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Curso 2008/09
TEMA 4
RADIOMETRÍA Y FOTOMETRÍA
Estos Fundamentos de Óptica han sido específicamente adaptados como Apuntes para el Curso de Óptica que imparte el autor
en la asignatura Campos Electromagnéticos de Ingeniería de Telecomunicación de la E.S.Ingenieros de la Universidad de Sevilla.
Se recomienda su utilización combinada con los demás materiales y referencias de la asignatura.
Propiedad Intelectual
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destinarse al estudio personal. Para citar la información contenida en los mismos debe indicarse:
Gómez González, E.: Fundamentos de Óptica: Radiometría y Fotometría, Universidad de Sevilla 2006-2009.
así como los datos específicos de cada obra detallados en las Referencias indicadas entre corchetes [].
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2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 4 – Radiometría y Fotometría) 2 UNIVERSIDAD DE SEVILLA
REPASO Es necesario recordar las ideas básicas de emisión de la radiación
La emisión de radiación electromagnética por los átomos y moléculas de las sustancias debida a su agitación térmica (es decir,
siempre que su temperatura T sea superior al cero absoluto) se denomina radiación térmica. Se caracteriza por su intensidad y
longitud de onda (principalmente en el rango 0.1 μm a 100 μm) y depende de la temperatura del cuerpo. Un emisor de radiación
ideal se denomina cuerpo negro (c.n.). Ningún cuerpo a la misma temperatura puede emitir más radiación, en la misma λ, y en
cualquier dirección, que un cuerpo negro. La emisión de un c.n. depende exclusivamente de su T, no de su composición química.
Su excitancia radiante espectral a la temperatura T (Mλ,T) está dada por la ley de Planck: para cada λ, aumenta con T y su
máximo se desplaza hacia λ menores al aumentar T. Para cada T, la λ a la que tiene lugar la máxima emisión es la ley de Wien.
Si se integra Mλ sobre todas las λ se obtiene la excitancia radiante total a esa T: ley de Stefan-Boltzmann:
2π h c2 ⎛ 1 ⎞ C
M λ ,T = ⎜ hc λkT ⎟ = 5 C2 λ1kT Ley de Boltzmann
λ ⎝e
5
−1⎠ λ e ( −1 )
λmax ⋅ T = 2897.8 ↔ λmax = 2897.8 ⋅ T μm
−1
Ley de Wien
M λmax = 1.286 ⋅10 −15 ⋅ T 5 W ⋅ cm -2 ⋅ μm -1
Wtotal = σ ⋅ T 4 W ⋅ cm -2 Ley de Stefan - Boltzmann
Ptotal = A ⋅ ε ⋅ σ ⋅ T W
4
Potencia total emitida
Casos:
- para encontrar el ángulo sólido subtendido por una región
de S, se integra la expresión de dΩ sobre esa región.
- si P → ∞ entonces Ω →0
- si P está muy cerca de dA, entonces Ω →2π
- si A es un disco de R, con R<<r, entonces Ω →πR2/r2
- relación entre Ω y el ángulo α del cono:
⎛ α⎞ ⎛ Ω⎞
Ω = 2π ⎜1 − cos ⎟ ↔ α = 2 ⋅ arccos⎜1 − ⎟ Interés del ángulo sólido en Radiometría y Fotometría:
⎝ 2⎠ ⎝ 2π ⎠
1. Caracterizar la emisión desde una fuente y la
- ángulo sólido elemental en un cono cuya generatriz forma la incidencia en un detector: ¿cuánta luz emite una
θ con el eje: fuente? ¿cuánta luz llega a un detector? → SENSORES
dΩ = 2 π senθ dθ
2. Caracterizar la transferencia energética en un
dispositivo (instrumento) óptico: ¿cuánta energía llega
a la imagen? → BRILLO O LUMINOSIDAD DE LA
IMAGEN FORMADA
[20]
[9]
Mired = 106/T
o en decamired (1 Dm = 10 Mireds)
estereo
Flujo (o potencia) Φe Flujo (o potencia) Φe sr
Φe = dQe/dt luminoso Φe = dQe/dt rradián
radiante W lm
eficiencia
V
Excitancia radiante Me Me = dΦe/dA Excitancia luminosa Mv luminosa
o emitancia l. Mv = dΦv/dA
o emitancia r. W/m2 (A = emisor) lm/m2 lm lumen
H H
Exposición H = Ee·t Exposición H = Ev·t τ volumen
J/m2 lx·s
Unidad Fotométrica = Ko·V(λ)·Unidad Radiométrica t tiempo
K s = Φ v Po
η = K s ⋅100 683
Ej. 3: Una bombilla emite 100 W de potencia radiante. Si la luz es roja (650 nm), calcular la irradiancia y la iluminancia en una
superficie esférica situada a d = 2m.
