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ELECTRÓNICA I INFORME DE LABORATORIO No.

II, 24 DE AGOSTO DE 2018 1

Caracteristicas de Diodo
Ivan Camilo Ramírez Gil1, Jordin Enrique Vanegas Melo 2

1
Estudiante IV semestre de Ingeniería Electrónica Tunja, Código
2
Estudiante IV semestre de Ingeniería Electrónica Tunja, Código 201621946

En el siguiente informe se intenta conocer cada una de las características de los Diodos con el fin de comprender los conceptos
basicos y teóricos que este nos aporta, en la práctica se realizaron dos diferentes montajes con distintas resistencias y diodos para
estos dos circuitos; en el primer circuito se conectó el diodo en polarización directa para analizar el comportamiento y operación
DC y AC de cada uno de ellos, donde se debió conectar desde 0mA hasta valores de 600mA, y para la segunda parte de este
laboratorio se realizó de tal manera que el diodo estuviera en forma inversa para hallar cada uno de sus comportamientos como lo
son; observar la señal rectificada sobre la resistencia y analizar el tiempo de recuperacíon en inverso entre otras.

Palabras clave— Diodo, conexión inversa y directa, tiempo de recuperación inversa, corriente y tensión de un diodo.

II. PROCEDIMIENTO
I. INTRODUCCION
El diodo es un dispositivo semiconductor de dos
Esta práctica de laboratorio se dividió en dos partes para
terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica
entender las características de los diodos de forma directa e
a través de él en un solo sentido. El diodo posee las siguientes
inversa:
funciones:
En la primera parte, se debió conectar un diodo de 1N1007
de forma directa, una fuente de voltaje en serie a una
 Rectificar: son dispositivos capaces de suprimir la resistencia de 10 ohm con 10 wattios de potencia, ya que al
parte negativa de cualquier señal, como paso inicial medir los valores de VD en las resistencias de ¼ wattios estas
para convertir una corriente alterna en corriente podrían ser quemadas ya que no tienen la misma capacidad
continua para resistir la potencia que transmite el circuito.
 Proteger: en un circuito en donde convenga que la
corriente circule solamente en un determinado Al tener el montaje instalado en el Protoboard se debió
sentido, y nunca en el sentido contrario, puede ser conectar de forma directa valores de 0mA hasta 600mA de
protegido por la presencia de un diodo. corriente para analizar el comportamiento del ya mencionado
VD para así graficar la porción positiva de la gráfica de
El diodo está hecho de cristal semiconductor, como el silicio, comportamiento VD vs ID. Ya obtenida esta gráfica,
con impurezas en él para crear una región que contiene realizamos el cálculo de la resistencia de diodo RD,
portadores de carga negativa (electrones), llamado resistencia dinámica y resistencias ac promedio rav.
semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que
contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado Para la segunda práctica de este laboratorio, se usó un diodo
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada de forma inversa, una resistencia de 1KΩ, un osciloscopio y
región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, un generador de señales con una señal cuadrada de 5Vp o
llamado una unión PN, es donde el cristal conduce una 10Vpp con una frecuencia de 1KHz, realizando la medición
corriente de electrones del lado n, pero no en la dirección de voltaje de entrada en el generador y la salida del voltaje en
opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye la resistencia, analizando la señal rectificadora sobre la
del ánodo al cátodo. resistencia.
Posteriormente, se determinó el valor de tiempo de
recuperación en forma inversa, su tiempo de transición y su
La gran utilidad del diodo está en los dos diferentes estados tiempo de almacenamiento, estableciendo el mecanismo por
en que se puede encontrar, dependiendo de la corriente el cual ocurre este fenómeno.
eléctrica que esté fluyendo de él. Estos dos comportamientos
de los diodos permiten ser usados en elementos electrónicos.

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III. DESARROLLO DE LA PRACTICA cual se le reviso el datasheet para saber los valores de las
diferentes magnitudes y asegurarse de no provocar una avería
Materiales: en el componente.

