Modelización de componentes circuitales

Guía de Trabajos prácticos N°1

1) Un resistor de alambre será utilizado en un rango de temperatura de – 40 °C a 80

°C, el material del alambre es de Nicrome cuya resistividad es de ρ(20°C)=150*10-6
Ω.cm y su coeficiente de resistencia en función de la temperatura es de α(20°C)=0,004
°C-1.
a) Si el resistor usa 1,22 mts. de alambre cuyo diámetro es de 0,127 mm cual
será la resistencia a 20 °C.
b) Que porcentaje de R a 20 °C le corresponde al delta de R en el intervalo de
temperatura previsto.

2) a) Determinar la resistencia R a 25 ºC en los extremos de la forma que se muestra en

la figura:

b) Calcular cuanto valdrá R a 80 ºC.

Datos:
e = 1cm
a = 29.5 cm
b = 30.5 cm
ρ0 = ρ25°C = 1 Ω.cm

α0 = 0.1 °C-1

3) Considere el problema de calcular la resistencia en los extremos del conductor en L

mostrado en la figura:
a) ¿Puede resolverse en forma exacta utilizando métodos algebraicos
sencillos?.
b) Resuélvalo de forma aproximada (despreciando la esquina) y estime
mediante alguna simplificación cual es el error introducido. ¿Considera
aceptable dicha aproximación?.
c) Reemplace los tramos de 1 y 2 m por 10 y 20 cm. ¿Considera aceptable la
aproximación hecha en el punto anterior?.

4) A baja temperatura (20 °C) la resistencia de cierta lámpara es de 1 Ω. ¿Cuál será la

resistencia en condiciones de operación (2300 °C)?.
α(20 °C)=0,00045 (1/°C)

5) El diagrama de abajo (Figura 5)muestra una tira fina de tantalio metálico, con
contactos eléctricos en sus extremos. Si h = 10 cm, W = 1 cm, t = 0.01 mm y ρ =
12,5.10-6 Ω.cm.
Calcule la resistencia en los bornes para temperatura ambiente.
6) Una barra semiconductora (silicio) como la de la figura 2 tiene dos contactos
metálicos en sus extremos, que inevitablemente introducen una resistencia de
contacto, que supondremos que es independiente de la temperatura:
a) Como varia la resistencia en los bornes en función de la temperatura.
b) Como podría determinarse separadamente la resistencia de contacto y la de
la barra.
c) Proponga un modelo de circuito parta esta estructura.

Figura 2

7) El dispositivo de dos terminales descripto por las características I-V de la figura,

esta colocado en serie con una batería de 3 V. La batería tiene una resistencia
interna de 10 Ω.
a) Encuentre la corriente en el circuito usando un método gráfico.
b) Reemplace el comportamiento I-V por un modelo lineal por tramos y
compare el resultado.

I-V

0.25

0.2

0.15
I

0.1

0.05

0
0 1 2 3 4 5
V

8) Para el cobre la conductividad σ = 106 (1/Ω.cm) y el numero de portadores de n =

1023 (1/cm3):
a) Estime la movilidad de los electrones en el cobre.
b) Un alambre de 0,25 mm de diámetro y 100 m de longitud se conecta a una
batería de 1 V. Estime la corriente y el campo eléctrico en el alambre.
c) ¿Cuanto le tomará a un electrón recorrer el alambre?, explique el resultado.

9) Considere un resistor anular que se muestra en la figura 4, donde a y b son los

radios interior y exterior respectivamente y t la altura del toroide. Demuestre:

a) Que la resistencia es:

R = (ρ.ln (b/a))/(2.π.t)
 b) Que si a ≈ b o sea b/a ≈ 1 entonces:

R ≈ ρ.(b-a)/(2.π.t.a)

Figura 4

10) Una forma cilíndrica aislante de 1 cm de diámetro se halla bobinada con 100 espiras
de alambre de niquelina de 0,1 mm de diámetro. Determinar la resistencia en los extremos
del bobinado a 20ºC y a 250ºC.