Sol.: La irradiancia es E = Φ e = 4 π I e = ... = 1.98 W / m 2 y la iluminancia E = K (λ ) ⋅ Ee = 683 ⋅ V (650 nm) ⋅ Ee = 683 ⋅ 0.1 ⋅ Ee = ... = 135.23 lux
A 4π r 2
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Curvas fotométricas: son gráficas de la distribución de la intensidad luminosa de una fuente en función de la dirección de la
emisión (ángulo de colatitud θ). Es una de las principales características especificadas por el fabricante, y permite evaluar la
intensidad y direccionalidad del flujo emitido.
⎛θ ⎞ I max
I ⎜ c ⎟ = Im con I m =
⎝2⎠ 2
Ej. 4: Una fuente puntual isótropa emite un flujo luminoso de 10 lm, con λ=590 nm. Obtener la amplitud de los campos eléctrico
y magnético a una distancia r = 1 m.
Φ 1 εo 2 μo 2 Φ A εo
Sol.: Buscamos V(590 nm) = 0.757, como I = pero también I = E → E2 = ≈ 1.1 V/m y H = E ≈ 3 mA/m
4π r 2
2 μo ε o 4 π r V (λ )
2
μo
Ej. 5: Un haz luminoso está constituido por 100 W de luz monocromática de longitud de onda λ1=500 nm y 50 W de luz
monocromática de λ2=600 nm . Calcular el flujo radiante y el flujo luminoso del haz (considerando visión fotópica).
El flujo radiante será la suma de los flujos radiantes de cada fuente: Φ = Φ1 + Φ2 = 100 + 50 = 150 W mientras que el flujo luminoso
de cada fuente dependerá de su eficiencia luminosa (de radiación):
V1 ≈ 0.323 → ΦL1 = 100 W x V1 x 683 = 22.061 lm; V2 ≈ 0.631 → ΦL2 = 50 W x V2 x 683 = 21.548 lm
por lo que el flujo luminoso total será ΦL = ΦL1 + ΦL2 = 43.609 lm
Ej. 6: Caracterizar la radiación térmica del cuerpo humano: Tpiel ≈ 35º → λmax = 9.41 μm ↔ infrarrojo
Suponiendo emisividad e = 1 y superficie de la piel A ~ 2 m2 → Potencia total emitida P = A e σ T4 ~ 103 W
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Ejemplo 7: Calcular la irradiancia de una lámpara isótropa que emite un flujo radiante P = 5 W sobre una superficie plana
situada a una distancia h = 1 m.
[21]
P
Intensidad radiante I = = 0.4 W/sr
4π
dS ⋅ cosψ
dΩ =
d2
h
Irradiancia sobre dS con d 2 = h 2 + r 2 y cosψ =
d
dP I ⋅ dΩ I ⋅ cosψ I ⋅h I ⋅ cos 3 ψ
E |dS = = = = ... = =
dS dS d 2
(
h + r2
2
)
32
h2
Ejemplo 9: Un haz luminoso (de 600 nm) incide sobre un fotodiodo, con la geometría y datos indicados en la figura (en
las condiciones del Ej. 7 anterior). Estimar la SNR y el efecto de la eficiencia cuántica de detección
Habíamos obtenido la irradiancia sobre la mesa EA = 0.4 W/m2
Ahora λ = 600 nm, H = 2 m y el
Fotodiodo tiene:
• lente: D = 12 mm, transparencia = 100%
• área sensible: A = 0.25 mm2 (fotosensor)
• tiempo de exposición (shutter time): T ≈ 10 ms
Mesa: suponemos
• reflector lambertiano
• refleja 10%
• Superficie lambertiana → L = Es / π = 0.1 EA / π = 0.04/ π W / (m2 sr)
• Intensidad en la dirección de la lente: I = L A
• Ángulo sólido visto por la superficie (subtendido por la lente): Ω = π D2 / (4 H2)
• Si la transparencia de la lente = 100 % → flujo radiante (potencia) incidente
en el fotodiodo es: Pd = I Ω = A L π D2 / (4 H2) = 9·10-14 W
Si λ = 600 nm → el número de fotones incidentes por segundo (flujo de fotones) será n = P λ / (h c) ≈ 2.7·105 fotones/s
Durante un tiempo T, el número total de fotones incidentes sería N ≈ n T
ATENCIÓN: El número N real es una variable aleatoria con valor esperado N, siguiendo una distribución de Poisson con
desviación estándar √N, cuya SNR (en dB) es SNR = 10 log(N).
