CIRCUITO UNIPOLAR

INTEGRANTES:
- Quispe Cary, Helberth Hector.
- Venero Muñoz, Juan José Emannuel.
- Vilca Zamata, Fredy Javier.

I. OBJETIVOS

- Comprender el funcionamiento de un MOSFET, Optocoplador, y resistencias.

- Diseñar y construir un circuito unipolar.
- Probar el funcionamiento con un motor paso a paso.

II. MARCO TEÓRICO

1) Resistencias

Una resistencia es todo aquel elemento de circuito que intercalado en un

circuito eléctrico produce un impedimento en el movimiento de los electrones.
La resistencia puede ser reactiva o inductiva, es decir, producida por
impedimentos de tipo físico como impurezas o estrechamiento en el
conductor (reactiva) o por fenómenos electromagnéticos (inductiva) como en
el caso de la corriente alterna atravesando una bobina o inductancia. Según
esto, cualquier elemento intercalado en el circuito puede ser considerado una
resistencia, ya sea un transistor, un motor, una bombilla o una lavadora.

2) MOSFET

Es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación

de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-
Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,
MOSFET) se debe a la construcción del propio transistor. Cuando
hablábamos de los BJT, mencionamos que existen 2 tipos de transistores,
los NPN y los PNP y que cuentan con 3 terminales: la base, el colector y el
emisor.
Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate, Drain y Source
(compuerta, drenaje y fuente). A su vez, se subdividen en 2 tipos, los
MOSFET canal N y los canal P.

Existen diferentes tipos de MOSFET, dependiendo de la forma cómo están

construidos internamente. Así, tenemos MOSFET de enriquecimiento y
MOSFET de empobrecimiento, cada uno con su símbolo característico.
Ahora que conocemos la simbología, tanto del BJT como del MOSFET
podemos establecer lo siguiente:

 Ambos dispositivos son transistores

 Ambos dispositivos tienen 3 terminales
 Ambos dispositivos pueden funcionar como interruptores (o
conmutadores) y como amplificadores de señales

El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura MOS.

En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el
electrodo de la Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los
contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El término
enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en
la región correspondiente al canal, que también es conocida como la zona
de inversión.
 La estructura MOS

La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un

Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera
una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas
o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada. Por último,
sobre esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que
posee características conductoras. En la parte inferior se coloca un
contacto óhmico, en contacto con la capsula, como se ve en la figura.

La estructura MOS, actúa como un condensador de placas paralelas en el

que G y B son las placas y el óxido, el aislante. De este modo, cuando VGB=0,
la carga acumulada es cero y la distribución de portadores es aleatoria y se
corresponde al estado de equilibrio en el semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico entre los terminales de Puerta y
substrato. La región semiconductora p responde creando una región de
empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexión), al igual que
ocurriera en la región P de una unión PN cuando estaba polarizada
negativamente. Esta región de iones negativos, se incrementa con VGB.
Al llegar a la región de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora
de empobrecimiento, no pueden compensar el campo eléctrico y se provoca
la acumulación de cargas negativas libres (e–) atraídos por el terminal
positivo. Se dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversión
débil a inversión fuerte.
El proceso de inversión se identifica con el cambio de polaridad del substrato,
debajo de la región de Puerta. En inversión fuerte, se forma así
un CANAL de e–libres, en las proximidades del terminal de Puerta (Gate) y
de huecos p+ en el extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta
como un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia
desde la Puerta al substrato es prácticamente infinita e IG=0 siempre en
estática. Básicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de
portadores libres suficiente para sustentar una corriente eléctrica.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N.
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2) que impide
prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de puerta
se establece en forma de tensión. La calidad y estabilidad con que es posible
fabricar estas finas capas de óxido es la principal causa del éxito alcanzado
con este transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado.
Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite
una mayor densidad de integración. Comencemos con la estructura básica
del MOSFET, seguido de sus símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la
interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n,
fuertemente dopado (n+).

Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un MOSFET

de tipo N, se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide
perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este campo,
atrae a los electrones hacia la superficie, bajo la capa de óxido, repeliendo
los huecos hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy intenso se logra
crear en dicha superficie una región muy rica en electrones, denominada
canal N, que permite el paso de corriente de la Fuente al Drenador. Cuanto
mayor sea la tensión de Puerta (Gate) mayor será el campo eléctrico y, por
tanto, la carga en el canal. Una vez creado el canal, la corriente se origina,
aplicando una tensión positiva en el Drenador (Drain) respecto a la tensión
de la Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los
portadores son huecos (cargas de valor positivas, el módulo de la carga del
electrón). En este caso, para que exista conducción el campo eléctrico
perpendicular a la superficie debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo
N, por lo que la tensión aplicada ha de ser negativa. Ahora, los huecos son
atraídos hacia la superficie bajo la capa de óxido, y los electrones repelidos
hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica en huecos se forma el canal P.
Cuanto más negativa sea la tensión de puerta mayor puede ser la corriente
(más huecos en el canal P), corriente que se establece al aplicar al terminal
de Drenador una tensión negativa respecto al terminal de Fuente. La
corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.
Si con tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina de
acumulación; y de vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensión de
Puerta a partir de la cual se produce canal, se conoce como tensión umbral,
VT. El terminal de sustrato sirve para controlar la tensión umbral del transistor,
y normalmente su tensión es la misma que la de la Fuente.
El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y Drenador son
intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensión
actúa de Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensión en el
tipo P (recoge los huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el
funcionamiento de un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.
El símbolo más utilizado para su representación a nivel de circuito se muestra
en la figura siguiente. La flecha entre el terminal de Fuente y Gate, nos
informa sobre el sentido de la corriente.

En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas fuentes de

tensión polarizando los distintos terminales: VGS, VDS. Los terminales de
substrato (B) y Fuente (S) se han conectado a GND. De este modo, VSB=0
(tensión Surtidor-sustrato=0) , se dice que no existe efecto substrato.
 Según los valores que tome la tensión VGS, se pueden considerar tres casos:
- VGS=0. Esta condición implica que VGS=0, puesto que VSB=0. En estas
condiciones, no existe efecto campo y no se crea el canal de e–, debajo de la
Puerta. Las dos estructuras PN se encuentran cortadas (B al terminal más
negativo) y aisladas. IDS=0 aproximadamente, pues se alimenta de las
intensidades inversas de saturación.
- La tensión VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o deplexión en el
canal. Se genera una carga eléctrica negativa e–en el canal, debido a los
iones negativos de la red cristalina (similar al de una unión PN polarizada en
la región inversa), dando lugar a la situación de inversión débil
anteriormente citada. La aplicación de un campo eléctrico lateral VDS>0, no
puede generar corriente eléctrica IDS.
- La tensión VGS>>0, da lugar a la inversión del canal y genera una población
de e– libres, debajo del óxido de Puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma
el CANAL N o canal de electrones, entre el Drenador y la Fuente (tipo n+)
que, modifica las características eléctricas originales del sustrato. Estos
electrones, son cargas libres, de modo que, en presencia de un campo
eléctrico lateral, podrían verse acelerados hacia Drenador o Surtidor. Sin
embargo, existe un valor mínimo de VGS para que el número de electrones,
sea suficiente para alimentar esa corriente, es VT, denominada TENSIÓN
UMBRAL (en algunos tratados se denomina VTH).
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operación para valores de
VGS positivos:
- Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad sólo es aproximadamente cero) y
decimos que el transistor opera en inversión débil. En ella, las corrientes
son muy pequeñas y su utilización se enmarca en contextos de muy bajo
consumo de potencia. Se considerará que la corriente es siempre cero. De
otro lado;
- Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero, si VDS es no nulo. Se dice que
el transistor opera en inversion fuerte.
Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor será la concentración de cargas
libres en el canal y por tanto, será superior la corriente IDS.
3) Opto acoplador

Si quieres evitar que algunas partes de tu circuito se vean afectadas por

corrientes o voltajes excesivos que puedan destruir tus componentes
(como puede pasar a causa de los efectos transitorios que sufren los
transistores en su encendido y apagado, así como en otros muchos
circuitos), la solución más simple es aislar, separar esas partes. El
dispositivo encargado de realizar esa función es el
Optoacoplador (también conocido como Optoaislador).
Las utilidades de este componente van mucho más allá que simplemente
aislar circuitos.

EL OPTOACOPLADOR

Un Optoacoplador es un circuito integrado muy básico compuesto

generalmente por un diodo LED y un fototransistor unidos de tal forma
que cuando una señal eléctrica circula a través del LED haciendo que
brille, la luz que este emite es recibida por la base del fototransistor, que
empieza a actuar en modo saturación.
Puedes utilizar este dispositivo a modo de interfaz entre dos circuitos, de
tal forma que quedarían unidos ópticamente, lo que a efectos de
protección del circuito, se traduce en colocar una resistencia de un valor
muy alto (muchos MΩ), lo que lo hace especialmente útil para proteger
contra los picos de tensión.
Como la luz que emite el LED varía en función de la tensión y la corriente
que circulan por él y esta luz a su vez modifica el comportamiento del
transistor, la señal eléctrica que tendrás a la salida (en el transistor)
dependerá de la señal que tengas a la entrada, es decir, de
cómo ataques el LED.
En la práctica esto se traduce en que si regulas bien el comportamiento
de tu Optoacoplador (y los componentes necesarios para su
funcionamiento), puedes conseguir que tu circuito aislador sea invisible
en la práctica, es decir, no cambie el comportamiento de tu circuito global.
Otra posibilidad es que te aproveches de la ganancia que te
proporciona el fototransistor y lo utilices para amplificar la señal. En
definitiva, como todo en electrónica, el límite es tu imaginación.

