UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO

FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA
ELECTRONICA

 
SEMICONDUCTOR
ES 

 
 
 
 
CURSO:  
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 
 
PROFESOR:  
Manuel Carnero Arroyo 
 
ALUMNO Y NUMERO DE ORDEN: 
 
Cáceres Alvarado, César (4) 
 
  

Trujillo​ 2018 

MATERIALES SEMICONDUCTORES

1) ¿Cómo se generan los portadores en un semiconductor? Explique.

2) ¿Que son los huecos en un semiconductor? Justifique

cuidadosamente su definición.

Un hueco en un semiconductor es la ausencia de un electrón en la banda

de valencia, esta ausencia equivale a una carga positiva del núcleo por lo que
el hueco se puede comparar con una carga positiva, pues este es un espacio
para que un electrón se transporte en el sentido contrario

3) Explique cómo es la configuración electrónica y la estructura cristalina del

Silicio.

4) ¿Cuándo un material semiconductor se considera intrínseco?

Explique.
Se denomina intrínseco a un semiconductor puro, es decir contiene una
cantidad nula de átomos de impurezas o también es el semiconductor en el
cual sus propiedades son innatas al material, (es decir: no son producidas por
agentes externos). Una de las propiedades que nos hacen identificar este tipo
de material es que el numero de electrones por unidad de volumen (n), es igual
al número de huecos por unidad de volumen (p)
n = número de electrones/cm3
p = número de huecos/cm3 p = n = ni

5) En un semiconductor intrínseco, quien determina la cantidad de

portadores lires. Explique.

6) El Silicio intrínseco tiene, a temperatura ambiente (300 K), p = n = ni

= 10​10 cm​-3​, la movilidad de los electrones es de 1358 cm​2​/V.s y la de
los huecos del orden de 461 cm​2​/V.s. La conductibilidad es
2, 96 x 10​-6​ [1/ Ω.cm ]
DATOS
T = 300K
10
ni = 10 cm−3
−10 1
σ = 2, 96 * 10 Ω cm
2
un = 1358 cm
V s
2
up = 461 cm
V s

p = n = ni

¿Cuánto vale la relación entre las conductibilidades de

a.
electrones y huecos?
Para solucionar esta parte del problema vamos a partir de la conductibilidad e
igualar n=p=ni ya que es intrínseco.
σ = q (un n + up p)

σ = σn + σp

σn = q ni un

σp = q ni up
σn
un
= q ni
σp
up
= q ni
σn σp
un
= up
= q ni
σn un
σp
= up
= relacion de conductibilidad(σ), a la cual def inire como α

2
un 1358 cm
α= up
= V s
2
461 cm
V s

α = 2, 94 es la relacion entre conductibidad de electrones y huecos respuesta a

b. ¿Qué campo eléctrico debería aplicar para que circule una J

= 1 mA/cm​2​?
1x 10−3 A/cm2
J = 1 x 10−3 A/cm2 J = σ EE = J /σE =
2,96* 10−10 Ω 1cm

E = 3, 38 V /cm respuesta b
c. Calcule y tabule n​i​(T) para T comprendida entre 50 K y 500K,
en saltos de 50 K.

7) A que temperatura cada átomo de silicio aporta un electrón a la banda de

conducción. Calcule y explique.
 8) Explique que es el proceso de RECOMBINACION. De qué depende.
Explique.

Un electrón que pase de la banda de conducción a la banda de valencia

para ocupar un hueco se conoce como recombinación, dicha tasa de
recombinación es el numero de pares electrón – hueco que desaparecen por
unidad de volumen y tiempo.

El fenómeno inverso, el de un electrón que de la banda de valencia pase a

la banda de conducción entonces hablamos de generación de un par electrón -
hueco, lo cual es creado por unidad de volumen y tiempo

9) Que es un semiconductor EXTRINSECO. Explique.

10) Cuantos tipos de semiconductores extrínsecos conoce. Como se

genera cada uno de ellos.

Hay dos tipos de semiconductores extrínsecos, los cuales son de tipo p, y

de tipo n
→ Semiconductor extrínseco de tipo n

La inserción de átomos pentavalentes en la estructura cristalina de un

semiconductor permite introducir artificialmente electrones libres. En efecto,
uno de los cinco electrones de la capa periférica de los átomos pentavalentes
no participa en los enlaces de valencia; en un semiconductor de tipo n los
electrones son mayoritarios mientras que los huecos son minoritarios.
→ Semiconductor extrínseco de tipo p

En el de tipo p, es posible introducir artificialmente huecos en lugar de

electrones para ello se introducen átomos trivalentes en la estructura cristalina.
Los electrones de la capa periférica de estos átomos toman parte en tres
enlaces de valencia, dejando un hueco en el cuarto.
Un electrón cualquiera puede salir del enlace que ocupa, dejando a su vez un
hueco detrás de él y venir a ocupar el lugar vacante; en un semiconductor de
tipo p los huecos son mayoritarios mientras que los electrones libres son
minoritarios.

