentración de n = η ( V g - V norte).
El coe fi ciente η ≈ 7,2 10 10 cm - 2 / V se encuentra desde e ff mediciones Pasillo ect y está de acuerdo con la
geometría del condensador resultante [12, 11, 14].

Los espectros de Raman no polarizada se midió a 295 y 200 K en el aire ambiente y en vacío (<5 10 - 6 mbar),
respectivamente, con un espectrómetro de Renishaw a 514 nm usando un 50 × larga distancia de trabajo
objetivo, Fig. 1B. La potencia incidente se mantiene muy por debajo de 4 mW con el fin de evitar el daño de la
muestra o calentamiento inducido por láser [15]. Los espectros de Raman se mide como una función de la
aplicada V gramo, Fig. 2A. Cada espectro se recoge durante 30 segundos. La tensión de puerta aplicada tiende a
mover el punto de Dirac, especialmente a temperatura ambiente. por lo tanto se determina la V gramo correspondiente
a la posición de pico mínimo G, y usar esto para estimar V norte. La Fig. 2A, B muestran que los cambios hacia
arriba pico G con la aplicada V positivo gramo- V norte. También muestra una tendencia similar, aunque en un menor

2
Figura 1: (A) Micrografía óptica de la muestra de grafeno contactado. (B) Esquema del sistema de
medición Raman transporte +

rango de tensión, para V negativo gramo- V norte. Este cambio ascendente tanto para electrones y el dopaje agujero es
cualitativamente similar a la reportada por Yan et al. para grafeno dopado eléctricamente medido a 10K [24].

El pico Raman del grafeno G corresponde a la E 2 gramo fonones en Γ [ 15,

dieciséis]. fonones cálculos realizados dentro de BO para dopar el grafeno y grafito, muestran la
presencia de una anomalía Kohn en la dispersión de fonones del E 2 gramo
modo cerca Γ [ 25]. Una anomalía Kohn es el ablandamiento de un fonón del vector de onda
q ~ 2 k F, dónde k F es una superficie de vector de onda Fermi [26]. Por dopaje grafeno, intuitivamente
se podría esperar que el cambio en la superficie de Fermi debe mover la anomalía fuera de Kohn q =
0 y, por tanto, STI ff en la Γ fonones detectado por mediciones Raman, lo que sería de acuerdo con
nuestros experimentos. Para validar esta imagen, tenemos que calcular la frecuencia de la E 2 gramo el
modo en el grafeno dopado.

En el grafeno, las bandas electrónicas cerca de la alta simetría K puntos están bien descritos por
una dispersión de Dirac [13] ǫ ( k, π *) = ¯ hv F k y ǫ ( k, π) =
- ¯hv
¯hv F k, dónde k + K es el impulso de Dirac Los fermiones, v F es la velocidad de Fermi y ¯
hv F = 5,52 eV A, de la teoría funcional de la densidad (DFT)
cálculos [25] (Fig. 3A). El punto de Dirac se define por el cruce de

3
 1589
Un 295K 295 KB

80 V
1588
70 V

60 V

50 V

desplazamiento Raman (cm- 1)

40 V 1587
Intensidad (au)

30 V

20 V

1586

0V
10 V
- 10 V
1585
- 20 V

1584
1580 1585 1590 1595 -6 -4 -2 0 2 4 6

Desplazamiento Raman (cm- 1) Electrón Concentración (10 12 / cm 2)

200K
do 200 K
Desplazamiento Raman (cm- 1)
FWHM (G)

1590 1591 1592 1593

15 16 re

- -5 -4 -3 6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 - -5 -4 -3 6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 1587 1588 1589

Electrón Concentración (10 12 / cm 2) Electrón Concentración (10 12 / cm 2)

Figura 2: (A) G pico de grafeno mide a temperatura ambiente como una función de V gramo. El espectro
rojo corresponde al punto de Dirac posición de pico (BC) G como una función de la concentración de
electrones a 200 y 295 K:. (Puntos negros) mediciones; (Línea roja-discontinua) adiabática
Born-Oppenheimer; (Línea azul) finito-temperatura de cálculo no adiabático de la ecuación. 6; (Fina de
guiones negro) simpli fi ed cálculo no adiabático de la ecuación. 5. (D) G pico ancho total a la mitad del
máximo, FWHM (G), a 200K como una función de la concentración de electrones: (puntos) medido;
(Línea azul) FWHM teórica de una Voigt pro fi le obtenido a partir de un componente de Lorentz dada
por la ecuación. 7, y un componente de Gauss constante de ~ 8 cm - 1.

