ELECTRÓNICA FÍSICA

u Objetivo
u Bases del programa
u Estructura del programa
u Bibliografía
u Evaluación
u Proporcionar una introducción a las
propiedades de transporte de los
semiconductores (estadística de electrones
y huecos, dispersión de portadores,
generación y recombinación de portadores
fuera de equilibrio).
u Mostrar cómo esas propiedades, junto con
las propiedades ópticas, determinan las
características, eficiencia y limitaciones de
algunos dispositivos electrónicos y
optoelectrónicos básicos.
 Bases del programa de “Electrónica Física”
u Contenido fijado por el Descriptor

Introducción a la física de semiconductores y

dispositivos electrónicos
u Orden de la exposición

Estructura Propiedades de Dispositivos

de bandas transporte electrónicos

u Selección de dispositivos a estudiar

u Dispositivos básicos que sirven de base a otros

u Dispositivos que ilustran la influencia de las
propiedades físicas del material
 A) INTRODUCCIÓN A LA FÍSICA DE
SEMICONDUCTORES

Lección 1.- INTRODUCCIÓN A LAS PROPIEDADES DE

TRANSPORTE DE LOS SEMICONDUCTORES: TEORÍA
SEMICLÁSICA.

Lección 2.- ESTADÍSTICA DE ELECTRONES Y

HUECOS.

Lección 3.- TEORÍA GENERAL DE LAS PROPIEDADES

DE TRANSPORTE.

Lección 4.- DISPERSIÓN DE LOS PORTADORES.

Lección 5.- PORTADORES FUERA DE EQUILIBRIO.

 B) FÍSICA DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
BÁSICOS
Lección 6.- EL DIODO TÚNEL Y LAS HETEROUNIONES PN

Lección 7.- DIODOS SCHOTTKY Y DISPOSITIVOS MOS

Lección 8.- DISPOSITIVOS GUNN.

Lección 9.- CÉLULAS SOLARES.

Lección 10.- FOTODETECTORES

Lección 11.- DISPOSITIVOS EMISORES: LEDS.

EL DIODO PN Y EL DIODO TÚNEL.

Lección 12.- LÁSERES SEMICONDUCTORES

 BIBLIOGRAFÍA
Física de semiconductores :
- "Semiconductor physics", K. Seeger, Ed. Springer-Verlag, Berlín, 1982.
- "Física del estado sólido y de semiconductores", J.P. McKelvey, Ed.
Limusa, Méjico, 1976.
- "Physics of semiconductors”, B. Sapoval, C. Hermann, Springer-Verlag,
1995.
- "Semiconductor physical electronics", S.L. Sheng, Ed. Plenum Press,
New York, 1993.
- “Fundamentals of semiconductors”, P.Y. Yu y M. Cardona, Springer-
Verlag, 1996.
- "Basic semiconductor Physics", C. Hamaguchi, Springer-Verlag, Berlín
2001
- "Physique des semiconducteurs et des composants électroniques", H.
Mathieu, Masson, Paris, 1998.
- "La physique des semiconducteurs", P. Kireev, Ed. Mir, Moscú, 1975.
- "Física de los semiconductores", K.V. Shalimova, Ed. Mir, Moscú, 1975.
 BIBLIOGRAFÍA
Dispositivos electrónicos: :
- "Physics of semiconductor devices", S.N. Sze, Ed. John Wiley, New York,
1981.
- "Fundamentos de electrónica física y microelectrónica", J.M. Albella, J.M.
Martínez-Duart, Ed. Addison-Wesley/U.A. Madrid, 1996.
- "Physique des semiconducteurs et des composants électroniques", H.
Mathieu, Masson, Paris, 1998.

Dispositivos optoelectrónicos:

"Optical electronics", A. Yariv, Ed. HoltSaunders, 1985.

- "Optoélectronique", E. Rosencher, B. Vinter, Ed. Masson, Paris, 1998
- "Physics of semiconductor devices", S.N. Sze, Ed. John Wiley, New York,
1981.
"Semiconductor laser physics", W.W. Chow, S.W. Koch, M. Sargent, Ed.
SpringerVerlag, Berlín, 1994
 BIBLIOGRAFÍA
Física de los sólidos :

- "Solid state physics", N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Ed. Holt-Saunders,

1976.
- "Introduction to solid state physics", C. Kittel, Ed. John Wiley, 1976.
- "Solid state physics", H. Ibach, H. Lüth, Ed. Springer-Verlag, Berlín, 1995.
- "Introduction to solid state theory", O. Madelung, Ed. Springer-Verlag,
Berlín, 1981
 EVALUACIÓN

EXAMEN :
Una parte de teoría, consistente básicamente en cuestiones (3/4) y otra de
problemas (1/4). Se podrá presentar un trabajo bibliográfico para subir nota
(hasta 1 punto).

