Electrónica I

1º Semestre de 2002/2003
Eng.ª de Sistemas e Computação + Eng.ª Física Tecnológica
Díodos I

Curva Característica

Material
Díodo de silício 1N914 ou equivalente
Resistências: 1KΩ, 100 Ω, e 10 Ω

Introdução

O díodo é um dispositivo de dois terminais, que é constituído por uma junção entre
dois tipos de semicondutores, um do tipo p e outro do tipo n. O funcionamento do díodo
foi discutido nas aulas teóricas. Neste laboratório vamos apenas concentramo-nos nas
características externas (corrente-tensão) do díodo e em algumas das suas aplicações
práticas.
O símbolo de um díodo está representado na Figura 1. Num díodo o terminal
marcado com um traço ou por um ponto é chamado de cátodo, e está geralmente bem
assinalado num díodo real. (Ver figura 1). O outro terminal é chamado de ânodo. A
terminologia é remanescente da notação do tubo de vácuo. O ânodo refere-se ao
potencial mais alto ou positivo, e o cátodo refere-se ao terminal de potencial mais baixo
ou negativo.

Material Tipo p Tipo n

Designação Ânodo Cátodo

Símbolo

Encapsulamento típico

Figura 1 – Símbolo de um díodo, designações e relação com a estrutura física.

A análise do comportamento eléctrico estático dos díodos de junção pn, feita nas
aulas teóricas pode ser sintetizada pela equação 1.
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I D = I s (e qVD / nKT − 1) (1)

Onde K é a constante de Boltzmann, T a temperatura absoluta e q a carga do electrão, VD

a tensão aos terminais do díodo, e n o factor de idealidade. IS é designada por corrente
de saturação, e é a corrente máxima com polarização inversa.
Dado que normalmente no laboratório trabalhamos a uma temperatura fixa
de T≈20ºC (293 K), podemos definir uma nova quantidade chamada tensão térmica VT.
kT
VT =
q
Podemos então escrever a Equação 1 na seguinte forma;
I D = I s (eVD / nVT − 1) (2)

A Figura 2 representa a curva característica de um díodo.

Figura 2. Notação e características corrente-tensão (I-V) de um díodo (note que a

corrente inversa está exagerada pela mudança de escala).

Um díodo de junção permite o fluxo de uma grande corrente no sentido directo, mas
conduz apenas uma pequeníssima corrente em sentido inverso. Enquanto a corrente
directa pode situar-se na faixa das dezenas ou mesmo centenas de miliampères, a
corrente inversa encontra-se usualmente na faixa dos nanoampères, ou seja, cerca de
seis ordens de grandeza menor.
Quando o díodo está polarizado diretamente, existe uma pequena queda de potencial
aos seus terminais, chamada barreira de potencial ou tensão de arranque. Para díodos de
silício à temperatura ambiente, esta tensão é de aproximadamente 0.7 V.
O facto de o díodo conduzir preferencialmente num sentido sugere o uso prático
destes dispositivos para a obtenção de uma tensão uniredicional a partir de uma tensão
alternada (rectificação). Este é um dos tópicos que terá a oportunidade de estudar neste
laboratório.

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Experimental
Nesta primeira experiência vai obter dados que lhe permitem traçar a curva
característica do díodo.
E1 - Monte o circuito da figura 2. Use um díodo de silíco (1N914 ou equivalente).

Vd
1KΩ

Figura 3. Circuito com díodo para traçado da curva característica.

E2 - Ajuste a fonte de alimentação de forma a medir tensões aos terminais da resistência

de 1 KΩ em incrementos de 0.1V (0.1 V, 0.2 V....). Para cada tensão use o multímetro
para medir a queda de tensão aos terminais do díodo (Vd). A corrente que passa no
díodo é a corrente que passa na resistência de 1 KΩ. Usando a lei de Ohm, determine a
corrente que passa no díodo.

E3 - Represente gráficamente a
curva estática do díodo (corrente -
tensão).
E4 - Determine a barreira de
potencial ou tensão de arranque VB, e ∆Id
a resistência do díodo em
polarização directa Rf (veja a Figura
4.)
∆Vd

VB
∆Vd
Rf =
∆I d

Figura 4. Curva estática de um díodo.