4
estas bandas cónicas y coincide con K, Fig. 3A. Por lo tanto, a temperatura cero, el cambio de
dopaje inducido del nivel de Fermi de la Dirac-punto es ǫ F =
sgn ( norte) √ nπ ¯hv F, donde sgn ( X) es el signo de X.
El e 2 gramo fonón en el grafeno consiste en un desplazamiento en el plano de los átomos de carbono por un
vector ± u / √ 2 tal como es esbozado en la Fig. 3D. En presencia de tales desplazamientos atómicos, las
bandas están todavía descritos por un cono (es decir, un espacio no se abre), con la Dirac-punto desplazado
de K por un vector s ( La Fig. 3B, C) [17]. En la práctica, la atómica-patrón de la E 2 gramo vibraciones se refleja en
un patrón idéntico de vibraciones Dirac de punto en el espacio recíproco. La dependencia de los
electrónicos-bandas de u pueden obtenerse (véase la información complementaria) a partir del acoplamiento
de electrones de fonones de matriz-elementos DFT (ecuación 6 y la nota 24 de Ref [25]..):

ǫ ( k, π * / π, u) = ± ¯ hv F | k - s (u) | (1)
√
dónde s · u = 0, s = u 2 < reΓ2> F / ( ¯hv F), y < re 2 Γ > F = 45,6 (eV) 2 / UN - 2 es el
potencial de deformación de la E 2 gramo modo [27]. Eq. 1 reproduce bien la Modificación de la estructura de
bandas DFT de grafeno debido a un desplazamiento estático (congelado-fonón) de los átomos de
acuerdo con el patrón de fonones G.
El conocimiento de los electrónicos-bandas (en la presencia de un fonón) permite la
determinación de la energía del fonón ¯ hω ǫ F como una función de ǫ F. En
especial,
h re 2 Δ mi
h̄ Δ ω = ¯ hω ǫ F - ¯ hω 0 = ¯
h (2)
2 mO 0 ( du) 2,

dónde METRO es la masa de carbono, Δ ω « ω 0 y Δ mi es la variación de la energía electrónica con ǫ F.

Dentro de BO, Δ UE) se calcula suponiendo un desplazamiento atómico estática. Bajo esta hipótesis, para
cualquier desplazamiento dado u, los electrones se supone que deben estar en el estado fundamental con fi
guración, es decir, las bandas ǫ ( k, π *, u) se llena hasta fi ǫ F ( La Fig. 3B). Por lo tanto, la adiabática Δ mi es

∫
Δ E (u) = 4 UN ǫ ( k, π *, u) re 2 k, (3)
(2 π 2) ǫ ( k, π *, u) < ǫ F

donde consideramos ǫ F> 0, A = 5,24 Å 2 es el área de las células unidad, un factor de 4 cuentas de
giro y K- señalar degeneración. Combinando la Ec. 1 y 3, tenemos que Δ mi no depende de u y ¯
h Δ ω = 0. Así, dentro de BO,
la posición del pico Raman G es independiente de ǫ F, en contraste con la tendencia

5
 Imperturbable B adiabático

π*
s
=0
εF
BZ

BZ: zona de Brillouin

Dirac puntos K Fermi
superficie

C no adiabático A
D El espacio real

ss
u / •√ 2

átomos de C

Figura 3: Representación esquemática π estructura de bandas del grafeno dopado cerca de la alta simetría K
punto de la zona de Brillouin. Los llenan estados electrónicos son de color verde. Bandas (A) del cristal
perfecto. El punto de Dirac coincide con K,
los estados electrónicos se llenaron fi hasta la energía de Fermi ǫ F y la superficie de Fermi es un círculo
centrado en K. ( Bandas B) en presencia de un E 2 gramo distorsión de celosía. Los puntos de Dirac son
desplazados de K por ± s. En la aproximación adiabática, los electrones se mantienen en el estado
fundamental instantánea: las bandas se llenaron hasta fi ǫ F y la superficie de Fermi sigue el
desplazamiento Dirac-punto. El electrón-energía total no depende de s. ( Bandas C) en presencia de un E 2
gramo distorsión de celosía. En el caso no adiabático, los electrones no tienen tiempo para relajarse su
impulso (a través de la impureza, de electrones de electrones y dispersión de electrones-fonón) para
seguir el estado fundamental instantánea. En ausencia de la dispersión, el impulso de electrones es
conservada y un estado con momento k está ocupada si el estado del mismo k está ocupado en el caso
imperturbable. Como consecuencia, la superficie de Fermi es el mismo que en el caso no perturbado y
no sigue el desplazamiento Dirac-cono. El incremento total de electrones de energía con s 2 dando lugar a
la observada E 2 gramo- fonones STI ff Ening. (D) el patrón atómico de la E 2 gramo celosía distorsión, que
corresponde al pico Raman G. Los átomos son desplazados de las posiciones de equilibrio por ± u / √ 2.
Obsérvese que el patrón de desplazamiento de los puntos de Dirac (en el espacio recíproco) es idéntico
al patrón de desplazamiento de los átomos de carbono (en el espacio real).

