Introduccion STEM

Técnicas
Microscópicas de Caracterización
Microscopía electrónica de barrido-transmisión

Sonia Estrade
1. Dispersión y difracción de electrones
Dado que el electrón es una par1cula con una masa muy pequeña y cargada
nega6vamente, es muy suscep6ble a ser desviada al pasar cerca de otros electrones
o de núcleos cargados posi6vamente. Como ya se ha visto, esta dispersión de los
electrones al pasar a través de una muestra es la que permite obtener imágenes de
TEM.
Figura 1. Diferentes tipos de haces resultantes de la interacción de los electrones

del haz incidente con una muestra fina.
La dispersión de los electrones puede producirse de dos formas:

- Elás,ca: los electrones no pierden energía en la interacción. Esta interacción
se suele producir para ángulos de entre 1º y 10º y para bajas energías. El
conjunto de electrones resultantes suelen ser coherentes (respecto a su
carácter ondulatorio, la coherencia indica la alineación de las longitudes de
onda de un conjunto de ondas). La dispersión elás6ca pierde coherencia a
medida que el ángulo sobrepasa los 10º.
Los electrones dispersados elás6camente suponen la mayor fuente de
contraste en el TEM, y también crean la mayor parte de la intensidad de los
patrones de difracción (DPs).
Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 1 de 34
Técnicas Microscópicas de Caracterización
- Inelás,ca: los electrones pierden energía en la interacción. Se suele producir

para ángulos pequeños, menores a 1º, y para electrones de alta energía. El
paquete de electrones resultante suele ser incoherente.
Este 6po de interacción es interesante en cuanto a la información que nos
aporta sobre la composición química de la muestra, que no se puede obtener a
par6r de los electrones dispersados elás6camente.
Para referirnos a la probabilidad de que un electrón padezca una dispersión elás6ca

o inelás6ca u6lizamos el concepto de cross sec'on o sección eficaz. Esto es un área
imaginaria cuya fracción respecto al área total es igual a la probabilidad de que el
fenómeno ocurra. Así, si la probabilidad de que un electrón interaccione
inelás6camente con la muestra es de 0,1, la fracción de sección eficaz respecto al
área será la misma, aunque ésta no representa ninguna área real. Por lo tanto, cada
posible interacción 6ene una cross sec;on o sección eficaz ( ), que depende de la
energía de la par1cula (en nuestro caso, la energía del haz de electrones) y, como
mayor sea , mayor será la probabilidad de que ocurra esta interacción.
Para un espécimen observado bajo el TEM, el número de eventos donde el electrón

sufre desviaciones por unidad de área a lo largo de su trayectoria a través de la
muestra es:

donde es la sección eficaz para la interacción del electrón con un átomo,
___es el número de Avogadro, la masa atómica de la muestra, la densidad y
__el grosor.
No obstante, debido a la can6dad de variables que afectan tanto la sección eficaz

para un átomo como la total, se suele mostrar una es6mación: para las energías del
TEM (100-400 KeV), la elás,ca es casi siempre el componente dominante de la
dispersión (del orden de ).
En vez de u6lizar el área para describir la interacción también podemos u6lizar una
medida de longitud, ya que la distancia que recorre el electrón entre interacciones
será importante para muestras finas (que son las u6lizadas para microscopía
electrónica). Este nuevo parámetro, llamado trayectoria libre media (mean free
path) es la distancia media que el electrón recorre entre dos sucesos de dispersión.
Esta distancia será importante en el sen6do de que, conociendo este concepto,
podremos saber cuán fino debe ser el espécimen para que la dispersión múl6ple no
sea significa6va. De esta forma, se hace más sencillo interpretar los datos
espectroscópicos e imágenes en términos de desviaciones únicas.

La relación entre y (trayectoria libre media) es:

Para TEM, los valores 1picos de λ para dispersión son del orden de decenas de nm:
esto implica que para obtener interacciones únicas de dispersión, necesitaríamos
muestras de grosor del orden de decenas de nanómetros.
A pesar de toda la información anterior, los valores que podemos conocer de σ y λ

siguen siendo imprecisos, especialmente para energías de 100-400 KeV u6lizadas en
TEM. Por lo tanto, lo que se hace es una simulación Monte Carlo para predecir la
trayectoria del electrón a través de una capa fina: este método consiste básicamente
en la u6lización de números aleatorios en los programas computacionales, de
manera que el resultado siempre estará regido por la estadís6ca.
Figura 2. Simulación de Monte Carlo para la dispersión de electrones (haz

de 1000 electrones de energía 100 KeV) a través de una capa fina de Cu (A)
y Au (B). Se puede observar un aumento en el ángulo de dispersión para la
muestra de mayor número atómico (oro).
Como ya hemos comentado, por la dualidad onda-par1cula, los electrones en

movimiento a altas velocidades también 6enen propiedades ondulatorias. Por lo
tanto, no sólo son suscep6bles a interaccionar con la muestra como par1culas, sino
también como ondas. De esta forma, cuando los electrones atraviesan la muestra,
también se produce el fenómeno de difracción, que ocurre cuando una onda
interacciona con un objeto que se encuentra en el límite de su trayectoria.

Este fenómeno permite obtener patrones de difracción (DP, Diffrac;on PaCerns),

que también aportan información sobre la muestra. De forma simplificada, podemos
decir que los patrones de difracción se ob6enen por interferencias construc6vas
entre ondas (electrones) que se encuentran en el plano de difracción: la amplitud de
las ondas se suma cuando su fase difiere en un múl6plo de , lo que requiere que
la diferencia de caminos óp6cos entre estas ondas sea un múl6plo de la longitud de
onda, según la ley de Bragg (vista en apartados anteriores). Esta ley se formuló para
rayos X, pero dado que no depende del mecanismo de difracción, sino de la
geometría, es también aplicable a los electrones.
La difracción de rayos X se ha usado históricamente en la mayoría de estudios para

obtener información sobre materiales. Hay ciertas analogías entre la difracción de
rayos X y de electrones, pero en realidad los mecanismos implicados son dis6ntos
(más complejos en la difracción de electrones).
La difracción de rayos X se produce porque estos son desviados por los electrones
presentes en el material, ya que la carga nega6va de los electrones interacciona con
el campo electromagné6co de los rayos X. Los electrones responden al campo
aplicado del flujo de rayos X oscilando con el período de este haz, y las par1culas
cargadas aceleradas resultantes emiten su propio campo electromagné6co, de
idén6ca longitud de onda y fase que el de los rayos X incidentes. El campo
resultante, que se propaga radialmente desde cada fuente de dispersión, se
denomina la onda difractada.
Por su parte, los electrones se difractan tanto por los electrones como por los
núcleos presentes en la muestra a estudiar, al interactuar las cargas nega6vas con los
campos electromagné6cos locales del espécimen. De esta forma, los electrones del
haz son dispersados de una forma directa por la muestra (no se trata de un
intercambio de campo a campo como en el caso de los rayos X). Así, los electrones
son más fuertemente dispersados que los rayos X.

