ANÁLISE DAS CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS E DINÂMICAS DO MOSFET

JERÔNIMO VILAVERDE, LUCAS CANCIO, PAULO BELTRAN, RICARDO DOS SANTOS JUNIOR .
Universidade Federal do Pampa – UNIPAMPA Campus Alegrete
CEP 97546-550, Alegrete - RS
Brasil
E-mail: jeronimovilaverde@msn.com, lucas_cancio2@hotmail.com, Pdbeltram@gmail.com, ricardodossantojr@gmail.com

Resumo - O objetivo deste artigo é mostrar transistores de efeito de campo em circuitos tanto digital
como se comporta o transistor MOSFET, através de como analógico, sendo extensamente utilizados nas
procedimentos realizados no laboratório de topologias empregadas em eletrônica de potência.
eletrotécnica, assim analisando algumas características Um MOSFET é composto de um canal de material
desse transistor, que é muito utilizado para dimensionar semicondutor de tipo N ou de tipo P como apresenta a figura
circuitos de baixa potência. O trabalho abordara o 1.
método para determinar os terminais do transistor,
sendo assim observadas suas curvas de acionamento e
bloqueio, mostrando que o mesmo se comporta como
uma chave que é comutada de acordo com a frequência
da tensão a ser aplicada ao Gate. Tendo como objetivo
analisar o comportamento do canal Dreno-Source
quando a tensão aplicada ao Gate é variada, quando
canal Dreno-Source é aberto e quando há passagem da
corrente pelo corpo do diodo.

Palavras chave – Dreno, Frequência, MOSFET,

Transistor.
Abstract - The purpose of this article is to show
how the MOSFET behaves through procedures
performed in electrical engineering laboratory, thus
analyzing some characteristics of this transistor, which
is widely used to scale low-power circuits. The study
addressed the method for determining transistor
terminals, thus considering their drive curves and
blocking, showing that it behaves as a switch that is
switched according to the frequency of the voltage to be
applied to the gate. Aiming to analyze the behavior of
the Drain-Source channel when the voltage applied to
the gate is varied, when Drain-Source channel is opened
and when there is current flow through the body diode.
Keywords – Drain, frequency, MOSFET,
Transistor.
Figura 1: Simbologia empregada ao MOSFET tipo n.
II. FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA
A palavra metal no nome é um acrônimo vindo dos
primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal.
Os chips modernos usam comportas de polisilício, mas
ainda são chamados de MOSFET’S. Um MOSFET é
composto de um canal de material semicondutor de tipo N
ou P e é chamado respectivamente NMOSFET ou
PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido é o
silício, mas alguns fabricantes, principalmente a BM,
adotaram uma misturade silício e germânio (SiGe) nos
canais dos MOSFETs. O IGFET é um termo relacionado
que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é
quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a
um PET com gate isolado por um isolante não óxido.

