CAPITULO 3

CARACTERIZACION DE LOS SEMICONDUCTORES

TEMA A: Caracterización estática de los semiconductores

Como hemos visto los semiconductores constituyen uno de los tipos mayes de materiales
solidos cristalinos por eso el interés en la electrónica es fundamental ya que una buena parte
de los componentes electrónicos, principalmente los activos están constituidos sobre la base
de estos.

Semiconductores intrínsecos

Debemos distinguir acá desde un punto de vista tecnológico los denominados extrínsecos.
Un semiconductor extrínseco es por definición un semiconductor puro tanto en su
composición como en su estructura. En su composición el semiconductor es puro porque está
constituido básicamente por un solo tipo de átomo grupo 4 como el silicio o el germanio) no
obstante también podemos permitir como semiconductor intrínseco aquellos constituidos
como compuestos semiconductores como carbono – silicio, carbono-germanio, carbono-silicio-
germanio o cierto comportamiento intermetálico generalmente grupo 3 y 5
Se comportarán estos últimos como semiconductores intrínsecos propiamente dicho cuando el
número de átomos de una u otra especie que componen un compuesto sean iguales o
similares

 Distribución de portadores
No sólo se requiere describir la probabilidad de ocupación de los estados sino también de
escribir la distribución de estados. Buscamos una función de densidad de distribución que
describa la cantidad de estados por intervalo de energía. En un sistema clásico esperamos que
haya estabilidad energética en cualquier intervalo energía, por más pequeño que sea. La
densidad de distribución sería una función continua de la energía. Pero eso no puede
esperarse de un sistema cuántico ya que desde el mismo átomo sabemos que los estados
responder a reglas discretas. A lo sumo podemos esperar que, si el intervalo de energía
observado es suficientemente grande con respecto al tamaño de la desratización, podemos
aplicar herramientas de cálculo continuo similares a como computaríamos en un problema
clásico. Precisamente en la teoría de bandas se observa un conjunto denso de estados
disponibles dentro de una banda que parece como si fuera un conjunto infinito de estados de
intervalo de energía, es decir una banda continua, sin embargo, al fin de cualquier
consideración los estados son discretos.
Desde el punto de vista matemático un grupo de estados discretos deberían computarse
mediante una sumatoria mientras que un grupo de estados continuos se computaría mediante
una integral. Basado en lo dicho podemos esperar que exista una herramienta continua, una
integral que aproxime cálculo discreto cuando es lo suficientemente grande con respecto al
diferencial de energía considerando se.
Un diferencial de energía puede ser tan pequeño como uno quisiera.
Se requiere más allá de lo anterior algún principio del cual podamos deducir la cantidad de
estados. En para encontrar dicho principio consideraremos la diferencia entre una partícula
clásica y una particular cuántica en el denominado espacio de estados.

1
Primeramente, definamos el concepto de estado más apropiado en un sistema clásico en un
estado energético es un conjunto de valores que definen completamente la energía del
sistema en un instante determinado; en una evolución del sistema en su caso una particular,
recorrerá distintos estados energéticos que siguen las ecuaciones de Euler. En cualquier
instante de tiempo el estado de una partícula queda definido por su posición y velocidad o más
genéricamente coordenadas generalizadas (por su posición e impulsó “P” el impulso de es m.V
). En un sistema clásico de una particular la cantidad de grados de libertad posible son seis;
tren de velocidad y tres e impulsó si ahora consideramos un sistema de n partículas que no
tenga restricciones entre sí tendrá seis n grados de libertad.
A medida que incorporamos restricciones en el sistema de partículas el número de grados de
libertad se reduce por ejemplo en un sólido cada particular está restringida a mantener una
distancia con respecto a las otras en lo que resulta que el solidos tiene tres grados de
desplazamiento, tres de rotación y tres de velocidad igual a nueve grados.

 Características de los huecos y electrones como portadores en el Ge

y en el Si.

Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la
energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia.3 Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y
0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el
estado energético correspondiente en la banda de conducción a un hueco en la banda de
valencia, liberando así energía. Este fenómeno se conoce como "recombinación". A una
determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se
igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece constante.
Sea "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos
(cargas positivas), se cumple entonces que:3
ni = n = p
donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura
y del elemento en cuestión. La densidad o concentración intrínseca de portadores es muy baja.

 Procesos de obtención de mono-cristales puros

El proceso o método de Czochralski: consiste en un procedimiento para la obtención de
lingotes monocristalinos. Fue desarrollado por el científico polaco Jan Czochralski a partir de
1916.

Este método es utilizado para la obtención de silicio monocristalino mediante un cristal semilla
depositado en un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria electrónica para la obtención
de wafers u obleas, destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados.

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Para tener una idea de la funcionalidad que tiene este proceso en la industria
microelectrónica, basta señalar que cada circuito integrado creado a partir de estas obleas
miden 8mm de lado, esto hace que de cada oblea se obtengan de 120 a 130 circuitos. Cada
oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo
proceso en el mismo instante.

El método consiste en un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor

fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que esté justamente por
encima del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla
que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo semiconductor
que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, éste se
agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que
aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va
formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la
fusión por zonas para purificarlo.

Al controlar con precisión los gradientes de temperatura, velocidad de tracción y de rotación,

es posible extraer un solo cristal en forma de lingote cilíndrico. Con el control de estas
propiedades se puede regular el grosor de los lingotes.