Figura 3. El haz incidente de electrones en la muestra se convierte en un

conjunto de de haces desviados por diferentes fenómenos.
Los patrones de difracción (DP) de electrones se corresponden estrechamente con

la difracción de Fraunhofer observada en la luz visible (esta difracción se produce
cuando un frente de onda plano interacciona con un objecto; dado que una onda
emi6da por una fuente puntual se vuelve plana a largas distancias, se conoce como
difracción de campo lejano). Aunque, en realidad, lo que observamos en el patrón se
corresponde con el efecto de la difracción de Fresnel para la luz visible (conocida
como difracción de campo cercano).
El TEM 6ene las caracterís6cas necesarias para poder obtener imágenes de la

distribución de los electrones dispersados: patrones de difracción. Imaginemos que
colocamos una placa fotográfica justo debajo de la muestra fina y que los electrones
desviados de la figura 4 inciden directamente en la película imprimiendo el punto de
su trayectoria. En estas circunstancias, contra mayor es el ángulo de desviación, más
lejos del centro impactará el electrón: por tanto, las distancias en el film
corresponden a los ángulos de dispersión de los electrones.
Figura 4. Ejemplos de
patrones de difracción de
electrones en un TEM
convencional de 100 KeV.
(A) Carbón amorfo (B)
cristal simple de aluminio.

Qué factores afectan a la dispersión de los electrones en el TEM?
La σ total de dispersión disminuye contra mayor es la energía: por lo tanto, la

dispersión de un haz de electrones a 300 KeV será menor que a 100 KeV. La densidad
de la muestra también afecta a la dispersión: las regiones de alta densidad producen
más eventos de dispersión que las de baja densidad y, contra mayor sea el número
atómico Z de la muestra, más dominará la dispersión elás6ca.
Además, en general habrá menos dispersión a ángulos mayores (cuando

seleccionamos electrones que se han desviado un cierto ángulo θ de su trayectoria,
estamos cambiando su sección eficaz efec6va, que disminuye contra mayor es el
ángulo). Por esto, la dispersión que más nos interesará en el TEM convencional es la
que se produce hacia delante (atravesando la muestra), ya que la mayoría de los
electrones desviados se encuentran dentro de del haz directo (obtendremos
más información).

2. AEM (Microscopía Electrónica Analítica)
La AEM (Analy;cal Electron Microscopy) conforma las técnicas de recopilación de

datos espectroscópicos en el microscopio electrónico de transmisión. Estas señales
se basan en diversos fenómenos generados durante las interacciones inelás6cas de
los electrones con la muestra (explicadas anteriormente).
Estas señales se pueden u6lizar para iden6ficar y cuan6ficar la concentración de

elementos presentes en un área de la muestra, mapear su distribución en la muestra
con una alta resolución espacial e incluso determinar su estado químico. Aunque hay
diversas señales generadas por la interacción del haz incidente de electrones, las
principales técnicas de la AEM se basan en la detección de rayos X y la medida de las
pérdidas de energía de los electrones. En el primer caso, hablamos de EDXS o
espectroscopia de dispersión de energía de rayos X (Energy Dispersive X-ray
Spectroscopy) y, en el segundo, de EELS o espectroscopía por pérdida de energía de
los electrones (Electron Energy Loss Spectroscopy); estas técnicas se realizan en un
TEM con los detectores correspondientes. Hay otras técnicas incluidas en la AEM,
como la catodoluminiscencia o la especroscopia de Auger, pero no se suelen
implementar en los TEMs comerciales. Las condiciones inherentes a la microscopía
STEM, como veremos, dan lugar a la realización de diversas técnicas de microscopía
analí6ca, como la técnica de EELS, que también describiremos en este texto.
STEM (Scanning Transmission Electron Microscope)
La microscopía STEM (Microscopía electrónica de transmisión de barrido) combina

los principios de TEM y SEM. Como en SEM, la técnica de STEM desliza un haz de
electrones fino y focalizado a lo largo de la muestra. La interacción entre este haz y
los átomos de la muestra generan un flujo de señales que se correlacionan con la
posición del haz para construir una imagen virtual donde la intensidad de señal en
cualquier localización de la muestra es representada por la intensidad en la escala de
gris de la correspondiente localización en la imagen. La principal ventaja respecto al
SEM convencional es la mejora en la resolución espacial.
Como en TEM, la técnica de STEM requiere muestras muy finas y detecta

principalmente los electrones transmi6dos a través del espécimen. Su principal
ventaja respecto al TEM convencional es que permite el uso de otras señales que no
puede ser espacialmente correlacionados en TEM, como los electrones secundarios,
electrones dispersados, rayos X caracterís6cos y pérdidas de energía de los
electrones.

3. Detectores en el STEM
Como se ha explicado en apartados anteriores, la obtención de contraste en el TEM

se puede realizar de dos modos en función de los electrones seleccionados en el
sistema de creación de la imagen: mediante campo claro (BF, Bright Field), donde se
recogen los electrones del haz directo, o campo oscuro (DF, Dark Field), donde se
seleccionan los electrones dispersados. En el STEM, también se seleccionan estos
dos 6pos de electrones, pero mediante detectores en lugar de aperturas.
Para seleccionar los electrones del haz directo, se u6liza un detector situado en el
eje del haz (on-axis), mientras que para recoger los electrones dispersados, se u6liza
un detector anular alrededor (off-axis).
En STEM, algunas de las técnicas que se pueden realizar en función de las señales
detectadas son:
- Electrones dispersados: En STEM, los electrones del haz que han sido
dispersados en un ángulo rela6vamente grande son detectados u6lizando un
detector HAADF (High Angle Annular Dark Field, campo oscuro anular de
grandes ángulos). Hablaremos de esto más adelante. 
- Microanálisis de rayos X: los rayos X emi6dos por la muestra a causa del

bombardeo de electrones, son caracterís6cos de la composición elemental de
esta. Para contar y clasificar los rayos X en función de su energía, se u6liza un
espectrómetro dispersivo de energía de rayos X (EDX, Energy Dispersive X-ray
spectrometer).
Figura 6. Comparación del modo de obtención de imágenes en DF o BF

para TEM convencional y STEM.

- La espectrometría dispersiva de longitud de onda de rayos X (WDX,

Wavelength Dispersive X-ray spectrometry) mide y cuenta los rayos X según
su longitud de onda, como el nombre indica (la longitud de onda se puede
correlacionar con la energía). Un espectrómetro de longitud de onda u6liza
un cristal o una rejilla de espaciado conocido para difractar los rayos X
caracterís6cos.
- EELS: analiza los electrones transmi6dos para determinar la can6dad de

energía que han perdido en la interacción con la muestra. Se explicará con
detalle más adelante.
Como veremos, en STEM se pueden detectar y medir prác6camente todas las

señales generadas por una muestra fina bajo un haz de electrones. Por tanto, se
podrían reproducir todas las técnicas convencionales u6lizadas en TEM y otras
menos convencionales, como el contraste Z y otras técnicas especializadas. No
obstante, el modo de operación de STEM está enfocado a la obtención de
información donde el TEM convencional 6ene limitaciones, y de la misma forma, el
modo STEM no será tan óp6mo en técnicas en las que el TEM cons6tuye el modo
más especializado y adaptado, como veremos.


