UNIVERSIDAD POLITÉCNICA

SALESIANA
INGENIERÍA AUTOMOTRIZ

ELECTRÓNICA ANALÓGICA Y DIGITAL

INTEGRANTES:

 León Rogelio
 Murillo Leonardo
 Maldonado Fabián
 Ochoa Alex
 Salinas Diego
 Saavedra Jair

GRUPO: # 5

PROFESOR: ING PAUL ORTÍZ

CIRCUITOS CON TRANSISTORES BJT

2016- 2017
 CIRCUITOS CON TRANSISTORES BJT
1. OBJETIVOS
Objetivo General
 Estudiar el funcionamiento de los circuitos de amplificación con transistores BJT y
comparar los resultados obtenidos en los cálculos con los de la simulación y las
mediciones con el multímetro en el protoboard.
Objetivos Específicos
 Realizar los cálculos de los variables que intervienen en el circuito.
 Simular los circuitos en un software (Multicim).
 Armar los circuitos en un protoboard, en donde se demuestre el funcionamiento.
 Comprobar los valores en una tabla comparativa para ver su variación.

2. MARCO TEÓRICO
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de
salida en respuesta a otra señal de entrada, cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.
Las dos funciones principales del transistor son:
 Permite el paso o corta señales eléctricas a partir de una pequeña señal de mando.
 Funciona como un elemento amplificador de señales.

TIPOS DE TRANSISTORES
Hay dos tipos de BJT, el primero tiene la base de tipo N y el
emisor y colector de tipo de P; el segundo tiene la base de tipo
P y el emisor y colector son de tipo N. A estos dos tipos de
transistor se los conoce como PNP, NPN respectivamente.

Figura 1 Transistores NPN y PNP [2]

CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN

Si ahora se cambia la ubicación de las terminales del
transistor, conectando la terminar de emisor, se obtiene una
nueva configuración llamada de emisor común, cuya
entrada estará entre terminales base y emisor, mientras que
la salida será del colector al común. Esta es la
configuración que con mayor frecuencia se utiliza en
circuitos amplificadores con BJT. La representación de una
configuración de emisor común se puede visualizar en la
figura
Figura 2Representación de un emisor común. [3]
CURVA CARACTERÍSTICA DEL BJT Y SUS ZONAS DE OPERACIÓN

Las curvas características de emisor común representan el comportamiento del BJT en el punto
Q de operación.

Figura 3 Curva característica del BJT [1]

3. DESARROLLO

Realizar el diseño de los siguientes circuitos con transistores y calcular todos los parámetros de
la polarización. Los requerimientos que deben cumplir se presentan en cada esquema.

MATERIALES E INSTRUMENTOS
o Multímetro digital.
o Resistencias.
o Transistores BJT
o Fuente de voltaje CC.
o Cables o conectores.
o Software (Circuit Maker)
o Protoboard.
 CIRCUITOS

CONDICIONES DEL CIRCUITO:

𝑉𝑐𝑐
𝑽𝑪𝑬 =
2
𝑰𝑪 = 3𝑚𝐴

CALCULOS:

Datos:

𝑽𝑪𝑪 = 5𝑉
𝑽𝑪𝑬 = 2,5𝑉
𝑰𝑬 = 3𝑚𝐴
𝑽𝑻𝑯 = 1,5𝑉
𝜷 = 100

5
𝑽𝑹𝑬 = = 0,5𝑉
10
𝑽𝑹𝑪 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 = 5𝑉 − 2,5𝑉 − 0,5𝑉 = 2𝑉
𝑉𝑅𝐸 0,5𝑉
𝑹𝑬 = = = 167Ω
𝐼𝐶 3𝑚𝐴

