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Circuiti in

regime sinusoidale

www.die.ing.unibo.it/pers/mastri/didattica.htm
(versione del 2-10-2010)

Funzioni sinusoidali

a(t )  AM cos(t  )

AM  ampiezza
  fase iniziale (radianti, rad)
(≤ )
  pulsazione (rad/s)
f  frequenza (hertz, Hz)
T  periodo (secondi, s)

1 2 2π
f  T   2f
T  T
2
Regimi sinusoidali

● Si considera un circuito lineare in cui tutti i generatori


indipendenti sono sinusoidali e hanno la stessa pulsazione 
● Le equazioni del circuito costituiscono un sistema di equazioni
differenziali lineari nel quale i termini noti sono funzioni
sinusoidali con pulsazione 
● Le equazioni generalmente ammettono una soluzione
sinusoidale con pulsazione 
● Se il circuito è asintoticamente stabile, questa soluzione
particolare rappresenta la componente di regime della risposta
( regime sinusoidale)

Regimi sinusoidali

● Regime sinusoidale: condizione di funzionamento di un circuito


nella quale tutte le tensioni e le correnti sono funzioni sinusoidali
del tempo aventi la stessa pulsazione 
● Fissata la pulsazione, una funzione sinusoidale è definita da due
parametri
 Ampiezza
 Fase
● Il problema della determinazione della soluzione particolare
sinusoidale delle equazioni del circuito (cioè della determinazione
delle ampiezze e delle fasi di tutte le tensioni e correnti) può
essere ricondotto ad un problema di tipo algebrico mediante la
trasformata di Steinmetz
● Il metodo di analisi basato sulla trasformata di Steinmetz è detto
anche metodo simbolico
4
Trasformata di Steinmetz
● Trasformata di Steinmetz: S
 Ad ogni funzione sinusoidale di pulsazione 
a(t)  AMcos(t+)
si associa un numero complesso A avente
 modulo AM ( ampiezza della funzione sinusoidale)
 argomento  ( fase della funzione sinusoidale)

A  Sa(t )  AM e j  AM (cos   j sen )


 A  fasore o numero complesso rappresentativo di a(t)

● Antitrasformata di Steinmetz: S1

   
a(t )  S 1A  Re Ae jt  Re AM e j ( t   )  AM cos(t  )

Interpretazione geometrica

s(t )  A e jt  AM e j ( t   )

 
a(t )  Re A e jt  AM cos(t  )

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Proprietà della trasformata di Steinmetz

Unicità
● La trasformata di Steinmetz stabilisce una corrispondenza
biunivoca tra le funzioni sinusoidali di pulsazione  e i numeri
complessi

a(t )  AM cos(t  ) A  Sa(t )  AM e j


b(t )  BM cos(t  ) B  Sb(t )  BM e j

a(t )  b(t ) t  AB

Proprietà della trasformata di Steinmetz

Linearità
● La trasformata di Steinmetz è un’operazione lineare

a(t )  AM cos(t  ) A  Sa(t )  AM e j


b(t )  BM cos(t  ) B  Sb(t )  BM e j

k1 , k 2  R :
Sk1 a(t )  k 2 b(t )  k1Sa(t ) k 2Sb(t )  k1A  k 2 B

8
Proprietà della trasformata di Steinmetz

Regola di derivazione
● La trasformata della derivata di una funzione sinusoidale si ottiene
moltiplicando per j la trasformata della funzione

a(t )  AM cos(t  ) A  Sa(t )  AM e j

S 
d a
  jSa(t )  jA
 dt 
● Dimostrazione:
da  
  AM sen(t  )  AM cos t    
dt  2
  
S    AM e  2   AM e j e 2  jAM e j  jA  jSa(t )
da j    j

 dt 
9

Proprietà della trasformata di Steinmetz

Regola di derivazione
● Applicando ricorsivamente la regola di derivazione si possono
ottenere le trasformate delle derivate di ordine superiore

d 2 a  d a 
S  2   j  S    ( j) 2 A  2 A
 dt   dt 
d 3 a  d 2 a 
S  3   j  S  2   ( j) 3 A   j3 A
 dt   dt 

d n a   d a n 1 
S  n   j  S  n 1   ( j) n A
 dt   dt 

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Antitrasformata

● Noto il numero complesso rappresentativo A di una funzione sinusoidale


A  AM e ja  x  jy
e nota la pulsazione , è possibile determinare in modo univoco la
funzione sinusoidale a(t) mediante la relazione

a( t )  S 1A  AM cos(t  )  A cost  arg( A )

● Nota:
 Vale la relazione tg  yx ma questo non consente di affermare
che   arctgyx
 Dato che la funzione tangente ha periodo  esistono due valori di 
nell’intervallo  in cui la tangente ha lo stesso valore
 Per determinare  occorre tenere conto dei segni di x e y
11

Antitrasformata – determinazione della fase

12
Antitrasformata – determinazione della fase

A  x  jy  AM e j

AM  x 2  y 2
 y
 arctg    sgn( y ) per x  0
x
 
    sgn( y ) per x  0
 2
arctg y per x  0
 x
 1 per y  0

sgn( y )   0 per y  0
 1 per y  0

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Bipoli in regime sinusoidale