4. Imágenes en STEM
Un STEM permite una mayor flexibilidad en la selección de los electrones a detectar

que el TEM, ya que es posible modificar el ángulo del detector, de manera que se
ob6ene el equivalente a una apertura de obje6vo variable y se 6ene un mayor
control de los electrones que contribuirán a formar la imagen. Siempre podremos,
por tanto, ajustar el contraste en una imagen de STEM modificando los controles de
procesamiento de señal en el ordenador (ganancia del detector, brillo, etc.).
Aun así, las imágenes de STEM en campo claro suelen tener una baja resolución, ya
que para un espécimen de pequeño grosor, el haz directo domina la resolución (por
ello se necesita un mayor haz de electrones para obtener imágenes de intensidad
aceptable). En general, en una imagen de STEM obtendremos un mayor contraste
pero también más ruido que en la misma imagen para TEM.
En cambio, las imágenes de STEM en campo oscuro (en el que la mayoría de

electrones dispersados son recogidos por el detector, a diferencia del campo oscuro
en el TEM), con6enen menor ruido que en TEM. Dado que no se u6lizan lenes para
la creación de la imagen, éstas no sufren las aberraciones 1picas del
TEM(mencionadas en apartados anteriores). A pesar de esto, la resolución en el
STEM siempre será menor, excepto para muestras de mayor grosor, ya que la
aberración cromá6ca en este caso no afecta a la formación de las imágenes en
STEM.
En defini6va, el uso de STEM está indicado en aquellos casos en los que la

visualización de contraste sea más importante que la resolución: por ejemplo, en
muestras de polímeros no teñidos, que no mostrarían contraste en un TEM
convencional. El modo STEM también es muy ú6l en caso de que la muestra a
estudiar sea sensible a la irradiación de los electrones: de esta forma se puede
controlar el área irradiada de la muestra, convir6éndolo en una forma de
microscopía de baja dosis. También es adecuado u6lizar STEM en caso de que la
muestra sea tan gruesa que la aberración cromá6ca limite la resolución en TEM, que
tenga un contraste bajo de forma inherente o que se óp6ma para HRTEM (High
Resolu;on TEM) por contraste de número atómico Z. Actualmente, el modo STEM en
un TEM se ha conver6do en una técnica ru6naria de alta resolución.

Figura 7. Comparación de imágenes de TEM de campo oscuro (A) y claro

(C) y de STEM de campo oscuro con detector anular ADF (B) y campo
claro (D) para el mismo polímero de doble fase. En ambos casos, la imagen
en STEM muestra un mayor contraste a pesar de la menor resolución
respecto al TEM convencional.


Contraste de grosor de masa (mass-thickness contrast)

y contraste Z (Z-contrast)
El grosor de materia es la principal fuente de contraste en materiales amorfos. Este

contraste está causado principalmente por la dispersión de Rutherford (desviación
de los electrones a causa de la proximidad de su trayectoria a los núcleos de la
muestra cargados posi6vamente; se trata de una interacción elás6ca). El contraste
de un punto de la muestra vendrá dado por:

donde y son la intensidad y el incremento de ésta, respec6vamente, es la
diferencia de grosor y es la sección eficaz total elás6ca, de la que ya hemos
hablado anteriormente. Por tanto, si el contraste mínimo que podemos observar es
de un 5%, la diferencia de grosor observable será:

donde es la masa atómica de la muestra, el número de Avogadro, la sección
eficaz para un átomo y la densidad del material.

El efecto del grosor en el contraste se deduce también del camino libre medio .
__ es inversamente proporcional a , como ya hemos visto, por lo que los
especímenes de mayor grosor son los que más dispersión producirán, hecho que es
bastante intui6vo después de los conceptos que hemos tratado.
De forma global, si no tenemos en cuenta los electrones dispersados inelás6camente

(lo cual no es razonable: a pesar de que la mayor parte de electrones que generan
contraste son los dispersados elás6camente, no se pueden obviar la contribución de
los inelás6cos, pero lo haremos para simplificar la materia), podemos obtener la
expresión para la reducción del número de electrones dispersados a medida que
aumenta el grosor de la muestra:
donde y el resto de variables corresponden a las mismas ya descritas.

Se puede aplicar un razonamiento similar al anterior para . U6lizando el factor de

dispersión atómico y otros parámetros en los que no haremos hincapié en este
capítulo, podemos llegar a una expresión que nos indica que la sección eficaz ,
donde β queda definido por el ángulo de colección de la apertura de obje6vo,
depende de Z y de la energía en kV de los electrones: los especímenes con un
mayor Z muestran más dispersión, mientras que para las energías de los electrones,
son las bajas las que aumentan la dispersión.
El contraste Z se refiere a la técnica de obtención de imágenes por contraste de

masa de alta resolución (atómico). Se trata del límite del contraste por grosor de
masa donde la dispersión detectable proviene de átomos aislados o columnas de
átomos.
En los años 1970 ya se demostró la potencial capacidad del STEM para observar
átomos aislados pesados en sustratos de bajo Z. Estas imágenes se formaban con el
detector ADF recolectando únicamente los electrones dispersados elás6camente a
pequeños ángulos. Pero a menudo había problemas debido a la recolección de
electrones dispersados inelás6camente que se sumaban al señal de de ADF. Esto se
solucionó separando estos electrones de la señal de ADF con el sistema de EELS (un
inconveniente era que el contraste de difracción, proveniente por ejemplo de un
sustrato cristalino, se preservaba en la señal de ángulos pequeños, hecho que
dificulta la interpretación de la imagen).
Por tanto, de forma general podemos decir que en primera aproximación el

contraste de una imagen en STEM dependerá de las variables locales de la muestra
Z y , y de las variables ajustables en el microscopio y .
Figura 8. Contraste Z proveniente de

átomos de platino individuales o en grupos
de una imagen en ADF. Los átomos de Pt se
encentran en una capa de Al2O3. Esta capa
genera las amplias regiones claras por la
difracción detectada en el ADF, dificultando
la visualización de la dispersión por los
átomos de Pt.

Imágenes HAADF
Por lo explicado en el apartado anterior, el primer intento de obtener contraste Z no

fue adecuado para el estudio de materiales cristalinos. Como el detector ADF
convencional siempre iba a recolectar algunos electrones provenientes de la
difracción de Bragg, fue necesario diseñar otro detector con una apertura central
mayor: se puede disminuir la longitud de la cámara con las lentes que se encuentran
después de la muestra, para asegurar que los electrones de Bragg no llegan al
detector. De esta forma, sólo los electrones dispersados en ángulos muy grandes
contribuirán a la imagen.
Figura 9. Esquema del funcionamiento del detector HAADF en

comparación con el ADF y el BF convencionales.
Los efectos de Bragg se pueden evitar si el detector HAADF (High Angle Annular
Dark Field, campo oscuro anular de grandes ángulos) únicamente detecta electrones
dispersados a ángulos mayores a 50mrad ( ). Por ejemplo, el detector Fischione
HAADF mide 28mm, y su diámetro interior, 4mm. Por esto, las imágenes de
contraste de Z también se llaman comúnmente imágenes de HAADF.