11) En los semiconductores tenemos dos fenómenos de generación de

portadores: generación intrínseca y generación extrínseca. ¿Cuáles son
las diferencias entre ambos? ¿Qué genera cada uno?
 12) En un semiconductor:
a. ¿Cómo varía el tiempo medio entre choques con el aumento
de la contaminación de impurezas? ¿Por qué?
Cuando las colisiones son aleatorias, es muy probable que el choque de
cualquier electrón sea constante
b. ¿Cómo varía el tiempo de vida media de los minoritarios con
el aumento de la contaminación de impurezas? ¿Por qué?
Las impurezas de metales de transición suelen crear estados profundos en el
intervalo de banda prohibido, y esto puede ser perjudicial para la fabricación de
dispositivos.
c. ¿Por qué midiendo la corriente con un amperímetro, no
puedo distinguir si está producida por electrones o por
huecos? ¿Qué método de medición debería usar para
detectar la diferencia de portador?
La conducción eléctrica a través de un semiconductor es el resultado del
movimiento de electrones (de carga negativa) y de los huecos (cargas
positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un generador.

13) ¿Cómo varía la movilidad con la concentración de impurezas? ¿Por qué?

¿Depende la movilidad del tipo de impureza con que contamine?

14) ¿Cómo varia la movilidad con la temperatura en un semiconductor

extrínseco. Que fenómenos se presentan en la variación de la
movilidad con la temperatura. Explique.

La movilidad en un semiconductor extrínseco se ve afectada según el

nivel de dopaje.
→En materiales ligeramente dopados, la dependencia general de la
temperatura en la movilidad de los portadores. Al aumentar la temperatura del
sistema se produce un aumento contante de la agitación térmica de los átomos
del semiconductor, lo que a su vez aumenta la dispersión por la red cristalina.
Como la dispersión por la red constituye el mecanismo dominante de la
dispersión en los materiales poco dopados, el aumento de la temperatura
produce por lo tanto una reducción uniforme de los portadores, es decir
→En materiales con dopados más elevados, la dependencia de la
temperatura refleja los efectos añadidos de la dispersión por impurezas
ionizadas. Esta dispersión por impurezas ionizadas no solo es significativa en
materiales fuertemente dopados, sino que puede incluso constituir el
mecanismo dominante de dispersión por a bajas temperaturas. Esto es así
porque, a diferencia de la dispersión por la red cristalina, la dispersión por
impurezas ionizadas presenta una dependencia inversa de la temperatura,
pues disminuye cuando la temperatura aumenta.
 15) En un semiconductor extrínseco, cuando aplico una variación de su
temperatura respecto al tiempo en forma de escalón
a. ¿Cómo varia la concentración de portadores?,
b. ¿De qué depende la velocidad con que llega al equilibrio la
concentración de portadores?
c. ¿Qué portadores varían más, los mayoritarios o minoritarios?
Justifique. Justifique cada respuesta

16) Una oblea de silicio tiene 5 cm de diámetro y contiene 10​15 cm​-3

átomos de arsénico. ¿Qué espesor deberá tener la oblea para que la
resistencia entre las caras sea 0,1Ω?

DATOS
Asumo una oblea como un circulo, en el cual hallaré el espesor

R = 0, 1Ω

r = 2, 5cm
15
ni = 10 cm−3
2
un = 1360 cm
Vs

SOLUCION

= 4, 59 ΩcmR = ρ espesor
1 1 1 R (área)
ρ= ρ = ρ = ρ espesor = espesor
q ni un (1,6x10−19 A s)(1015 cm−3 )(1360 cm2 /V s) 0,2671 VA cm area ρ

espesor = 0, 428 cm ​respuesta

 17) Corriente por Difusión
a. Explique el fenómeno de Difusión.
b. ¿Qué es la corriente por Difusión?
c. Escriba la ecuación de corriente por difusión de electrones y
huecos en un semiconductor.
d. ¿Por qué el transporte de corriente por difusión depende de la
temperatura? Explique.
e. Que es la constante ​D​ de la ecuación y como la calcula.

→Bibliografía
Robert F Pierret ​FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES, ​Edit. Addison-
Wesley Iberoamericana - Estados Unidos, segunda edición 1988; pag 57-70.
Jean Chatelain ​DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, ​Edit. Limusa – Mexico,
primera edición 1987; pag 11-23.

NOTA: la entrega del presente trabajo es por el correo institucional.

1. Máxima hora para entregar el trabajo: ​6pm del sábado 19 de mayo del
2018.
2. Los alumnos que entreguen el trabajo con anticipación a la fecha límite,
tienen un mayor puntaje en su calificación.
3. Trabajos similares serán anulados (cero puntos)
4. Los alumnos con número de orden par, resolverán las preguntas pares
y los alumnos con número de orden impar las preguntas impares.
5. Máximo puntaje del trabajo 3 puntos; los cuales se sumaran a su nota
de examen parcial