Datos:

ρ20º = 40 µ Ωcm
α20º = 0,3.10-3 C-1
 Semiconductores en equilibrio
Guía de Trabajos prácticos N°2

1) Determine la relación de concentración de electrones libres a 50 °C respecto de 25

°C para semiconductores con:
a) Eg = 1 eV.
b) Eg = 0,5 eV.

2) Complete el cuadro:

Problema ND NA ni n p
A 1017 1016 1011
B 1015 1016 105
C 1017 10 10
1017
D 1015 2.1015 1014
E 2.1015 1015 1,5.1015
F 0 1016 1016
G 0 1016 1015
H 1010 103 1017
I 0 1012 1012
J 1013 0 1013

3) El silicio tiene una constante dieléctrica ε = 11,7. ε0 (ε0=8,85.10-12 F/m); calcular

el tiempo de relajación dieléctrica para el silicio (Si) si la conductividad es:
a) 0,01 (Ω.cm)-1.
b) 1 (Ω.cm)-1.
c) 100 (Ω.cm)-1.

4) El silicio tiene una energía de gap de Eg = 1.12 eV, ¿cual es la mínima longitud de
onda de radiación electromagnética que será capaz de producir portadores por foto
generación?.

5) Si se tiene un semiconductor intrínseco:

ni = 1010 cm-3
ue= 5.000 cm2/v.seg.
uh= 50 cm2/v.seg.
T = 300 K

a) ¿Cuál es la conductividad de este semiconductor a 300 K?

b) ¿Puede bajarse la conductividad agregando impurezas?; Explíquelo.
 Exceso de cargas en semiconductores
Guía de Trabajos prácticos N°3

1) Dado el perfil de concentración de electrones en exceso que se muestra en la

figura 1:

a) Calcular la magnitud y dirección de la densidad de corriente de difusión en X1 y

X2, De = 10 cm2/seg.
b) Suponga que los efectos de la difusión son despreciables y que el exceso de
concentración de electrones esta dado en t = 0, por la figura 1. Si el tiempo de
vida es de 10 useg. encuentre el exceso de concentración de electrones en t = 5
useg. y grafíquelo.
c) Bosqueje una distribución razonable en t = 5, si tanto la recombinación como la
difusión son importantes.

Figura 1

2) Suponga que se crea una distribución de exceso de huecos en una barra

homogénea de silicio de tipo N de acuerdo a la función P’(x) = p.sen2(a.x) para 0 ≤ x ≤ π/a
donde p es una constante con unidades de 1/cm3 y a una constante con unidades de 1/cm .
Dh es el coeficiente de difusión para los huecos.

a) ¿Cual es la dirección de la corriente de difusión en x = π/4.a y en x = 3.π/4.a?

b) ¿A que valores de x es igual a cero la corriente de difusión?

Figura 2

3) Abajo se muestra un diagrama del experimento de Haynes Shockley.

a) Si ue = 1.000 cm2/V.s ; uh = 100 cm2/V.s ; l = 1 cm ; d = 0.1 cm y V1 = 100 V; ¿cuál

será el retardo de tiempo entre el pulso de luz y el de la señal v0 , despreciando la
difusión y la recombinación?
b) Despreciando nuevamente la difusión, si la altura del pulso es de 10 mV,
cuando τ = ∝ cual será si τ = 10 useg.

Figura 3
 FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO
GUÍA N°4 (DIODOS)

1) Determinar la característica I-V del siguiente modelo:

2) Dos diodos idénticos que responden a la ecuación i = Is.(eqV/kT-1) se conectan como

indica la figura. ¿Cuál es la caída de tensión en cada uno?

3) Un diodo responde a la ecuación i = Is.(eqV/kT-1) en serie con una resistencia R.

a) Derivar la expresión que represente la característica I-V en los terminales.

b) Si Is = 10-9 , R = 5 ohm y T = 300 K Calcular la caída de tensión en el conjunto para:

I (A) Vr Vd Vt
10-8
10-7
10-6
10-4
10-2
1

c) Compare lo obtenido con R = 0

4) Dada la característica I-V realice un modelo.