Figura 10. Imagen de alta resolución de TEM por contraste de fases (A) de
Ge en Si con una capa superficial de SiO2 amorfo. El Si y el Ge son
indistinguibles por contraste de fases. La misma muestra por contraste Z en
STEM (B) permite observar las regiones del cristal con Ge (de mayor Z) y
las regiones de SiO2 (de menor Z), que aparecen muy oscuras. Las
estructuras cristalinas de Ge y Si son visibles en ambos casos, aunque en el
segundo caso se observa más ruido. En (C) se observa un modelo cristalino
superpuesto a una imagen de Z previamente procesada y refinada para
reducir el ruido. En este caso se puede observar fácilmente el nivel atómico.
Una enorme ventaja de las imágenes por HAADF es que se pueden recolectar en el
mismo momento y región de la muestra que los datos generados por EELS. Como
veremos más adelante, esta es la única combinación de dos técnicas que permite
obtener los dos 6pos de información a la vez.
Contraste de difracción en STEM
Para obtener patrones de difracción en el STEM, análogamente al TEM, se deben

detectar los haces difractados, asegurando que el detector ADF sólo recoja el haz
fuertemente difractado (mediante la apertura de obje6vo seleccionamos sólo un haz
difractado). Esto se puede conseguir, alterna6vamente, desplazando el patrón para
que la reflexión hkl caiga justo en el detector BF.

De todas formas, el contraste de difracción observado en una imagen de STEM será

en general de peor calidad que la observada en el de TEM: las condiciones normales
de u6lización del STEM no equivalen a las de TEM, en el que éstas aseguran un gran
contraste de difracción. Estas condiciones son:
- El haz incidente debe ser coherente (el ángulo de convergencia debe ser muy
pequeño).
- La muestra debe ser inclinada en la orientación adecuada para obtener los dos
haces diferenciados
- Sólo el haz directo o el haz fuertemente difractado deben pasar por la
apertura de obje6vo.
Figura 11. Comparación de los

ángulos de convergencia (2α) y
divergencia (2β) del haz en TEM y
STEM.
Dado que para los propósitos de STEM u6lizamos un haz de electrones convergente
en lugar de paralelo, podemos ver que no se podrá obtener la equivalencia con el
TEM (el ángulo de convergencia siempre será mayor en STEM). No obstante, existe
un principio llamado el Principio de reciprocidad, que en esencia afirma que
siempre que los caminos de las ondas de los electrones contengan ángulos
equivalentes (de convergencia y recolección) en algún punto del sistema óp6co
electrónico, la imagen de contraste será idén6ca. De esta forma, dado que el ángulo
de la apertura de obje6vo en el TEM y el ángulo de convergencia en STEM son
iguales, se puede tratar de sa6sfacer la igualdad recíproca disminuyendo la apertura
de obje6vo en STEM. No obstante, esto da como resultado un incremento del ruido
a medida que obtenemos imágenes de mayor contraste. Por este mo6vo, por lo
general el contraste de difracción sólo se u6liza en STEM con propósito analí6co,
pero las imágenes de difracción se siguen obteniendo con TEM, donde las
condiciones son más adecuadas.

Nuevas técnicas de imagen
La mayor parte de las técnicas descritas hasta ahora se podrían incluir en lo que
llamaríamos las imágenes TEM “clásicas”. Esto incluiría las técnicas BF y DF, que
fueron las primeras técnicas y que pronto dieron lugar a modos de operación que
u6lizaban diferentes haces: contraste de difracción, contraste de fases, contraste de
masa, etc. Esto mecanismos con los que caracterizamos nuestras muestras se basan
en la selección de diferentes haces de electrones usando una variedad de detectores
para obtener dis6ntos contrastes en las imágenes. No obstante, actualmente hay
variaciones de esta forma de trabajo que permiten obtener mucha más información
de una imagen de TEM. En este texto presentaremos algunas de ellas, que
cons6tuyen una importante aplicación dentro de la Microscopía Electrónica
Analí,ca.
Imágenes en tres dimensiones
Cualquier imagen de TEM o STEM consiste, en realidad, en una proyección

bidimensional de una muestra tridimensional, lo cual cons6tuye una limitación
fundamental. Por ejemplo, si estudiamos un defecto en un material cristalino a
través de imágenes de contraste de difracción, a veces es posible diferenciar si éste
se encuentra en la parte superior o inferior de la capa, si se cuenta con experiencia
en la observación; no obstante, en general se pierde la dimensión de profundidad.
Para recuperar la información de la profundidad habitualmente se usa la
estereomicroscopía, aunque esta únicamente permite obtener información de
caracterís6cas que muestren contraste de fase o de difracción (dado que esta técnica
requiere la inclinación de la muestra a diferentes ángulos, no se puede u6lizar el
contraste de fases, ya que éste se vería modificado por en cambio de ángulo y se
perdería el efecto estéreo). Esta técnica es muy ú6l, por ejemplo, cuando se quiere
discernir si los precipitados en un espécimen se han formado en la superficie o en la
base de éste.
La imagen en estéreo aporta información gracias al sistema de calibración de

nuestro cerebro: la interpretación simultánea de imágenes recibidas en cada uno de
los ojos (los cuales observan la imagen desde ángulos ligeramente dis6ntos, con una
separación aproximada de ) permite calibrar la profundidad de los elementos de la
imagen gracias al cambio de paralaxis. Este es un mecanismo cerebral intrínseco
que u6lizamos de forma con6nuada y que nos permite observar el espacio
tridimensional en el que nos movemos. Es fácil comprobar que, con un solo ojo, esto

no es posible: si cerramos un ojo e intentamos unir nuestros dedos índices a unos 20

cm de la cara, es muy probable que no acertemos a la primera, ya que la falta de
información proveniente del otro ojo impide obtener la profundidad de la imagen.
Figura 12. Pareja de imágenes de estéreo de precipitados en espinela en un

espécimen de NiO-Cr2O3. Estas imágenes combinadas, con la separación
adecuada, deberían mostrar la profundidad de los precipitados. Se puede
observar también el pequeño cambio de paralaxis entre las dos imágenes.
Por lo tanto, si obtenemos dos imágenes de TEM de la misma área pero inclinadas
con ángulos ligeramente dis6ntos y se muestran de forma simultánea con un
visualizador de estéreo, es posible observar una imagen única donde se aprecie la
profundidad de las caracterís6cas observables gracias a este mecanismo cerebral. De
hecho, algunas personas son capaces de diferenciar incluso el efecto estéreo sin
ayuda del visualizador.
Para observar el efecto estéreo, las imágenes deberían estar separadas unos 60 mm,
pero a la prác6ca es suficiente mover las imágenes hasta que la separación rela6va
entre éstas sea tal que los ojos y el cerebro sean capaces de captar y cuan6ficar el
efecto. Además, es necesario que las dos imágenes tengas exactamente el mismo
campo de visión, contraste y magnificación para poder observar este efecto, ya que
de otra forma el cerebro interpretará el efecto de profundidad de forma incorrecta.
Para ello, el procedimiento a seguir en la obtención de un par de imágenes de
estéreo sería:
1. Seleccionar una región de interés y obtener una imagen (normalmente se

