“Transistor Circuits”

(Resultados de laboratorio 4)
Catedrático: Ing. José Roberto Ramos Instructor: Br. Fredy Balmore Bonilla

Hernández Nieto, Jairo Alejandro HN14001

Sorto Castillo, Jairo Josué SC14009
(Ciudad Universitaria, viernes 2 de diciembre 2016)

Resumen:
Dentro de la electrónica existen muchas configuraciones para los circuitos con transistores
todas con una aplicación especia o particular, en este laboratorio se busca comprobar de
manera práctica algunas características de dos configuraciones básicas e importantes de
circuitos con transistores BJT.

La tarea 1 denominada “Establishing a Stable DC Biasing of a Transistor Stage” consiste en

hacer un análisis en gran señal y otro en pequeña señal para encontrar los parámetros
básicos de los transistores BJT.

La tarea dos denemoinada “Common Emitter Amplifier - AC Small Signal” en esta se debe
elaborar un circuito en configuración Amplificador de emisor común, como ya hemos
estudiado esta configuración tiene una alta ganancia en determinadas condiciones de
resistencia.

Con estas dos tareas se pretende completar el estudio y análisis de transistores BJT.

Lista de equipo y materiales:

- 1 Multímetros digitales.
- Un generador de frecuencias.
- Resistencias de 1kOhm, 4 kOhm, 2kOhm.
- 1 Osciloscopio
- 1 Breadboard.
- Potenciómetro de 100k.
- 3 condensadores, de 20uF.
- 1 transistor 2N3904.
- Cable UTP o similar para cableado del circuito.
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Introducción:

En las practicas anteriores se estudió los diodos y los MOFETS, en el presente documento
se presenta la última práctica de la materia Electrónica 1 sobre transistores BJT, estos como
los MOFETS son dispositivos semiconductores de tres terminales, el cual tiene tantas
aplicaciones como las del MOFETS.

Los BJT (Bipolar Junction Transistor, transistor de unión bipolar) o, simplemente, transistor
bipolar un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se
debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

 Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
 Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector: de extensión mucho mayor.

En este laboratorio estudiaremos las características básicas del BJT y dos configuraciones
especificadas en cada una de las tareas propuestas por la catedra de la materia Electrónica
1 para reforzar aspectos importantes en el análisis de los transistores. Todo esto se detalla
en las siguientes páginas de este documento.

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Descripción del Circuito:

Tarea 1:

Fig. 1 Circuito de tarea 1.

Tarea 1: el circuito de la figura 1, corresponde al circuito a implementar en la polarización

de corriente continua del BJT, está compuesto por 3 resistencias de valor invariable y un
potenciómetro de 100k para R2, los valores de R1=20 kΩ, R3=4 kΩ. R4=1 kΩ.

Nuestro transistor BJT será el 2N3904, ya con nuestro circuito construido se aplicó una
tensión CC de +10 V, después se regulo R2 de tal manera que haga Vc= 6V (lo más cercano
posible). con esto se midió las tenciones y corrientes pertinentes para compararlas en el
análisis.

Tarea 2:

Fig. 2: Amplificador de emisor

común de tarea 2.

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Lab. 4: transistors circuits ELC115

El circuito de la figura 2 es un amplificador con emisor común, este circuito contiene la

configuración de la tarea uno agregando una fuente de pequeñas señales 2 capacitores al
inicio y 3 en los últimos literales de la tarea junto con una carga.

Cuando se le aplica pequeña señal es una onda senoidal de 10mV pico a pico con 10 kHz
de frecuencia.

Los valores de los elementos son: R1=20 kOhm, R2=10 kOhm, R3=4 kOhm. R4= 1 kOhm
y los capacitores de 20 microFaradios cada uno.

En principio al aplicar esta señal se midió la ganancia obtenida a su salida, luego se usó una
resistencia en serie con la entrada de 1k y se procedió a medir el voltaje AC en la base del
transistor. Luego se colocó como RL una resistencia de igual valor y se procedería a medir
la señal de AC a la salida y como último dato a tomar con el generador de señales se
procedió a aumentar hasta llegar a 1Vpp la señal de entrada y ver cuando empezaba a
distorsionarse la señal de salida respecto a la señal de entrada.

