UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

Pedro Tino Pinheiro Freitas – 378779

APOSTILA ELETRÔNICA INDUSTRIAL

Fortaleza
2018
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SUMÁRIO
1. Dispositivos de Eletrônica de Potência. 3
1.1. Diodos de potência. 3
1.2. Tiristor SCR e TRIAC. 5
1.3. Simulação de circuito tiristorizado. 10
1.4. MOSFETs de Potência. 10
1.5. IGBTs de Potência. 12
1.6. Drivers para MOSFETs e IGBTs. 14
2. Bibliografia. 15
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1. Dispositivos de Eletrônica de Potência.

1.1. Diodos de potência.

Os diodos de potência são equipamentos utilizados para permitir a passagem de
corrente em apenas um sentido, barrando a passagem da corrente no outro sentido
possível.

O fato de barrar a corrente pode ocorrer de duas formas, abrindo o ramo do

circuito em que o diodo está inserido ou com o diodo operando como uma fonte de
tensão, no caso dos diodos Zener.

Todo diodo tem como característica uma queda de tensão de operação que deve
ser considerada ao realizar os cálculos do circuito em que se irá trabalhar. Essa queda de
tensão se dá ao fato do equipamento não ser ideal, tendo uma resistência associada, que
junto à corrente que passa por ela resulta em uma tensão. O diodo ideal, e o diodo com
as características resistivas estão representados na Figura 01.

Figura 01 – Diodo e circuito equivalente.

Fonte: [1].

Para se calcular essa resistência, utiliza-se da curva do diodo, fazendo uma

aproximação linear e calculando a tangente do ângulo da reta resultante. Isso é possível
porque a curva relaciona tensão e corrente, e se sabe que V/I = R. Essa curva pode ser
vista na Figura 02, que mostra também os pontos de operação reversa e direta do diodo.

Figura 02 – Curva característica do diodo.

Fonte:[2]
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Um dos problemas que se dá na utilização dos diodos é o fenômeno da

recuperação reversa, que pode, na mudança do estado do diodo de curto para bloqueio
(condução para não condução, também chamado de fenômeno de comutação), injetar
corrente no outro sentido, prejudicando o funcionamento do circuito. Esse fenômeno é
analisado nas Figuras 03 e 04.

Figura 03 – Recuperação Reversa (Bloqueio).

Fonte: [3].

Figura 04 – Recuperação Reversa (Entrada em comutação).

Fonte: [3].
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Para a solução desse problema se deve analisar para que o diodo está sendo
utilizado no circuito e, dessa forma, escolher se é necessário ou não a escolha de um
diodo mais rápido. Normalmente se escolhe os diodos mais rápidos quando a velocidade
de chaveamento é elevada. Essa análise é vista na Figura 05, em que o diodo em azul
está ligada a um chaveamento mais elevado, enquanto os outros não estão sujeitos à
essas condições.

Figura 05 – Análise dos diodos para escolha da velocidade.

Fonte: [3]

1.2. Tiristor SCR e TRIAC.

Os tiristores são bastantes similares ao diodo, contudo, esses necessitam de um
sinal aplicado ao terminal de gate para entrarem em condução.

Os tiristores do tipo SCR são dispositivos unidirecionais em corrente (só

conduzem corrente em um sentido) e bidirecionais em tensão dentro de certos limites de
tensão (operam em tensões positivas e negativas). São operados em baixa frequência e
controlados por corrente. O circuito do SCR pode ser visto na Figura 06.
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A diferença dos TRIACs é que estes são bidirecionais em corrente também, já

que são compostos por dois tiristores em sentidos inversos, conforme se vê na Figura
07.

Figura 06 – Tiristor SCR.

Fonte:[3]

Figura 07 – Tiristor TRIAC.

Fonte:[3]

O controle do disparo do tiristor pode ser feito de duas formas, utilizando

controle de fase ou comutação no cruzamento por zero.

O controle de fase é realizado de forma que se distorce a onda, já que se dispara

o tiristor em um ângulo de disparo que varia entre 0 e 180 graus no semi-ciclo positivo e
de 180 a 360 graus no semi-ciclo negativo. Como nesse método a onda é distorcida, é
proporcionado elevado conteúdo harmônico na corrente, para reduzir as harmônicas são
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utilizados filtros ativos ou passivos, dependendo do custo. Esse tipo de controle e as

ondas resultantes podem ser vistos na Figura 08.

Figura 08 - Controle de fase.

Fonte: [4]

A comutação por cruzamento por zero o disparo do tiristor é sempre realizado

no cruzamento com o zero da tensão alternada de entrada. Como esse processo não
distorce a onda a injeção de harmônicos é bastante reduzida. Se vê esse processo na
Figura 09.

