VIDEO MOTIVACIONAL

SESION 3:
TRANSISTOR BJT
SESION 4:
TRANSISTOR FET
 • Los alumnos
Logro aprenderán donde se
aplican los transistores.
de la • Los alumnos
comprenderán el
sesión funcionamiento y
aplicación de
transistores FET.

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 Analizar circuitos de
Transistores FET.

Capacidades Comprender el funcionamiento

terminales de transistores FET

Aplicar los transistores FET a

circuitos de Control.

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 Contenido de la sesión

o Transitares de Efecto de Campo

(FET).
• Representación.
• Principio de funcionamiento.
• Polarización de Transistor
o Transistores de Potencia.
• Transistor Darlington
• Transistor IGBT

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 Transistor FET

Ing. Midward Ch.

Ing. Midward Charaja Copaja
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 Transistor de Efecto de Campo (FET)

Los FET son aplicados

a la electrónica digital.

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 Introducción
NPN
BJT
PNP
Ensanchamiento (N ó P)
MOSFET
Agotamiento (N ó P)
FET
JFET Canal (N ó P)

DARLINGTON

POTENCIA IGBT

OTROS
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 Estructura física. FET

Básicamente los FET tienen

tres terminales:
• Source (Fuente)
• Gate (Compuerta)
• Drain (Drenaje)

El terminal Source
corresponde al Emisor, el
terminal Gate a al Base, y
el terminal Drain al
Colector en el caso de los
transistores bipolares.

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 Tipos y simbología. FET

Ensanchamiento (N ó P)
MOSFET
Agotamiento (N ó P)
FET
JFET Canal (N ó P)

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 Comparación con los BJT. FET

Los FETs poseen las siguientes

características en comparación con
los BJTs.

• Impedancia de entrada alta.

• Impedancia de salida baja.
• Tiempo de conmutación mas
rápido que el BJT.
• Consumo de potencia baja.

Por estas características los FETs son

mas utilizados en la electrónica
digital.
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 MOSFET: Ensanchamiento o Enriquecimiento

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 MOSFET: Agotamiento o Empobrecimiento

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 Transistor de Efecto de Campo de Juntura
(JFET)

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 Principio de funcionamiento del JFET

JFET – N. Canal N

Por tanto, el JFET es un

interruptor controlado
por voltaje (VGS).

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 JFET
Curva de control de transferencia. Canal N

𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫𝑺 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 . (𝟏 − )
𝑽𝑷
𝑰𝑫𝑺 𝑰𝑫𝑺𝑺

𝑽𝑮𝑺
+

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 JFET
Curva de salida. Canal N

Se comporta
A un aumento de VDS la ID se
como una
mantiene casi constante.
resistencia.
EN ESTA ZONA DEBE
TRABAJAR UN JFET

𝑰𝑫𝑺𝑺

+
𝑽𝑫𝑺

_
Curva característica
𝑰𝑫𝑺 de salida.
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 JFET
Polarización con Resistencia Fija Canal N

SOLUCIÓN:
1. Calcular el voltaje de compuerta.
2. Calcular la corriente de drenador.
3. Calcular el voltaje drenador-surtidor.
4. Calcular el Vd-sat
5. Calcular Rd para Máxima Excursión
Simétrica

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 Polarización con Resistencia Fija JFET

(Mallas Compuerta y Drenador) Canal N

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 Polarización con Resistencia Fija JFET

(Recta de Carga) Canal N

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 Polarización con Divisor de Tensión JFET

(VDSAT) Canal N

Encontrar en que zona se encuentra trabajando el JFET.

𝑽𝒅𝒔 > 𝑽𝒈𝒔 − 𝑽𝒑; 𝒛𝒐𝒏𝒂 𝒅𝒆 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝑽𝒅𝒔 < 𝑽𝒈𝒔 − 𝑽𝒑; 𝒛𝒐𝒏𝒂 𝒅𝒆 𝒐𝒉𝒎𝒊𝒄𝒂

RPTA:
El transistor se
encuentra en zona
de saturación.

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 Polarización con Resistencia Fija JFET

(Máxima Excursión Simétrica) Canal N

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 JFET
Ejercicio. Canal N

Calcule los parámetros de polarización, la

recta de carga y RD para máxima excursión
Simétrica.

VDD = 15V
RD = 1.8k
RG = 100k
VG = -3V
VP = -6V
IDSS = 12mA

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 JFET
Polarización con Divisor de Tensión Canal N

SOLUCIÓN:
1. Modificar el circuito:
𝑹𝟏∗𝑹𝟐 𝑹𝟐
𝑹𝒕𝒉 = 𝑹𝟏+𝑹𝟐 𝑽𝒕𝒉 = 𝑽𝑫𝑫 𝑹𝟏+𝑹𝟐
1. Calcular el voltaje de compuerta.
2. Calcular la corriente de drenador.
3. Calcular el voltaje drenador-surtidor.
4. Calcular el Vd-sat
5. Calcular Rd para Máxima Excursión
Simétrica

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 Polarización con Divisor de Tensión JFET

(Thevenin) Canal N

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 Polarización con Divisor de Tensión JFET

(Mallas) Canal N

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 Polarización con Divisor de Tensión JFET

(Recta de Carga) Canal N

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 Polarización con Divisor de Tensión JFET

(VDSAT) Canal N

Encontrar en que zona se encuentra trabajando el JFET.