u6liza campo claro)
2. Inclinar el espécimen alrededor de y asegurarse de que el campo de visión
no se ha modificado en este paso, y corregirlo en caso de que haya cambiado
3. Asegurar que la imagen sigue enfocada (u6lizando el control de altura de la
muestra (z, specimen-height control).
4. Obtener la segunda imagen.
Una vez obtenidas ambas imágenes, se pueden simplemente observar con un

visualizador de estéreo. Si las imágenes están correctamente espaciadas debería
observarse el efecto de profundidad. Además, el visualizador permite calcular la
profundidad rela6va de una caracterís6ca de interés en un par de imágenes, en base
a la relación:

donde es el cambio de paralaxis del detalle en cues6ón entre las imágenes, la
inclinación rela6va entre éstas y la magnificación (si la definición del ángulo de
inclinación es , el será simplemente ).
Para una determinación de la profundidad real sería necesario marcar la superficie

del espécimen con alguna caracterís6ca reconocible, como par1culas de oro, para
tener una referencia. Esto no es importante, en general, en TEM, donde la
profundidad rela6va es suficiente para el fin de la imagen. Si se necesitan medidas
cuan6ta6vas en estéreo, es posible realizar más cálculos complejos, o u6lizar la ET,
que es una técnica emergente en TEM.
En biología, la necesidad de imágenes tridimensionales reales ha sido aparente

durante las úl6mas décadas: las estructuras biológicas como virus o
macromoléculas necesitan ser determinadas en las tres dimensiones, especialmente
en las regiones donde la topología es importante para las propiedades ssicas y
químicas del complejo.
En ssica de materiales, se comenzó a usar el APFIM (Atom Probe Field Ion

Microscope), que permi1a en contaje de átomos individuales en una estructura
tridimensional. No obstante, esta sensibilidad era una limitación, ya que esta técnica
es incapaz de analizar una muestra de unos centenares de nanómetros de grosor.
Además, es necesario que la muestra sea conductora.

5. Tomografía electrónica (ET)
Ante la creciente necesidad de examinar nuevos materiales y disposi6vos de forma

integral a escala nanométrica, se desarrolló la tomograKa electrónica (ET, Electron
tomography), que es una técnica u6lizada para la determinación de la estructura
tridimensional de las muestras. Literalmente, la palabra tomograsa significa la
visualización de cortes o rebanadas. Aunque actualmente este término es más
flexible, y se puede usar cuando se engloban geometrías arbitrarias, siempre que el
espécimen sea inclinado ac6vamente en diferentes ángulos. Para realizar esta
técnica se pueden obtener los datos en un microscopio de TEM. El procedimiento
experimental de obtención de datos consiste básicamente en dirigir el haz de
electrones a través de la muestra, inclinando el ángulo de rotación respecto a un eje
de ésta de forma diferencial en cada paso. Para esto es necesario un portamuestras
específico que permite el cambio de orientación (es evidente que cambiar el ángulo
de incidencia del haz de electrones sería inviable). El principio implicado en la
obtención de reconstrucciones tomográficas es básicamente el mismo que el de las
imágenes de estéreo, pero es esencial obtener al menos un centenar de imágenes y
disponer de un ordenador que permita analizar los datos y visualizar los resultados
obtenidos.
Una vez hemos recogido los datos para cada ángulo, es necesario realizar un
procesamiento posterior para integrar toda la información y así obtener una imagen
tridimensional de la muestra. Para este paso, obviamente, necesitamos
herramientas computacionales que permi6rán reconstruir la información
proveniente del microscopio y observar la estructura interior de la muestra.
Esta técnica 6ene especial interés para el estudio de nanomateriales y

semiconductores: con el rápido avance de la nanotecnología, existe la necesidad de
obtener información estructural de alta resolución para los nuevos disposi6vos y
materiales desarrollados. Inicialmente esta técnica se vio limitada por la necesidad
de u6lizar ordenadores rápidos y grandes memorias, así como portamuestras que
permitan una inclinación rela6va de prác6camente . Actualmente, la resolución de
las tomograsas electrónicas es del orden de 5 a 20 nm.
Como en la mayoría de técnicas microscópicas, existen diferentes modos de trabajo

en la realización de tomograsas electrónicas. La mayoría son comibnaciones de
técnicas que ya hemso visto.

La tomograKa de campo claro (Bright-field TEM tomography) 6ene el inconveniente

de requerir que la intensidad de la imagen proyectada varíe monótonamente con el
grosor del material. Esta condición es discil de asegurar en estos casos, ya que la
intensidad de la imagen está dominada por el contraste de fases, siendo por lo tanto
discil dis6nguir las inclusiones de alta densidad con los espacios vacíos. Además, el
contraste del BF-TEM se basa esencialmente en un filtro de paso de frecuencias
espaciales altas (la información para las bajas se suprime), por lo que las zonas
afiladas o de cambios bruscos aparecen exageradas. La ventaja de la tomograsa de
campo claro es que permite obtener medidas fiables para materiales parcialmente
cristalinos con dominios pequeños de cristal único. No obstante, no es una buena
opción en ciencia de materiales, ya que no cons6tuye una reconstrucción real
debido a que el contraste de las imágenes no sa6sface las condiciones de proyección
requeridas para la tomograsa.
La tomograKa HAADF-STEM (HAADF-STEM tomography) es más versá6l y permite

obtener imágenes tridimensionales de alta resolución para materiales altamente
cristalinos como los disposi6vos semiconductores. Los electrones recolectados por el
detector HAADF corresponden principalmente a electrones que han interaccionado
cerca del núcleo atómico y que son incoherentes, por lo que no muestras cambios
de contraste según el grosor y orientación de la muestra asociados a la dispersión
elás6ca. Por tanto, al contrario que los casos anteriores, se elimina el contraste de
fase y difracción (las intensidades de la imagen varían con el grosor de la muestra
proyectado en materiales de bajo Z), y de esta forma se suprimen los artefactos de
realce de los bordes.

Como en todas las técnicas u6lizadas para obtener imágenes tridimensionales, es
importante prestar atención al cambio de foco según la profundidad: la profundidad
de foco se puede maximizar usando una apertura de condensador pequeña que
minimice el ángulo de convergencia, pero en úl6ma instancia el límite de difracción
dominará resultando en un efecto difuminado residual. Esto limitaría la resolución
de la tomograsa obtenida, y lo que se suele hacer es reenfocar las imágenes en cada
secuencia de cambio del ángulo de inclinación para asegurar que el enfoque sea
óp6mo en la mayoría de imágenes.

Figura 13. Imagen de STEM HAADF típica de un catalizador heterogéneo

de nanopartículas de Pd6Ru6 de 1 nm de diámetro aproximadamente dentro
de un soporte mesoporoso de sílice (MCM-41), en que los mesoporos son
hexagonales. Es muy importante conocer la distribución tridimensional de
las nanopartículas metálicas y su localización respecto a los poros internos,
ya que esto es crucial para entender los factores que gobiernan la actividad y
selectividad de los nanocatalizadores.
Figura 14. Montaje donde cada imagen corresponde a una proyección de la

reconstrucción tridimensional del mismo catalizador MCM-41-Pd6Ru6 de la
figura 13 vistas desde los ángulos que se muestran en cada caso. Las
nanopartículas han sido posteriormente coloreadas en rojo para una mejor
visualización.