6
reportado en la Fig. 2B, C. Tenga en cuenta que Ref. [28] calculada la dependencia de dopaje de la posición
del pico G dentro de BO, pero se encontró signi fonón fi no puede ablandar para aumentar el dopaje, todo lo
contrario de los experimentos, y en contraste con nuestro cálculo BO.

El hecho de que el cálculo congelada-fonón, nos impulsa a volver a examinar los supuestos
subyacentes BO. El e 2 gramo fonón es una perturbación dinámico descrito por un desplazamiento de celosía
dependiente del tiempo ~ u ( t) = u cos ( ω 0 t) oscil-
lating a la frecuencia de pico G. Dentro de BO, se supone que, en un momento dado t, los electrones
están en el estado fundamental adiabática de la estructura de banda instantáneo ǫ ( k, π *, ~
u ( t)). Sin embargo, el período de las vibraciones pico G es
~ 21 fs, que es mucho más corto que los tiempos de relajación típica de electrones de impulso τ m ( debido a la
impureza, electrón-electrón y la dispersión de electrones de fonones). De hecho, una τ metro de unos pocos
cientos fs se deduce de la de electrones movilidad en el grafeno [18] y de espectroscopia ultra-rápido en
grafito [19, 20]. Como consecuencia los electrones no tienen tiempo para descansar sus momentos para
alcanzar el estado fundamental adiabática instantánea, como se supone en BO. La salida desde el estado
fundamental adiabática puede tenerse en cuenta en el cálculo de Δ MI, por llenando las bandas perturbados, ǫ
( k, π *, u) con las ocupaciones de las bandas no perturbadas ǫ ( k, π *, 0), como en la figura 3C.:

∫
Δ E (u) = 4 UN ǫ ( k, π *, u) re 2 k + O (u 3). (4)
(2 π 2) ǫ ( k, π *, 0) < ǫ F

Esta ecuación es válida en el límite ǫ F » ¯ hω 0 / 2, y se pueden derivar rigurosamente

utilizando la teoría de perturbaciones dependiente del tiempo (ver información complementaria). En este caso, la
energía no adiabático, Δ MI, depende de u. Mediante la sustitución de la Ec. 1 y la Ec. 4 en la ecuación. 2 y la realización
de la integral obtenemos:

decir ah < Γre>2 F

h̄ Δ ω = ¯
h (5)
πMω 0 ( ¯ hv F) 2 | ǫ F | = α '| ǫ F |,

dónde α '= 4.39 10 - 3.

El resultado de la ecuación. 5 se puede extender a cualquier ǫ F y la temperatura finita T
usando el tiempo de la teoría de perturbaciones dependiente [29] para obtener:

∫∞
[ f (ǫ - ǫ F) - f (ǫ)] ǫ 2 sgn ( ǫ)
h̄ Δ ω = α ' PAG
h dǫ, (6)
-∞ ǫ 2 - ( ¯ hω 0) 2 / 4

donde P es la parte principal, y F es la distribución de Fermi-Dirac en T.

La Fig. 2B, C muestra la excelente concordancia de nuestra no adiabático cálculo finito T (Ec. 6) con los
experimentos. también son capturados Las tendencias medidos

7
por la simplificación modelo fi ed, Eq. 5. Mediante la comparación de las predicciones del cálculo BO y del
modelo no adiabático, concluimos que la Ening ITS y siguientes de la E 2 gramo de modo con | ǫ F | es debido a la
salida de la población de electrones desde el estado fundamental adiabática.

