1 - Transistor Bipolar PDF

Instituto Federal de Santa Catarina
Departamento Acadêmico de Eletrônica

Curso Técnico em Eletrônica
Prof. André Luís Dalcastagnê
Estruturas Analógicas
I – Transistor Bipolar
1.1 – Tipos de TBJ

Transistor NPN
Estrutura Coletor: dopagem intermediária
maior região
coleta elétrons vindos da base
N dissipa a maior parte da potência do transistor
Base: levemente dopada
bastante fina P
permite que a maior parte dos elétrons N
vindos do emissor chegem ao coletor
Emissor: densamente dopado
tamanho médio
emite elétrons para a base
Símbolo C
B
E
3
Transistor PNP
Estrutura C
B N
P
Símbolo C
B
E
4
Norma Proelectron (Europa)
 Aplicações comerciais: duas letras + seqüência
alfanumérica de série.
 Aplicações profissionais: três letras + seqüência
alfanumérica de série.
Primeira letra Segunda letra
A: Germânio (Ge) A: diodo de RF

B: Silício (Si) B: varicap
C: NaAs C: transistor de áudio, pequenos sinais
D: InSb D: transistor de áudio, de potência
E: materiais compostos F: transistor para alta freqüência, pequenos sinais
L: transistor para alta freqüência, de potência
Y: diodo retificador
Z: diodo zener 5
Teste de Transistores
 Determinar se o transistor é NPN ou PNP.
 Identificar terminais coletor, base e emissor.
 Detectar possíveis defeitos no componente.
6
1.2 – Polarização do TBJ

Polarização Direta-Direta
 Diodos emissor e coletor polarizados diretamente.
Conclusão:
 Correntes grandes no coletor e no emissor.
8
Polarização Reversa-Reversa
 Diodos emissor e coletor polarizados reversamente.
Conclusão:
 Correntes pequenas no coletor e no emissor.
9
Polarização Direta-Reversa
 Diodo emissor polarizado diretamente.

 Diodo coletor polarizado reversamente.
 Se VBE > 0,7 V: grande fluxo de elétrons injetados na base.

 Base fina e pouco dopada: poucos elétrons se recombinam com
as lacunas na base.
 A maior parte dos elétrons (mais de 95%) chegam ao coletor,
gerando uma grande corrente no diodo coletor, apesar da sua
polarização reversa.
10
1.3 – As Correntes no TBJ

Correntes no TBJ
 Estrutura C
IC
B
LKC:  cor. entram  cor. saem
IC  IB  IE
IB
IE
E
 Ganho de corrente do TBJ na região ativa: βCC ou hFE
IC
βCC  ou I C  βCC I B
IB
 Valores típicos:
 TBJ de baixa potência 100  βCC  300
 TBJ de alta potência 20  βCC  100 12

Exemplo
 Importante: supor operação na região ativa!!!
C
I C  10 mA
B
CC  250
IB  ?
IE  ?
E
13
1.4 – A Conexão Emissor-Comum

Circuito Emissor-Comum
RC
Circuito do coletor
Circuito da base

RB VBC  IC

VCE VCC

IB 
VBB VBE IE

Ponto comum entre as duas
fontes de tensão: emissor
 Importante: Circuito da base controla o circuito do

coletor!!!
15
1.5 – Curva da Base

Exemplo de Curvas da Base
C C
diodo base-emissor
B B p
I B VBE IB 
VBE n
 
E E
 Conclusão: a análise de um
circuito com TBJ pode ser
feita considerando VBE = 0,7 V
na grande maioria dos casos.
17
Exemplo
 Calcule as variáveis solicitadas (suponha operação
na região ativa).
1 k
CC  100
 IC  ?
100 k VBC  ? 

VCE  ? 15 V

IB  ? V  ? 
10 V BE I ?
E

18
1.6 – As Curvas do Coletor

Exemplo de Curva
 Circuito:  Curva IC x VCE
 Potência dissipada: PD = VCE IC
20
Regiões de Operação
 Circuito:  Curvas IC x VCE
Saturação Corte
Região ativa (chave aberta)
(chave fechada)
(amplificador)
21
Exemplo
 Calcule as variáveis solicitadas (suponha operação
na região ativa).
3, 6 k
CC  100
 I C  1 mA PD  ?
RB
VCE  ? 10 V

IB  ? V  ? 
5V BE IE  ?