 Semiconductores no uniformes en equilibrio
Guía de Trabajos prácticos N°5

1) Demuestre que:
a) Para E>>Ef la función de Fermi puede aproximarse a:

f(E) ≈ e – (E-Ef)/(KT)

b) Para E<<Ef la función de Fermi puede aproximarse a:

f(E) ≈ 1 - e - (E-Ef)/(KT)

2) Complete el siguiente cuadro (Eg = 1,1 eV; Ef = 0,55 eV):

T(°K) KT (eV) f(E) e-(Eg-Ef)/(KT)

200
300
500
1.000
1.500

3) En un semiconductor altamente dopado con un perfil de impurezas Nd = N0.e-x/a,

calcular la magnitud y dirección del campo eléctrico como función de la posición en
el cristal .

N0 = 1018 cm-3 T = 300 °K a = 0,2 u

4) En una barra de semiconductor con el siguiente perfil de dopado calcule

ϕ(L) - ϕ(0) a T = 300 °K:

Na = 1018 cm-3

Na = 1015 cm-3

0 L

5) En una barra de semiconductor con el siguiente perfil de dopado calcule

ϕ(L) - ϕ(L/2) y ϕ(L/2) - ϕ(0) a T = 300 °K:

2.Nd1

Nd1

0 L/2 L
 Junturas (Uniones)
Guía de Trabajos prácticos N°6

1) Para una juntura PN abrupta se tiene:

Na = 1.1016 cm-3 y Nd = 2.1016 cm-3 para cada lado respectivamente.

a) Calcular ϕ0 a T = 300 °K.

b) Calcular ln, lp, l y Emax para Ve = 0 y Ve = -10 Volts (εSi = 1.10-12 F/cm).

2) Para una unión metal-silicio con Nd = 1.1016 cm-3 determine Vbi, ln, Emax.

3) Para el problema N°1 calcular la capacidad en los terminales. (At = 1 mm2).

 Guía N°7, Física del estado Solido

Transistores FET y Bipolar. Opto componentes.

a) Dado el siguiente circuito y despreciando g0 determine K,(Vd = 6

V).
:

Ids=K.Vgs2 + Vds.g0

b) El silicio tiene una energía de gap de Eg = 1.1 eV, ¿cual es la

mínima longitud de onda de radiación electromagnética que será capaz de producir
portadores por foto generación?.

c) Emisores LED:
d. Se quiere construir un LED que emita en el color amarillo
(~0,550 um) que Eg debe tener el material semiconductor.
e. A que longitud de onda emite el sílice, Eg = 1,1 eV.

f) Determine la tensión en el colector del transistor, con B=50.

g) Dada la distribución de la figura, de portadores en exceso el la base

de un transistor bipolar, determine el valor de .

P’(X)

100 %

75 %

X
W
Base
 Solución de problemas

Guía Nº1

1)

a)

 2 0,127.10−3 2
S= = =1,27.10−8 m 2
4 4

L 1,5.10−6  m1,22 m
R20º = = =144,1
S 1,27.10−8 m2

b)

 R= 20º  T R20º

R −1
 R%=100 =20º  T =100 0,004 ºC 120 ºC=48%
R 20º

2)

a)

Exacta:

dS = e.dr, L = r.φ, dR = (ρ.φ.r)/(e.r), dG = 1/dR

b e.dr e b
G=∫a = ln 
 r   a


1 cm
1 2
R25º = = =47,12 
G 25º 1 cm ln30,5 cm/ 29,5 cm

Aproximada:

L = rmedio.π/2 = (a+b).π/4 , S = (a-b).e

 L ab  1 cm 60 cm

R25º = = = =47,12
S 4 e b−a  4 1 cm1 cm

b)

−1
R80º = R25º 1 25º  T =47,1210,1ºC 80 ºC−25 Cº =306,28

6) La resistencia en bornes de la barra estará compuesta de un aparte constante y otra

dependiente de la temperatura:
R=RC + RS(T)

Por tratarse de un semiconductor (lo considero intrínseco) la resistencia dependiente

de la temperatura debe ser proporcional al numero de portadores ni:
 −E g
2kT
RS T =R 0 e

Midiendo la resistencia a dos temperaturas distintas T1 y T1 se tiene que:

−E g −E g
2 k T1 2 k T2
 R= R0 e −e 

Como Eg es conocida, ∆R se mide al igual que T1 y T2 se puede obtener R0 y por

tanto conocer RS para cualquier temperatura. RC se obtiene por diferencia entre R y RS.