Por lo tanto, la tomograsa HAADF-STEM permite obtener una reconstrucción fiel de

la muestra, siempre que las caracterís6cas de esta se puedan resolver.  
La tomograKa EFTEM (Energý-filtered TEM) permite a su vez realizar de forma rápida

mapeados cuan6ta6vos de determinados elementos con una resolución espacial de
__ nm. Según el interés del estudio, se seleccionan diferentes rangos de electrones:
en biología, se seleccionan ru6nariamente el pico de electrones con pérdida nula de
energía (zero-loss peak), donde los electrones que han sufrido una interacción
inelás6ca mayor a 5 eV son suprimidos, permi6endo un mayor contraste; también
en química analí6ca raramente se u6lizan los electrones que han sufrido
interacciones cerca del núcleo atómico, debido a la alta dosis de electrones
necesaria para obtener la información; en ssica de materiales, en cambio, los
especímenes suelen ser unos órdenes de magnitud más estables bajo el haz de
electrones que en los campos anteriores, por lo que se puede reconstruir un mapa
tridimensional de la distribución elemental de una muestra. Hablaremos de esta
técnica más adelante.

6. EELS (Electron Energy-Loss Spectrometry)
Si en un microscopio que permite hacer STEM añadimos un espectrómetro de

electrones, es posible realizar la técnica de medida de EELS (Espectrometría por
pérdida de energía de los electrones).
La técnica de EELS se basa en el análisis de la distribución de energía de los

electrones del haz que han atravesado la muestra de interés. La interacción de estos
electrones con el espécimen nos aporta información sobre la composición y
estructura química y la configuración electrónica de los átomos que conforman el
material. Por tanto, podemos llegar a conocer el estado de valencia y el 6po de
enlaces de los átomos presentes en el material, la densidad de electrones libres o la
estructura atómica circundante, entre otros. Gracias al hecho de que el haz
convergente en STEM nos proporciona información de forma local, podemos
obtener medidas cuan6ta6vas de las propiedades mencionadas, en correlación con
la localización espacial en la muestra.
La técnica EELS está subs6tuyendo a la XEDS gracias a su capacidad de obtener

mayor información de la muestra (permite obtener más información que la simple
iden6ficación de los elementos). A pesar de que la XEDS nos proporciona una
resolución de unos cuantos átomos y una alta sensibilidad, 6ene la limitación de que
es incapaz de detectar elementos por debajo del Li6o en la tabla periódica. La EELS,
además de ofrecer una mayor resolución espacial y sensibilidad analí6ca (ambas del
nivel de un solo átomo), permite la detección de elementos ligeros.
La dificultad de esta técnica reside en su aplicación experimental: requiere muestras

especialmente finas para obtener la información adecuada, y la interpretación de los
resultados precisa unos conocimientos ssicos más profundos que la XEDS.
Cuando un electrón de alta energía atraviesa una muestra fina, puede pasar
inalterado o bien puede perder su energía (dispersión inelás,ca de los electrones).
La técnica de EELS separa estos electrones dispersados inelás6camente en un
espectro que podemos interpretar y cuan6ficar, que nos permite formar imágenes o
DPs de electrones de una determinada energía, e incluso combinar los espectros y
las imágenes.

El espectro de pérdidas de energía puede observarse en la figura 15. Se puede ver

una separación del espectro en dos zonas: la de bajas pérdidas de energía y la de
altas pérdidas (el punto que determina el límite entre estas zonas es más bien
arbitrario, y en este caso se ha determinado del orden de eV. Cabe destacar las
siguientes caracterís6cas:
- El pico correspondiente a pérdidas nulas de energía es muy intenso

- El rango de intensidades es enorme (el gráfico en realidad u6liza una escala
logarítmica para la intensidad para poder mostrar todo el espectro).
- La región de bajas pérdidas de energía que con6ene el pico en plasmón es
rela6vamente intensa.
- La señal global de intensidad disminuye rápidamente con el aumento de las
pérdidas de energía, alcanzando niveles que pueden ser omi6dos por encima
de los 2 KeV aproximadamente (que define el límite energé6co de la técnica).
Aunque no se pueda deducir fácilmente de la figura, en realidad, la región de bajas

pérdidas de energía se corresponde con la información de los electrones del átomo
enlazados más débilmente, mientras que la zona de altas pérdidas aporta
información de los electrones que están más fuertemente ligados y de la distribución
de los enlaces atómicos.
Figura 15. Ejemplo de espectro de EELS. El pico de pérdida nula de

energía es un orden de magnitud más intenso que la porción de pérdida baja
de energía, que a su vez es varios órdenes de magnitud más intensa que los
picos identificados con el rango de altas pérdidas de energía.

Instrumentación
Para examinar el espectro de energía de los electrones, u6lizamos un espectrómetro

con un prisma magné,co. Este prisma magné6co es la base del filtro de energía que
permite conocer los valores para los electrones que atraviesan la muestra. Este
detector de alta sensibilidad llega a una resolución menor a 1eV de energía (incluso
cuando el haz de electrones 6ene una energía mayor a 300KeV). Actualmente, sólo
hay un 6po de espectrómetro disponible a nivel comercial, llamado EELS de
recolección paralela o PEELS (manufacturado por Gatan, Inc.). A veces también se le
denomina sector magné6co, y consiste en un sistema de prismas magné6cos
colocados en un TEM o STEM después de los detectores situados detrás de la
muestra.
Hay dos 6pos de filtros que dan lugar a dos instrumentos totalmente dis6ntos a
pesar de su función similar: el GIF (post-column Gatan Image Filter), que se basa en
el sistema de prismas magné6cos PEELS, y el filtro in column, que es una variante
magné6ca del prisma magné6co de Castaing-Henry, ejemplificado por el filtro
Omega ( ), siendo los pioneros Zeiss, pero también usado en JEOL. Este úl6mo
filtro, como indica su nombre, está integrado dentro del TEM entre la muestra y el
detector; por lo tanto, no es un elemento añadido opcionalmente como en el primer
caso.
En cualquiera de los filtros u6lizados, el electrón pasa a través de uno o más prismas
magné6cos, en un proceso análogo a la dispersión de la luz blanca por un prisma de
vidrio. Los prismas magné6cos son preferibles a espectrómetros electrostá6cos por
diversas razones: son compactos y fácilmente integrables en el TEM, ofrecen
suficiente resolución energé6ca para dis6nguir el espectro de los elementos de la
tabla periódica (lo cual hace posible el análisis) y los electrones en un rango de
energía de 100-400 KeV (1pico en AEMs) pueden ser dispersados suficientemente
para detectar el espectro electrónicamente sin limitar así la resolución de energía.
La estructura básica de un PEELS-TEM se puede observar en la figura 16. Se puede

observar que los electrones son seleccionados por una apertura de entrada variable
(de 1, 2, 3 o 5 mm en el sistema Gatan). Estos viajan a través del espectrómetro
hasta un “tubo de deriva” y son desviados por el campo magné6co en . Los
electrones que han perdido energía son desviados un ángulo mayor que los que no
han sufrido pérdidas. De esta forma, el espectro se forma en el plano de dispersión
(figura 17), y consiste en una distribución de la intensidad de los electrones ( ) en
función de la pérdida de energía ( ). A pesar de que las pérdidas de energía son un
incremento y por tanto deberían expresarse en términos de , en la literatura de

