UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERÍA Y ARQUITECTURA

MEBLEC
(Modelo Educativo B-Learning por Competencias)

SOLUCIÓN A TAREA # __3__

Tema de la Tarea: Polarización para Transistores Bipolares

BJT

Asignatura: ELECTRÓNICA II

Estudiante(s): José Salvador Montalvo

Castañeda ___MC201401

Tutor: Ing. Raúl Alberto García Aquino

MISIÓN DE LA UNIVERSIDAD
Formar Profesionales con Alto Sentido Crítico y Ético, con Capacidad de
Autoformación y con las Competencias Técnico-Científicas requeridas para resolver
problemas mediante soluciones enfocados en el Desarrollo Social y Respetuosas del
Medio Ambiente.

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 ÍNDICE

Pagina

Introducción………………………………………………………………….. 3

Desarrollo de la guía ……………………………………………………….. 4-13

Fuente de consulta y Bibliografía……………………………………………14

2
 INTRODUCCIÓN

- Región de corte: Un transistor está en corte cuando la corriente de colector = la

corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito.
Como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje, ver Ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib = 0)

- Región de saturación: Un transistor está

saturado cuando la corriente de colector = la
corriente de emisor = la corriente máxima, (Ic = Ie
= I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del
circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver L a ley
de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector ß veces más grande. (Recordar que
Ic = ß * Ib)

- Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la

región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa.
En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de
base (Ib), de ß (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la
más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Configuraciones del transistor bipolar

Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores, cada
una de ellas con características especiales que las hacen mejor para cierto tipo de
aplicación. y se dice que el transistor no está conduciendo. Normalmente este caso se
presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
-
Las corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se
toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y que no afectan
en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

3
 Desarrollo de la guía
1. Para la Fig. 5, utiliza la RB que nos dan y dibuja el punto Q de operación en las gráficas
de salida utilizadas en esta guía.

Fig. 5: “Polarización de base para Emisor Común”

RC = 2.2 kΩ
RB = 240 kΩ
VCC = 12 Voltios

VCC=RBIB+VBE

VBE = 0.7

IB= VCC - VBE = 12 V-0.7

RB 240 kΩ

IB = 47mA

2. Escribe las conclusiones que se obtienen de las figuras 6,7 y 8 de esta guía.
3. Para el problema 1 de esta guía en la parte “c” dice que el valor de 0.7 voltios en
la base lo confirma el valor de VCEQ, explique esta aseveración

4. De que otra manera se podía calcular VE en el problema 2, demuéstrelo

VB = VBE + VE

VE = VB - VBE

De acuerdo al ejemplo numérico del problema 2

4
VB = VBE + VE = 0.7V + 2.01V = 2.71 voltios

VE = VB - VBE = 2.71V – 0.7V

VE = 2.01 V

5. Investigue y explique porque la adición de RE en el circuito de polarización de la

figura 10 proporciona estabilidad.

 La adición de un resistor emisor a la polarización de cd del BJT mejora la

estabilidad, es decir, las corrientes de polarización en cd y los voltajes
permanecen próximos a los valores establecidos por el circuito cuando las
condiciones externas, como la temperatura y la beta del transistor, cambian.

6. En el ejemplo numérico 3, explica y profundiza más porque los valores para el

método exacto difieren que para el método aproximado

7. ¿Qué concluye al observar los puntos Q en la figura 7 y la 8?

En la fig.7 se puede observar que variando la R C y manteniendo fijo IB y VCC la

corriente de colector tiende a aumentar el punto Q 1 está próximo a la región de
saturación y los puntos Q2 y Q3 se va acercando a la región activa.

8. Escriba las ventajas y desventajas de las diferentes polarizaciones a que hace

alusión el video asociado a la Ruta de Aprendizaje 6.

Polarización fija

 Es la más simple para la polarización de un transistor

 Es muy inestable ya que es muy sensible a la ganancia de la corriente del
transistor (Desventaja)

Polarización estabilizado en emisor

 Cuenta con una RE que sirve para mejorar la estabilidad en la configuración fija
y no ser influenciado cuando los factores externos cambian.

Polarización por divisor de voltaje

 Permite que la IC y el VCE sean independientes de la ganancia de corriente del

transistor.
 Este ckto de polarización es de los más utilizados porque es bueno, barato y
efectivo.

9. Para la figura 9, repite todos los cálculos pero para VCC 18 voltios y β=90.

5
VCC= 18 voltios a) IBQ e ICQ
β = 90 b) VCEQ
RC =2.2KΩ c) VB y VC
RB =240KΩ d) VBC

a) IBQ e ICQ

VCC – IBRB – VBE = 0

IBQ = = = 72.08 µA

ICQ = βIBQ = (90) (72.08 µA)

ICQ = 6.48 mA.

b) VCEQ

Para malla de salida:

VCC – ICRC – VCE = 0

Despejando VCE:
VCEQ = VCC – ICRC
VCEQ = 18V – (6.48mA)(2.2KΩ)
VCEQ = 3.75 Voltios

c) VB y VC

VB = VBE = 0.7 V
VC = VCEQ = 3.75 Voltios
6
 d) VBC

VBC = VB – VC
VBC = 0.7 V – 3.75 V
VBC = -3.05 Voltios (signo negativo ya que esta unión trabaja en polarización
inversa)

