Universidad Autónoma de Nayarit

Unidad Académica de Ciencias e Ingenierías

Ing. En Control y Computación

Electrónica Analógica
Practicas de Laboratorio

Practica No. 8
transistores

MAESTRO: Ing. Ricardo Borrayo Solórzano

ALUMNO: Patricia Lizette Guzmán López.
2 de Mayo de 2006
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PRACTICA 8

TRANSISTORES

OBJETIVO:

En esta practica el alumno conocerá y comprobará las capacidades de los

transistores, haciendo previamente los cálculos y las mediciones necesarias.

INTRODUCCION

El análisis o diseño de un amplificador a transistor requiere conocimientos tanto

de la respuesta del sistema en DC como en AC.
El nivel de operación de DC de un transistor es controlado por diversos
factores, que incluyen el rango de posibles puntos de operación sobre las
características del dispositivo, en esta practica se especifica el rango para el
caso del amplificador BJT.

MATERIAL:

 Transistores NPN Y PNP

 Multimetro
 Protoboard
 Resistencias varias

PROCEDIMIENTO:

1. Comprobar si los transistores funcionan probando continuidad en sus

uniones y midiendo la B. Intente medir continuidad con las puntas.
 C C

B NPN B PNP

E E

Del multimetro de manera inversa y directa y registre los resultados.

2. Para el siguiente circuito de polarizacion fija determine y compruebe los

valores: IBQ, ICQ, VCEQ, VC, VB, VE.

3. Para el siguiente circuito polarizado en emisor, calcule los siguientes

parámetros: RB, RC, RE, VCE, VB.
Y compruebe con el multimetro: VCEQ, VC, VB,
VE.
 4. Para el siguiente circuito de polarizacion por divisor de voltaje calcule los
siguientes parámetros VCC, R1, VCE, VE, VC, VB.
y compruebe con el multimetro: VCEQ, VC, VB, VE.

5. Para el circuito anexo calcule ICQ, IBQ, ICQ, VCEQ, VC, VB, VE.
Compruebe con el multimetro.
RESULTADOS:

Paso 1:

PARA NPN B= 240

PARA PNP B= 190

Paso 2:

VALORES CALCULADOS MEDIDOS

IBQ 0.0325 mA 0.033mA

ICQ 7.8 Ma 7.93 mA

VCEQ 5.069 V 5.02 V

VC 5.069V 5.022 V

VB, 0.7 V 0.7 V

VE 0V 0V

Paso 3:
VALORES CALCULADOS MEDIDOS

RB 360.47K 360 k

RC 2.2 k 2.2 k

RE 1.2 k 1.2k

VCE 5.2 v 5.4v

VB 3.099v 3.2 v

VC 7.6 v 7.44v

VE 2.4v 2.63v

Paso 4:
VALORES CALCULADOS MEDIDOS

VCC 16V 16V

R1 34.12 K 33K

VCE 3V 2.98V

VE 5.764V 5.51V

VC 10.6V 10.96V

VB 6.46V 6.3V
Paso 5:

VALORES CALCULADOS MEDIDOS

ICQ 1.34mA 1.12mA

IBQ 5.58 microA 5.42 mcroA

VCE 2.09V 2.1V

VC 3.71V 3.51V

VE 1.61V 1.66V

OBSERVACIONES:

Tuve algunos problemas con la identificación de las puntas del transistor pero
con ayuda del multimetro fue facil identificarlas.

En los calculos hubo problemas con el valor B pero el multimetro resolvio el

valor de este ultimo.

Hubo pequeños problemas por las conexiones en el proto.

CONCLUSIONES:

La identificación del transistor que da de la siguiente manera:

Los resultados con el transistor pnp son iguales a los del npn solo que con
signo negativo.
El multimetro utilizado trae la opción hFe en la cual se puede medir el valor de
B.
Todos los valores calculados coincidieron en las diversas formas de
polarización del transistor con los valores medidos.