→ el número total de fotones incidentes en el detector es N = T n ≈ 2700 fotones ↔ SNR ≈ 34.3 dB
En realidad, la SNR es mucho menor debido a
• pérdidas de transmisión en la lente • Baja potencia
• eficiencia cuántica del detector (QDE) < 100%: no todos los fotones incidentes • ∆f ↑ (tiempo de integración ↓)
se convierten en electrones libres en el detector • λ cortas
• ruido térmico y dark current noise (fondo)
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Otros Sensores Ópticos:
Medidores de temperatura:
• termometría de infrarrojo (medida de bajas temperaturas):
sensores que responden al IR cercano y lejano (calor transmitido por
radiación), de 0.8 μm – 40 μm
• sensores cuánticos: basados en efecto fotoeléctrico (interacción
de los fotones en la red cristalina de un semiconductor)
• termometría por radiación (sensores térmicos): la energía
absorbida en el material (sensor) provoca un aumento de su
temperatura, cuya medida, aplicando la ley de Stefan-Boltzmann
determina la temperatura del emisor
• pirometría óptica: medida sin contacto de altas temperaturas (> 600ºC)
• bolómetros: medida de la cantidad total de radiación electromagnética
emitida por una fuente (para todas las λ). En el rango 200 μm – 1mm son
los medidores más sensibles. Sensores para termómetros de radiación
+ V - LDR
Tiempo de respuesta >10ms a varios s.
1240
E f ≥ Eh → λ (nm) ≤ λh (nm ) =
Eh (eV )
• se genera par electrón-hueco en zona P, N, transición (ZT)
• el campo acelera los e hacia la N y los huecos hacia P
• aparece carga (-/+) en N/P
• al conectar circuito externo en cátodo y ánodo, los
electrones/huecos fluyen desde N/P ↔ fotocorriente
• problema: no todas las λ llegan a ZT por las diferentes
profundidades de penetración Diagrama de bandas Semiconductor Eh(eV) λh(nm)
→ para buena respuesta en λ cortas, la ZT debe ser
Si 1,12 1100
pequeña y próxima a la superficie
→ para buena respuesta en λ largas, la ZT debe ser ancha Ge 0,66 1870
InP 1,35 910
Para el Si, las λ pequeñas
InGaAsP 0,89 1400
se absorben antes:
UVA VIS IR
Características: InGaAs 0,75 1650
• superficie activa: 0.1-100 mm2.
10-3 Si es grande, ↑ ópticamente pero ↓ prestaciones
10-4 • eficiencia cuántica = nº pares efectivos / nº fotones incidentes.
ηSi(700-900 nm) ≈ 90-95%
penetración,δ (m)
Profundidad de
características
generales
id
Vd
PIN Buena respuesta
•
en IR. Capacidad
Vd
de transición
pequeña
Muy rápidos
•
en el ultravioleta
Ic
Fototransistores
Colector Colector
• Estructura interna y funcionamiento como un transistor bipolar
pero con inyección de corriente de base mediante efecto Fotón N N
Vc
fotoeléctrico Vc
Base P Base P
• cuando incide un fotón con suficiente energía en la ZT, se
N N
genera un par e--h y el campo eléctrico acelera el e- hacia la
zona N (colector) y el hueco hacia la base P (fotocorriente Emisor Emisor
∫
1 Ts
if ⋅ dt
C 0