10. Para la figura 10, repita todos los cálculos para VCC = +16V y β=90

VCC= +16 Voltios a) IB f) VB

β = 90 b) IC g) VBC
RC =2KΩ c) VCE
RB =430KΩ d) VC
RE = 1KΩ e) VE

a) IB

IB = = = 29.4 µA

b) IC

IC = βIB
IC = (90) (29.4 µA)
IC = 2.65 mA

c) VCE
VCE = VCC – IC (RC+RE)
VCE = 16V – 2.65mA (2KΩ + 1KΩ)
VCE = 8.1 Voltios

d) VC
7
VC = VCC - ICRC
VC = 16V – 2.65mA (2 KΩ)
VC = 10.7 Voltios

e) VE

VE = VC - VCE
VE = 10.47 V – 8.1V
VE = 2.6 Voltios

f) VB

VB = VBE + VE
VB = 0.7V + 2.6V
VB = 3.3 Voltios
g) VBC

VBC = VB - VC
VBC = 3.3V -10.7 V
VBC = -7.4 Voltios

11. Para la figura 11, repita todos los cálculos para VCC = +20V y β=90

Fig. 11: “Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje”

VCC = +20V a) ICQ

β = 90 b) VCQ
RB1 =82 KΩ
RB2 =22 KΩ
RC =5.6 KΩ
RE = 1.2 KΩ

a) ICQ

8
Método Exacto

RTH = RB1//RB2 = 82KΩ//22kΩ = 17.35 kΩ

ETh = = = 4.23Voltios

IB = = = 27.8µA

ICQ = βIB
ICQ = (90) (27.8 µA)
ICQ = 2.5 mA

b) VCQ
VCQ = VCC – IC (RC + RE)
VCQ = 20V – 2.5mA (5.6KΩ + 1.2 KΩ)
VCQ = 3 Voltios

Método Aproximado

VB = ETh = 4.23 Voltios

VE = VB – VBE
VE = 4.23 V – 0.7 V
VE = 3.53 Voltios

ICQ ≈ IE = =

ICQ = 2.94 mA (diferente al del método exacto)

VCQ = VCC – IC (RC + RE)

VCQ = 20V – 2.94mA (5.6KΩ + 1.2 KΩ)
VCQ = 0.1 V (diferente a los 3 voltios del metodo exacto)

9
12. Para la figura 13, repita todos los cálculos para VEE = -18V y β=50

Fig. 13: “Circuito Seguidor de Emisor”

Aplicando Kirchhoff al circuito de entrada:

-VEE + IERE + VBE + IBRB = 0 Ec.8

Pero:

IE = (β+1) IB

-VEE + (β+1) IBRE + VBE + IBRB = 0

IB = = = 50.5 µA

Luego,

IC = βIB, sustituyendo valores:

IC = (50)50.5 µA = 2.52 mA

Aplicando la Ley de Voltaje de Kirchhoff a la salida tenemos:

-VEE + IERE + VCE = 0

Pero, IE = (β+1) IB
Sustituyendo esta última expresión en la anterior:

-VEE + (β+1) I BRE + VCE = 0 y despejando el voltaje colector-emisor:

VCEQ = VEE – (β+1) IBRE y sustituyendo valores:

10
 VCEQ = 18V – (51) (50.5µA)(2kΩ) = 12.84 Voltios

Calculando la corriente de emisor:

IE = (β+1) IB = (90+1)(50.5 µA) = 4.59 mA

13. Para la figura 14, repita todos los cálculos para VCC = +12V, VEE= -6V y β=90

Fig. 14: “Circuito Base Común”

RE = 1.2kΩ; VEE = -6 voltios; VCC = 12 voltios; RC =2.4kΩ; β=90; determinar VCB y IB.

Aplicando Kirchhoff a la entrada:

-VEE + IERE + VBE = 0

Despejando IE:

IE = = = 4.41 mA

Para la salida:

VCC – ICRC – VCB = 0; despejando VCB y considerando IC≈IE:

VCB = VCC – ICRC = 12V – (4.41mA) (2.4kΩ) = 1.42 voltios.

Para encontrar IB:

IB = = = 4.9 µA

14. Para la figura 15, repita todos los cálculos para VCC = +18V, VEE= -15V y β=90

11
 Fig. 15: “Circuito de Polarización con Doble Fuente”

VCC = +18 voltios; VEE = -15 voltios; RB1=8.2 kΩ; RB2=2.2 KΩ; RC=2.7 kΩ; RE=1.8 kΩ;
β=90

a) VC, b) VB

La resistencia y voltaje Thevenin se calcula para la red de entrada:

RTh = RB1//RB2 = 8.2kΩ//2.2kΩ = 1.73kΩ

Para el ETh:

I1 = = = = 3.17 mA

Luego la red de entrada puede ser redibujada así:

12
Aplicando Kirchhoff a esta red:

-ETh – IBRTh – VBE – IERE + VEE = 0 y sustituyendo IE = (β+1)IB y Despejando IB

tenemos:

IB =

Sustituyendo valores en la expresión anterior:

IB = 52.79µA

Con el valor anterior encontramos la corriente de colector con la expresión de

ganancia de corriente propia de esta configuración para luego calcular el voltaje de
colector:

IC = βIB = 90(52.79µA) = 4.75 mA

Luego:

VC = VCC – ICRC, sustituyendo valores en esta última expresión:

VC = 5.15 voltios.

Para calcular el voltaje de base:

VB = ETh – IBRTh, y sustituyendo valores:

VB = -(3.8 V) – (52.79 µA)(1.73 kΩ)

VB = -12.93 voltios

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 FUENTES DE CONSULTA Y BIBLIOGRAFÍA

 Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; “Electrónica: Teoría de Circuitos”;

Décima Edición

 https://www.youtube.com/watch?v=bebkviZtMDQ

 Guía aprendizaje #6 “Polarización para Transistores Bipolares BJT”

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