ÍNDICE

ÍNDICE ............................................................................................................................ 2
INTRODUCCIÓN ............................................................................................................. 3
OBJETIVOS .................................................................................................................... 4
Objetivo General .......................................................................................................... 4
Objetivos Específicos ................................................................................................... 4
BASES TEÓRICAS ......................................................................................................... 5
MARCO METODOLÓGICO ............................................................................................ 7
Resumen del procedimiento ..................................................................................... 7
 INTRODUCCIÓN

En las instalaciones de microondas, existe un dispositivo que es de gran relevancia

debido a que representa la base de los sistemas de comunicación debido a su capacidad
para la generación de frecuencias para el rango de microondas, se trata del diodo Gunn.
El diodo gunn, presenta la característica de oscilar cuando se alcanza una
determinada intensidad del campo eléctrico. Cuando se aplica un voltaje determinado a
través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en
los extremos. Finalmente, esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo
presenta una zona de resistencia negativa. Esto es conocido como el efecto Gunn, el cual
fue descubierto por J. B. Gunn en 1960.
Contemplando la importancia que presenta conocer más acerca de los principios
de operación de un oscilador gunn, se realiza este trabajo con el fin de indagar más a
fondo en el tema para posteriormente realizar mediciones y determinar las características
de dicho dispositivo.
 OBJETIVOS

Objetivo General

Relacionarse con los principios básicos de operación del oscilador gunn, mediante
su estudio teórico y práctico, comprobando de manera experimental su funcionamiento
realizando mediciones de voltaje-corriente y voltaje-potencia del oscilador.

Objetivos Específicos

 Demostrar los principios de operación del oscilador Gunn.

 Medir la potencia de microondas entregadas por el oscilador gunn para luego
determinar su eficiencia a diversos voltajes de operación.
 Realizar mediciones respectivas de voltaje-corriente y voltaje-potencia del oscilador.
 Obtener y estudiar la curva característica de corriente versus voltaje del oscilador
Gunn.
 Observar si se cumple el efecto gunn.
 BASES TEÓRICAS

Oscilador Gunn

Una fuente Gunn consiste en un diodo Gunn colocado en una cavidad resonante.
Dependiendo de la técnica de fabricación, los diodos Gunn pueden suministrar desde
1mW a 5mW de potencia de microonda. Las eficiencias de estas diferentes fuentes
pueden variar de 0.2% a 20%, La mayoría de la potencia se disipa como calor, por lo
tanto, los diodos Gunn requieren disipadores de calor para disipar eficientemente el calor
para evitar que se quemen. La señal de microondas generada usualmente tiene una
frecuencia en el rango de 1 a 100 Ghz, dependiendo del diodo utilizado y de la cavidad
resonante asociada. El nombre gunn viene de efecto Gunn, el principio que está detrás
de la operación del dispositivo.

Efecto Gunn

En 1960, J.B. Gunn descubrió que algunos materiales semiconductores podían

utilizarse para producir oscilaciones de microondas por medio del efecto que ahora lleva
su nombre. El efecto Gunn es solo posible en algunos materiales semiconductores tipo
M. Los más comúnmente utilizados son el arcienuro de galio (GaAs) aunque el efecto ha
sido demostrado en el telurio de cadmio (CdTe) y en el arcienuro de indio (InAs).
Estos materiales se comportan de una manera algo diferente de los materiales
semiconductores normales cuando se aplica un voltaje DC relativamente pequeño a
través de una delgada porción de GaAs tipo n, los electrones fluirán como una corriente
hacia el extremo positivo de la porción, si el voltaje se incrementa, los electrones se
moverán más rápido hacia el extremo positivo aumentando la corriente. Cuando el voltaje
se incrementa de modo que el gradiente de potencia a través de la porción excede un
umbral de alrededor de 3,3 Kv/cm, la corriente comenzara a disminuir y se dice que la
porción exhibirá resistencia negativa. Al aumentar el voltaje, eventualmente, causará que
la corriente se incremente nuevamente. El incremento en la corriente continuará mientras
el voltaje aumenta hasta que las colisiones de los electrones con la red del cristal
semiconductor generen suficiente calor para destruir el cristal.
Curvas características

Funcionamiento de resistencia positiva

El arseniuro de galio es uno de los pocos materiales semiconductores que en una

muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energía vacía más alta que la más
elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente.
Cuando se aplica una tensión a una placa (tipo N) de arseniuro de galio, los
electrones, que el material tiene en exceso, circulan y producen corriente. Si se aumenta
la tensión, la corriente aumenta.

Funcionamiento de Resistencia negativa

La resistencia negativa es un resultado de las propiedades de masa de los

materiales semiconductores tipo n; la causa se debe a la naturaleza de los materiales. Si
a la placa anterior se le sigue aumentando la tensión, se les comunica a los electrones
una mayor energía, pero en lugar de moverse más rápido, los electrones saltan a una
banda de energía más elevada, que normalmente está vacía, disminuyen su velocidad y,
por ende, la corriente. Así, una elevación de la tensión en este elemento causa una
disminución de la corriente.
Finalmente, la tensión en la placa se hace suficiente para extraer electrones de la
banda de mayor energía y menor movilidad, por lo que la corriente aumentará de nuevo
con la tensión. La característica tensión contra corriente se parece mucho a la del diodo
túnel.
 MARCO METODOLÓGICO

Equipamiento requerido

DESCRIPCIÓN MODELO

Fuente de Alimentación del Oscilador Gunn 9501

Medidor de Potencia 9503
Oscilador Gunn 9510
Montaje del Termistor 9521
Atenuador Fijo (6 dB). 9533
Cables de Conexión y Accesorios 9590
Soporte de la Guía de Onda (2) 9591

Resumen del procedimiento

Primero obtendremos la curva característica de corriente-voltaje del oscilador

Gunn. En donde el medidor incorporado en la fuente de alimentación del oscilador Gunn,
permitirá la medición directa de dichos valores. Además, también mediremos la potencia
de microondas entregada por el oscilador Gunn en cada punto de operación y, por último,
se determinará su eficiencia a diversos voltajes como corresponde.