I. INTRODUÇÃO

Os transistores bipolares se baseiam em dois tipos de

cargas: lacunas e elétrons, e são utilizados amplamente em
circuitos lineares. No entanto existem aplicações nos quais
os transistores unipolares com a sua alta impedância de
entrada são uma alternativa melhor. Este tipo de transistor
depende de um só tipo de carga, daí o nome unipolar. Há
dois tipos básicos: os transistores de efeito de capo de Fig. 2. Vista transversal de um MOSFET TIPO N.
junção (JET – Junction Field Effect Transistor) e os
transistores de efeito de campo de óxido metálico
(MOSFET). O terminal de gate é uma camada de polisílicio (silício
Assim, tem-se que o transistor de efeito de campo de policristalino) colocada sobre canal, mas separada do canal
semicondutor de óxido metálico, ou MOSFET (Metal Oxide por uma camada de dióxido de silício isolante. Quando uma
Semiconductor Field Effect), é o tipo mais comum de
tensão é aplicada entre os terminais gate e source, o campo
elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie
de “canal invertido” no canal original abaixo dele. A parte
invertida é do mesmo tipo P ou tipo N, como o do source ou
do dreno, assim ele cria um condutor através do qual a
corrente elétrica possa passar. Variando a tensão aplicada
entre o gate e a source se modula a condutividade dessa
camada e torna possível controlar o fluxo de corrente entre
o dreno e o source, determinando o modo de operação pelo
qual o transistor está submetido, que pode ser três modos.
Região de Corte: quando V tensão entre a porta (gate) e a
fonte (source) e Vth é a Tensão de threshold (limiar) de
condução do dispositivo. O transistor permanece desligado,
e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a
corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero
devido à chave estar desligada, há uma fraca corrente
invertida.
Região de Triodo (ou região linear): e VDS< VGS - Vth
onde VDS é a tensão entre dreno e fonte. Transistor é ligado,
e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o
dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor,
controlado pela tensão na porta.
Região de Saturação: quando VGS >Vth e VDS > VGS –
Vth.
O “canal invertido” que é criado permite o fluxo de
corrente entre o dreno e a fonte. Como a tensão de dreno é
maior do que a tensão na porta, uma parte do canal é
desligado. A criação dessa região é chamada de pinçamento.
A corrente de dreno é agora relativamente independente da
tensão de dreno (numa primeira aproximação) e é
controlada somente pela tensão da porta. Como exemplo
apresentado pela figura 3, que demonstra o comportamento
das curvas características do MOSFET tipo n.
Figura 3: Curva Característica do MOSFET.
A. Constituição interna e Funcionamento
O MOSFET é formado de um cristal semicondutor
pouco dopado, chamado SUBSTRATO. Na parte superior
do mesmo são difundidas impurezas formando outro tipo de
cristal semicondutor diferente do SUBSTRATO, porém
bem mais dopado. Este cristal formará as regiões da
SOURCE e a do DRENO.
O dreno e a source podem ser separados como no
MOSFET tipo enriquecido, ou interligados, como no
MOSFET tipo depleção. O MOSFET é constituído de três
materiais diferentes, a saber:
As camadas de alumínio (AL) que formam os contatos
metálicos; uma camada de óxido de silício (SiO2), que isola
s contatos metálicos entre si e o corpo do transistor, feito de
material semicondutor. Tanto o dreno como o source, é feito
do mesmo tipo de cristal, diferente do cristal do substrato.
Seja um MOSFET com substrato de cristal do tipo P. Nota-
se que a junção dreno substrato opera como se fosse um
diodo polarizado reversamente devido a VDS. O fato é que,
se tivéssemos um canal de mesmo cristal entre dreno e
source, no caso N, interligando o source ao dreno, assim
como tínhamos no JFET, a corrente If entre dreno e source
poderia circular. Usamos então um recurso com o qual
podemos criar um canal e assim sendo controlar a corrente
if. Quando ligamos um capacitor a uma fonte de tensão
contínua, as cargas positivas se fixam na placa que está
ligada ao polo positivo da fonte, e as cargas negativas, na
outra placa que está ligada ao polo negativo da fonte,
criando-se então um campo elétrico entre as placas. O
número de elétrons numa placa é igual ao número de cargas
positivas na outra. Baseando-nos nestes princípios
aplicamos uma tensão entre porta (G) e source (S), tensão
VGS. Se aumentarmos VGS gradualmente, iremos
colocando cargas positivas na porta (G), como se a mesma
fosse a placa 1 do capacitor. Este acúmulo de cargas
positivas na porta cria um campo elétrico que começa a
repelir as lacunas do substrato, e a atrair os elétrons. Em que
o número de lacunas existentes na região compreendida
entre source e dreno, torna-se igual ao número de elétrons
atraídos pelas cargas positivas. Nesta condição temos um
equilíbrio momentâneo entre elétrons e lacunas. Quando
ultrapassamos este valor particular de VDS, chamado VT
(Tensão de Limiar - Threshold), o número de elétrons