 Osciloscopio. 1. Al comprobar cada resultado, proseguimos a hacer el montaje


 Generador de señales. en el protoboard de manera práctica, para hallar cada uno de
 Multímetro. los valores que se requerida en la guía de laboratorio; se
 Resistencias. puede apreciar el montaje de mejor manera en la siguiente
 Fuente DC. imagen.
 Diodos 1N4001 a 1N4007
 Caimanes.
 Protoboard.
 Conectores tres a dos

A. Montaje No. 1

Figura 2. Montaje en protoboard del Montaje No. 1

2. La polarización del diodo se hizo respectivamente en directo


y en serie con la resistencia de 10 Ohmios, y para hallar los
valores de corriente exigidos por la práctica se conectaron dos
multímetros, uno en serie en el circuito y otro en paralelo con
Figura 1. Diseño Montaje No. 1 el diodo para saber la caída de voltaje que existía sobre él, y
se procedió a variar la fuente desde los 0 voltios y a anotar
Al comenzar la primera práctica de este laboratorio se los respectivos valores de voltaje cuando el multímetro con
hallaron los wattios de cada resistencia, ya que no todas el cual se estaba midiendo corriente marcará los intervalos
soportan la potencia que el circuito emite al ser activado, esto que fueron obtenidos aleatoriamente hasta llegar a 600mA en
se hizo con el objetivo de asegurar el buen funcionamiento el circuito.
del circuito y poder alcanzar los valores de corriente pedidos Los datos tomados se almacenaron en la siguiente tabla:
por la guía, de manera que se pudiera variar el voltaje por
TABLA 1. VOLTAJES Y CORRIENTES SOBRE EL DIODO PRACTICO MEDIDO
facilidad de contar con una fuente variable en dc y
preferiblemente dejar una resistencia fija, de modo que se VALORES PRACTICOS
oscilaría entre los 0 y 600 mA, para lo cual se determinó que VD ID (mA)
lo mejor para esta ocasión era usar una resistencia de 10
0 0 0
Ohmios con una potencia de 10 Wattios.
1 0,831 18,5
- ECUACIONES: 2 0,911 71,6
3 0,947 141
𝑉 = 𝐼. 𝑅 (1) 4 0,97 300
5 0,987 430
𝑃 =𝑉∗𝐼 (2) 6 0,999 520
Siendo la ecuación (1) la ley de Ohm y la ecuación (2) la ley 7 1,011 670
de Watt respectivamente El diodo escogido fue el 1N4007 al 8 1,027 850

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En la tabla anterior se puede observar como a medida que se


varia la corriente el voltaje generado sobre el diodo también
cambia.
De los datos obtenidos de forma práctica en la tabla anterior
se obtuvo una gráfica de la porción positiva del
comportamiento de VD vs ID(mA) que se muestra a
continuación.

Figura 6. Simulación del Montaje No. 1 del voltaje en cada componente.

Los datos tomados de la simulación del Montaje No. 1 se


almacenaron en la siguiente tabla:

Figura 3. Gráfica del comportamiento de Voltaje vs Corriente sobre TABLA 2. VOLTAJES Y CORRIENTES SOBRE EL DIODO SIMULADOS
el Diodo.
VALORES SIMULADOS
3. Se realizaron simulaciones del primer montaje para VD ID (mA)
conocer valores de voltajes sobre el diodo a medida que 0 0 0
se va variando la corriente entre 0 y 600mA en intervalos 1 0,741 25,9
aleatorios.
2 0,821 117,8
Simulación 3 0,855 214,4
4 0,878 312,1
5 0,895 410,4
6 0,91 509
7 0,922 607,7
8 0,933 706,6

En la tabla anterior al igual que en los valores practico


medidos podemos observar como a medida que se varia la
corriente el voltaje generado sobre el diodo también cambia.

De los datos obtenidos de la simulación basados en los datos


de la tabla anterior se obtuvo una gráfica muy parecida a la
Figura 4. Simulación del Montaje No. 1 de la corriente en cada componete. de los datos practico medidos de la porción positiva del
comportamiento de VD vs ID(mA) que se muestra a
continuación.

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Se usó la ecuación de Shockley descrita por la ecuación (3) y


variamos los valores del voltaje sobre el diodo desde 0,7
voltios que es el voltaje mínimo en el que un diodo de silicio
conduce hasta lograr un poco más de la corriente hallada por
las mediciones, todos estos datos son consignado en una tabla
y graficados para observar el comportamiento del diodo en su
conexión directa.