● Condizioni di regime sinusoidale


● Tensione e corrente orientate secondo la convenzione dell’utilizzatore:

v(t )  VM cos(t  V ) V  Sv(t )  VM e jV


i(t )  I M cos(t   I ) I  Si(t )  I M e j I
● Sfasamento fra tensione e corrente: V  I

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Resistore in regime sinusoidale

v(t )  R i(t )  RI M cos(t   I ) V  RI


i(t )  G v(t )  GVM cos(t  V )  I  GV

VM  RI M
V   I    0  la tensione e la corrente sono in fase

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Induttore in regime sinusoidale

di 
v(t )  L  LI M sen( t   I )  LI M cos(t   I  )
dt 2
VM  LI M
  la corrente è in quadratura in ritardo
V   I     rispetto alla tensione
2 2
16
Induttore – relazioni tra i fasori

di V  jLI  jX L I
v(t )  L  1
dt Ij V  jBL V
L

Reattanza: X L  L
1 1
Suscettanza: BL   
L XL

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Condensatore in regime sinusoidale

dv 
i(t )  C  CVM sen( t  V )  CVM cos(t  V  )
dt 2
I M  CVM
  la corrente è in quadratura in anticipo
V   I       rispetto alla tensione
2 2
18
Condensatore – relazioni tra i fasori

dv I  jCV  jBC V
i(t )  C  1
dt Vj I  jX C I
C

Suscettanza: BC  C
1 1
Reattanza: XC   
C BC

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Impedenza e ammettenza
● Le relazioni tra i fasori della tensione e della corrente per il
resistore, l’induttore e il condensatore sono casi particolari delle
equazioni
V  ZI I  YV

Componente Z Y

Resistore R G
1
Induttore jL j
L
1
Condensatore  j jC
C

20
Impedenza e ammettenza

● Più in generale, per un bipolo lineare non contenente generatori


indipendenti, la tensione e la corrente sono legate tra loro da
relazioni differenziali lineari omogenee
 Per la proprietà di linearità e la regola di derivazione della
trasformata di Steinmetz, le corrispondenti relazioni tra i fasori
della tensione e della corrente sono lineari algebriche omogenee,
e quindi ancora del tipo

V  ZI I  YV

● Nel caso generale Z e Y sono funzioni complesse della


pulsazione
Z()  R ()  jX ()
Y()  G ()  jB ()
21

Impedenza
● Per un bipolo lineare non contenente generatori si definisce impedenza
il rapporto
V VM j
Ζ  e
I IM
R  resistenza
Z  R  jX  (unità di misura ohm)
X  reattanza
● Il modulo dell’impedenza è uguale al rapporto tra le ampiezze della
tensione e della corrente
VM
Z
IM
● L’argomento dell’impedenza è uguale allo sfasamento tra la tensione e
la corrente
  corrente in ritardo sulla tensione
arg(Z)    V  I
  corrente in anticipo sulla tensione
22
Ammettenza
● Il reciproco dell’impedenza è detto ammettenza
1 I I M  j
Y   e
Z V VM
G  conduttanza
Y  G  jB  (unità di misura siemens)
B  suscettanza

● Valgono le relazioni
1 R  jX R  jX 1 G  jB
Y   2 Z  2
R  jX ( R  jX )( R  jX ) R  X 2 G  jB G  B 2
R R X X
 G  B  
R2  X 2 Z 2 R2  X 2 Z
2

G G B B
 R  X   
G2  B2 Y 2 G2  B2 Y
2

23

Analisi di circuiti in regime sinusoidale

Equazioni dei componenti


● Generatori indipendenti:
sono note le tensioni o le correnti  sono noti anche i loro fasori
V  VG
I  IG
● Bipoli lineari:
V  ZI
I  YV
● Generatori dipendenti:
per la proprietà di linearità, le relazioni tra i fasori sono
I 2   I1 I 2  gV1
V2  rI1 V2  V1
24
Analisi di circuiti in regime sinusoidale

Equazioni dei collegamenti


● Le relazioni tra le grandezze funzioni del tempo sono espresse
da equazioni algebriche lineari omogenee del tipo

 k
 i k (t )  0

 k
 v k (t )  0
 Per le proprietà di unicità e di linearità della trasformata di
Steinmetz

 k
 Ik  0
I k  Si k (t ) Vk  Sv k (t )
 k
 Vk  0
 Le leggi di Kirchhoff valgono anche per i fasori delle tensioni
e delle correnti
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Analisi di circuiti in regime sinusoidale


● Le equazioni di un circuito lineare in regime sinusoidale, scritte in
termini di fasori, hanno la stessa forma delle equazioni di un circuito
lineare resistivo in regime stazionario
● Le proprietà e metodi di analisi dedotti a partire delle equazioni generali
dei circuiti resistivi possono essere estesi ai circuiti in regime sinusoida-
le con le sostituzioni:
 Resistenza  Impedenza
 Conduttanza  Ammettenza
 Tensione  Fasore della tensione
 Corrente  Fasore della corrente
● In particolare si possono estendere ai circuiti in regime sinusoidale
 le relazioni di equivalenza riguardanti collegamenti tra resistori o
generatori (serie, parallelo, stella-triangolo, formule di Millman ecc.)
 i metodi di analisi generali (metodo delle maglie,metodo dei nodi e
metodo degli anelli)
 il teorema di sovrapposizione
 i teoremi di Thévenin e Norton
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Impedenze in serie e in parallelo
● Impedenze in serie
N
V   Vk V  ZS I
k 1 N
Ik  I ZS   ZK
Vk  Z k I k k 1