22
Experiência 1
 Faça o pré-laboratório da Experiência 1.
23
1.7 – Variações do Ganho de Corrente

Variações do Ganho de Corrente
 O βCC de um transistor bipolar varia em função de:

 Tolerância de fabricação do componente;
 Temperatura: quanto maior a temperatura, maior o
valor do βCC;
 Corrente no coletor.
 Solução: utilizar estruturas que sejam pouco

afetadas pelo valor do βCC do transistor.
25
1.8 – O Ponto de Operação ou Ponto

Quiescente (Q)
Definição
 Ponto de operação ou ponto quiescente é o ponto

definido pelos valores de IC (ICQ) e VCE (VCEQ) do
transistor bipolar em um determinado circuito CC.
 Esse ponto define em qual região o transistor opera:

região ativa, saturação ou corte.
27
Exemplo
 Determine o ponto de operação (ou ponto
quiescente) do seguinte circuito.
3 k
CC  100
 I CQ  ?
RB
VCEQ  ? 15 V
I B  30 A 
15 V
28
1.9 – A Reta de Carga CC

Definição
 Linha que corta as curvas características do

transistor para mostrar cada um dos possíveis
pontos de operação do circuito.
 Qualquer ponto de operação, para ser válido, precisa

estar sobre a reta de carga CC.
 Pontos fora da reta não são pontos de operação

válidos.
30
Exemplo
 Esboce a reta de carga CC do seguinte circuito.
3 k
CC  100
 I CQ  ?
RB
VCEQ  ? 15 V
I B  30 A 
15 V
31
Exercício: Reta de Carga CC
+20 V
IC
2 k
220 k 
VCE
+5,1 V 
32
Exercício: Reta de Carga CC
+20 V
IC
2 k
I CQ Q
220 k 
VCE
+5,1 V 
VCEQ
33
1.10 – Identificando a Saturação do

Transistor Bipolar
Procedimento de Cálculo
 Esboçar a reta de carga CC do circuito.
 Calcular o ponto de operação assumindo que o
transistor bipolar está operando na região ativa:
IC = βCC IB.
 Se o ponto de operação estiver fora da reta de carga
CC (ponto não-válido), o transistor está operando na
região de saturação, e não na região ativa
(suposição errada).
I C(SAT)
 Ganho na saturação: CC(SAT) 
IB
35
Exemplo
 Determine o ponto de operação (ponto quiescente)
do seguinte circuito.
10 k
CC  50
 I CQ  ?
93 k
VCEQ  ? 20 V

10 V
36
1.11 – O Transistor Bipolar Atuando Como

Chave
O Transistor como Chave
+VCC
IC IC
RC I C(SAT) Saturação
RB 
Corte
VBB VCE
IB -
VCE(CORTE) VCE
 Possível regra de projeto: calcular RB de modo a

colocar o transistor bipolar em saturação forte:
βCC(SAT) =10.
38
Exemplo
 Determine o valor do resistor RB de modo a polarizar
o transistor bipolar em saturação forte.
+15 V
IC 1 k
RB  ? 
5 V ou
VCE
0
-
39
Experiência 2
40
1.12 – Polarização do Emissor

Polarização do Emissor
 Circuito: VCC
RC IC VCC
I C(SAT) I C(SAT) 
RC  RE
VBB VCE(CORTE)  VCC
RE
VCE(CORTE) VCE
 Objetivo: Circuito com ponto de operação pouco

influenciado pelo valor do βCC do transistor.
 Aplicações: fonte de corrente, amplificador de tensão.
42
Exemplo
 Considere o circuito abaixo, que utiliza a polarização
do emissor. 15 V
1 k IC
VB VC
5 V +
 VCE
IB VBE
 
VE
2, 2 k IE
1. Esboce a reta de carga CC do circuito.