E5 - Monte o circuito representado na Figura 5.

E6 - Ligue o osciloscópio no modo X-Y, e ajuste as escalas na seguinte forma:
Vertical (ou Y), sensibilidade: 10 mV/divisão, acoplamento dc.
Horizontal (ou X), sensibilidade: 1V/divisão, acoplamento dc.
E7 - Coloque o ponto no centro do visor. Ajuste a frequência da onda triangular em
aproximadamente 100 Hz, e varie a amplitude até observar a curva característica do
díodo semelhante à representada na Figura 6.

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Entrada horizontal (X)

Osciloscópio
100 Ω

Entrada vertical (Y)

Vd
100 Hz 10 Ω

Figura 5. Arranjo experimental para visualizar a curva característica de um díodo

usando o modo X-Y de um osciloscópio.

A entrada horizontal do osciloscópio

mede a tensão aos terminais do díodo
(despreza-se a queda de tensão na resistência
de 10 Ω). A entrada vertical mede a queda de
tensão aos terminais da resistência de 10 Ω.
Usando a lei de Ohm é possível ler a corrente
no díodo (Id). Assim, se a escala vertical tiver
uma sensibilidade de 10 mV/divisão, então
em termos da corrente que passa pelo
resistência de 10 Ω , temos que:

Figura 6.

10 mV/divisão
Sensibilidade (escala vertical) = = 1mA/divisão
10

Introdução aos circuitos rectificadores.

Uma das aplicações mais correntes dos díodos é a rectificação, isto é, a

obtenção de uma tensão unidireccional a partir de uma tensão alternada. Se
intercalarmos um díodo à saída de uma fonte de alimentação sinusoidal, ele só deixa
passar a metade do ciclo em que está polarizado directamente, bloqueando quase
completamente a outra metade. Para evitar a ondulação, isto é, a descida da tensão a
zero no meio ciclo em que o díodo não conduz geralmente coloca-se um condensador de
capacidade adequada em paralelo com a saída.

E8 - Monte um circuito rectificador de meia onda representado na Figura 7, e observe as

formas de onda que obtém, quando em presença de um sinal de entrada sinusoidal.

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Utilize para esse efeito tensões alternadas sinusoidais de frequências diferentes (50 Hz;
1KHz; 10 KHz; e 100 KHz) Observe a tensão de saída para valores diferentes de C,
comece por fazer C=0.
(Este assunto continua no próximo guia de laboratório)

Vo

Vd
Vi
C 1KΩ

Figura 7. Circuito para observação da rectificação de meia-onda.

Simulação com o PSpice(trabalho facultativo)

Use o programa PSpice, para simular a característica I-V de um díodo para

várias temperaturas. Pode usar a versão instalada nos computadores dos laboratórios de
ensino da área departamental, ou obter a sua própria cópia da versão para estudantes no
seguinte endereço electrónico:
http://www.cadencepcb.com/products/downloads/PSpicestudent/default.asp

Bibliografia
Microelectronic Circuits, 4º edition
Adel S. Sedra, e Kenneth C. Smith Smith
Oxford University Press

Microelectrónica
Jacob Millman, Arvin Grabel
1º volume, 2ª edição, McGraw-Hill, 1992

Pode observar uma animação que demonstra o funcionamento de uma junção pn no

seguinte endereço electrónico:
http://www.st-and.ac.uk/Scots_Guide/info/comp/passive/diode/diode.htm

Nota histórica

(P  7KRPDV (GLVRQ REVHUYRX TXH R YLGUR GDV OkPSDGDV HVFXUHFLD FRP

R WHPSR R TXH R OHYRX D VXVSHLWDU GH TXH DOJR VH GHVORFDYD QR LQWHULRU GDV

OkPSDGDV TXH XVDYD (P  $PEURVH )OHPLQJ XWLOL]RX HVWH FKDPDGR ³HIHLWR

(GLVRQ´SDUDIDEULFDURSULPHLURGtRGRXPGLVSRVLWLYRFRPGRLVHOpWURGRVDRTXDOHOH

FKDPRX´YiOYXOD´

2SULPHLURGtRGRIRLFRQVWUXtGRQXPLQYyOXFURGHYLGURIHFKDGRDYiFXRWDO

FRPRDOkPSDGDHOpFWULFDGHILODPHQWRLQYHQWDGDSRU(GLVRQ

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8P GRV HOpFWURGRV GHQRPLQDVH