QUÉ UTILIDADES TIENE UN OPTOACPOPLADOR

Además de para aislar circuitos, se pueden utilizar Optoacopladores para:

- Interfaces en circuitos lógicos.
 - Interfaces entre señales de corriente alterna y circuitos lógicos.
- En sistemas de recepción (telefonía).
- Control de potencia.
- A modo de relé.
- etc.

III. CIRCUITO ARMADO

MOSFET

CONN-SIL5

optoacopador -
PC817B

Res. = 330 Ω Res. = 1 K Ω

Res. = 10 K Ω

IV. MATERIALES

- 4 resistencias R=330 ohm

- 4 resistencias R=1K ohm
- 4 resistencias R=10K ohm
- 4 optoacopador - PC817B
- 4 MOSFET - IRF540N
- 1 CONN-SIL5
- 1 motor
- Pack arduino UNO
- 1 PC con software arduino y software PROTEUS.
- Cautín, estaño, y grasa para soldar.
- 1 plancha
- 1 Baquelita de recubrimiento de Cobre (Cu).
- Impresión del circuito en papel cuché o papel fotográfico.
- Ácido Férrico (para la realización de la placa).
- Alicate de corte.
- TINNER.
- Recipiente de plástico.
- Fuente DC(para las pruebas de la placa)
- Multímetro.

V. PROCEDIMIENTO

1. Diseñar y construir el circuito unipolar anterior:

1.1. DISEÑO:

 Usando el software PROTEUS se pasó a diseñar el circuito con

los dispositivos adecuados e indicados por el docente.
Tomando en cuenta que PROTEUS SOLO SE ENCARGA DE
LA SIMULACION del circuito que en tiempo real funciona de
manera muy similar.
El diseño del circuito es el siguiente:
 Una vez establecido el diagrama primario del circuito pasamos
a revisar el PCB LAYOUT para encontrar las pistas de señales
que serían las que trabajaran en el circuito real, este proceso
es analizado y construido de manera automática por
PROTEUS, una vez puesto los dispositivos en la parte de
simulación de la pantalla, nos quedó esta imagen:

 Una vez llegado a esta parte se pasa a observar la parte en 3D

que PROTEUS nos ofrece, y de esta manera tener una
referencia de cómo nos quedará el circuito, una vez concluido
el proyecto, esta parte nos servirá de mucha ayuda para la
creación de circuito puesto q podemos utilizarlo como guía al
momento de hacer las soldaduras de los dispositivos en
mencionada placa.
Este diseño en 3D nos queda de la siguiente forma:
1.2. CONSTRUCCION DEL CIRCUITO

 Una vez se tiene el diseño en 3D de la placa, se procede a la

impresión del LAYOUT de la misma en hoja de papel cuché o
fotográfico el cual se utilizará para el planchado de la misma.

 La imagen del circuito creado y listo para la impresión es la

siguiente:
 Para continuar con la construcción de la misma hacemos los
cortes adecuados en la Baquelita con recubrimiento por un
lado de cobre (Cu), ajustándola así a la medida de la impresión
y la placa salga cómoda para hacer las diferentes soldaduras.
La baquelita la mostramos así:
 El siguiente paso luego de cortar la baquelita es planchar el
circuito y dejarlo impreso en la misma eso sucederá colocando
la impresión del circuito boca abajo y encima del cobre en la
baquelita de esta manera:

 Una vez colocado el papel fotográfico a la baquelita la

aseguramos con cinta a sus contornos para que no se mueva
al momento del planchado.
 Aseguramos la baquelita con el papel fotográfico a una mesa
para la placa se mantenga estable.
 Le agregamos un papel encima de preferencia un papel un
poco más grande y el mismo se asegurara a la mesa de
trabajo también.
 El siguiente paso es calentar la plancha y comenzar a pasarla
sobre la superficie del papel solo en la parte donde se
encuentra la placa, aproximadamente durante 5 a 7 minutos,
para asegurarnos que toda la impresión sobre el cobre fue
completa y correcta:
 Pasado los 5 o 7 minutos del planchado se retirar todos los
papeles q se pusieron encima y se retira con cuidado y
lentamente el papel que contiene el circuito que quedo en la
placa. Una vez hecho esto, con un poco de TINNER pasamos
a limpiar algunas impurezas de papel o el pegamento de
alguna cinta si es quedo, la idea del tinner es que no exista
ninguna partícula extraña en la placa para evitar algún
problema posterior, por eso se prefiere que solo quede la
impresión sobre el cobre.