● Impedenze in parallelo
N I  YP V
I   Ik N
k 1 YP   YK
Vk  V k 1

I k  Yk Vk 1 1
ZP  
YP N
1
Z
k 1 k

27

Partitore di tensione e di corrente

● Partitore di tensione
Zj
Vj  V N

Zk 1
k

● Partitore di corrente
Yj
Ij  I N

Y
k 1
k

28
Trasformazioni dei generatori

VG  ZIG IG  YVG

29

Equivalenza stella-triangolo

Z12 Z13 Z1Z 2  Z1Z 3  Z 2 Z 3


Z1  Z12 
Z12  Z13  Z 23 Z3
Z12 Z 23 Z1Z 2  Z1Z 3  Z 2 Z 3
Z2  Z13 
Z12  Z13  Z 23 Z2
Z13 Z 23 Z1Z 2  Z1Z 3  Z 2 Z 3
Z3  Z 23 
Z12  Z13  Z 23 Z1
30
Teorema di sovrapposizione
● Ipotesi:
 circuito lineare contenente
 NV generatori indipendenti di tensione vG1(t), ..., vGNV(t)
 NI generatori indipendenti di corrente iG1(t), ..., iGNI (t)
 tutti i generatori sono sinusoidali con la stessa pulsazione 
 condizioni di regime sinusoidale
 I fasori della tensione e della corrente del generico lato i sono
combinazioni lineari dei fasori delle tensioni e delle correnti impresse
dai generatori indipendenti
NV NI
Vi   α ik VGk   z ik I Gk
k 1 k 1
NV NI
I i   y ik VGk   β ik I Gk
k 1 k 1

31

Funzioni di rete
● I coefficienti delle combinazioni sono funzioni complesse della
pulsazione  e sono detti funzioni di di rete
V Vi
α ik  i z ik 
VGk VGh  0 h  k I Gk VGh  0 h
I Gh  0 h I Gh  0 h  k

(adimensionale) (ha le dimensioni di un’impedenza)


I Ii
y ik  i β ik 
VGk VGh  0 h  k
I Gk VGh  0 h
I Gh  0 h  k
I Gh  0 h

(ha le dimensioni di un’ammettenza) (adimensionale)

● Le funzioni di rete che mettono in relazione i fasori della tensione e


della corrente dello stesso lato sono dette funzioni di immettenza
● Le funzioni di rete che mettono in relazione fasori di tensioni e correnti
di lati diversi sono dette funzioni di trasferimento
32
Funzioni di immettenza
● Impedenza di ingresso

Vk
Z IN k () 
I Gk VGh  0 h
I Gh  0 h  k

● Ammettenza di ingresso

Ik
Yk () 
VGk VGh  0 h  k
I Gh  0 h

33

Funzioni di trasferimento
● Rapporto di trasferimento di tensione

Vi
α ik () 
VGk VGh  0 h  k
I Gh  0 h

● Rapporto di trasferimento di corrente

Ii
β ik () 
I Gk VGh  0 h
I Gh  0 h  k

34
Funzioni di trasferimento
● Impedenza di trasferimento

Vi
z ik () 
I Gk VGh  0 h
I Gh  0 h  k

● Ammettenza di trasferimento

Ii
y ik () 
VGk VGh  0 h  k
I Gh  0 h

35

Teorema di Thévenin
● Ipotesi:
 condizioni di regime sinusoidale
 il bipolo A-B è formato da componenti lineari e generatori
indipendenti
 il bipolo A-B è comandato in corrente
 Il bipolo A-B equivale a un bipolo formato da un generatore indipenden-
te di tensione V0 in serie con un’impedenza Zeq
 V0 è la tensione a vuoto del bipolo A-B
 Zeq è l’impedenza equivalente del bipolo A-B con i generatori
indipendenti azzerati

VAB  V0  Z eq I AB
36
Teorema di Norton
● Ipotesi:
 condizioni di regime sinusoidale
 il bipolo A-B è formato da componenti lineari e generatori
indipendenti
 il bipolo A-B è comandato in tensione
 Il bipolo A-B equivale a un bipolo formato da un generatore indipenden-
te di corrente Icc in parallelo con un’ammettenza Yeq
 Icc è la corrente di cortocircuito del bipolo A-B
 Yeq è l’ammettenza equivalente del bipolo A-B con i generatori
indipendenti azzerati

I AB  I cc  Yeq VAB
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N-porte lineari in regime sinusoidale


● Per un N-porte lineare in condizioni di regime sinusoidale le relazioni
costitutive, in termini di fasori, sono del tipo
Av  Bi  0
con
 V1   I1   a11  a1N   b11  b1N 
v     i     A       Β      
VN  I N  a N 1  a NN  b N 1  b NN 