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Lab. 4: transistors circuits ELC115

Resultados de las Mediciones:

Resultados de Tarea 1:

Luego de construir el circuito de la figura 1.

En el literal B se nos pide ajustar R2 hasta que se nos produzca una tensión en Vc lo más
cercana posible a 6V, estas adoptaron los siguientes valores:

𝑅2 = 3.65 𝑘𝑂ℎ𝑚 𝑉𝑐 = 6.07 𝑉

Los otros valores de resistencia son:

𝑅1 = 19.88𝑘Ω 𝑅𝑐 = 𝑅3 = 4.36𝑘Ω

En el literal C se nos pide medir los valores de voltajes y corrientes en DC:

𝑉𝐶 = 6.07𝑉 ,
𝑉𝐵 = 1.749𝑉,
𝑉𝐸 = 1.08𝑉 ,
𝐼𝐶 = 0.88𝑚𝐴,
𝐼𝐵 = 7.27𝑢𝐴 &
𝐼𝐸 = 0.8873𝑚𝐴
En el literal D se nos indica lo siguiente:

1. Compare the base current to the bias current in R2. 2. If the transistor beta were to
double or to half, how would this effect the DC bias point of the transistor? 3. How stable
would the DC bias point be if R1 and R2 were made x10 larger?
1.749
𝐼𝑅2 = = 0.475227𝑚𝐴
3.65𝑘
𝐼𝑐 1.01125
𝛽= [𝑒𝑞. 1] = = 383.28790
𝐼𝐵 0.002638

1. Al comparar el valor de la corriente en la base con la corriente en R2 notamos que la

corriente en la base es de 7.27𝑢𝐴 y en R2 es de 0.475227mA, como vemos en la base se
tiene una corriente mucho menor que en la resistencia 2.

2. si el 𝛽 del transistor se duplica, afectaría directamente todos los parámetros medidos en

DC, como se nos ilustra en la ecuación 1 (eq. 1) Beta e Ib están inversamente relacionados
(valido en gran señal o DC), una disminución en beta del doble, es un aumento de Ib del
doble y viceversa, esta modificación en la corriente de base genera un cambio significante

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en el punto de operación del transistor dado que las demás corrientes también se ven
afectadas.

3. Para el caso si se aumentara en un factor de 10 tanto R1 como R2, como ya sabemos en

nuestro circuito el voltaje de base está determinado por el división de tensión entre ambas
resistencias, el paralelo de estas resistencias nos dan la resistencia de base, si esta es pequeña
el voltaje de la base permanecerá constante y el incremento de el voltaje de emisor dará
como resultado una disminución correspondiente a el voltaje base-emisor lo que a su vez
reduce la corriente de colector, y si aumentan ambas resistencias en un factor de 10x este
incremento estaría reduciendo la corriente en la base, con lo cual siempre es necesario
según las reglas planteadas en el libro de Sedra que los valores de R1 y R2 se eligen a manera
que su corriente este entre el intervalo de [𝐼𝐸 − − − 0.1𝐼𝐸 ] por lo que no se podría asegurar
que fuese estable la polarización a estos valores ya que cambiaría el voltaje en la base y en
consiguiente los demás voltajes, se vería afectado todo el circuito y habría que rediseñar
para esos valores.

para literal E calculamos los términos 𝑔𝑚 y 𝑟𝜋 :

Asumiendo 𝑉𝑇 = 25𝑚𝑉.
𝐼𝐶 0.88𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = = 𝟑𝟓. 𝟐 𝒎𝑨/𝑽
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
Y para el cálculo de la 𝑟𝜋 :
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝜋 = = = 𝟑. 𝟒𝟑𝟖𝟕𝟗𝒌Ω
𝐼𝐵 7.27𝑢𝐴

Resultados de tarea 2:

Se construyó el circuito de la figura 2 y se tiene:

b) para esta parte se nos pide calcular Impedancia de un capacitor de 10𝜇𝐹 a 10kHz, no
obstante, en el laboratorio no teníamos capacitores de 10𝜇𝐹sino de 20𝜇𝐹. Por lo tanto,
este cálculo se hará para el de 20 𝜇𝐹.
1 1 1
𝑍𝑜 = = = = −0.79578𝑗Ω
𝑆𝐶 𝑗𝜔𝐶 + 𝛼𝐶 𝑗(2 ∗ 𝜋 ∗ 10𝑘 ∗ 20𝜇𝐹)

c) Al dibujar el modelo de pequeña señal del circuito de la ilustración tenemos la siguiente

figura:

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Fig. 3: circuito equivalente a pequeñas señales del circuito amplificador de emisor común.