superará o número de lacunas. A partir deste ponto
forma-se um verdadeiro canal entre dreno e source, devido
à presença destes elétrons. A partir deste instante temos um
canal tipo N interligando o contato metálico do source com
o dreno. Assim teremos um canal para a corrente If circular,
saindo do terminal positivo de VDS, atravessando o canal
N que foi formado, chegando ao terminal negativo de VDS
(sentido convencional).
Se interligarmos o contato do source com o contato do
substrato, como normalmente é feito na prática, iremos
melhorar o funcionamento do transistor. Podemos notar que
com este procedimento estaremos atraindo as lacunas para
o lado do substrato (SB) e, simultaneamente, repelindo os
elétrons do substrato para longe do contato SB do substrato.
Assim sendo os elétrons irão mais facilmente para o canal e
as lacunas sairão mais facilmente do canal. Desse modo não
será preciso aumentar tanto a tensão VDS para se atingir a
tensão de limiar VT. Transistores idênticos aos que estamos
estudando, cujos cristais do source e dreno são do tipo N,
são chamados de “MOSFET canal N”, evidentemente
teremos os “ MOSFETs canal P ”. A equação de If é uma
parábola com o vértice em VGS (Limiar):
𝐼𝑓 = 𝐾[(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝐿𝑖𝑚𝑎𝑟)]
K = Constante que de depende do MOSFET.
Fig. 4. Simbologia transistor MOSFET
Para demonstrar como se comporta um transistor
MOSFET, será realizada a montagem de um circuito, na
qual será verificado o funcionamento do mesmo através da
aplicação de diferentes valores de tensão sobre o terminal
Gate do componente. Serão realizadas diversas medidas
conforme variação de tensão no circuito. Com os dados
obtidos através de multímetros e osciloscópios serão
traçadas diversas curvas, relacionando tensão VDS, VG e
corrente IF.
O TECI tem uma forte característica que é sua
capacidade de operação em elevadas frequências sendo
superior a MHz.
Há também modelos de Amplificador operacional
baseados na topologia FET/MOSFET, muito úteis e como
grande aceitação na indústria eletrônica.
III. PROCEDIMENTOS E
RESULTADOS
a) Experimento I – Analisando VDS e IF
Primeiro passo foi determinar os terminais do
MOSFET, O projetista devera reconhecer os pinos G - gate,
D - dreno e S – source e após verificar se o mesmo se
encontra em bom estado para sua utilização. Para realizar a
identificação dos terminais de um MOSFET utilizamos um
multímetro. Sendo possíveis seis ligações das pontas de
prova do multímetro com os três terminais do transistor,
fazendo-se necessário localizar os dois terminais que
ligados em um sentido dê valor próximo a zero e no sentido
oposto de um valor elevado. Encontrando esta combinação
podem-se determinar os terminais do diodo.
Experimentalmente foi utilizado o transistor IRF 840, tipo
N, apresentado na figura. Assim, o ânodo será o source, o
Cátodo será o dreno e o terceiro terminal será o gate.
Figura 5: MOSFETS, tipo N e tipo P.
Para saber se o MOSFET está em condições
adequadas para sua utilização devemos realizar alguns
passos:
Passo A:
1 - Conectar a ponta de prova (-) do multímetro ao
terminal;
2 - Conectar os pinos G e S do MOSFET através
de um _o tendo o cuidado de não tocar o terminal G com a
mão (para que alguma carga eletrostática carregue
capacitância de porta).
Passo B:
1 - Conectar a ponta de prova (+) do multímetro ao
terminal D do MOSFET - A tensão indicada deverá ser fim
de escala (circuito aberto e tensão máxima);
2 - Manter a ponta de prova (-) do multímetro ao
terminal S do MOSFET;
3 - Conectar a ponta de prova (+) do multímetro ao
terminal G do MOSFET, isso carregara a capacitância de
porta (G) do MOSFET;
4 - Conectar a ponta de prova (+) do multímetro ao
terminal D do MOSFET;
5 - A tensão indicada deverá ser quase nula.
Passo C:
1 – Repetir o teste A.
Ao analisar os resultados dos passos A e C e for
verificada que a tensão for de fim de escala e no passo B for
quase zero, resulta que o MOSFET apresenta um bom
funcionamento e está em condições de uso.
Após foi realizado a montagem do circuito da
figura 6 em uma protoboard.
Figura 6: Características gerais (corrente reversa e
característica do gate).
Observa-se o funcionamento do MOSFET, ao ser
conectado a uma fonte de tensão VS de 30 V ligada no dreno,
obtemos uma tensão de dreno-source VDS de igual valor,
pois não existe tensão no gate e, portanto, IF é zero, assim
sendo de perceptível que o controle da tensão VDS ocorre
quando há variação de tensão no gate
Após foi verificada se a tensão VS = 30 V e se
tensão VGS = 0 V, com o auxílio de um osciloscópio foi
analisada a tensão VDS. Sendo lentamente aumentada tensão
VGS até 18 V, gerando assim a tabela 1.
Como pode ser observado graficamente, enquanto
VGS não atingir o valor de VGS (TH) não haverá corrente no
dreno. Após atingir VGS (TH) a corrente do dreno aumenta
rapidamente até atingir o valor da corrente de saturação IDS.
Depois desse ponto o MOSFET fica polarizado, mesmo
aumentando VGS a corrente ID não aumenta.