● Nel caso di componenti resistivi i coefficienti delle matrici A e B sono


reali, mentre nel caso di componenti dinamici, in generale, sono
complessi
● Se il componente è comandato in corrente oppure in tensione è
possibile rappresentarlo mediante parametri di impedenza o di
ammettenza che costituiscono una generalizzazione dei parametri di
resistenza e di conduttanza
38
N-porte lineari in regime sinusoidale
● Matrice di impedenza
v  Zi  V1   I1   z11  z1N 
v     i     Z      
Vj VN  I N  z N 1  z NN 
z jk 
Ik I h  0 h  k

● Matrice di ammettenza
i  Yv  V1   I1   y11  y1N 
v     i     Y      
Ij VN  I N  y N 1  y NN 
y jk 
Vk Vh  0 h  k

Y  Z 1 Z  Y 1
39

Doppi bipoli lineari in regime sinusoidale


● Per i doppi bipoli lineari in regime sinusoidale è possibile generalizzare
anche le matrici ibride e di trasmissione
● Nel caso di componenti dinamici i coefficienti delle matrici, in generale,
sono complessi
V1  h11 h12   I1   I1 

 I  h 
    H  V  Matrice ibrida
 2   21 h 22  V2   2
 h12
 I1  h11   V1  V1 
 
V  h h   I   H   I  Matrice ibrida inversa
 2   21 22   2   2
V1   A B   V2   V2 
 
 I   C D   I   T   I  Matrice di trasmissione
 1    2  2
V2   A B  V1   V1 
 
 I   C D  I   T   I  Matrice di trasmissione inversa
 2    1  1
40
Potenza assorbita da un bipolo in regime sinusoidale

v(t )  VM cos(t  V )
i(t )  I M cos(t   I )
  V   I

● Potenza assorbita dal bipolo


p(t )  v(t ) i(t )  VM cos(t  V )  I M cos(t   I ) 
1
 VM I M cos(2t  V   I )  cos(V   I ) 
2
1 1
 VM I M cos(2t  V   I )  VM I M cos 
2 2
41

Potenza assorbita da un bipolo in regime sinusoidale

42
Potenza assorbita da un bipolo in regime sinusoidale

● La potenza è data dalla somma di un termine sinusoidale con


pulsazione 2 (potenza fluttuante) e di un termine costante
1
● L’ampiezza del termine oscillante è 2 VM I M
● Il termine costante rappresenta il valore medio sul periodo
della potenza istantanea
T
1 1
pm   p(t )dt  VM I M cos 
T 0 2
● cos è detto fattore di potenza
 Il fattore di potenza è il rapporto tra il termine costante e
l’ampiezza del termine oscillante
 A parità di ampiezza di v e i, il valore medio sul periodo della
potenza istantanea aumenta al crescere del fattore di potenza
43

Potenza assorbita da un bipolo in regime sinusoidale

● Il fattore di potenza cos vale 1 se la tensione e la corrente sono


in fase (  0)

● Aumentando || il fattore di potenza si riduce fino ad annullarsi


quando tensione e corrente sono in quadratura

● Per || > 2 il fattore di potenza diventa negativo e vale 1 se la


tensione e la corrente sono in opposizione di fase

● cos  0  in ogni semiperiodo l’energia assorbita dal bipolo è  0


● cos  0  in ogni semiperiodo l’energia assorbita dal bipolo è  0
 questa condizione si può verificare solo se il bipolo è attivo
 per un bipolo passivo si ha necessariamente cos  0

44
Potenza assorbita da un resistore

1
p(t )  VM I M 1  cos2t  2V 
2
1 1 1
0  pm  VM I M  RI M  GVM
2 2

2 2 2 45

Potenza assorbita da un induttore

1   1  
p(t )  VM I M cos 2t  2V    LI M2 cos 2t  2V  
2  2 2  2
 1
  pm  VM I M cos   0
2 2 46
Potenza assorbita da un condensatore

1   1  
p(t )  VM I M cos 2t  2V    CVM2 cos 2t  2V  
2  2 2  2
 1
    pm  VM I M cos   0
2 2 47

Componenti attiva e reattiva della corrente


● Nel caso generale, si può scomporre la corrente istantanea nella
somma di due termini:
 uno in fase con la tensione (come nei resistori)
 componente attiva: iA(t)
 uno in quadratura con la tensione (come negli induttori e nei
condensatori)
 componente reattiva: iR(t)
i(t )  I M cos(t   I ) 
 I M cos[(t  V )  (V   I )] 
 

 I M cos  cos(t  V )  I M sen  sen(t  V ) 
 I M cos  cos(t  V )  I M sen  cos(t  V   / 2)
   
i A (t ) i R (t )
48
Componenti attiva e reattiva della corrente
Rappresentazione nel piano complesso

I A  I M cos  e jV
 
j  V  
I R  I M sen  e  2
  j I M sen  e jV

49

Potenza istantanea attiva e reattiva


● Scomposizione della potenza istantanea
p(t )  v(t )i A (t )  i R (t )  v(t ) i A (t )  v(t ) i R (t )  p A (t )  p R (t )