Figura 09 – Controle por cruzamento no zero.

Fonte: [3].

O tipo de controle a ser utilizado depende da aplicação, por exemplo, o controle

de fase é usado em estabilizadores de tensão e cruzamento por zero em chuveiros
elétricos.
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Existem drivers responsáveis por realizar esses controles, um deles, capaz de

detectar o cruzamento por zero da tensão para a entrada em condução é o driver
MOC3063, e outro, capaz de realizar o controle por fase é o optoisolador apresentado na
Figura 10. O driver MOC3063 e outros capazes de realizar a mesma função são
apresentados na Figura 11.

Figura 10 – Driver para controle de fase.

Fonte: [3].
Figura 11 – Driver para controle por cruzamento por zero.

Fonte: [3].
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Uma observação importante no que se diz respeito ao controle dos tiristores é a

de que como cada chave precisa de um sinal para ser acionada, é necessário que estas
tenham suas referências separadas, para evitar que o pulso que vem de uma chave vá
para a outra. Além disso, é importante que essas referências sejam diferentes da
referência do circuito, já que pode ser feito um curto no circuito por meio da chave.

Esses problemas podem ser evitados com o uso de transformadores de pulso

isolados que já fornecem a tensão necessária para a chave diretamente ou por drivers
optoacopladores que tem referência própria.

No caso dos transformadores de pulso (Figura 12) eles funcionam isolando o

sinal de chaveamento do resto do circuito e o passando para a chave.

Figura 12 – Transformador de pulso.

Fonte: [5].
Os optoacopladores (Figura 13) funcionam com um fotodiodo e um
fototransistor. O sinal de entrada é passado pelo fotodiodo, o qual emite luz que irá
ativar o fototransistor, uma associação de fototransistores gera o sinal necessário para
ativar o tiristor.

Figura 13 – Optoacoplador.
 10

Fonte: [6].
Na indústria é mais comum se ver a solução com o optoacoplador, já que os
transformadores de pulso são normalmente feitos à mão e requerem, portanto, um
trabalhador para aquela função, o que significa gastos para a empresa.
Por fim, é importante falar que o controle do chaveamento de um tiristor é
diferente do chaveamento de um FET. Nos FETs o chaveamento inicia e se finaliza com
cada pulso, já nos tiristores o chaveamento vai do início do pulso até a troca de
polaridade da tensão em cima do tiristor. Com isso, ao se chavear um FET a tensão de
referência é comparada com uma dente de serra e, desse modo, enquanto a tensão de
referência é maior há chaveamento. No tiristor acontece o inverso, há chaveamento
quando a dente de serra tem amplitude maior que a tensão de referência. Essa diferença
se vê na Figura 14.

Figura 14 – Chaveamento em tiristores e em FETs.

Fonte: Próprio autor.

Com isso, será realizada a simulação de um circuito que tem a função de retirar
200V CC de uma entrada alternada com pico de 311V.

1.3. Simulação de circuito tiristorizado.

1.4. MOSFETs de Potência.

Para entender o funcionamento de um MOSFET é necessário apresentar
primeiro o símbolo utilizado, as portas do equipamento e a curva característica de
corrente e tensão da chave. Essas apresentações são feitas, respectivamente nas Figuras
15 e 16.

Na Figura 15 os terminais D, G e S são respectivamente os terminais de dreno,

gate (porta) e source (fonte). Para o funcionamento do equipamento é necessário se
aplicar uma tensão entre os terminais de gate e source para ativar o chaveamento. A
corrente de dreno é a corrente que será transmitida pelo MOSFET ao resto do circuito.
 11

Figura 15 – Símbolo do MOSFET.

Fonte: [3].

Outro detalhe importante é que no símbolo se mostra as portas separadas

fisicamente para indicar o terminal de gate é isolado do terminal dreno-source.

O MOSFET tem duas regiões de operação, como se vê na Figura 16. Ele opera
como chave na região ôhmica e como amplificador na região de saturação. Em
eletrônica de potência nos interessa como o MOSFET age na região ôhmica (linear).

Figura 16 – Curva característica Tensão x Corrente MOSFET.

Fonte: [3].

Tendo isso em mente, a queda de tensão entre os terminais dreno fonte (eixo x
da Figura 16) em estado de condução é reduzida, e, com isso, as perdas de condução são
pequenas.