Tabela 1 – IF e VDS em função de VG

Medida VG (V) VDS (V) IF (mA) VGS (V)

1 0 30 0 0
2 1,4 30 0 1,9
3 2,8 30 0 4,2
4 4,15 12,32 44,69 5,6
5 5,5 1,11 64,17 6.1
6 6,9 1,11 64,17 9,1
7 8,3 1,11 64,17 12,2
8 9,6 1,11 64,17 14,1
9 11 1,11 64,17 17,9
10 11,7 1,11 64,17 18
Com base nos valores obtidos podemos traçar as
curvas das tensões, com o auxilio do software MATLAB,
os gráficos da tensão de gate em função da corrente da fonte
(VG x IF), que pode ser visualizada na Figura 7, e da tensão Figura 8: Curva do MOSFET VG x VDS.
de gate em função da tensão de dreno (VG x VDS), conforme
representa a Figura 8. Analisando o gráfico da Figura 8, pode-se verificar
também que ele possui as três regiões de operação. Além
disso, é possível verificar que para um valor mínimo de VG,
existe um valor máximo de VDS, ou seja, o transistor está
aberto. Para VG máximo o valor de VDS é mínimo, ou seja,
o transistor está fechado (conduzindo). No momento que VG
> VGS (TH) a tensão nos terminais começa a cair
linearmente indicando o momento de passagem de corrente
do dreno ao source, ou seja, o início de condução do
transistor.

b) Experimento II - Analisando VDS e IF (Polaridade de VS

Invertida)

