Laboratorio N°06, “Transistor bipolar operando en conmutación” Grupo: 01 Subgrupo: 01 03/05/2017 1

INFORME Nº06
“TRANSISTOR BIPOLAR OPERANDO EN
CONMUTACION”
SUBGRUPO: 01
DANIEL FELIPE TOVAR SÁNCHEZ
CÓDIGO: 201611145048
RAFAEL RATIVA ORTEGA
CÓDIGO: 20161145770

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Resumen—En el siguiente informe se presenta el análisis de Figura 1. Circuito 1 “Circuito con un transistor bipolar NPN
dos circuitos cuya configuración está basada en la operación en conmutación controlando un piloto axial”
de un transistor BJT en conmutación, su funcionamiento en
sus dos zonas de trabajo: Zona de corte y saturación, la
respectiva característica de su comportamiento como
switch y la determinación de los parámetros requeridos
para este modo de operación.

Palabras claves— BJT, Ganancia, Beta, Base, Emisor, Colector,

Saturación, Corte, Conmutación.

I. DESARROLLO PRÁCTICO
Al inicio de la práctica se procedió a realizar una prueba entre
las uniones Base-Emisor y Base-Colector polarizado en directo
e inverso de los transistores a implementar para así determinar
su correcto estado, teniendo en cuenta que teóricamente que al Para la zona de corte se logró ratificar que las corrientes tanto
medir las uniones polarizadas en directo estas establecerían un de colector, como de emisor y de base eran igual a cero, esto
valor resistivo alrededor de los 2KΩ o menos y en viceversa debido a que el voltaje de entrada era de 0V. Por lo tanto el
establecerían una resistencia infinita o extremadamente alta. En voltaje entre colector-emisor sería igual a aproximadamente al
adición mediante el multímetro determinamos el Beta del voltaje Vcc, en este caso dio como resultado empírico 𝑉𝑐𝑒 =
transistor el cual se precisó que estaba en estado óptimo el 15,21𝑉.
dispositivo, debido a que su valor estaba entre el rango 100 < Después para el análisis en la zona de saturación se corroboró
𝛽 < 300. que el voltaje entre colector-emisor era aproximadamente 0.2V,
Después de haberlo realizado se implementó un circuito con un en este caso de manera práctica nos dio como resultado 𝑉𝑐𝑒 =
transistor bipolar NPN en conmutación controlando un piloto 0,18𝑉.
axial representado en la figura 1. También se halló la resistencia del piloto axial, el Beta forzado
También se implementó un circuito con un transistor bipolar del circuito teniendo en cuenta la siguiente ecuación 𝛽 = 𝐼𝑐/𝐼𝑏,
NPN en conmutación controlando dos pares de diodos LED datos que se representan en la tabla 1.
configurados en paralelo, circuito el cual se representa en la
figura 2. Estos dos circuitos se analizaron tanto en la zona de Tabla 1. “Calculo del beta forzado y resistencia RP
corte como en la zona de saturación para así corroborar el Q1 Rp Ib Ic β(Forzada)
análisis teórico previamente determinado. Calculado 240Ω 600uA 50mA 83,33..
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𝑉𝑝 12𝑉 cuenta un piloto axial a 12V y 50 mA, pero el elemento

𝑅𝑃 = = = 240𝛺 que adquirimos no nos garantizaron la corriente con
𝐼𝑝 50𝑚𝐴
la cual trabajaba el dispositivo, solo nos puede
𝐼𝑐 50𝑚𝐴 garantizaban los 12V. Por lo tanto este no presenta la
𝛽(𝑓𝑜𝑟𝑧𝑎𝑑𝑎) = = = 83,33333 … misma resistencia que la que hemos calculada. Esto es
𝐼𝐵 600𝜇𝐴
en consecuencia del diseño del piloto en este existen
Figura 2.“ Circuito con transistor operando en conmutación variaciones de la resistencia del piloto en función del
que controla diodos LED” diámetro del mismo.
B: la primer razón para que el transistor este en Corte
es VCC=VC= 15V
La segunda razón es que el VB= 0V

C: la primer razón: para un nivel de saturación se debe

satisfacer que:

𝐼_𝐵 > 𝐼_(𝑐(𝑠𝑎𝑡)/𝛽_𝐷𝐶 )

La segunda razón es que VCE= 0.2V

2. En el momento que se realiza la práctica los

instrumentos que tenemos para la medición nos
imposibilitan la medición de la resistencia de cada
Para la zona de corte se logró ratificar que las corrientes tanto diodo, no nos permite hacer una comparación objetiva
de colector, como de emisor y de base eran igual a cero, esto respecto a la resistencia calculada.
debido a que el voltaje de entrada era de 0V. Luego se procedió
a hallar el voltaje entre colector-emisor el cual sería igual a III. CONCLUSIONES
aproximadamente al voltaje Vcc menos el voltaje en los diodos,  Se determinó que un circuito con un transistor BJT
en este caso dio como resultado empírico 𝑉𝑐𝑒 = trabajando en conmutación se puede emplear para
12,38𝑉 basandonos en un análisis de voltajes en la malla conectar y desconectar la tensión a una carga en
correspondida y además cabe resaltar que los diodos LED no intervalos de tiempo determinados o para dar una
encendieron debido a que no había corriente de colector que
tensión de salida que sirva de entrada a otro circuito
circulara por los mismos.
(Cuando se trabaja con tensiones DC).
Después para el análisis en la zona de saturación se
establecieron los respectivos parámetros a analizar, y se logró  Para un circuito configurado en conmutación parte de
concordar los datos teóricos como los prácticos determinando la corriente de base fluye a través de la capacidad de
unos valores similares en los parámetros hallados tales como la unión del colector, y sale del terminal del colector
tensiones y corrientes respectivas del circuitos, sin embargo (lo contrario del sentido normal de la corriente de
presentaron algunos márgenes de errores aunque estos colector para un transistor NPN en la región activa).
mínimos. Esta corriente hace que aumente la tensión de salida.
También se halló la resistencia respectiva de cada diodo led y Así, la tensión de salida es ligeramente mayor que la
el Beta forzado del circuito teniendo en cuenta la siguiente tensión de alimentación.
ecuación 𝛽 = 𝐼𝑐/𝐼𝑏, datos que se representan en la tabla 2.  El transistor en esta configuración de conmutación
simula ser un interruptor abierto cuando lo hacemos
Tabla 2. “Calculo del beta forzado y resistencia RD trabajar en su región de corte, aquí obtenemos un
Q2 RD Ib Ic β(Forzada) voltaje de colector igual al voltaje de alimentación y a
Calculado 133.33Ω 400uA 30mA 75
la hora de hacerlo operar en saturación, éste se
𝑉𝐷 2𝑉 comportaría como interruptor cerrado donde
𝑅𝐷 = = = 133.33𝛺 obtenemos un Voltaje entre colector y emisor mínimo,
𝐼𝐷 15𝑚𝐴
mientras obtenemos una corriente de colector máxima.
𝐼𝑐 30𝑚𝐴
𝛽(𝑓𝑜𝑟𝑧𝑎𝑑𝑎) = = = 75 IV. REFERENCIAS
𝐼𝐵 400𝜇𝐴
Disponible en la web:
[1]http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema7/Pagina
s/Pagina3.htm
II. ANALISIS DE RESULTADOS [2] http://unicrom.com/transistor-como-interruptor-switch/

1. A: La diferencia de esta medida radica muy

claramente en el elemento utilizado en el laboratorio,
ya que en el momento de hacer el diseño se tuvo en
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