EELS se usa la convención de expresar tanto la energía como los cambios de energía
con la letra (en este caso, usamos ). El prisma magné6co también actúa como
una lente: se puede observar también en la figura 17 que los electrones con
idén6cas pérdidas energé6cas que viajan en direcciones dentro y fuera del eje son
reconducidos al foco en el plano de la imagen del espectrómetro.
Figura 16. Diagrama esquemático que

muestra la situación de un PEELS
(debajo de la pantalla de visualización de
un TEM) y sus componentes.
Figura 17. Trayectorias seguidas por los

electrones a través de un espectrómetro
de prisma magnético. Se pueden
observar la diferente dispersión y foco
en el plano de la imagen (dispersion
plane) de los electrones que pierden y
no pierden energía. En la parte inferior
podemos ver el efecto de lente
magnética que ejerce el prisma en el
plano normal al espectrómetro. En el
cuadro superior derecho, la analogía con
la dispersión de la luz blanca con un
prisma de vidrio.

Técnica experimental: obtención de un espectro EELS
Para obtener un espectro por EELS, necesitamos un disposi6vo que registre las
medidas del plano de dispersión del espectrómetro. Históricamente, se u6lizaba una
película fotográfica o un semiconductor, pero en la actualidad se u6liza una cámara
CCD tanto en GIFs como en filtros . Una cámara CCD, charge-coupled device, es un
disposi6vo que permite el movimiento de cargas hacia un terminal donde estas son
conver6das a valores digitales; las cargas generadas (electrones libres) en cada
región de la CCD corresponderán a la señal recibida, y contribuirán al valor de la
intensidad del píxel correspondiente. El uso de la CCD se ha extendido gracias a que
muestra una mayor sensibilidad, mayor rango dinámico (ra6o entre los valores
máximo y mínimo de una magnitud; en este caso el mínimo correspondería al ruido
de fondo) y mejor resolución energé6ca en comparación con los métodos
anteriores. Después del 6empo de integración necesario para obtener un espectro
de calidad, éste se puede conver6r a la señal requerida para el sistema visualizador
de un ordenador.
Durante el uso del espectrómetro se puede trabajar en dos modos. Si u6lizamos del
TEM de forma que la imagen se presente por pantalla, el plano focal de la lente
proyectora con6ene un DP, que el espectrómetro después de la columna u6liza
como objeto. Desde el punto de vista de un espectroscopista, esta forma de trabajo
sería el modo de difracción, pero desde el punto de vista de un microscopista, es
más natural llamarla modo imagen, ya que nosotros vemos una imagen por pantalla.
En cambio, si ajustamos el microscopio de forma que el DP se proyecte en la pantalla
(incluido el modo STEM), entonces el plano objeto del espectrómetro con6ene una
imagen, y la terminología es inversa. Esta terminología puede resultar confusa en
función del punto de vista de la persona que la u6liza. En general, se u6liza el modo
difracción o STEM.
El ángulo de recolección del espectrómetro β (que en realidad es un semiángulo) es

una variable muy importante en EELS, por lo que hay que conocerla durante la
obtención del espectro. Si no se controla el valor de este ángulo, no se pueden
comparar directamente dos espectros, y esto introduce con frecuencia un error de
cuan6ficación en las medidas.

Hay un ángulo para el cual un proceso específico de pérdida de energía del electrón
es más probable: 1picamente, debemos fijar el ángulo β como 2 o 3 veces aquél
ángulo. En caso de duda, lo mejor es hacer β grande. No obstante, en
general, ángulos de recolección grandes permi6rán obtener altas intensidades pero
también baja resolución. Un ángulo de recolección menor aportará una relación
señal/ruido mayor en el espectro.
Figura 18. El valor de β (A) en TEM (modo imagen) o STEM/TEM (modo

difracción). En (A), β depende principalment de las dimensiones de la
apertura de objetivo, mientras que en (B), vendrá determinado por la
apertura de entrada del espectrómetro (proyectada en el plano del DP).

Espectro de pérdida de energía
El término “pérdida de energía” de los electrones (EEL) implica que estamos

interesados únicamente en las interacciones inelás6cas. No obstante, el espectro
también contendrá electrones que no han perdido energía dis6nguible, por lo tanto,
deberemos considerar también la dispersión elás6ca.
Según el valor de la can6dad de energía perdida por el electrón, podemos hablar de

diferentes regiones del espectro:
- El pico de pérdida nula (zero-loss peak): con6ene principalmente electrones

dispersados elás6camente, pero también incluye electrones que han perdido
can6dades de energía muy pequeñas. Se hace muy ú6l formar imágenes y DPs
con los electrones de este pico, ya que ofrece ventajas respecto a imágenes no
filtradas de muestras de un grosor considerable, que dan lugar a un mayor
número de electrones desviados que no contribuyen al contraste, como ya hemos
explicado (estas imágenes estarán libres de aberración cromá6ca y efectos de
dispersión difusa). Este pico será la señal de mayor intensidad del espectro.
Figura 19. Comparación de imágenes en TEM de una muestra biológica

gruesa sin filtro (A) y con filtro (B), donde la señal de los electrones con
pequeñas pérdidas de energía ha sido eliminada. Se puede observar un
mayor contraste en (B).

- La región de bajas pérdidas (low-loss region): con6ene electrones que han

perdido una energía de hasta 50 eV (este es un límite arbitrario). Estos electrones
han interaccionado con los electrones débilmente ligados de las capas superiores
de los átomos. Por ende, esta parte del espectro refleja la respuesta dieléctrica del
espécimen a electrones de alta energía. También se pueden formar imágenes con
estos electrones que muestran información sobre la estructura electrónica y otras
caracterís6cas de la muestra. Una de estas caracterís6cas y probablemente la de
mayor importancia es la de conocer la valencia con la que se encuentran los
átomos de la muestra. También se puede calcular la constante dieléctrica local del
espécimen, la densidad de electrones libres y el grosor, entre otros. La
iden6ficación de elementos y compuestos específicos se ob6ene por comparación
con espectros estándar de referencia que se pueden encontrar en las bases de
datos.
Figura 20. Espectro de bajas pérdidas de energía de un espécimen de

aluminio puro de grosor muy pequeño. El espectro muestra la intensidad de
señal recibida según la energía de los electrones detectados. Se puede
observar claramente el pico de pérdida nula () y un pequeño pico de
plasmón () a los 15 eV.