Comentario sobre R4: R4 se encarga de realizar una retroalimentación lo cual le da mayor

estabilidad e independencia ante las variaciones que podrá sufrir en operación y del
parámetro 𝛽, la cual puede variar bastante incluso entre el mismo modelo de BJTs.
Comentario sobre R1 y R2: Si vemos el modelo a pequeña señal del circuito, nos damos
cuenta que R1, R2, 𝑟𝜋 , forman la resistencia de entrada, la cual, si es muy baja, es posible
que el amplificador atenué la señal de entrada, lo que sería un mal resultado para nuestros
propósitos.
𝛽
Como 𝑟𝜋 depende proporcionalmente de 𝛽(𝑟𝜋 = 𝑔 ), con R1 y R2 se puede estabilizar la
𝑚
𝑅𝑒𝑛𝑡 , independientemente del valor de beta.
d) Aplicando una pequeña señal sinusoidal de entrada de 10mv de pico a pico a 10 khz, se
procedio a medir la señal de salida, frecuencia y fase.

Fig. 4: imagen del osciloscopio de entrada y salida del amplificador. la señal azul que
corresponde a la onda de entrada y la señal color rosa que corresponde a la onda de salida

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Lab. 4: transistors circuits ELC115

De la figura 4, se obtienen los siguientes datos:

Tension en la entrada:

𝑉𝑖 = 10𝑚𝑉

Tension en la salida:

𝑉𝑜 = 344𝑚𝑉

Calculando la ganancia:
344𝑚𝑉 𝑉
𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 = = 34.4
10𝑚𝑉 𝑉
Para observar el desfase y la frecuencia presentamos la siguente captura:

Fig.5: imagen del osciloscopio de entrada y salida del amplificador, la que muestra el de
fase entre ellas.
Como vemos en la figura 5 la frecuencia tal y como la guía de laboratorio nos dice es de
10 kHz, mientras que como vemos el desfase entre la entrada y salida es de 180 grados,
por lo que nuestra ganancia no tiene signo negativo como es el caso de los MOFETs.

e) se añadió una resistencia de 1kOhm en serie con el capacitor de la entrada y se procedió

a medir la señal de salida del circuito:

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Fig.6: imagen del osciloscopio de entrada y salida del amplificador, con una resistencia de 1k en
serie en la entrada.
En la figura 6 se muestra la caída de tensión en la salida con respecto a las especificaciones
de esta sección de la guía de laboratorio al circuito original, como vemos el efecto de la
resistencia en serie con el capacitor en la entrada hace que se reduzca la ganancia del
circuito, obteniendo una tensión de salida de:
𝑉𝑜 = 240 𝑚𝑉

La guía de laboratorio pide el cálculo de la resistencia de entrada por lo cual tenemos:

𝑅1 = 19.88𝐾 𝑅2 = 3.65𝐾 𝑦 𝑟𝜋 = 3.43879𝑘 (𝑑𝑎𝑡𝑜 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑎𝑛𝑡𝑒𝑟𝑖𝑜𝑟𝑚𝑒𝑛𝑡𝑒)

1
𝑅𝑒𝑛𝑡 = = 𝟏. 𝟔𝟐𝟓𝟖𝒌𝛀
1 1 1
+ +
19.88𝑘 3.65𝑘 3.4388𝑘
Se nos solicita analizar y comprar los efectos de 𝑟𝜋 con respecto a R1 y R2:
Sabemos que 𝑟𝜋 es la resistencia calculado en el análisis de pequeñas señales y está entre la
base y el emisor, los efectos causados por esta resistencia en comparación a las otras dos
no son muy relevantes ya que es más pequeña que R1 Y R2, además que depende
directamente de beta.
Con una tensión de base medido es de:
𝑽𝒃 = 𝟐𝟏. 𝟗𝒎𝑽.
f) Se añadió una resistencia de 1k a la salida como RL y se procedió a medir otra vez la
señal de salida, posterior a esto se calculó la resistencia de salida.
El resultado de esto se tiene en la siguiente figura:

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Fig.7: imagen del osciloscopio de entrada y salida del amplificador, con una resistencia de 1k la
salida.