● Potenza istantanea attiva


p A (t )  VM cos(t  V )  I M cos  cos(t  V ) 
 VM I M cos  cos(t  V ) 
2

1
 VM I M cos  1  cos(2t  2V )
2
● Potenza istantanea reattiva
p R (t )  VM cos(t  V )  I M sen  sen(t  V ) 
1
 VM I M sen  sen(2t  2V )
2
50
Potenza istantanea attiva e reattiva

51

Potenza istantanea attiva e reattiva

● La potenza istantanea attiva non cambia mai segno


(se cos > 0 è sempre  0)
 flusso unidirezionale di energia
(dall’esterno verso il bipolo se cos > 0)

● La potenza istantanea reattiva è una funzione sinusoidale del


tempo con pulsazione 2
 l’energia ad essa associata fluisce alternativamente
dall’esterno verso il bipolo e viceversa
 in un intervallo di durata pari a un semiperiodo di v e i,
l’energia complessivamente scambiata tra il circuito e il bipolo
è nulla

52
Potenza attiva

● Potenza attiva:
valore medio sul periodo della potenza istantanea attiva
= valore medio sul periodo della potenza istantanea
(unità di misura watt, W)
T T
1 1 1
P   p A (t )dt   p(t )dt  VM I M cos 
T 0 T 0 2

● Un intervallo t  T può essere approssimato con un numero


intero di periodi
 L’energia assorbita da un bipolo in un intervallo di durata molto
grande rispetto al periodo può essere ottenuta dalla relazione
wa (0, t )  Pt

53

Potenza reattiva

● Potenza reattiva: valore massimo della potenza istantanea


reattiva col segno di 
1
Q  maxp R (t )sgn()  VM I M sen 
2
● L’unità di misura della potenza reattiva è il volt-ampere reattivo
(VAR)

● Q è un indice dell’entità degli scambi energetici associati alla


potenza istantanea reattiva
● Convenzionalmente si attribuisce
 segno  alla potenza reattiva assorbita dagli induttori
 segno  alla potenza reattiva assorbita dai condensatori

54
Potenza apparente

● Potenza apparente: è definita dalla relazione


1
S  VM I M
2
● L’unità di misura della potenza apparente è il volt-ampere (VA)
● La potenza apparente coincide con l’ampiezza del termine
oscillante della potenza istantanea
● S dipende solo dalle ampiezze della tensione e della corrente

55

Triangolo delle potenze


● Rappresentazione grafica delle relazioni tra potenza attiva
reattiva e apparente

S  P2  Q2
P  S cos 
Q  S sen 
Q  P tg 
56
Potenza complessa
● Si definisce potenza complessa la quantità
1 *
N VI
2
● Inserendo le espressioni di V e I si ottiene
1 1
N VM e jV  I M e  j I  VM I M e j 
2 2
1 1
 VM I M cos   j VM I M sen   P  jQ
2 2
 Quindi si ha
1
ReN   VM I M cos   P 1
N  VM I M  S
2 2
1
ImN   VM I M sen   Q arg(N)  
2
57

Conservazione delle potenze complesse


(Teorema di Boucherot)
● Ipotesi:
 Circuito con l lati
 Versi di riferimento scelti per tutti i lati secondo la convenzione
dell’utilizzatore
 Condizioni di regime sinusoidale
 Vk, Ik (k  1, ..., l)  fasori delle tensioni e delle correnti
 La somma delle potenze complesse assorbite dai componenti del
circuito è nulla
 Le somme delle potenze attive e delle potenze reattive assorbite dai
componenti sono nulle
l l
1 l l


k 1
N k   Vk I *k  0 
k 1 2
P
k 1
k 0 Q
k 1
k 0

● Dimostrazione:
 I fasori Vk e Ik soddisfano le leggi di Kirchhoff. Se i fasori delle
correnti soddisfano la LKI, anche i loro coniugati la soddisfano
 La proprietà deriva direttamente dal teorema di Tellegen
58
Additività delle potenze complesse

● Si assume che il lato l del circuito sia costituito da un bipolo


● Si divide il circuito in due parti
 una formata dal solo lato l
 una formata dagli altri lati (che complessivamente costituiscono un
bipolo)
● Per il teorema di Boucherot vale la relazione
l 1 l 1 l 1
 N l   N k   Pl   Pk ,  Ql   Qk
k 1 k 1 k 1
● Nl è la potenza erogata dal bipolo l, cioè la potenza assorbita dal
bipolo formato dagli altri componenti
 La potenza complessa assorbita da un bipolo formato da più compo-
nenti collegati tra loro è pari alla somma delle potenze assorbite dai
singoli componenti
 La stessa proprietà vale per le potenze attive e per le potenze reattive
59

Potenza complessa in funzione di Z e Y

V  ZI  ( R  jX )I
I  YV  (G  jB)V

1 * 1 1 2 1 1 2
N VI  ZII*  Z I  V (YV )*  Y * V
2 2 2 2 2
1 2 1 2 1 2 1 2
P  Re  Z I   R I  Re  Y * V   G V
2  2 2  2
1 2 1 2 1 2 1 2
Q  Im Z I   X I  Im Y * V    B V
2  2 2  2
P  0  R  0, G  0
Q  0  X  0, B  0
60
Segni delle parti reali e immaginarie di Z e Y
● Si considera un bipolo formato da componenti R, L, C passivi
● Dalle espressioni delle potenze complesse in funzione di Z e Y e dalla
proprietà di additività delle potenze, a seconda del tipo di componenti
contenuti nel bipolo, si ricavano le seguenti condizioni:

Componenti P Q Re[Z] Im[Z] Re[Y] Im[Y]


R      
L      
C      
R-L      
R-C      
L-C   
R-L-C     

61

Valori efficaci

● Si definisce valore efficace di una funzione a(t) periodica di


periodo T la quantità
T
1 2
T 0
Aeff  a (t )dt

● In particolare, se a(t) è sinusoidale, risulta


2


Aeff  A cos 2 (t  )dt 
2

2
M
0

2

 A 2
AM

2 2
M
 [1  cos(2t  2)]dt 
0 2

62
Valori efficaci

● Espressioni della potenza attiva e reattiva in funzione dei valori efficaci


1 V I
P  VM I M cos   M M cos   Veff I eff cos 
2 2 2
1
Q  VM I M sen   Veff I eff sen 
2
● Potenza assorbita da un resistore
P  RI eff2  GVeff2

 Il valore efficace di una tensione (corrente) sinusoidale corrisponde al


valore di una tensione (corrente) costante che applicata a un resistore
dà luogo ad una dissipazione di potenza pari al valore medio sul
periodo della potenza assorbita dal resistore in regime sinusoidale

63

Valori efficaci

● E’ possibile definire la trasformata di Steinmetz anche facendo


riferimento ai valori efficaci invece che ai valori massimi

A e  Se a(t ) 
AM j AM
e  (cos   j sen )
2 2
a(t )  Se1 A e   Re[ 2 A e e jt ]  Re[ AM e j ( t   ) ]  AM cos(t  )

● La trasformata così definita conserva le stesse proprietà della


trasformata basata sui valori massimi
● Le impedenze e le ammettenze (essendo definite come rapporti
tra fasori) non cambiano se si fa riferimento ai valori efficaci
● L’espressione della potenza complessa diviene
N  Ve I *e
64
Teorema del massimo trasferimento di potenza attiva

● Si considera un bipolo formato da un generatore di tensione


sinusoidale VG in serie con un impedenza Z caricato da
un’impedenza ZC

Z  R  jX
Z C  RC  jX C

 Al variare di ZC, la potenza attiva ceduta al carico è massima


quando vale la condizione ZC Z* (adattamento coniugato)
 In queste condizioni la potenza attiva (potenza disponibile) vale
2
2 2
VG VGM VGeff
Pd   
8R 8R 4R
65

Teorema del massimo trasferimento di potenza attiva


dimostrazione (1)

● Corrente e tensione nel carico


VG VG Z C
I V
Z  ZC Z  ZC
● Potenza attiva ceduta al carico
 VG ReZ C 
2 2
 1 VG Z C VG* VG RC
PC  Re  *
 
 2 Z  Z C  Z  Z C   2 Z  Z C
2
2[( R  RC ) 2
 ( X  X C ) 2
]

● Al variare di XC il denominatore è minimo (e quindi PC è massimo) se


XC  X
● In queste condizioni
2
VG RC
PC 
2 ( R  RC ) 2

66
Teorema del massimo trasferimento di potenza attiva
dimostrazione (2)

● Al variare di PC il massimo si ottiene per


2
PC VG ( R  RC ) 2  2 RC ( R  RC )
 0
RC 2 ( R  RC ) 4
cioè RC  R infatti:
 PC è positivo per RC > 0 e si annulla per R  0 e R  
 la derivata di PC si annulla solo per RC  R
 questo punto deve corrispondere a un massimo
 Quindi deve essere RC  R, XC  X  ZC Z*
● In queste condizioni si ha
2 2
VG R VG
PC max  Pd  
2 ( R  R) 2 8R

67

Rendimento

● In condizioni di adattamento coniugato la potenza attiva erogata dal


generatore vale
2
1  VG*  VG
PG  Re VG 
2  2R  4R
 Il rendimento  definito come
rapporto tra la potenza attiva
erogata dal generatore e la
potenza attiva ceduta al carico è
2
P V 4R
 C  G  0.5
PG 8 R VG 2

 La condizione di adattamento coniugato non rappresenta una soluzione


ottimale nel caso in cui è importante ottenere rendimenti elevati

68
Rifasamento

● Distribuzione dell’energia elettrica (schema semplificato)


Linea di distribuzione

Generatore Utilizzatore

● Impedenza equivalente della linea: Z L  RL  jX L


● Condizioni di funzionamento ottimali:
 Ampiezza della tensione sul carico praticamente indipendente dalla
corrente (normalmente gli utilizzatori sono progettati facendo
riferimento a un valore nominale della tensione  sono tollerati
scostamenti di pochi percento dal valore nominale prefissato)
 Minima dissipazione di potenza nella linea
69

Rifasamento

Linea di distribuzione

Generatore Utilizzatore

● Al crescere dell’ampiezza della corrente I nella linea


 si riduce l’ampiezza della tensione sul V carico
VM  V  VG  Z L I
 aumentano le perdite per effetto Joule lungo la linea
1
PL  RL I M2
2