FiWRGR H p DTXHFLGR GH WDO PRGR TXH OLEHUWD

HOHFWU}HV 2 RXWUR HOpFWURGR GHQRPLQDGR

kQRGR RX SODFD FDSWD RV HOHFWU}HV HPLWLGRV

SHORFiWRGR

(VWD SDVVDJHP GH FRUUHQWH HOpFWULFD Vy VH YHULILFD VH R VLQDO GD FDUJD QR

kQRGR IRU SRVLWLYR &DVR D FDUJD GR kQRGR VHMD QHJDWLYD QmR H[LVWH SDVVDJHP GH

FRUUHQWHHOpFWULFD

(PERUD R GtRGR WHQKD VLGR FRQVWUXtGR

LQLFLDOPHQWHSDUDGHWHFWDURQGDVKHUW]LDQDVGH

DOWD IUHTXrQFLD IRL WDPEpP XWLOL]DGR FRPR

UHFWLILFDGRUGHFRUUHQWH

)LJXUD-RKQ$PEURVH)OHPLQJXVRXXPDOkPSDGDFRPRHVWDFRPXPHOpWURGRGH

ILR H[WUD QR VHX LQWHULRU)OHPLQJOHPEURXVHGLVVRHPTXDQGRSURFXUDYDXP

GHWHFWRUSDUDRQGDVGHUDGLR

1R GtRGR p SRVVtYHO FRQVXEVWDQFLDU XP VLVWHPD ELQiULR  H  DWUDYpV GD

GHWHFomR GD SDVVDJHP RX QmR GH FRUUHQWH HOpFWULFD 3RU HVWH IDFWR IRL R SULPHLUR

GLVSRVLWLYR HOHFWUyQLFR XWLOL]DGR QD FRQVWUXomR GRV FRPSXWDGRUHV &RP YiULRV

GtRGRVIRLSRVVtYHOFRQVWUXLUDPHPyULDELQiULD

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Projecto extra-curricular
O díodo semicondutor, além da importante função de retificar o sinal possui características
relativas à temperatura que o tornam capaz de medir tal grandeza. Na Figura 9 representam-se as
características I-V de um mesmo díodo para diferentes temperaturas. Se mantivermos a corrente que passa
pelo díodo constante, teremos aos terminais do díodo uma tensão que varia em função da temperatura (ver
Equação 3). Uma vez que dentro de determinadas aproximações, a tensão no díodo é directamente
proporcional à temperatura absoluta, podemos comparar a mesma com uma tensão de referência, e
implementar um controlador de temperatura com um díodo semicondutor. A Figura 10 representa um
diagrama esquemático de um circuito electrónico que implementa um destes controladores.

nk I 
VD = T ln D + 1 (3)
q  IS 

Figura 9. Curvas I-V de um díodo medidas a diferentes temperaturas.

Fig. 10 – Controlador de temperatura que usa díodos semicondutores como sensores de temperatura

Neste circuito, a tensão sobre o díodo D1 (que neste caso deve ser o sensor de temperatura) é
comparada com uma tensão ajustada em P1. Da maneira como está montado este circuito, L1 acende
quando a temperatura sobre o díodo D1 for maior que a temperatura ajustada. Se invertermos os pinos 2 e
3 do integrado 741, L1 acende quando a temperatura sobre o díodo for menor que o valor ajustado.

Ajuste da tensão de referência:

Para ajustar a tensão de referência, coloca-se a D1 a temperatura de ajuste. Em seguida, roda-se-

se o potenciometro até que L1 mude de estado. Este é o ponto de ajuste.

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Aplicações dos díodos

Electrónica Optoelectrónica

Circuitos lógicos Detectores

Circuitos rectificadores e Moduladores

limitadores

Díodos para sintonia e

para circuitos Díodos emissores de luz
misturadores

Díodos de efeito de túnel

Díodos para circuitos de Lasers de
rádio-frequência semicondutores