Procedimiento

1. Aseguramos de que todos los interruptores de potencia estén en la posición 0 (off)

y que los módulos estén colocados de la siguiente forma:
2. Montamos la instalación como se muestra en la siguiente figura.

Asegurando de que antes de conectar el montaje del termistor, los tornillos de

adaptación estén desatornillados para que no penetren en la guía de onda, y
colocando dos soportes de guía de onda, uno debajo del oscilador Gunn y otro
debajo del montaje del termistor.

3. Realizamos los siguientes ajustes en la fuente de alimentación del oscilador

Gunn:

VOLTAJE: …………………………………………MIN.
MODO: ………………………………………...……DC
RANGO DEL MEDIDOR: …………………………10 V

4. Encendemos la fuente de alimentación del oscilador Gunn, el medidor de

potencia. Ajustamos el voltaje de la fuente de alimentación a 8 V.
Seleccionamos el rango de 3 mW en el medidor de potencia y esperamos cerca
de 2 minutos para que se estabilice. Luego ajustamos la aguja del indicador de
potencia a 0 mW con las perillas de ZERO AJUST.
 Figura nº1. Ajustes de la fuente.

Figura nº2. Ajuste escala medidor de potencia.

5. Ajustamos el cortocircuito móvil y los tornillos de adaptación del montaje del termistor
para hacer máxima lectura de potencia en el medidor.
 Figura nº3. Ajuste del cortocircuito móvil para máxima lectura de potencia.

6. Luego para obtener las características respectivas del oscilador Gunn para cada valor de
voltaje dado, realizamos lo siguiente:

• Seleccionamos el rango del medidor en 10 V y ajustamos la perilla de VOLTAJE

para el voltaje requerido.
• Seleccionamos el rango del medidor 250 mA y medimos la corriente tomada por
el oscilador Gunn.
• Seleccionamos el rango del medidor 10 V en la fuente de alimentación del
oscilador Gunn y medimos la potencia absorbida por el termistor Pread.
• Multiplicamos la lectura del medidor de potencia por 4 para obtener la potencia
entregada por el oscilador Gunn P0. Esto es necesario para corregir la pérdida de
potencia en el atenuador fijo de 6 dB.
• Utilizamos la siguiente ecuación para calcular la eficiencia de la fuente Gunn.

𝑃o
η(%) = × 100%
𝑉 ×𝐼
Tabla 1. Determinación de las características del oscilador Gunn.
Voltaje Corriente Lectura del Potencia Eficiencia
suministrado suministrada medidor de entregada
potencia
V I pread Po= Pread*4 n
V mA mW %
0 0 0 0 0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
5,5
6
6,5
7
7,5
8
8,5
9
9,5
10
7. A partir de los resultados obtenidos en la tabla 1, dibujamos la curva de corriente versus
voltaje del oscilador Gunn.

8. A partir de los resultados obtenidos, dibujamos la potencia entregada Po versus el voltaje

suministrado al oscilador Gunn.

Nota el voltaje al cual comienza a oscilar el oscilador Gunn. Refiriéndose a la gráfica nº1,
¿Está este voltaje dentro de la región de resistencia negativa?
Respuesta= Si.
9. Para finalizar, llevamos la perilla de control de voltaje en la fuente de alimentación del
oscilador Gunn a su posición MIN. Colocamos todos los interruptores de energía en la
posición 0 (off), desarmamos la instalación y colocamos todos los componentes en sus
compartimientos de almacenamiento.
 PREGUNTAS DE REVISIÓN

a) ¿Cuáles son los componentes principales de un oscilador gunn?

Respuesta:

b) ¿En qué materiales es posible el efecto Gunn?

Respuesta:
El efecto gunn es solo posible en algunos materiales semiconductores tipo m. los
más comúnmente utilizados son el arcienuro de galio (GaAs) y el fosfuro de indio (InP)
aunque el efecto ha sido demostrado en el telurio de cadmio (CdTe) y en el arcienuro de
indio (InAs).

c) Describa el fenómeno que crea la resistencia dinámica negativa en un cristal

semiconductor.

Respuesta:
Cuando el voltaje se incrementa de modo que el gradiente de potencial a través de la
porción de material excede un umbral cercano a 3,3 kV/cm, la corriente comienza a
disminuir y se dice que el material presenta una resistencia negativa

d) ¿Qué determina la frecuencia exacta de oscilación del oscilador Gunn?

La frecuencia exacta de operación depende del circuito sintonizado. Un circuito
sintonizado LC o una cavidad es periódicamente excitado por una señal en fase, las
oscilaciones se mantendrán.
e) Un oscilador Gunn genera una señal de microondas de ondas continua (CW)
de 100 mW con una eficiencia de 2%. ¿Cuánta potencia debe disipar el disipador
de calor?
CONCLUSIÓN