70
Rifasamento
● Fissata l’ampiezza tensione VM, a parità di potenza attiva P assorbita
dal carico l’ampiezza della corrente è inversamente proporzionale al
fattore di potenza
2P
IM 
VM cos 
 L’ampiezza della componente attiva della
corrente è fissata dal valore della potenza
attiva
 Al diminuire del fattore di potenza (cioè
all’aumentare dell’angolo ) aumenta
l’ampiezza della componente reattiva
della corrente (e quindi l’ampiezza della
corrente totale)
 Per ridurre le perdite occorre aumentare il fattore di potenza del carico
71

Rifasamento

● Un basso fattore di potenza risulta svantaggioso per il fornitore di


energia elettrica
 Se il valore medio mensile del fattore di potenza risulta inferiore a certi
limiti vengono applicate delle maggiorazioni sul costo dell’energia
● Le norme attuali, per impianti a bassa tensione con potenza impegnata
 15 kW, prevedono:
 per cos  0.9  nessuna penale
 per 0.7  cos  0.9  pagamento di una penale commisurata al
rapporto tra l’integrale della potenza reattiva (energia reattiva) e
quello della potenza attiva (energia attiva) nel periodo di fatturazione
 i limiti sono prossimi ai valori di cos per cui l’energia attiva e
quella reattiva sono uguali (cos  0.707) e l’energia reattiva è
pari al 50% dell’energia attiva (cos  0.894)
 per cos < 0.7  obbligo da parte dell’utente di prendere provvedi-
menti per aumentare il fattore di potenza
72
Rifasamento

● Per aumentare il fattore di potenza si ricorre al rifasamento del carico


● Si collega in parallelo all’utilizzatore un bipolo puramente reattivo con
reattanza di segno opposto a quella del utilizzatore stesso

● Se il carico è ohmico-induttivo  XU  0,  (caso più comune)


la reattanza XR deve essere negativa ( condensatore)

73

Rifasamento

● Dimensionando opportunamente la reattanza XR si può fare in modo che


 gli scambi di potenza reattiva avvengano prevalentemente tra il
carico e il bipolo di rifasamento, riducendo gli scambi di potenza
reattiva con il generatore
 la componente reattiva IR della corrente nel carico circoli prevalen-
temente nel bipolo di rifasamento, riducendo l’ampiezza della cor-
rente reattiva IR nella linea
74
Rifasamento

● La potenza reattiva assorbita complessivamente dal carico e dal bipolo


di rifasamento è
Q  Q  QR
● Per portare il fattore di potenza da cos ad un valore accettabile cos
la potenza reattiva assorbita dal bipolo di rifasamento deve essere
QR  (Q  Q)  P(tg  tg)
● Se il bipolo di rifasamento è un condensatore (capacità = CR) si ha
1
QR   CRVM2
2
 Quindi la capacità di rifasamento vale
2 P(tg   tg ) P(tg   tg )
CR  
VM2 Veff2

75

Risonanza serie
● Bipolo RLC serie in regime sinusoidale
● Si studia il comportamento del bipolo al variare della pulsazione 

1  1 
Z  R  j L   R  j  L  
jC  C 
1
 1 
2 L 
Z  R 2   L   arg(Z)  arctg C
 C  R
1
● Pulsazione di risonanza: 0 
LC
● Per   0
 Im[Z]  0
 |Z| è minimo
 arg(Z)  0
76
Risonanza serie

 1 
Z  R  j  L  
  C 
2
 1 
Z  R   L 
2

 C 

●   prevale la reattanza capacitiva


●   prevale la reattanza induttiva
●   la reattanza si annulla
77

Risonanza serie

1
L 
arg(Z)  arctg C
R

●   la corrente è in anticipo sulla tensione


●   la tensione è in anticipo sulla corrente
●   la tensione e la corrente sono in fase
78
Risonanza serie

79

Risonanza serie

1 2 1 1  2
● Potenza complessa assorbita: N Z I   R  j (L  ) IM
2 2 C 
1 2
● Potenza attiva: P RI M
2
1 1 2
● Potenza reattiva: Q  LI M2  IM
2 2 C
   Q  0
   Q  0
   Q  0
80
Risonanza serie
● Corrente nell’induttore: i L (t )  i(t )  I M cos(t   I )

 Energia nell’induttore: w L (t )  2 L i (t )  2 LI M cos (t   I )


1 2 1 2 2

● Tensione del condensatore: VC   j


1 I  v (t )  1 I sen(t   )
C
C M I
C
 Energia nel condensatore:
1
w C (t )  12 C v C2 (t )  I M2 sen 2 (t   I )
2 C
2

● In condizioni di risonanza:
1
w C (t )  2
I M2 0 sen 2 (0t   I )  12 LI M2 0 sen 2 (0t   I )
20 C
 w L (t )  w C (t )  12 LI M 0
2

 In condizioni di risonanza l’energia totale accumulata


nel bipolo RLC si mantiene costante
81

Fattore di merito
● In condizioni di risonanza, si definisce fattore di merito la quantità