7)
a) Para encontrar la solución gráfica se debe dibujar la curva I-V de la resistencia R
como función de la tensión de lampara. La tensión sobre R es la diferencia de la tensión de
fuente y la del dispositivo, cuando en el dispositivo no hay caída de tensión, toda la tensión
cae en R y la corriente en el circuito es la tensión de la fuente dividido la resistencia R. Para
el caso de que toda la tensión de fuente esté presente en el dispositivo, la caída de tensión
en R es nula. Dado que R es lineal se puede trazar una recta entre estos dos puntos.
El punto donde se cruzan ambas gráficas es la solución al problema planteado,
siendo I=180 mA y V = 1,2 V.

I-V

0.35
0.3
0.25

0.2
I

0.15

0.1
0.05
0
0 1 2 3 4 5
V

8)a)
6 1
1.10
  cm cm2
= = =62,5
ne 1 Vs
1.10 23 2
1,6.10−19 C
cm

S = ∅A2π/4 = π*(0,025cm)2/4 = 4,9.10-4 cm2

L 10000 cm
R= = =20,4 
S 6 1 −4 2
1.10 4,9.10 cm
 cm

V 1V
I= = =0,049 A
R 20,4 

V 1V −4
E= = =1.10 A
L 10000 cm

c) El tiempo esta dado por t=L/v donde v es la velocidad, a su ves v=µE por lo tanto:
 L L2 10000 cm2 6
t= = = 2
=1,6.10 s
 E V cm
62,5 1V
Vs

Que corresponde a 18,5 días.

9) a)
 dr  dr
dR= =
S 2 t r

b  dr  b
R=∫a = ln  
2 t r 2 t a

b)
Si a≈b ⇒ L≈(b-a) y r≈a

 L b−a
R25º = =
S 2 t a

10)

L = ∅Fπ n = 1cm*3,14*100=314 cm
S = ∅A2π/4 = π*(0,01cm)2/4 = 7,8.10-5 cm2

L 40.10−6 cm 314 cm

R20º = = =160 
S 7,85.10−5 cm2

b)
−3 −1
R250º = R20º 1 20º  T =160 10,3.10 ºC 250 ºC −20 Cº =171,4 

Guía Nº2

1) Para el Silicio (Eg=1 eV):

−E g
2k T
n i T =N 0 e

ni 50ºC −E g

1
−
1

=e 2 k 273,1550 273,1525
=4,42
ni 25ºC

2) Para llenar los espacios vacíos en el cuadro se deberá utilizar las siguentes
aproximaciones:

si:

Na>>Nd ⇒ p≈Na
Nd>>Na ⇒ n≈Nd
Na - Nd >> ni ⇒ p≈ Na - Nd
Nd - Na >> ni ⇒ n≈ Na - Nd
Además, siempre se cumple que:

p.n=ni2

3)a)
 −14 F
11,7∗8,85.10
  cm −10
= r 0 = =1,04.10 s
 1
0,01
 cm

4)
−19 10 −3 2 −1
=e  p hn e =e ni h e =1,6.10 C 1.10 cm 500050 cm V s

=5,05.10−6  cm−1

Guía Nº3

1)a)
dn
J e =e D e
dx

 n' 5.1015 cm−3

J e  x 1≈ e De =1,6.10−19 C 10 cm2 s−1 =80 A cm−2
x −4
1.10 cm

J e  x 1=−J e  x 2 

b) Cada punto de la gráfica se reducirá en 0,607 de acuerdo a:

−t / −5/ 10
n '=n ' 0 e =n ' 0 e =n ' 0 0,607

c) En el punto anterior donde no existía difusión, la forma de la figura se mantiene

pero el área no, si además existe difusión la figura se deforma redondeando los vértices.