 Una vez teniendo la impresión sobre el cobre se utiliza el ácido

férrico que tiene q ser puesto en un recipiente de plástico mas
no de metal, y sumergir la placa planchada en el ácido férrico,
dejarla ahí alrededor de 20 minutos. Hasta que el cobre q no
este cubierto por la impresión del circuito, desaparezca.

 La reacción química del ácido férrico con el cobre, hace que el

cobre sea corroído si no está protegido, de esta manera solo
quedara el cobre cubierto por la impresión del circuito:

 Obtenemos entonces las líneas de la placa que tenemos en el

LAYOUT de proteus, impresas en la placa.

 Con taladro adecuado para no maltratar la placa, comenzamos

a hacer los agujeros donde entraran los componentes del
circuito ya diseñado:
 El siguiente movimiento entonces en la elaboración de la placa
será colocar los componentes y soldar.

 Al momento desoldar tenemos que hacerlo con mucho cuidado,

ya que es posible que en un mal movimiento podamos unir una
línea de transmisión con el punto de tierra, así que antes de las
soldaduras del circuito pasamos por unas ciertas pruebas en la
baquelita sobrante:

 Posteriormente se pasó a realizar las soldaduras de

componentes en la placa del circuito las cuales quedaron de la
siguiente forma:
 Con el alicate de corte todas las puntas sobrantes por la parte
del cobre en la placa se deben de recortar para el mejor manejo,
por estética, y por evitar los problemas de corto circuito de algún
componente y la placa tenga problemas:
  Mostramos entonces la parte superior de la placa electrónica
realizada.

Que comparándola con la edición en 3D es totalmente similar,

pero no podríamos decir que fue un total éxito puesto que la
única parte faltante son los cubos de conexión al motor que
fueron agregados posteriormente antes de las pruebas en
laboratorio.
2. PRUEBAS EN LABORATORIO.
2.1. PRIMERA PRUEBA.

 En la primera prueba del laboratorio surgió un error, que en su

análisis junto con el docente a cargo del curso, fue error en
colocar las resistencias de 330Ω, ya q se colocaron resistencias
de 330 KΩ, y esto impedía el paso de corriente y de esta forma
la reacción del motor controlado por el software arduino, sea
nula, por lo tanto la primera prueba fue considerada fallida.
 2.2. SEGUNDA PRUEBA.

 Una vez corregido el error anterior y desoldar las resistencias

de 330kΩ y colocar las resistencias de 330Ω, se armó
nuevamente el circuito haciendo las conexiones adecuadas con
arduino y el motor correspondiente, el circuito funcionó
correctamente, no mostró ningún cortocircuito y cruce de líneas
y las pruebas del motor mostraron fuerza y ninguna pérdida de
pasos del motor, se declaró entonces la segunda prueba como
un éxito.
 A continuación mostramos imágenes de la segunda prueba del
motor y el cambio de resistencias:

Primeras resistencias
330KΩ

Segundas resistencias
330Ω
 IMÁGENES DE LA SEGUNDA PRUEBA:

 CONEXIÓN DE LA PLACA AL MOTOR Y AL PACK ARDUINO:

HACIA EL MOTOR

 VERIFICACION DEL MOVIMIENTO DEL MOTOR PASO A PASO:

 CONTROLADOR SOFTWARE ARDUINO UNO DESDE PC:

 CIRCUITO COMPLETO ARDUINO-PLACA-MOTOR

  FUENTE DC CON 10V PARA EL TRABAJO DEL CIRCUITO
COMPLETO:

VI. CONCLUSIONES.

 La placa está dividida en dos etapas una de control y otra de

amplificación de señal, la de control está hecha por los
optocopladores y la de amplificación por los Mosfet.
 Se concretó el conocimiento sobre el diseño y creación de un circuito
en una placa de cobre.
 Se hicieron las pruebas adecuadas que nos mostraron errores en el
circuito y obtuvimos el conocimiento del porqué de los errores, que
nos ayudarán para la creación de diferentes placas en un fututo.
 Las pruebas el laboratorio luego de corregidos los errores resultaron
exitosas con el perfecto funcionamiento del circuito.