Una interpretación pictórica de este fenómeno se puede obtener teniendo en cuenta lo que
ocurre con un vaso LLED fi cuando se agita horizontalmente. El gravitacional-energía líquido y su
nivel imitan la Δ energía electrónica mi y ǫ F,
respectivamente. Los imitadores frecuencia de agitación, la frecuencia de fonones y el tiempo de
relajación de los miméticos de líquido de la superficie el tiempo de relajación electrónica. Si el
movimiento del vidrio es lento, la superficie del líquido permanece FL en y su gravitacional-energía es
independiente de la posición horizontal de vidrio, como en la ecuación. 3 y en la Fig. 3B. Si el
movimiento del vidrio es rápido, la superficie del líquido pro fi le no es plana y aumenta su energía
gravitacional con el desplazamiento del vidrio, como en la Ec. 4 y la Fig. 3C. Para empujar la analogía
aún más, uno debe utilizar un vaso no cilíndrica, para que la superficie del líquido aumenta con el nivel
de líquido. En este caso, cuanto mayor sea el nivel del líquido, mayor será la diferencia entre las
energías gravitacionales en el vidrio de rápido y se agita lentamente. De hecho, en el grafeno, cuanto
mayor sea el nivel de Fermi, mi y la adiabática Δ MI. Esto hace que el Ening ITS y siguientes de la
frecuencia observada de fonones con ǫ F.

La validez de nuestro modelo es más fi con confirmado por el análisis de la anchura de línea
pico G. La descomposición de fonones en un par electrón-hueco da la contribución más importante
a la ampliación homogénea de la E 2 gramo
fonones. El ancho completo a la mitad del máximo, γ, se puede calcular que se extiende a infinito T y ǫ F 6 = 0 los
resultados de Ref. [27]:

[ ( -¯ ) ( ¯ )]
hω 0 hω 0
γ = π2 ω0 α' F -F , (7)
do 2 - ǫF 2 - ǫF

dónde do es la velocidad de la luz. A T = 0, γ = 11 cm - 1 para ǫ F = 0 y γ

cae a cero para ǫ F> ¯ hω 0 / 2 debido a que el proceso de dispersión está prohibido por
el principio de exclusión de Pauli [27]. La Fig. 2D muestra una buena concordancia entre el experimental y
teórica γ, una vez a la constante ampliación gaussiana no homogénea de ~ 8 cm - 1 se añade a la contribución
de electrones de fonones de la ecuación. 7.
En conclusión, lo observado Ening ITS y siguientes de la E 2 gramo fonones en el grafeno dopado
representa un fracaso espectacular de la adiabática Born-Oppenheimer aproximación. Dentro de BO, la
energía de un fonón zona central está determinada por dos contribuciones: la distorsión de las bandas
electrónicas, asociado a la

8
desplazamiento de fonones, y la consiguiente reorganización de la superficie de Fermi. Estas dos
contribuciones se cancelan exactamente en el grafeno debido al movimiento rígido peculiar de las
Dirac-conos, asociado al E 2 gramo fonones. En, un tratamiento general de fonones correcta no debería incluir
la reordenación BO Fermi-superficie, siempre que el tiempo de relajación de electrones impulso (cerca ǫ
F)

es más largo que el período de fonones. Anticipamos que el fracaso de BO, que se muestra aquí, a tener
consecuencias importantes en la descripción de las propiedades vibracionales de carbono-nanotubos y en los
superconductores de fonones mediada.

Expresiones de gratitud Los autores agradecen a P. y A. Kim Pinczuk útil para los debates y para
enviar una pre-impresión de la Ref. [24]. ACF reconoce fondos de la Royal Society y la Fundación
Leverhulme. Los cálculos se realizaron en el centro de supercomputación Idris.

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12
 Información suplementaria

Deducción de la ecuación. 1

El hamiltoniano electrónico para la π, π * base puede escribirse como 2 × 2 de la matriz:

(¯ )
hv F k 0
H ( k, 0) = , (8)
0-¯ hv F k

dónde k es un pequeño en el plano de onda vector y K + k es el impulso electrónico. Consideremos una

distorsión de la red de acuerdo con un Γ - mi 2 gramo patrón de fonones (tenga en cuenta que la Γ - mi 2 gramo fonón es
doblemente degenerado). En el orden del más bajo π- bandas de Hamilton cambia a medida

H ( k, u) = H ( k, 0) + ∂H ( k, 0) (9)
∂uu

dónde u es el fonón normales de coordenadas (los dos átomos en la celda unidad son desplazados por ± u / √ 2

a lo largo de una dirección dada en el plano). ∂H / (∂u) puede ser obtenido a partir de los elementos de matriz

potenciales ab-initio de deformación. Siguiendo Ref. [25] (Eq.6 y la Nota 24) y Ref. [27], para el E 2 gramo modo de

fonones y por una pequeña k ||||| < k π * | ∂H

||||| < k π | ∂H

= = < re 2Γ > F [ 1 + cos (2 θ)] (10)

∂u | k π * > ||||| 2 ∂u | k π > ||||| 2
||||| < k π * | ∂H

= < re 2 Γ > F [ 1 - cos (2 θ)], (11)

