tecno1

Corso di MICROELETTRONICA (A.A.
2000/2001) - Tecnologia Planare del Silicio
TEC N OL O GIA PLAN A RE DEL SILICIO

C M O S & BiC M O S
INTR O D UZIONE
I circuiti integrati sono strutture fisiche distribuite e

complesse che in generale non sono descrivibili con
circuiti a parametri concentrati.
Vi è interazione fra le regioni del circuito integrato (la
posizione relativa delle parti è importante).
Il tempo di propagazione dei segnali può non essere
trascurabile (alte frequenze e regioni conduttive estese).
Le proprietà fisiche dei materiali non sono

completamente note e variano da punto a punto (e
da circuito integrato a circuito integrato).
© 1999-2001 Zs. M. Kovács Vajna Tecnologia
1 © 1999-2001 Zs. M. Kovács Vajna (DEA - Università di Brescia) 1

Corso di MICROELETTRONICA (A.A. 2000/2001) - Tecnologia Planare del Silicio
INTR O D UZIONE
Analisi delle strutture fisiche:

Si possono individuare (creare) semplici strutture fisiche che
si presentano frequentemente. Tali strutture possono essere
modellate con elementi circuitali ideali (o circuiti equivalenti),
ma tali modelli dipendono delle condizioni operative
(temperature, frequenze, correnti, tensioni applicate ecc.).
Sintesi di circuiti integrati:
Avendo individuato la corrispondenza fra strutture fisiche ed
elementi circuitali, l’integrazione di un circuito avviene
giustaponendo (e isolando) le opportune strutture fisiche. Il
circuito ideale di partenza rappresenta un modello, non
necessariamente valido, del circuito integrato ottenuto.
Inoltre, la validità di tale modello dipende dalle condizioni
operative.
INDICE
Processo
Tecniche fondamentali
Tecniche selettive
Strutture fondamentali
Contatti / Via
Pad
Induttore
Resistore
Condensatore
Transistore MOS
Transistore Bipolare
Diodo
Isolamento dei dispositivi
Regole di Layout

IL CHIP
U N CHIP DALL’ALTO
ST10f163
microcontrollore
tecnologia
0.5m
5V
128kbyte
memoria FLASH
(on board)
1998

SEZIONE VERTICALE
SC HE M ATIZZAZIONE

ELE M E NTI DI PRO CESS O
deposito di deposito di
ossido metallo
ossido metallo
taglio
crescita di
nell’ossido
ossido sottile
sul substrato
deposito di
ossido
diffusione
nel substrato
deposito di
polisilicio substrato
sull’ossido
M O S ELE M E NTA RE
crescita di crescita di ossido

ossido sottile spesso sul substrato
deposito di sul substrato
metallo
taglio deposito di
nell’ossido polisilicio diffusione
substrato sull’ossido deposito di
nel substrato
ossido

TEC NICHE FON D A M E NTALI
Creazione del substrato

Fotolitografia
Ossidazione
Rimozione/taglio di materiale (etching)
Impianto e diffusione di drogante
Deposito
Planarizzazione
Quanto segue mostra solo i principi fisici:

vi sono tecniche molto diverse e più complesse nei processi attuali
SU BSTR AT O
Hastings
silicio
monocristallino
 = 5”  12”

SU BSTR AT O
wafer
Taglio in fette
Processo
planare
chips o dice
silicio
monocristallino Taglio
W A FE R
Hastings

W A FE R

Fotolitografia
Ossidazione
Deposito
Planarizzazione

FOT OLITO G R AFIA
Hastings
FOT OLITO G R AFIA (1/4)

Si desidera operare selettivamente
(patterning) su una superficie
secondo una maschera opportuna
(es. rimuovere una parte,
aggiungere un materiale solo in
alcune zone, ecc.)
1) Deposito (o crescita) del

materiale mascherante per
l’operazione desiderata su tutta la
superficie
2) Deposito di fotoresist (polimero
fotosensibile) in forma liquida su
tutta la superficie che viene fatta
solidificare termicamente


La maschera consiste
normalmente in una lastra di vetro
con deposito di cromo ritagliato
fotograficamente.
3) Si irradia la struttura con raggi
UV (la maschera non fa passare i
raggi nella parte scura)
La risoluzione del trasferimento del pattern
è limitata dalla diffrazione e dal fotoresist.
I raggi UV cambiano le proprietà

chimiche (solubilità in un
opportuno solvente) del fotoresist
nelle zone irradiate.
L’uso di fotoresist positivo e negativo nello
stesso processo permette di ridurre il
numero di maschere (50k$-500k$/set).
4p) Se il fotoresist è “positivo”,

viene rimossa chimicamente la
parte esposta ai raggi UV
Il fotoresist positivo in genere richiede
tempi di esposizione più lunghi (è meno
sensibile), ma ha risoluzione maggiore.
5p) Viene rimosso il materiale
sottostante secondo la sagoma del
fotoresist
6p) Viene rimosso il fotoresist,

lasciando lo strato mascherante
con la sagoma della parte nera
della maschera richiesta