Como se observa en la figura 3, es necesario conocer el valor de ro para poder encontrar

el valor de la resistencia de salida.
1 1
𝑟𝑜 = = = 284.09𝐾
𝜆𝐼𝑐 0.004 ∗ 0.88𝑚𝐴
1
𝑅𝑠𝑎𝑙 = = 𝟒𝟐𝟐𝟔. 𝟏𝟖𝟏𝛀
1 1
+
4.36𝑘 284.09
g) en este literal se procedió a aumentar la tensión de entrada hasta 1 Vpp, y se procedió a
medir la salida con el osciloscopio:

Fig.8: imagen del osciloscopio de entrada y salida del amplificador, con Vpp=1V de
entrada.
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como podemos ver el efecto sobre la señal de salida es muy claro y contundente esta se
convierte en una señal cuadrada ante una tensión de entrada de 1 Vpp.
En la guía se nos pregunta lo siguiente:
When does, the signal become significantly distorted?
Para dar respuesta a esta interrogante se presentarán las siguientes imágenes:

Fig.9.A: Ilustración cuando la señal Fig. 9.B: Ilustración con señal de salida
de salida se empieza a distorsionar. con deformación clara.
Como vemos en las figuras 9, la señal se empieza a distorsionar a los 36.0mv de entrada.
Ya en 40 mV el cambio en la señal de salida es as que evidente.
También se nos pide el siguiente producto donde RL es la resistencia conectada a la salida:
𝑚𝐴
𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝐿 = 35.2 ∗ 1𝑘 = 35.2
𝑉
Explicación:
Como sabemos este efecto se da por el comportamiento del transistor el cual tiene distintas
áreas de operación, si la señal de entrada es lo suficientemente grande, hace que el transistor
opere en la región de corte y la región de saturación o en ambas, dependiendo de donde
esté ubicado el punto de operación (Q). Y debido a que lo lleva a una región fuera del
rango de operación Q fijado por polarización es que se obtiene este efecto y distorsión en
la salida.

H: Verifique la ganancia, la resistencia de entrada, y la resistencia de saluda mediante

PSPICE. Use el análisis transitorio para verificar la distorsión.

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Conclusiones:

 Mediante una buena configuración de nuestros circuitos se pueden lograr muy

amplios factores de amplificación, siendo el amplificador de emisor común con BJT
una muy buena opción para lograr grandes ventajas con referencia a la
amplificación.

 El análisis en pequeñas señales es muy útil para conocer parámetros como la

ganancia, resistencia de entrada y salida, parámetros importantes para el estudio de
los amplificadores.

 Al agregar la resistencia de 1kOhm en la entrada los valores de la ganancia

disminuyeron considerablemente, es decir el efecto de la resistencia de entrada
puede llegar a ser perjudicial en nuestros circuitos amplificadores.

 Como vemos si aplicamos una señal grande el transistor se comporta de distintas

formas (se distorsiona) debido a la zona de operación en que se encuentre, como
vimos en la tarea 2.g la señal de salida fue algo muy cercano a pulsos cuadrados,
mientras la entrada era una onda senoidal. Con esto estudiamos una de muchas
propiedades y características que muestran los transistores que ya fueron estudiadas
en la teoría.

 Estudiar las características del BJT, ha sido el eje central de esta práctica, saber cómo
realizar una correcta polarización en la región activa para obtener los resultados
deseados en nuestros circuitos, conocer el emisor, colector y base y muchos otros
son conocimientos adquiridos en este laboratorio.

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Bibliografía:
[1] Sedra. Circuitos Microelectrónicos, Quinta edición. McGraw-Hill
Interamericana, 2006.
[2] José Ramos. Notas de Clase de Electrónica I. Universidad de El Salvador,
2016.

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Anexos: Hojas de datos:

- 1N3904

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