2)

p '  x= p ' . sen 2 ax  0≥ x≥/a

dp
J h=−e D h =−e D h 2 sen ax cos ax
dx

Jh(π/4a) = - e Dh

Jh(3π/4a) = e Dh

b) Jh=0 en 0, π/2a y π/a

3)a)

La velocidad de los portadores minoritarios es v=µeE=µeV1/l

El tiempo que tarda un portador minoritario en recorrer la distancia d es t=d/v

dl 0,1 cm1 cm
t= = =1.10−6 s
e V 1 1000 cm2 V s−1 100 V

b) Si para un tiempo de vida infinito Vo=10 mV (V0 es proporcional a los portadores en

exceso que fueron recogidos por el contacto puntual), para un tiempo de vida de 1.10-5 s el
valor de V0 será:
−t / 
V 0  =V 0 ∞ e =9,05 mV

El tiempo t es el tiempo de transito del portador obtenido en el ítem anterior.

 Guía Nº5

3)
J C= J D

dp N
 E=−e Dh ≈e Dh a
dx a

Na
N a  E=Dh
a

Utilizando:

D kT
=
 e

kT
E=
ea

El potencial se puede calcular como:

x
=−∫0 E dx=−E x

kT
 a=−
e

5) La diferencia de potencial no depende del camino sino de los puntos inicial y final:

kT Na  L
 = L− 0=− ln  =0,18 V
e Na 0

Guía Nº6

1) Para obtener los parámetros solicitados se realizó un programa en SCILAB que es

un sofware de usos múltiples y de licencia gratuita (se lo puede bajar de la red). Las líneas
de comando se transcriben a continuación:

clear
t=27 //grados
T=273.15+t
k=8.617e-5 //eV/K
Eg=1.1
N=2.9e19 //atom/m3
ni=N*exp(-Eg/(2*k*T))
er=11.7
eo=8.85e-14 //F/cm
e=er*eo
q=1.6e-19 //Coul o q= 1 e
Na=1e16 //atom/cm3
Nd=2e16 //atom/cm3
Ve=-0 //Volt
De=35 //cm2/s
Dh=13
ue=1350 //cm2/Vs
uh=500
Vo=(k*T/1)*log(Na*Nd/ni^2)
ln=((2*e*(Vo-Ve)/q)^0.5)*((Na/(Nd*(Nd+Na)))^0.5)
lp=((2*e*(Vo-Ve)/q)^0.5)*((Nd/(Na*(Nd+Na)))^0.5)
Em=((2*q*(Vo-Ve)/e)^0.5)*(((Nd*Na)/(Nd+Na))^0.5)
//x=0
dx=0.004e-6*5e2
ld=1e-6*5e2 +dx // m * cm/m
ubica=0.5 // % desde la izquierda
x=-ld*ubica
ind=0
while x<ld*(1-ubica)
ind=ind+1
X(ind)=x
Q(ind)=0
if ((x>(0-lp)) & (x<=(0))) then Q(ind)=-Na*q;
end;
if ((x>(0)) & (x<(0+ln))) then Q(ind)=Nd*q;
end;
E(ind)= inttrap(Q)*dx/e
V(ind)= - inttrap(E)*dx
x=x+dx
end
subplot(2,2,1),plot(X,Q,'b')
subplot(2,2,2),plot(X,E,'r')
subplot(2,2,3),plot(X,V,'g')

Se remarcó los datos a ingresar y las Ec. que se utilizan, se deja como trabajo al alumno
verificar estos resultados manualmente.

Para Ve=0

ln=12,34.10-6 cm
lp=24.67.10-6 cm
Em=38126 V/cm
V0=0,7055 V
 De izquierda a derecha y de arriba a abajo: densidad de carga en C/cm3 , Campo
eléctrico en V/cm, potencial en V. La escala de x está en cm.

Para Ve=-10

ln=48,06.10-6 cm
lp=96,11.10-6 cm
Em=148514 V/cm

De izquierda a derecha y de arriba a abajo: densidad de carga en C/cm3 , Campo

eléctrico en V/cm, potencial en V. La escala de x esta en cm.
2)
2 Eg
V bi = =0,73 V
3 e

2 Si V bi 12
l n=  =3.10−5 cm
e Nd

2 e N d V bi 12 V
E max =−  =34176
Si cm

3) La capacidad en un capacitor de placas paralelas viene dada por:

A
C=
l

Para la juntura pn:

Si At
C=
l nl p

Para Ve=0 C=270 pF

Para Ve=-10 C=69 pF