∂u | k π > ||||| 2

donde | k π / π * > son los estados electrónicos con impulso K + k y θ es el ángulo entre k y la
dirección perpendicular a la vibración atómica. Tomando la raíz cuadrada de las ecuaciones. 10, 11
y la inserción de ellos en la Ec. 9
(¯ ) ( cos ( θ) )
√
hv F k 0 pecado( θ)
H ( k, u) = + 2 < reΓ2> F u. (12)
0-¯ hv F k pecado( θ) - cos ( θ)

Los valores propios de la ecuación. 12 son entonces

√
ǫ = ± ¯ hv F k 2 + s 2 + 2 Kansas cos ( θ) = ± ¯ hv F | k - s (u) |, (13)

dónde s se define en el texto principal.

13
Deducción de la ecuación. 4

Teniendo en cuenta la expansión de Taylor de Δ UE) en u, Eq. 4 es equivalente a:

{4 UN }
∫
re 2
ǫ ( k, π *, u) re 2 k . (14)
( du) 2 Δ E (u) = d 2 ( du) 2 (2 π) 2 ǫ ( k, π *, 0) < ǫ F

En esta sección, vamos a demostrar que

{4 UN }
∫
h re 2
h̄ Δ ω = ¯
h ǫ ( k, π *, u) re 2 k , (15)
2 mO 0 ( du) 2 (2 π) 2 ǫ ( k, π *, 0) < ǫ F

a T = 0 y bajo la condición

ǫ F » ¯ hω 0 / 2. (dieciséis)

Usando la ecuación. 2, la ecuación. 4 A continuación, seguir inmediatamente.

Dentro de un tiempo la teoría de perturbaciones dependiente, ¯ h Δ ω se (véase la Ec. 10 de

Árbitro. [29]):
h
h̄ Δ ω = ¯
h [ F 0ǫ(F ω 0) - F 0 0( ω 0)]. (17)
2 mO 0
estaban en T = 0,

{ }
Σ 1 1
F 0ǫ F( ω 0) = 2 | re k O, k e | 2 + . (18)
norte k
k, O, E
ǫko- ǫke+ ¯ hω 0 ǫ k o - ǫ k mi - ¯ hω 0

Aquí el índice o y mi denota la ocupada ( ǫ k O < ǫ F) y bandas vacías ( ǫ k e> ǫ F), y

re k O, k e = < k o | ∂H (19)
∂u | k mi >.
Σ
Ahora solo nos queda la consideramos π y π * bandas y sustituimos 1 / norte k k con

UN/( 2 π) 2 ∫ re 2 k, dónde UN es el área de las células unidad y la integral se limita en un círculo de radio ¯
k, centrado en K. Suponiendo una dispersión Dirac para
el π y π * alzacuello, ǫ k mi - ǫ k o ≥ 2 ǫ F. Por lo tanto, si la condición de la ecuación. 16 bodegas,

| ǫ k mi - ǫ k o | » ¯ hω 0 y el hω 0 en los denominadores de la ecuación. 18 se puede despreciar.

Eq. 18 se convierte

∫
| re k π *, k π | 2
F 0ǫ F= 8 UN (20)
(2 π) 2 ǫ ( k, π *, 0)> ǫ F, k < ¯ k ǫ ( k, π, 0) - ǫ ( k, π *, 0) re 2 k,

14
dónde ǫ ( k, π / π *, 0) son las bandas de la estructura de grafeno sin distorsiones. A partir de la ecuación. 17,

{ - 8 UN ∫ }
h | re k π *, k π | 2
h̄ Δ ω = ¯
h . (21)
2 mO 0 (2 π) 2 ǫ ( k, π *, 0) < ǫ F ǫ ( k, π, 0) - ǫ ( k, π *, 0) re 2 k

A partir de los libros de texto teoría de perturbaciones de segundo orden estático

||||| u = 0
1 re 2 ǫ ( k, π *, u) | re k π *, k π | 2
= (22)
2 ( du) 2 ǫ ( k, π *, 0) - ǫ ( k, π, 0).

Sustituyendo la Ec. 22 en la Ec. 21 tenemos

{4 UN }
∫
h re 2 ǫ ( k, π *, u)
h̄ Δ ω = ¯
h re 2 k . (23)
2 mO 0 (2 π) 2 ǫ ( k, π *, 0) < ǫ F ( du) 2

Eq. 15 es, finalmente, obtuvieron tomando la derivación con respecto a u en la ecuación. 23 fuera de la integral.

15