Posteriormente se realizó una tabla con el objetivo de apreciar


de la mejor manera el comportamiento del diodo de silicio
conectado en forma directa, la tabla se muestra a
continuación:
Figura 7. Gráfica del comportamiento de Voltaje vs Corriente sobre
el Diodo de valores simulados. TABLA 3. VOLTAJES Y CORRIENTES SOBRE EL DIODO TEORICA

4. Se realizo el análisis teórico del circuito del primer TABLA DE CORRIENTES HALLADAS CON LA
montaje obteniendo voltajes y corrientes. FORMULA DE SHOCKLEY
VD ID (mA)
Teoría 0 0
Para la parte teórica se hace el uso de la ecuación de Shockley 0,74 11,89914581
que es la encargada de describir el comportamiento de un 0,8 39,13209991
diodo sea de silicio o de germanio en su cuadrante positivo, 0,81 47,72024928
esta es descrita por la siguiente formula: 0,82 58,19320169
0,84 86,53889477
0,85 105,531203
𝑉𝐷 0,86 128,6916688
𝐼 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑉𝑇∗𝑛 − 1)
0,87 156,9350593
(3)
𝑘∗𝑇
0,88 191,3769013
𝑉𝑇= (4) 0,89 233,3775414
𝑄
0,9 284,5958757
𝐽
𝐾 = 1,38𝑋10−23 (5) 0,91 347,0548705
𝐾
0,92 423,2214636
𝑄 = 1,602𝑋10−19 𝐶 (6) 0,93 516,1040008

Donde: Se realizó una gráfica y se comparan los datos obtenidos


Is: Es la corriente de saturación del diodo conectado en teóricamente con los medidos de manera práctica y así
obtenemos la siguiente gráfica:
inverso.
𝑉𝐷 : Es la caída de voltaje sobre el diodo.
𝑛: Es un valor característico del material característico del
diodo que oscila entre 1 para el germanio o 2 para el silicio.
𝑉𝑇 : Es el voltaje térmico sobre el diodo y está definido por
la ecuación (4), donde:
𝐾: Es el valor de la constante de Boltzman, mejor descrita por
la ecuación (5), sus unidades son el Joule sobre el Coulomb.
𝑇: La temperatura en la cual se realice la práctica en grados
Kelvin.
𝑄: Es la carga del electrón mejor descrita por la ecuación (6)
y su unidad es el coulomb.

Para nuestro caso usamos una temperatura estándar de 293


grados Kelvin y siendo el diodo usado fue uno de silicio la n
es 2.
Figura 8. Gráfica del comportamiento de un diodo conectado en
directo (Medido vs Teórico).

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Se puede apreciar que la gráfica descrita por la fórmula de


Shockley es un poco más suave en su codo y que consigue
tener los mismos valores de corriente que en el método
medido, pero con un poco más de voltaje sobre el diodo.

5. Por último, al comparar los resultados obtenidos


mediante cada uno de los métodos implementados
(teórico, simulación, práctico medido) podemos
observar que hay una pequeña variación de valores entre
los diferentes métodos aplicados. En los datos teóricos
no se pudo obtener con exactitud la corriente de 0 a
600mA con intervalos aleatorios, pero si tratamos de
observar los datos obtenidos entre los métodos
Figura 10. Montaje en protoboard del Montaje No. 2
implementados son muy parecidos con una mínima
variación. Existe una mayor variación en el método de
simulación respecto a los otros, esto tal vez se debe a que
el simulador trabaje o no con más exactitud con los 2. Una vez hecho el montaje sobre el protoboard, se
componentes utilizados para el Montaje No. 1. conectó a un generador de señales con una onda de
5Vp o 10 Vpp y una frecuencia de 1kHz.
Posteriormente sé realizó la medición de voltaje de
entrada y salida en el generador para observar la
B. Montaje No. 2 señal rectificada sobre la resistencia por medio del
osciloscopio; como se muestran en las figuras 11, 12
y 13.