Q0  2 Energia accumulata
Energia dissipata in un periodo

● Per un bipolo RLC serie, se l’ampiezza della corrente in condizioni di


risonanza è IM0 si ottiene

LI M2 0
1
L 1  2 
Q0  2 1 2 2
 0   T0  
2 RI M 0  T0 R 0 RC  0 

● L’espressione dell’impedenza del bipolo può essere posta nella forma

 1    L 1     0 
Z  R  j  L    R 1  j    R 1  jQ0
  
 C    R RC    0  

82
Curve di risonanza

● Per caratterizzare la risposta in frequenza di un bipolo RLC serie,


di solito si considera la funzione di trasferimento
VR R 1
H( )   
V Z   
1  jQ0   0 
 0  
● Se V è fissato, H rappresenta anche il rapporto tra la corrente nel
bipolo al variare di  e la corrente in condizioni di risonanza I0
I
H( ) 
I0
83

Curve di risonanza

84
Curve di risonanza

85

Larghezza di banda
● Se V è fissato, l’ampiezza della corrente nel bipolo, e quindi la potenza
attiva assorbita, sono massime per 0
● In queste condizioni si ha
1 VM2 1 2
P0   RI M 0
2 R 2
● La potenza attiva assorbita può essere espressa in funzione di  come
1 2 1 2 2
P RI M  R H( ) I M2 0  H( ) P0
2 2
● Larghezza di banda (a metà potenza), B: ampiezza dell’intervallo
compreso tra le pulsazioni 1 e 2 per cui risulta P = P0/2
B  2  1
● All’aumentare di Q0 il modulo di H() presenta un picco sempre più
stretto nell’intorno di 0
 La larghezza di banda diminuisce con l’aumentare del fattore di merito
86
Larghezza di banda
● La potenza attiva assorbita dal bipolo vale P = P0/2 se è verificata la
relazione
   0
Q0   0   1 2    02  0
 0   Q0
● Le soluzioni positive di questa equazione sono
 1 1 
1 , 2  0    1 

 2Q0 4Qo2 
 Quindi si ha
0 L
B  2  1  B  02 RC
Q0 R
● Per valori sufficientemente elevati di Q0 (in pratica per Q0 ≥ 10), si può
ritenere
 1  B
1 , 2  0 1    0 
 2Q0  2
87

Risonanza parallelo
● Bipolo RLC parallelo in regime sinusoidale
● Si studia il comportamento del bipolo al variare della pulsazione 
1  1 
Y  G  j C   G  j  C  
j L  L 
1
2 C 
 1 
arg(Y)  arctg L
Y  G 2   C  
 L  G

1
● Pulsazione di risonanza: 0 
LC
● Per   0
 Im[Y]  0
 |Y| è minimo
 arg(Y)  0
88
Risonanza parallelo

 1 
Y  G  j  C  
  L 
2
 1 
Y  G   C 
2

 L 

●   prevale la suscettanza induttiva


●   prevale la suscettanza capacitiva
●   la suscettanza si annulla
89

Risonanza parallelo

1
C 
arg(Y)  arctg L
G

●   la tensione è in anticipo sulla corrente


●   la corrente è in anticipo sulla tensione
●   la tensione e la corrente sono in fase
90
Risonanza parallelo

91

Risonanza parallelo

1 * 2 1 1  2
● Potenza complessa assorbita: N  Y V  G  j (C  ) VM
2 2 L 
1
● Potenza attiva: P  GVM2
2
1 1
● Potenza reattiva: Q  VM2  CVM2
2L 2
   Q  0
   Q  0
   Q  0
92
Risonanza parallelo
● Tensione del condensatore: v C (t )  v(t )  VM cos(t  V )

 Energia nel condensatore: w C (t )  2 C v (t )  2 CVM cos (t  V )


1 2 1 2 2

● Corrente nell’induttore: I L   j
1 V  i (t )  1 V sen(t   )
L
L M
L
V

 Energia nell’induttore:
1
w L (t )  12 L i 2L (t )  VM2 sen 2 (t  V )
2 L
2

● In condizioni di risonanza:
1
w L (t )  2
VM2 0 sen 2 ( 0t  V )  12 CVM2 0 sen 2 ( 0t  V )
20 L
 w L (t )  w C (t )  12 CVM 0
2

 In condizioni di risonanza l’energia totale accumulata nel bipolo RLC si


mantiene costante
93

Fattore di merito

● Per un bipolo RLC parallelo il fattore di merito è


CVM2 01
0C 1
Q0  2 1 2
 
2 GVM 0  T0 0 LG
2
G

 In questo caso l’ammettenza può essere espressa come

 1    C 1     0 
Y  G  j  C    G 1  j     G 1  jQ0   
 L    G LG    0  

94
Larghezza di banda
● Per caratterizzare la risposta in frequenza di un bipolo RLC serie,
di solito si considera la funzione di trasferimento
IR G 1
H( )   
I Y   
1  jQ0   0 
 0  
● Se I è fissato, H rappresenta anche il rapporto tra la tensione nel bipolo
al variare di  e la tensione in condizioni di risonanza V0
V
H( ) 
V0
● L’andamento di H in funzione di  coincide con quello visto per il bipolo
RLC serie
● La larghezza di banda in questo caso vale
0 C
B   02 LG
Q0 G
95