𝑉𝑅𝐶 2𝑉
𝑹𝑪 = = = 667Ω
𝐼𝐶 3𝑚𝐴
 𝐼𝐶 3𝑚𝐴
𝑰𝑩 = = = 30𝜇𝐴
𝛽 100
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝑅𝐸 − 0,7 1,5𝑉 − 0,5𝑉 − 0,7𝑉
𝑹𝑬𝑸 = = = 10𝐾Ω
𝐼𝐵 30𝜇𝐴

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅𝐸𝑄 5𝑉 ∗ 10𝐾

𝑹𝟏 = = = 33𝐾Ω
𝑉𝑇𝐻 1,5𝑉

𝑉𝑇𝐻 ∗ 𝑅1 1,5𝑉 ∗ 33𝐾Ω

𝑹𝟐 = = = 14𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑇𝐻 5𝑉 − 1,5𝑉

𝑉𝐶𝐶 5
𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 = = = 6𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 667Ω + 167Ω

Figura 4 Punto de operación del circuito1.

 VALORES COMPARATIVOS
DATOS OBTENIDOS
CALCULOS SIMULACION PRACTICA
Vcc 5v 5v 4.9v
VCE 2,5v 4,32v 4.34v
VD 3.3V 3.049V 3.21V
IB 30µA 30.25 µA 31.01 µA
IC 3mA 3.09mA 3.04 mA
IE 3mA 3.12mA 3.21 mA
Figura 5 Tabla de comparación de los datos obtenidos con los cálculos, la simulación y los del protoboard.

SIMULACION DEL CIRCUITO EN MULTICIM

Figura 6: Simulación del circuito 1.

 CONDICIONES DEL CIRCUITO:
𝑉𝑐𝑐
𝑽𝑪𝑬 =
2
𝑰𝑬𝟐 = 4.5𝑚𝐴

CALCULOS:

Datos:

𝑽𝑪𝑪 = 5𝑉
𝑽𝑪𝑬 = 2,5𝑉
𝑰𝑬 = 4,5𝑚𝐴
𝑽𝑻𝑯 = 4

𝑉𝐶𝐶 5𝑉
𝑽𝑹𝑬 = = = 1𝑉
20 20

𝑽𝑹𝑪 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 = 5𝑉 − 2,5𝑉 − 1𝑉 = 1,5𝑉

 𝑉𝑅𝐸 1𝑉
𝑹𝑬 = = = 222,2Ω
𝐼𝐶 4,5𝑚𝐴

𝑉𝑅𝐶 1,5𝑉
𝑹𝑪 = = = 333,3Ω
𝐼𝐶 4,5𝑚𝐴
𝑰𝑩 = 1𝐴

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝑅𝐸 − 1,8 4𝑉 − 1𝑉 − 1,8𝑉

𝑹𝑬𝑸 = = = 1,2Ω
𝐼𝐵 1𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐸𝑄 5𝑉 ∗ 1,2Ω

𝑹𝟏 = = = 1,5Ω
𝑉𝑇𝐻 4𝑉

𝑉𝑇𝐻 − 𝑅1 4𝑉 ∗ 1,5Ω
𝑹𝟐 = = = 6Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑇𝐻 5𝑉 − 4𝑉

𝑉𝐶𝐶 5
𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 = = = 9𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 333Ω + 222Ω

Figura 7 : Punto de operación del circuito2.

 VALORES COMPARATIVOS
DATOS OBTENIDOS
CALCULOS SIMULACION PRACTICA
Vcc 5v 5v 4.89v
VCE 2,5v 2,48v 2.16v
IB1 0,45µA 458,2nA 0.470µA
IC 4,5mA 4,52mA 4.8mA
Imax 9mA 9mA 8.89 mA

Figura 8 :Tabla de comparación de los datos obtenidos con los cálculos, la simulación y los del protoboard.

SIMULACION DEL CIRCUITO EN MULTICIM

Figura 9 Simulación del circuito 2.