Figura 9. Diseño Montaje No. 2

Figura 11. Señal de entrada en el generador mediante osciloscopio


1. Implementamos el circuito de la figura 9 utilizando
un diodo D1N4004 y una resistencia con valor de
1k.

Se conectaron los elementos tal y como se indica en


la figura 10 utilizando el protoboard.

Figura 12. Señal de salida en la resistencia mediante osciloscopio

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Figura 13. Señal de salida en la resistencia del tiempo de recuperación Figura 15. Simulación de la señal de salida en la resistencia del tiempo de
mediante osciloscopio recuperación mediante osciloscopio

Mediante las señales obtenidas del osciloscopio se 4. Por último, Al comparar los resultados obtenidos
observó lo requerido en la guía como: voltaje de
mediante el método práctico medido y el método
entrada en el generador, voltaje de salida en la
resistencia, el valor del tiempo de recuperación en de simulación podemos observar que la señal de
inverso, tiempo de almacenamiento y tiempo de salida en la resistencia no es la misma, varía un
transición. poco respecto a la generada en el método practico
medido esto debido al funcionamiento del
3. Realizamos la simulación del segundo montaje para
simulador y en este caso específico del osciloscopio
observar la señal obtenida en el método práctico.
del simulador.
Simulación
IV. ANALISIS DE RESULTADOS

Se pueden apreciar grandes diferencias entre los valores


medidos, teóricos y simulados siendo los teóricos y los
simulados los más similares, esto porque se trabajan en
condiciones casi que ideales puesto que los valores ingresados
en la simulación son los mismos utilizados para realizar todo
tipo de cálculos y en consecuencia deberían ser casi los
mismos valores a diferencia de las decimas tomadas.
La gráfica que se obtiene de los valores medidos es un poco
más toscos y burdos que los teóricos porque hay que contar
con que el valor de la resistencia no era del todo de 10 ohmios
y que al mantener el circuito conectado mucho tiempo por la
cantidad de corriente en aumento que circulaba a través de ella
Figura 14. Señal de salida en la resistencia mediante osciloscopio del
simulador.
se producía un aumento de temperatura en su encapsulado que
hacía variar la resistencia neta y por ello variaban los cálculos
de corriente.
Podemos ver que el margen de error entre los métodos
realizados para hallar la curva característica de un diodo
conectado en directo está en un ± 18,7 %, esto se lo podemos
deber a la resistencia dinámica que tiene el diodo por defecto
de fabricación ya que es una resistencia innata que trae el
componente por los materiales de los cuales está fabricado.
Respecto al Montaje No. 2 pudimos observar la diferencia
entre la señal de entrada del generador y como después de
conducir a través de los diferentes componentes cambia y nos
genera una señal de salida en la resistencia rectificada que nos

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da a conocer distintos valores que probablemente no


conoceríamos o veríamos solamente tomando valores.

CONCLUSIÓN

Con la realización de la práctica, se pudo comprobar y


concluir que entre más frecuencia se le dé al circuito, su
tiempo de recuperación inversa será el mismo,
independientemente de la frecuencia, ya sea de 1KHz o con
5KHz.

Además, se pudo concluir de acuerdo a los resultados del


experimento, que la suma del tiempo de transición y
almacenamiento es igual al tiempo de recuperación inversa.

Asimismo, se comprendió el uso adecuado de los diodos,


además de observar y analizar el comportamiento de estos en
distintas situaciones. Una de ellas fue observar el
comportamiento de ID con respecto a VD, además de analizar
el diodo como rectificador en la señal alterna y el uso que se
le da al condensador en estos casos en que funciona con filtros
de señales de AC. Lo aprendido en este laboratorio fue
importante para la comprensión del funcionamiento del diodo.
.
Durante el desarrollo se efectuaron una serie de
mediciones para diferentes configuraciones, obteniendo señal
de media onda rectificadora y señal de onda completa
rectificadora. Por medio del osciloscopio se analizo las señales
y se observó la influencia de los diferentes componentes en el
circuito.

Mediante esta práctica pudimos observar las


características principales de corriente y tensión de los diodos,
así como realizar mediciones experimentales del
comportamiento de los mismos y observar mediante la gráfica
generada mediante osciloscopio la señal del comportamiento
del diodo a la salida de la resistencia.

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