Para polarizar adequadamente um MOSFET de potência, a tensão porta-fonte

deve apresentar um valor entre 12V e 15V. Na prática normalmente se adota a tensão de
15V. Dessa maneira de garante que o transistor vai operar na região linear ou ôhmica.
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Outra característica importante de se analisar em um MOSFET é o

comportamento da corrente de dreno com o aumento da temperatura. Normalmente o
fabricante informa o valor de operação em temperatura ambiente, contudo, é muito
difícil a chave operar nessa temperatura, normalmente há aquecimento devido à alta
frequência de chaveamento. Como se vê na Figura 17, há uma grande mudança na
corrente de dreno com a temperatura, logo se deve ter bastante atenção à isso ao projetar
o circuito.

Figura 17 – Curva Corrente de dreno x Temperatura.

Fonte: [3].

É válido afirmar que essas característica de decaimento é válida para outros tipos
de chaves, como TBJs e IGBTs.

1.5. IGBTs de Potência.

O IGBT é uma conexão integrada de um MOSFET e um TBJ (transistor básico).
Dessa maneira ele tem as características de chaveamento rápido e baixas perdas de
condução do MOSFET e a característica de capacidade de condução de correntes mais
altas dos TBJs. O símbolo do IGBT e o seu arranjo podem ser vistos respectivamente
nas Figuras 18 e 19.

Figura 18 – Simbologia IGBT.

Fonte: [3].
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Na Figura 19 é possível ver que o IGBT funciona como um MOSFET acionando

um TBJ, por isso apresentando as características apresentadas anteriormente.

Figura 19 – Circuito equivalente IGBT

Fonte: [3].

Uma característica importante a ser citada do IGBT é que durante o processo de

comutação dele aparece um fenômeno chamado de corrente de cauda. Isso pode ser
verificado nas características de comutação verificadas na Figura 20.

Figura 20 – Comutação no IGBT.

Fonte: [3].

Essa corrente representa uma não idealidade na comutação, atrasando o processo

de abertura e fechamento da chave, assim como ocorre no fenômeno de recuperação
reversa do diodo.
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Outro fator importante a ser analisado é que a utilização do IGBT gera algumas
capacitâncias intrínsecas ao sistema que precisam ser analisadas ao projetar um circuito
que se utilize desse tipo de chave.

Por fim, se apresenta a curva (Figura 21) que representa a zona de operação em
que o IGBT pode operar, evidenciando que este tem uma zona de operação bem maior
que o MOSFET ao comparar com a Figura 16.

Figura 21 – Curva de operação do IGBT.

Fonte: [3].

1.6. Drivers para MOSFETs e IGBTs.

Os MOSFETs e IGBTs também precisam de drivers para realizar o chaveamento
deles. Esses drivers apresentam algumas características importantes, como buffers
(dispositivo que recebe, armazena por um tempo e passa o sinal) de correntes com altos
pulsos; mínima interferência do driver na condução; delays de propagação para
simplificar o uso em altas frequências.

Esses drivers podem ser especificados como drivers não isolados, isolados com
optoacoplador e isolados magneticamente.

Exemplos de drivers não isolados são: MC34152, IR2113, IR21362 a IR21368.

Já de drivers isolados com optoacoplador: HCPL-316J, HCPL-3120. E para os drivers
isolados magneticamente ElceDRIVER 2ED020I12-F2.
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A aplicação de cada tipo de driver vai variar da necessidade de isolamento do

circuito projetado, além disso vai depender muito do custo de cada driver.

2. Bibliografia.
[1] Aula 2 Eletrônica Geral 1 – Técnico; OLIVEIRA, T.R. Disponível em:
<https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.php/AULA_2_-
_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico>. Acesso em 11/08/2018.

[2] Curva característica do diodo; NEPOMUCENO, E.G. Disponível em:

<https://www.researchgate.net/figure/Figura-2-Curva-caracteristica-do-diodo-Fonte-2-
Para-boa-parte-dos-diodos-trabalhar_fig2_309644229>. Acesso em 11/08/2018.

[3] Slides da disciplina de Eletrônica Industrial; BASCOPÉ, R.P.T.

[4] Acionamento de cargas por ângulo de fase e por trem de pulso; Disponível em:
<https://www.novus.com.br/site/default.asp?TroncoID=053663&SecaoID=273506&Su
bsecaoID=0&Template=../artigosnoticias/user_exibir.asp&ID=539274>. Acesso em
11/08/2018.

[5] Transformador de pulso. Disponível em:

<http://spanish.globalsources.com/gsol/I/Pulse-
transformer/p/sm/1155177743.htm#1155177743>. Acesso em 11/08/2018

[6] Optoacoplador. Disponível em: <

https://www.clubedohardware.com.br/forums/topic/1137324-como-fa%C3%A7o-para-
um-sinal-do-optoacoplador-para-clp-para-fazer-a-contagem/>. Acesso em 11/08/2018
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