Neste experimento, será realizado a análise que foi

feita para o experimento 1, porém invertendo a polaridade
da fonte Vs.
Foi realizada a análise, aplicando uma tensão de
Figura 7: Curva do MOSFET VG x IF. VG de zero volt e mais uma vez a corrente IF foi igual a zero.
Posteriormente, para a análise do momento em que o
Com base no gráfico da Figura 7, pode-se MOSFET entrará na zona de condução, foi aplicado no
visualizar as três regiões de operação de um transistor potencial de gate diferentes valores de tensão, a fim de
MOSFET, as quais compreendem por: região de corte, analisar o comportamento da corrente e das tensões. Os
região linear e região se saturação. dados obtidos no experimento podem ser verificados na
Conforme a tensão VG é aplicada a porta do Tabela 2.
transistor surge inicialmente uma depleção na região do
canal, com uma densidade que aumenta VG. Pode-se notar
que para um VG muito grande surge um canal de inversão.
Para que ocorra essa região de inversão é necessário que
VGS > VGS (TH), onde VGS (TH) é a tensão limiar de
condução do dispositivo, que também permite a passagem
de IDS corrente de saturação (quanto maior for à tensão na
porta, maior será a capacidade de conduzir corrente).
 Tabela 2 – IF e VDS em função de VG
Medida VG (V) VDS (V) IF (mA) VGS (V)
1 1,15 0,016 -62,87 2,29
2 2,4 0,016 -62,87 3,16
3 3,6 0,018 -62,87 4,89
4 4,13 1,11 -64,17 6,28
5 6,3 1,11 -64,17 9,91
6 7,8 1,11 -64,17 11,28
7 9,1 1,11 -64,17 13,51
8 10,4 1,11 -64,17 15,35
9 11,2 1,11 -64,17 17,35
10 11,9 1,11 -64,17 18,01

Com base nos valores obtidos podemos traçar as

curvas das tensões, com o auxilio do software MATLAB,
os gráficos da tensão de gate em função da corrente da fonte
(VG x IF), que pode ser visualizada na Figura 9, e da tensão
de gate em função da tensão de dreno (VG x VDS), conforme
representa a Figura 10.
Figura 10: Curva do MOSFET VG x VDS com polaridade
invertida.
Observando as curvas obtidas, podemos ver que a
corrente se manteve constante, pela lei de ohm a tensão VDS
também se manterá constante como pode ser observado na
figura 9, considerando que a temperatura da chave neste
caso não varia (resistência de condução da chave constante).

c) Experimento III – Analisando VDS, IF e D

Nesse experimento a fonte de tensão V S foi

conectada com sua polaridade original, como foi utilizada
no experimento 1, figura 6, porém substituindo a fonte de
tensão VGS, por um gerador de sinais, cuja saída foi ajustada
para se obter uma forma de onda quadrada, com amplitude
de 18V, sem offset, e frequência de 10kHz.
Após isso, então, foi variado à razão cíclica entre 0
a 1, com o objetivo de realizar medições de VDS e IF do
circuito. A razão cíclica compreende-se como a relação do
período da onda quadrada em que o seu nível é alto, assim
Figura 9: Curva do MOSFET VG x IF com polaridade esta razão (D) compreende-se de 0 (0% do período) a 1
invertida. (100% do período). Os dados obtidos no experimento
podem ser verificados na Tabela 3.
O MOSFET apresenta internamente um diodo
conectado em antiparalelo (mantém um caminho para a Tabela 3 – IF e VDS em função de VG
corrente). Dessa forma, aplicando uma tensão negativa V S
ao circuito, a junção p-n do MOSFET resulta em um diodo Medida D(%) VDS (V) IF (mA) VGS (V)
em antiparalelo com sentido de condução source-dreno. 1 1 32 1,2 -
Assim, uma tensão negativa source-dreno polariza
2 10 26,82 7,7 -
diretamente este diodo que é capaz de conduzir até a
3 20 22,97 14,12 -
corrente nominal do MOSFET.
Como apresentado na figura 9 que a condução do 4 30 18,13 20,5 -
diodo antiparalelo ocorre até aproximadamente 4,1 volts, 5 40 16,55 27 -
devido ao fato da tensão limiar de condução do MOSFET 6 50 13,85 33,4 -
ser no máximo 4 volts. Acima desta tensão o MOSFET entra 7 60 10,2 39,80 -
em condução ocasionando o bloqueio do diodo antiparalelo. 8 70 7,54 46,2 -
9 80 4,44 52,6 -
10 90 1,37 59 -
11 99 1,11 64