2. Determine as variáveis indicadas no circuito.
43
Transistor Bipolar Atuando como Fonte
de Corrente
 Nesse tipo de circuito, o transistor define a corrente
que passa na carga conectada no coletor do
transistor bipolar.
VCC VCC
RC IC  IE RC
VBB

VBE
 VBB  VBE
IC  IE 
RE IE RE
44
Experiência 3
45
1.13 – Circuitos de Polarização do Transistor

A Polarização por Divisor de Tensão
 Circuito:
VCC VCC
RC R1 RC
VBB
VB
RE R2 RE
2 fontes CC Como VB é sempre menor do que VCC

pode-se utilizar 1 única fonte CC
47
A Polarização por Divisor de Tensão
 Como determinar a tensão da base?

VCC

R1 V1 RC  Suposição: como o transistor
I1  deve operar na região ativa, a
IB
corrente da base deve ser bem
I2 menor do que I1 e I2.

R2 V2 RE  Logo, pode-se adotar I1 = I2.

 Usando o conceito de R2
VB  V2  VCC
divisor de tensão: R1  R2
48
Exemplo
 Considere o circuito abaixo.
+10 V
10 k 3, 6 k
BC547B
2, 2 k 1 k

2. Determine VB, VC, VE, VCE, VBE, IC, IB, IE e PD.
49
Experiência 4
50
Transistores PNP
 Correntes e tensões do transistor PNP:
C E
IC  IE
VEB
B  B  
 VCE VEC
I B VBE  IB 
 IE IC
E C
VE  VB  VBE (VE  VB ) VE  VB  VEB (VE  VB )
 Conclusão: em relação ao transistor NPN, o transistor

PNP tem tensões com polaridades opostas e
correntes com sentidos opostos. 51
Polarização de Transistores PNP
 Circuitos equivalentes:
+10 V 10 V +10 V
10 k 3, 6 k 10 k 3, 6 k 2,2 k 1 k
BC547B BC557B BC557B
2, 2 k 1 k 2, 2 k 1 k 10 k 3, 6 k
52
Exemplo
 Considere o circuito abaixo.
+20 V
2,2 k 1,5 k
BC557B
10 k 3, 6 k

2. Determine VB, VC, VE, VEC, VEB, IC, IB, IE e PD.
53

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1.1 – Tipos de TBJ

A: Germânio (Ge) A: diodo de RF

 Determinar se o transistor é NPN ou PNP.

 Identificar terminais coletor, base e emissor.

 Detectar possíveis defeitos no componente.

1.2 – Polarização do TBJ

 Diodos emissor e coletor polarizados diretamente.

 Diodos emissor e coletor polarizados reversamente.

 Diodo emissor polarizado diretamente.

 Se VBE > 0,7 V: grande fluxo de elétrons injetados na base.

1.3 – As Correntes no TBJ

 TBJ de alta potência 20  βCC  100 12

1.4 – A Conexão Emissor-Comum

 Importante: Circuito da base controla o circuito do

1.5 – Curva da Base

1.6 – As Curvas do Coletor

 Circuito:  Curva IC x VCE

 Potência dissipada: PD = VCE IC

 Circuito:  Curvas IC x VCE

 Faça o pré-laboratório da Experiência 1.

1.7 – Variações do Ganho de Corrente

 O βCC de um transistor bipolar varia em função de:

 Solução: utilizar estruturas que sejam pouco

1.8 – O Ponto de Operação ou Ponto

 Ponto de operação ou ponto quiescente é o ponto

 Esse ponto define em qual região o transistor opera:

1.9 – A Reta de Carga CC

 Linha que corta as curvas características do

 Qualquer ponto de operação, para ser válido, precisa

 Pontos fora da reta não são pontos de operação

1.10 – Identificando a Saturação do

1.11 – O Transistor Bipolar Atuando Como

 Possível regra de projeto: calcular RB de modo a

 Faça o pré-laboratório da Experiência 2.

1.12 – Polarização do Emissor

 Objetivo: Circuito com ponto de operação pouco

1. Esboce a reta de carga CC do circuito.

 Faça o pré-laboratório da Experiência 3.

1.13 – Circuitos de Polarização do Transistor

2 fontes CC Como VB é sempre menor do que VCC

 Como determinar a tensão da base?

1. Esboce a reta de carga CC do circuito.

 Faça o pré-laboratório da Experiência 4.

 Conclusão: em relação ao transistor NPN, o transistor

+10 V 10 V +10 V

BC547B BC557B BC557B

1. Esboce a reta de carga CC do circuito.

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