Diodos Semiconductores

José Gómez Quiñones

Diodo Ideal
+ -
A K

Id VAK

p n
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1
 Diodo Ideal

• Cuando se combinan materiales tipo n y

tipo p, existe una distribución de carga,
algunos de los electrones libres en la
estructura “brincan” a través de la junta pn
y se recombinan con los huecos libres del
material tipo p, similarmente los huecos
del material tipo p, se combinan con los
electrones del materil tipo n

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Diodo Ideal

• Estas cargas forman un campo eléctrico

• Esto sucede en una región llamada de
agotamiento , el campo eléctrico
resultante forma una barrera potencial v.s.
la corriente eléctrica
• Para producir una corriente a través de la
junta se debe reducir la barrera aplicando
un voltaje en la polaridad apropiada del
diodo

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2
Regiones de Agotamiento

p n

Región de
Agotamiento

A temperatura ambiente

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Regiones de Agotamiento

p n

Región de
Agotamiento

+V-

El diodo se comporta como un conductor

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 Regiones de Agotamiento

p n

Región de
Agotamiento

-V+
El diodo se comporta como un aislante

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Curva Característica
Diodo Ideal

ID
ID
+
vD
- vD

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 Relación entre la corriente y el
voltaje del Diodo
• Ecuación de Shockley
  qv D 
 
iD = I o e  nkT 
− 1
 
Donde:
iD=Corriente en el diodo (amperes)
vD=diferencia de potencial a través del diodo(volts)
Io=Corriente Inversa de Saturación
q= Carga del Electrón, 1.6x10^-19 J/V
k=Constante de Boltzmann, 1.31x10^-23
T=Temperatura Absoluta (Kelvins)
n= Constante e´mpírica entre 1 y 2

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• La corriente Inversa de Saturación IO es

una función del dopado, la geometría del
diodo y la temperatura
• La constante empírica n, puede variar de
acuerdo a los niveles de voltaje y
corriente, y depende del arrastre, difusión
y la recombinación de portadores
• Si n=1, el valor de nVT=26mV
• Si n=2, el valor de nVT=52mV

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5
 Definiendo:

kT
VT = = 26mV
q
Entonces:

  vD  
iD = I o e T  − 1
nV

 
 
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Operando a Temperatura Ambiente

  vD  
iD ≈ I o e  T  
nV

 
 

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6
Relación Voltaje-Corriente en el
Diodo
ID
  vD  
iD ≈ I o e  T  
nV

 
 
vD
  vD  
iD = I o e  T  − 1 Vγ
nV

 
 

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vD
nVT
diD I O [e ]
=
dvD nVT
Eliminando la Función exponencial
vD
iD
e nVT
= +1
IO
Substituyendo en la pendiente

diD iD + I O
=
dvD nVT
Finalmente:

nVT nV
rd = ≈ T
iD + I O iD
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7
 Resistencia Dinámica

nVT nVT
rd = ≈
iD + I O iD

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Operación del Diodo

ID
Región de polarización
inversa Región de polarización
directa
Voltaje de
Rup tura

0.7 vD
Corriente de
Fuga

Región de
Avalancha

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 Operación del diodo
• Conforme se trata de exceder 0.7V, la corriente
se incrementa rápidamente
• El voltaje mínimo para obtener una corriente
notable es 0.7V (diodos de silicio), y 0.2 (diodos
de germanio)
• Corriente de fuga: Corriente pequeña, que
circula cuando el diodo se polariza
inversamente
• Voltaje de Ruptura: Límite de voltaje inverso
que soporta el diodo, si se excede este voltaje,
el diodo entra en la región de avalancha y
puede destruirse

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Circuitos Equivalentes
I D

vD

Diodo Ideal

ID

VT vD

Modelo Simplificado

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Modelo de Segmentos Lineales

ID

VT Rd vD

Modelo de Segmentos
Lineales

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Rectificador de Media onda

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Voltaje de Salida

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Hojas de Datos

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 Hojas de Datos

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Voltaje en corriente directa

T
1
Vcd = ∫ vL (t )dt
T 0
T /2
1
Vcd =
T ∫V 0
m sen(ωt )dt

− Vm  ωT 
Vcd =  cos − 1
ωT  2 
Vm
Vcd =
π
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 Voltaje RMS
1/ 2
1 T

=  ∫ vL dt 
2
Vrms
T 0 
T /2
1
Vrms = (V sen t )
∫ m (ω ) dt
2

T 0

Vm
Vrms =
2
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Rectificador de Onda completa

Transformador con derivación
central

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 Puente de Diodos

+
VIN +
- VOUT
-

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Rectificador de Onda Completa

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Formas de Onda de Salida

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Corrientes

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 Voltaje de CD y RMS

2Vm
Vcd =
π
Vm
Vrms =
2

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Consideraciones de importancia
• Tomar en cuenta el voltaje y corriente pico
que el diodo puede soportar
• Tomar en cuenta el voltaje de pico inverso
para cuando se encuentre polarizado
inversamente
• Cuando estemos manejando voltajes
pequeños, tomar en cuenta la caída en la
junta del diodo

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 Filtro RC

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Forma de Onda de Salida

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Vmax
∆V
Vmin

Vmax
C=
∆Vf p RL

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