TRABAJO/EXPOSICIÓN
Presentación de un trabajo bibliográfico relacionado con los contenidos de
la asignatura y exposición pública de dicho trabajo. El tema del trabajo
puede ser sobre un semiconductor y sus aplicaciones a dispositivos o
sobre un dispositivo con una introducción sobre los semiconductores que
se usan en su fabricación.
Semiconductores
Estructura diamante
elementales

IIB IIIB IVB VB VIB

B C N O

Al Si P S

Zn Ga Ge As Se

Cd In Sn Sb Te

Hg Tl Pb Bi Po
Configuración
sp3
Semiconductores Estructura zinc-blenda
compuestos

IIB IIIB IVB VB VIB

B C N O

Al Si P S

Zn Ga Ge As Se

Cd In Sn Sb Te

Hg Tl Pb Bi Po

Configuración
III-V: GaAs, InP, GaN, etc sp3

II-VI: ZnSe, CdTe, HgSe, etc

Estructura zinc-blenda Estructura NaCl

Configuración Capas
sp3 completas

Coordinación Coordinación
tetraédrica octaédrica
Enlace Enlace
covalente iónico
GaAs, ZnSe, CuBr MgO, KCl
 Enlace químico

Estados

2 Eae
Antienlazante
Ea

2 Enlazante
Ee
 - +
Orbitales s del + -
carbono en la 0E
molécula de - +
benceno + - + 0

+ + - -
2E
- + 0 +

+ + + 0

+ - + -
4E
- - 0 -
+ +

+ +
6E
+ +
 Molécula de
Buckminster-fullereno
Estructura electrónica
de los semiconductores
Banda de
conducción
(vacía)
EC

Eg Banda
prohibida

EV

Banda de
valencia
(llena)

Eg

ni = ( N C NV ) e
1
-
2 kT
Estados electrónicos en el campo periódico

r é h2 2 r ù r r r
HYkr (r ) = ê D +U(r )ú Ykr (r ) = E(k ) Ykr (r )
ë 2m û
r r r
U(r + R) = U(r )
Funciones de Bloch
rr r r r r
Ykr = e i k .r
ukr (r ) ukr (r + R) = ukr (r )
 Naturaleza química de las bandas
rr r rr r r
Ykr = e
i k .r
ukr (r ) Ykr = å e ik . Rn
F(Rn + r )
n
Bandas “s”
r r
Centro de zona: k=0 Ykr = å F(Rn + r )
a n

+ + + + + + + +

Estado enlazante
 Bandas “s”
r r
Ykr = å (- 1) F(Rn + r )
n
Borde de zona: k=p/a
n

+ - + - + - + -

Estado antienlazante
 Valor intermedio de k : 0<k<p/a

+ -
-
+ + + - - + + + - - + + +
 Bandas “p”
r r
Centro de zona: k=0 Ykr = å F(Rn + r )
n
a

+ + + + + + + +

Estado antienlazante
 Bandas “p”
r r
Ykr = å (- 1) F(Rn + r )
n
Borde de zona: k= p/a
n
a

+ - + - + - + -

Estado enlazante
 Estructura de bandas del silicio

(001)

EC
Eg
EV

(100) (010)
Bandas “p”

Bandas “s”
 Estructura de bandas del silicio

Banda de
conducción
(vacía)

EC
Eg Banda
prohibida
EV

Bandas “p”
Banda de
valencia
(llena)
Bandas “s”
GaAs ZnSe

E
r h 2k 2
e C (k ) = EC + *
2mC
Ec
Eg
r h 2k 2
Ev e V (k ) = EV - *
2mV
k
InSe (Eg=1.4 eV) GaSe (Eg=2.0 eV)

GaS (Eg=2.5 eV)

 C-d BN BeO GaN
IIB IIIB IVB VB VIB (4 eV) (4 eV) (5 eV) (3.3 eV)
B C N O

Al Si P S Si AlP MgS GaP

(1,06 eV) (2,5eV) (4 eV) (2.0 eV)
Zn Ga Ge As Se

Cd In Sn Sb Te Ge GaAs ZnSe GaAs

(0.66eV) (1.4 eV) (2.6 eV) (1.4 eV)
Hg Tl Pb Bi Po

Sn InSb CdSe GaSb

(0,02 eV) (0.2 eV) (2 eV) (0.7 eV)
GaAs ZnSe
GaAs (directo) Si (indirecto)

E E

Ec
Eg Ec
Ev Eg
Ev

k k
l (mm) hn (eV)
Emisión Detección Aplicaciones
0.3 4.0
AlN, BeO GaN, ZnO
GaN, ZnO
0.4 3.0
ZnSe, ZnTe
GaxIn1-xN
Si
0.6 2.0 GaP Análisis
GaxAl1-xAsxP1-x
GaAs Comunicaciones
1.0
1.0 GaxIn1-xAsxSb1-x Ga In As ópticas
x 1-x x

2.0 Ge Análisis
SnxPb1-xSexTe1-x InSb
10 0.0 HgxCd1-xTex Teledetección
LEDS y láseres de GaN