4n) Se il fotoresist è “negativo”,

viene rimossa chimicamente la
parte non esposta ai raggi UV
Il fotoresist negativo in genere richiede
tempi di esposizione più corti, ma ha
risoluzione minore.
5n) Viene rimosso il materiale
sottostante secondo la sagoma del
fotoresist
6n) Viene rimosso il fotoresist,

lasciando lo strato mascherante
con la sagoma della parte
trasparente della maschera
richiesta
FOT O RESIST
Hastings


Fotolitografia
Ossidazione
Deposito
Planarizzazione
O SSIDAZIONE (1/2)
Il processo di ossidazione viene
usato per creare: isolamento fra
elementi conduttivi (gate, trench),
riempitivo per planarizzazione.
Serve anche in alcuni passi
intermedi di processo per le sue
proprietà chimico-meccaniche.
Avviene per crescita o deposito.
Esistono diverse reazioni chimiche
che portano alla ossidazione e
metodologie catalizzanti.
dry: Si+O2SiO2;
wet: Si+2H2OSiO2+4H2
La crescita dell’ossido consuma il

substrato: l’ossido penetra per il
45% nel substrato e sporge per il
55% circa.

O SSIDAZIONE (2/2)
Il substrato viene ossidato in
alcuni passi tecnologici solo in
regioni limitate (oppure si ossida
una regione dove è già stato
cresciuto dell’ossido
precedentemente).
L’ossido penetra per il 45% nel

substrato e sporge per il 55%
circa. (Dove l’ossido è più spesso
la crescita è più lenta.)
Quando viene rimosso l’ossido, la

superficie non è più piana!
W A FE R BO AT
Hastings


Fotolitografia
Ossidazione
Deposito
Planarizzazione
ETC HING
Etching chimico (selettivo) e/o
fisico (anisotropo)
Il materiale mascherante è stato

selettivamente rimosso
Wet-etching isotropo (porta al

Dry-etching anisotropo e selettivo caratteristico undercut) e selettivo


Fotolitografia
Ossidazione
Deposito
Planarizzazione
DIFFUSIONE E IMPIANT O
p : boro (B)
n : fosforo (P), arsenico (As),
antimonio (Sb)
Il profilo di drogaggio dipende
dalla tecnica usata: diffusione o
impianto ionico.
Impianto in due passi:
1) Predeposizione del drogante
2) Processo termico drive-in del

drogante, che diffonde il drogante
nella struttura (con annealing per
impianto ionico)


Fotolitografia
Ossidazione
Deposito
Planarizzazione
DEP O SITO (1/3)

Il polisilicio, le metallizazioni (Al, Cu) e dielettrici (SiO2, Si3N4, ossido di
passivazione - glass) vengono depositati su una struttura. NON vi è consumo
del substrato.
Deposito del materiale per

evaporazione, sputtering o crescita
epitassiale su tutta la struttura
sottostante
PVD (Physical Vapor
Deposition): bassa pressione,
senza reazione chimica.  Al
CVD (Chemical Vapor
Deposition): reazione chimica in
fase vapore.  Polisilicio, SiO2,
Si3N4

DEP O SITO (2/3)

Un caso particolare di CVD è la
crescita epitassiale di una struttura
monocristallina. Il drogaggio della
struttura depositata è svincolato dal
substrato, da cui viene solo copiata
la struttura cristallina.
Crescita epitassiale.
La struttura finale è
monocristallina, ma
eventualmente a drogaggio
variabile. I difetti del substrato si
propagano!
DEP O SITO (3/3)
L’alluminio diffonde nel silicio dando origine a spikes che possono

cortocircuitare le giunzioni. Analogamente, il silicio diffonde nell’alluminio
aumentandone la resistenza. Per ovviare a questi problemi vengono impegate
metodologie particolari, come saturare l’alluminio con silicio molto drogato
oppure cambiare completamente il tipo di contatto, introducendo altri materiali
fra alluminio e silicio: Al(alluminio)-Ti:W(lega titanio tungsteno)-PtSi(siliciuro
di platino)-Si(silicio).