- Región de altas pérdidas: con6ene electrones que han perdido una can6dad de
energía mayor a 50 eV. Estos provienen principalmente de la ionización o de
interacciones inelás6cas con electrones fuertemente ligados más cercanos al
núcleo atómica. En este caso también se puede obtener información sobre la
composición elemental de la muestra. Esta información se suele u6lizar para
complementar los espectros obtenidos por XEDS, en los que falta información
sobre elementos ligeros, como ya se ha comentado. Uno de los potenciales
usos de los espectros de altas pérdidas es la obtención de mapas de los
elementos presentes en la muestra, ya que la información obtenida permite
una iden6ficación elemental directa. Los márgenes correspondientes a
ionizaciones permiten, además, obtener análisis e imágenes cuan6ta6vos de
todos los elementos de la tabla periódica. La principal limitación de esta úl6ma
aplicación es que los especímenes deben ser mucho menores que la trayectoria
libre media (1picamente menores a 50 nm), ya que de otro modo el
procesamiento necesario de los resultados puede introducir artefactos.
Figura 21. Mapeado cualitativo de elementos de Si3N4 policristalino. En la

primera imagen se puede observar la muestra bajo TEM convencional. Las
subsecuentes imágenes muestran los puntos donde se ha encontrado
presencia de diferentes elementos por la técnica de EELS: nitrógeno (verde),
oxígeno (rojo) y silicio (azul).

Tomograia EELS (EELS tomography)
Es posible u6lizar una serie de imágenes 2D filtradas por alguna región del espectro
EELS de diferente inclinación para reconstruir una imagen 3D, como ya hemos visto
en la sección de TE. Estas imágenes se denominan de 6po EFTEM (Energy-Filtered
TEM). Con la reconstrucción tridimensional podemos apreciar caracterís6cas de
superficie, ángulos y caras de crecimiento y otras propiedades que no se pueden
obtener tan fácilmente a par6r de las imágenes bidimensionales habituales. La
tomograsa EFTEM es un área aun en desarrollo, pero en la figura 21 se puede
observar un ejemplo: la distribución del fósforo en una reconstrucción de una célula
de mosca de la fruta (Drosophila melanogaster).
Figura 22. (A) Visión superior 2D y (B) reconstrucción tomográfica en 3D

filtrada por energía que muestra la distribución de fósforo de una sección de
larva de Drosophila. La región principal es parte de un núcleo celular y la
zona superior derecha es una región del citoplasma que contiene ribosomas.
Ambos contienen ácidos nucleicos (DNA y RNA, respectivamente), que son
ricos en fósforo.

Corolario
Las técnicas y modos de operación expuestos en este texto ponen de manifiesto que
la microscopía electrónica de transmisión no cons6tuye únicamente la solución a la
falta de resolución proporcionada en su momento por los microscopios óp6cos. En
efecto, hemos visto que las posibilidades que ofrece un TEM van más allá de la
extraordinaria resolución de las imágenes que permite obtener: la comprensión de
la interacción entre los electrones del haz y la muestra a estudiar nos ha permi6do
desarrollar técnicas y acoplar detectores complementarios que permiten obtener
una gran can6dad de información valiosa sobre la naturaleza del material de estudio.
El amplio espectro de datos de diferente categoría que permite obtener es la base
de los estudios que se están llevando a cabo en la actualidad. Es por esto que la
microscopía electrónica de transmisión se ha conver6do uno de los recursos
principales y fundamentales de inves6gación en el campo de la nanociencia y la
nanotecnología.
Referencias
• DB Williams, CB Carter. Transmission Electron Microscopy: A Textbook for

Materials Science. Springer. 2009.
• K Kimoto, Y Matsui. Material characteriza6on using Electron Energy Loss

Spectroscopy 
in a Transmission Electron Microscope (TEM-EELS). Review of results. Octubre
2007.
• PA Midgley, M Weyland. 3D electron microscopy in the physical sciences: the

development of Z-contrast and EFTEM tomography. Ultramiscroscopy. 27 october
2002.

Introduccion STEM

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Técnicas

Microscopía electrónica de barrido-transmisión

Figura 1. Diferentes tipos de haces resultantes de la interacción de los electrones

La dispersión de los electrones puede producirse de dos formas:

- Inelás,ca: los electrones pierden energía en la interacción. Se suele producir

Para referirnos a la probabilidad de que un electrón padezca una dispersión elás6ca

Para un espécimen observado bajo el TEM, el número de eventos donde el electrón

No obstante, debido a la can6dad de variables que afectan tanto la sección eﬁcaz

A pesar de toda la información anterior, los valores que podemos conocer de σ y λ

Figura 2. Simulación de Monte Carlo para la dispersión de electrones (haz

Como ya hemos comentado, por la dualidad onda-par1cula, los electrones en

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 3 de 34

Este fenómeno permite obtener patrones de difracción (DP, Diﬀrac;on PaCerns),

La difracción de rayos X se ha usado históricamente en la mayoría de estudios para

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 4 de 34

Figura 3. El haz incidente de electrones en la muestra se convierte en un

Los patrones de difracción (DP) de electrones se corresponden estrechamente con

El TEM 6ene las caracterís6cas necesarias para poder obtener imágenes de la

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 5 de 34

Qué factores afectan a la dispersión de los electrones en el TEM?

La σ total de dispersión disminuye contra mayor es la energía: por lo tanto, la

Además, en general habrá menos dispersión a ángulos mayores (cuando

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 6 de 34

2. AEM (Microscopía Electrónica Analítica)

La AEM (Analy;cal Electron Microscopy) conforma las técnicas de recopilación de

Estas señales se pueden u6lizar para iden6ﬁcar y cuan6ﬁcar la concentración de

STEM (Scanning Transmission Electron Microscope)

La microscopía STEM (Microscopía electrónica de transmisión de barrido) combina

Como en TEM, la técnica de STEM requiere muestras muy ﬁnas y detecta

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 7 de 34

Como se ha explicado en apartados anteriores, la obtención de contraste en el TEM

- Microanálisis de rayos X: los rayos X emi6dos por la muestra a causa del

Figura 6. Comparación del modo de obtención de imágenes en DF o BF

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 8 de 34

- La espectrometría dispersiva de longitud de onda de rayos X (WDX,

- EELS: analiza los electrones transmi6dos para determinar la can6dad de

Como veremos, en STEM se pueden detectar y medir prác6camente todas las

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 9 de 34

Un STEM permite una mayor ﬂexibilidad en la selección de los electrones a detectar

En cambio, las imágenes de STEM en campo oscuro (en el que la mayoría de

En deﬁni6va, el uso de STEM está indicado en aquellos casos en los que la

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 10 de 34

Figura 7. Comparación de imágenes de TEM de campo oscuro (A) y claro

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 11 de 34

Contraste de grosor de masa (mass-thickness contrast)

El grosor de materia es la principal fuente de contraste en materiales amorfos. Este

De forma global, si no tenemos en cuenta los electrones dispersados inelás6camente

donde y el resto de variables corresponden a las mismas ya descritas.

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 12 de 34

Se puede aplicar un razonamiento similar al anterior para . U6lizando el factor de

El contraste Z se reﬁere a la técnica de obtención de imágenes por contraste de

Por tanto, de forma general podemos decir que en primera aproximación el

Figura 8. Contraste Z proveniente de

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 13 de 34

Por lo explicado en el apartado anterior, el primer intento de obtener contraste Z no

Figura 9. Esquema del funcionamiento del detector HAADF en

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 14 de 34

Contraste de difracción en STEM

Para obtener patrones de difracción en el STEM, análogamente al TEM, se deben

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 15 de 34

De todas formas, el contraste de difracción observado en una imagen de STEM será

Figura 11. Comparación de los

Módulo 3: Microscopía Electrónica de Barrido-Transmisión Página 16 de 34

Nuevas técnicas de imagen