𝑽𝒅𝒔 > 𝑽𝒈𝒔 − 𝑽𝒑; 𝒛𝒐𝒏𝒂 𝒅𝒆 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝑽𝒅𝒔 < 𝑽𝒈𝒔 − 𝑽𝒑; 𝒛𝒐𝒏𝒂 𝒅𝒆 𝒐𝒉𝒎𝒊𝒄𝒂

RPTA:
El transistor se
encuentra en zona
de saturación.

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 Polarización con Divisor de Tensión JFET

(Máxima Excursión Simétrica) Canal N

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 Ejercicio. JFET

(solución) Canal N

Calcule los parámetros de polarización, la

recta de carga y Rc para máxima excursión
Simétrica.

Considere:
VDD = 12V
RD = 470 ohm
RS = 690 ohm
R1 = 570 Kohm
R2 = 100 Kohm
IDSS = 9mA
VP = -5V

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 Ejercicio. JFET

(solución) Canal N

Paso 02: Encontrar la curva de control de transferencia.

𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 . (𝟏 − ) ID (mA)
𝑽𝑷
10
𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝟗𝒎𝑨. (𝟏 − ) 9
−𝟓𝑽
8

VGS (V) ID (mA) 6

0 9 5
-2 3.24 4
-3 1.44
3
-5 0
2

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8

VGS (V)
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 Ejercicio. JFET

(solución) Canal N

Paso 03: Encontrar la recta del punto de trabajo.

𝑽𝒕𝒉 = 𝑽𝒈𝒔 + 𝑰𝒅 𝑹𝒔 + 𝑰𝒈(𝑹𝒕𝒉)
ID (mA)

VGS (V) ID (mA) 10

𝑽𝑮𝑺 = −𝟏. 𝟓𝑽
2.23 0 9 𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
8
0 3.24
Punto de 7
operación 6

5 5 mA
4

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8
-1.5V
VGS (V)
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 Ejercicio. JFET

(solución) Canal N

Paso 04: Encontrar el voltaje Vds.

𝑽𝒅𝒔 = 𝑼𝒃 − 𝑰𝒅(𝑹𝑫 + 𝑹𝑺)
ID (mA)
10
𝑽𝑮𝑺 = −𝟏. 𝟓𝑽
9 𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
8 𝑽𝑫𝑺 = 𝟗. 𝟐 𝑽
7
6.5 mA
6

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8
-1V
VGS (V)
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 Ejercicio. JFET

(solución) Canal N

Paso 05: Encontrar en que zona se encuentra trabajando el JFET.

𝑽𝒅𝒔 > 𝑽𝒈𝒔 − 𝑽𝒑; 𝒛𝒐𝒏𝒂 𝒅𝒆 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝑽𝑮𝑺 = −𝟏. 𝟓𝑽
𝑽𝒅𝒔 < 𝑽𝒈𝒔 − 𝑽𝒑; 𝒛𝒐𝒏𝒂 𝒅𝒆 𝒐𝒉𝒎𝒊𝒄𝒂 𝑰𝑫 = 𝟓𝒎𝑨
𝑽𝑫𝑺 = 𝟗. 𝟐𝑽

RPTA:
El transistor se
encuentra en zona
de saturación.

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 Transistor de Potencia: Darlington Darlington

𝛽𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = 𝛽1 ∗ 𝛽2 + 𝛽1 + 𝛽2 + 1
𝛽𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = 𝛽1 ∗ 𝛽2
𝑉𝑏𝑒𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = 𝑉𝑏𝑒1 + 𝑉𝑏𝑒2
𝑉𝑏𝑒𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = 2 ∗ 𝑉𝑏𝑒1

- Control de Potencia Mayor que BJT

- Control por Corriente

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 Transistor de Potencia: IGBT IGBT

𝐼𝐸 = 𝛽1 ∗ 𝛽2 ∗ 𝐼𝐸𝑎𝑛𝑡𝑒𝑟𝑖𝑜𝑟

- Control de Potencia Mayor que DARLINGTON

- Control por Voltaje
- Control solo para el disparo y luego puede continuar trabajando sin dicha señal.

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 Resumen

NPN
BJT
Controlado PNP
por corriente
El transistor deja circular
MOSFET corriente cuando se supera un
umbral en VGS.
FET
El transistor deja circular
Controlado JFET
corriente aún cuando no hay
por voltaje
voltaje VGS.
TRANSISTOR DARLINGTON
TRANSISTOR IGBT
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 Recomendaciones

• Boylestad, Robert L. (2003) Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos

electrónicos.
• Floyd, Thomas (1996). Fundamentos de sistemas digitales.
• Malvino, Albert Paul (2000) Principios de electrónica.
 ¿QUÉ HAREMOS LA
PRÓXIMA CLASE?

SESION 5: OPAMP
 ¡HASTA LA
PRÓXIMA CLASE!
GRACIAS POR SU ATENCION