Fotolitografia
Ossidazione
Deposito
Planarizzazione
VEC C HIO CHIP DI ME M O RIA

PLA N A RIZZAZIONE
L’affidabilità finale e la
qualità del deposito di alcuni
materiali (es. metalli)
richiedono superfici regolari.
1) Crescita di ossido spesso

(sacrificial oxide)
2) Rimozione meccanica e
chimica dell’ossido
eccedente
TEC NICHE SELETTIVE
Ossidazione selettiva
Deposito selettivo
Diffusione selettiva

O BIETTIVO
Ossidazione Selettiva
O SSIDAZIONE SELETTIVA (1/4)

Si vuole fare crescere dell’ossido
spesso sotto la parte trasparente
della maschera (es. attorno all’area
attiva dei MOS o per isolamento
di dispositivi) e dell’ossido sottile
ovunque (ossido di gate).
1) Crescita di ossido sottile
2) Deposito di nitruro di silicio

Si3N4 (elemento mascherante nel
processo di ossidazione)


inizio procedimento fotolitografico
3) Deposito di fotoresist
4) Esposizione con raggi UV del

fotoresist mascherando la parte
non interessata all’ossido spesso
(fotoresist positivo)
5) Sviluppo del fotoresist e sua

rimozione con solvente dove è
stato esposto a raggi UV
6) Rimozione (etching) del nitruro

di silicio
fine procedimento fotolitografico
7) Crescita dell’ossido di silicio

SiO2 (45% dello spessore entra nel
substrato, 55% cresce verso
l’alto): processo isotropo.
8) Rimozione del nitruro di silicio

L’ossido di campo penetra sotto il bordo della maschera!

La larghezza di canale reale dei MOS è minore di quella definita dalla maschera.
TEC NICHE SELETTIVE
Deposito selettivo

O BIETTIVO
Deposito Selettivo
DEP O SITO (1/3)

Il polisilicio, le metallizazioni e
dielettrici vengono depositati su
una struttura (ossido, metallo,
polisilicio) per dare origine a
opportune forme.
1) Deposito del materiale su tutta

la struttura sottostante
(assottigliamento nelle pareti verticali)

DEP O SITO (2/3)

non interessata alla deposizione
(fotoresist positivo)

rimozione dove è stato esposto a
raggi UV
5) Rimozione (etching) del

materiale deposto dove non è
coperto da fotoresist
DEP O SITO (3/3)
6) Rimozione del fotoresist

TEC NICHE SELETTIVE
Deposito selettivo
O BIETTIVO
Diffusione Selettiva

DIFFUSIONE NEL SUBSTR AT O (1/4)
Si realizza una diffusione nel

substrato per: well, base (source,
drain e contatto di substrato).
1) Crescita di ossido spesso sul

substrato
sull’ossido spesso

non interessata alla diffusione
(maschera complementare con
fotoresist positivo)
L’esposizione del fotoresist a

raggi UV ne altera le
caratteristiche chimiche.

rimozione dove è stato esposto a
raggi UV

5) Rimozione (etching) dell’ossido

spesso non coperto da fotoresist
6) Impianto del drogante :

predeposizione
Il drogante è molto concentrato in

superficie, dove la struttura
cristallina è anche in parte
rovinata dal processo di impianto.
7) Processo termico di drive-in,

che diffonde il drogante in modo
isotropo (e annealing per
riformare la struttura
monocristallina)
8) Rimozione dell’ossido spesso

ESE M PI DI INTERAZIONE
Ossido cresce più velocemente

in aree drogate n+.
conc. conc.
prof. prof.
Boro Fosforo
(p) (n)
RIASSU NT O
ossido metallo
(METAL2)
ossido metallo
(METAL1)
taglio
crescita di
nell’ossido
ossido sottile
(CUT)
sul substrato
deposito di
ossido
diffusione
deposito di nel substrato
polisilicio (ACTIVE)
sull’ossido substrato
(POLY) (WELL)

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ELE M E NTI DI PRO CESS O

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crescita di crescita di ossido

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5 © 1999-2001 Zs. M. Kovács Vajna (DEA - Università di Brescia) 5

TEC NICHE FON D A M E NTALI

Creazione del substrato

Quanto segue mostra solo i principi fisici:

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FOT OLITO G R AFIA

FOT OLITO G R AFIA (1/4)

1) Deposito (o crescita) del

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9 © 1999-2001 Zs. M. Kovács Vajna (DEA - Università di Brescia) 9

FOT OLITO G R AFIA (2/4)

I raggi UV cambiano le proprietà

FOT OLITO G R AFIA (3/4)

4p) Se il fotoresist è “positivo”,

6p) Viene rimosso il fotoresist,

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10 © 1999-2001 Zs. M. Kovács Vajna (DEA - Università di Brescia) 10

FOT OLITO G R AFIA (4/4)

4n) Se il fotoresist è “negativo”,

6n) Viene rimosso il fotoresist,

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11 © 1999-2001 Zs. M. Kovács Vajna (DEA - Università di Brescia) 11

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