Com base nos valores obtidos podemos traçar as

curvas das tensões, com o auxílio do software MATLAB,
foram traçados os gráficos de IF em função de D e de VDS
em função de D, conforme ilustra a Figura 11 e o gráfico da
Figura 12.
Figura 11: Razão Cíclica (%) pela Corrente IF (D(%) x IF).
A razão cíclica é utilizada para descrever a fração
de tempo em que um sistema está em estado de ativo, ou
seja, é a proporção de tempo durante o qual um componente,
dispositivo ou sistema está em operação, é uma razão entre
o tempo de duração da onda no seu semi-ciclo positivo e o
período total da onda. Assim, a tensão média aplicada ao
gate (VGS) é diretamente proporcional à razão cíclica, de
acordo com o princípio de funcionamento de um MOSFET
o valor da corrente IF aumenta proporcionalmente ao valor
da razão cíclica.
Figura 12: Razão Cíclica (%) pela tensão VDS (D(%) x VDS).
A análise realizada anteriormente (curva D (%) x
IF) deve ser estendida, também, para este caso, porém aqui
temos que a tensão é inversamente proporcional à razão
cíclica. Isto, por que enquanto o MOSFET não é ativado ele
age como um circuito aberto entre os terminais dreno-
source, ou seja, inicialmente a tensão aplicada entre o dreno
e fonte é a mesma tensão da entrada (VS). O MOSFET, neste
caso, se comporta como uma chave que comuta de acordo
com a frequência da tensão aplicada no gate-source.
Com o auxílio de um osciloscópio foi capturada as
formas de ondas da tensão VDS e corrente IF no momento
em que se bloqueia e aciona o MOSFET. Segue a
demonstração nas figuras abaixo.
Figura 13: Forma de onda de IF no acionamento do
MOSFET.
Figura 14: Forma de onda de IF no bloqueio do MOSFET.
IV. CONCLUSÃO
Em vista do que foi apresentado foi possível
observar na prática as características do MOSFET. Como se
sabe este componente só irá conduzir quando aplicarmos
uma diferença de potencial em seus terminais, este nível
crítico de tensão se deve basicamente devido a um efeito
térmico que acontece entre as regiões P e N que leva a
condução do mesmo.
Os experimentos realizados tiveram como função
comprovar esta função do MOSFET (como pode ser notado
nos gráficos), que irá se comporta de uma forma evidenciar
o nível crítico de tensão citado quanto este está conduzindo,
mas que não apresenta alteração nenhuma quando a
polaridade do componente é invertida.
Pode-se notar também a influência da razão cíclica
no crescimento e decrescimento da corrente 𝐼𝐹 de forma
proporcional à medida que aumentamos e diminuímos a
mesma. É importante ressaltar que devido estas
características e o seu baixo custo, o MOSFET é bastante
utilizado na eletrônica, ressaltando ainda mais a importância
dos experimentos realizados.
V. REFERÊNCIAS BIBLIOGRAFICAS
1 – MUSEU DAS COMUNICAÇÕES. Disponível
em <http://macao.communications.museum
/por/exhibition/secondfloor/moreinfo/2_10_4_HowFETW
orks.html >. Acesso em 08 de março de 2012.

2 - WINKIPEDIA. Disponível em
http://pt.wikipedia.org/wiki/MOSFET >. Acesso em 08 de
março de 2012.

3 – SABER ELÉTRICO. Disponível em <

http://www.sabereletrico.com/leituraartigos.asp?valor=47
>. Acesso em 08 de março de 2012.

4 - WINKIPEDIA. Disponível em <

http://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_emissor_de_luz >.
Acesso em 10 de setembro de 2011.

5 – UNESP. Disponível em
<http://www.dee.feb.unesp.br/~rudolf/dp/LAB_EI_CAP02
.pdf>. Acesso em 21 de setembro de 2011.

6 – R. Boylestad, L. Nashelsky, Dispositivos

Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 3° edição 1984, Ed.
Prentice – Hall Rio de Janeiro - RJ.