 CONDICIONES DEL CIRCUITO:

𝑽𝑪𝑬 = 1.5𝑣
𝑰𝑪 = 2𝑚𝐴

DATOS IMPUESTOS:

𝑹𝑪 = 330𝛺
𝜷 = 100

CALCULOS:

Datos:

𝑉𝐶𝐶 = 5𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 1,5𝑉
𝐼𝐸 = 2𝑚𝐴
𝛽 = 100

𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸

𝑉𝐶𝐶 −0,7
𝑰𝑩 = 𝑅𝐵 +𝑅𝐸 (𝛽)

𝐼𝐶 2𝑚𝐴
𝑰𝑩 = = = 20𝜇𝐴
𝛽 100

𝑉𝐶𝐶 5
𝑽𝑬 = = = 0,5𝑉
10 10

𝑉𝐸 0,5 𝑉
𝑹𝑬 = = = 250Ω
𝐼𝐶 2𝑚𝐴
 5−0,7
20 𝜇𝐴 = 𝑅𝐵+250(100)

5 − 0,7𝑉
𝑹𝑩 = − (250 ∗ 100)
20𝜇𝐴

𝑹𝑩 = 190𝐾Ω

𝑽𝑪 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 ) = 5 − (1,5 + 0,5) = 3𝑉

𝑉𝐶 3𝑉
𝑹𝑪 = = = 1,5𝐾Ω
𝐼𝐶 2𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 5
𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 = = = 2,86𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 1,5𝐾Ω + 250Ω

Figura 10 Punto de operación del circuito3.

 VALORES COMPARATIVOS
DATOS OBTENIDOS
CALCULOS SIMULACION PRACTICA
Vcc 5v 5v 4,89V
VCE 1,5v 1,555v 1.46 V
IE 3mA 2.92mA 2.83mA
IC 3mA 2.92 mA 2.85mA
Figura 11: Tabla de comparación de los datos obtenidos con los cálculos, la simulación y los del
protoboard

SIMULACION DEL CIRCUITO EN MULTICIM

Figura 12 Simulación del circuito 3.

CONCLUSIONES
 El valor de la ganancia del transistor depende del valor del 𝜷 del transistor por lo que
para diseñar el circuito y cumplir con las condiciones especificadas se debe tener en
cuenta los valores de hfe (β) que existen en el mercado.

 Para que los datos obtenidos en los cálculos sean lo más similares con los de la
simulación y las mediciones en el protoboard, se deben usar elementos como resistencias,
diodos y transistores con valores lo más cercanos a los obtenidos en el cálculo. En el caso
 de las resistencias si no se obtiene valores comerciales se deben conectar en serie hasta
obtener la resistencia deseada.

 Una parte importante que debemos tener en cuenta es la identificación en los transistores
el colector, base y emisor para armar los circuitos y poder obtener los valores deseados.

 La variación entre los valores calculados con respecto a los valores de la simulación son
muy parecidos debido a que en la simulación se colocó los valores exactos de los
cálculos, y a comparación de los valores obtenidos de forma práctica varían debido a que
el beta de los transistores siempre están variando, que la fuente de voltaje no es exacta y
que las resistencias tienen un grado de tolerancia en su valor en homnios lo que hace a
que los valores varían con un grado un poco mayor a los de la simulación

Bibliografía

[1] Transistores BJT. [Ing.Paúl Ortiz]. UPS, 2015.

[2] D. J. R. Villaseñor. Gómez, Circuitos eléctricos y Aplicaciones digitales, Mexico: PEARSON, 2013.

[3] J. Delgado, «Galeon,» [En línea]. Available: http://juliodelgado.galeon.com/.

[4] A. F. González, «Funcionamiento de transistores,» 30 04 2014. [En línea]. Available:

https://sillainteligente.wordpress.com/2014/04/30/funcionamiento-de-transistores/. [Último
acceso: 20 11 2015].

LINK: VIDEO EXPLICATIVO DEL FUNCIONAMIENTO DE LOS CIRCUITOS EN YOUTUBE

https://www.youtube.com/watch?v=7j0Zuiy3UQ4&feature=youtu.be