 Procesos de conducción en los semiconductores

Como se ha dicho, a 0°K la banda de valencia está totalmente llena y la banda de

conducción totalmente vacía, por lo que en principio sería imposible hablar de conducción
eléctrica (no consideramos aquí la superconducción). En estas circunstancias también hemos
dicho que la banda de valencia puede representarse como un mar de pares hueco-electrón.
Esto quiere decir que para que haya conducción eléctrica deben romperse enlaces hueco-
electrón, de modo que quedan electrones libres y también huecos libres. Precisamente la
energía de enlace de los pares hueco-electrón es el salto de energía o gap del material (banda
prohibida).

El rompimiento de un par hueco-electrón puede interpretarse bajo la teoría de bandas

como una transición de un electrón desde la banda de valencia a la banda de conducción. A
una temperatura cualquiera hay, en consecuencia, electrones libres en la banda de conducción
y huecos disponibles en la banda de valencia. Uno puede intuir inmediatamente que no sólo
habrá transporte de carga en presencia de un campo eléctrico en la banda de conducción, sino
también en la banda de valencia, aunque con distintas movilidades.
Una cosa interesante es tener en cuenta que mientras que en la banda de conducción
el movimiento de carga eléctrica se podrá describir como en un metal (electrones

3
prácticamente libres que se desplazan en contra del campo eléctrico), en la banda de valencia,
el proceso más bien debería describirse como el movimiento de huecos a favor del campo
eléctrico. Notemos que en ambos casos la corriente es en el sentido del campo eléctrico. Lo
sorprendente de este razonamiento es que en la banda de conducción el transporte se debe a
la carga negativa libre, mientras que en la banda de valencia, a cargas positivas libres.
Evidentemente esto nos dice que tanto el electrón como el hueco dentro del material
sólido se comportan como “cuasi partículas”, o dicho de otro modo, el electrón y el hueco
constituyen auténticamente un par partícula-antipartícula. Esto implica así mismo que hay que
dotar de masa eficaz no sólo al electrón, sino también al hueco.
Si a la carga del hueco le asignamos el valor de carga del electrón, pero con signo
positivo, la masa eficaz del hueco deberá ser positiva. Si contrariamente, le asignamos al hueco
la misma carga del electrón (mismo valor y mismo signo), la masa eficaz del hueco debería ser
negativa. Desde el punto de vista energético ambas representaciones son posibles y
totalmente equivalentes, pero desde el punto de vista de la conducción eléctrica (en donde
estamos interesados en el transporte de carga), nos conviene utilizar la primera
representación.
Las masas eficaces del electrón y del hueco son distintas, y dependen del material
considerado y de la temperatura. Esta característica pone en pie de igualdad al electrón y al
hueco, cuestión que experimentalmente está probada, o al menos no se contradice con los
resultados del efecto Hall.

 Corrimiento y difusión (descripción)

A esta dualidad en términos de portadores de carga, debemos agregar otra en términos de
procesos de conducción eléctrica.
Mientras que en el metal hablamos de un único tipo de proceso, que es el corrimiento
de portadores, acá tenemos que hablar no sólo de corrimiento, sino también de difusión. La
diferencia es la siguiente: En un proceso de corrimiento de portadores el motor es el campo
eléctrico externo aplicado, mientras que un proceso de difusión el motor es el gradiente de
concentración.
Así, en un semiconductor o en un aislante deberemos hablar de cuatro componentes
de corriente, una de difusión y una de corrimiento de huecos en la banda de valencia, y otras
de difusión y de corrimiento de electrones en la banda de conducción.

𝐽⃗ = 𝐽⃗𝑛 + 𝐽⃗𝑝
Donde:
(𝑐) (𝑑)
𝐽⃗𝑛 = 𝐽⃗𝑛 + 𝐽⃗𝑛
{ (𝑐) (𝑑)
𝐽⃗𝑝 = 𝐽⃗𝑝 + 𝐽⃗𝑝

 Corrientes de corrimiento
Está claro que los electrones en la banda de conducción se comportan de forma similar a la
manera en que lo hacen en un metal; consecuentemente:

(𝑐)
𝐽⃗𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 ℰ⃗ = 𝜎𝑛 ℰ⃗

Simétricamente, dado que el hueco es la antipartícula del electrón, habrá que hablar
de una corriente de corrimiento de huecos formalmente idéntica.

4
 (𝑐)
𝐽⃗𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 ℰ⃗ = 𝜎𝑝 ℰ⃗

Donde 𝑛 y 𝑝 son las concentraciones de electrones y huecos, respectivamente; 𝜎𝑛 y 𝜎𝑝

son las conductividades debidas a electrones y huecos, respectivamente, que en general serán
distintas porque son distintas las movilidades 𝜇𝑛 y 𝜇𝑝 (notemos que 𝑛 debe ser igual a 𝑝 para
conservar la neutralidad eléctrica).
Un detalle de interés es que ambas corrientes son positivas, es decir, en la dirección
del campo eléctrico, pero mientras que los electrones se desplazan en contra del campo
eléctrico, los huecos lo hacen a favor del mismo.

 Corriente de difusión
Definiremos la corriente de difusión como el flujo de cargas debido al gradiente de
concentración. Por ejemplo, ubicándonos en la banda de valencia y suponiendo que en algún
punto de la pieza semiconductora (o aislante) hubiera mayor concentración de portadores que
en el resto de la misma.

Considerando una sola dirección:

𝑑𝑝
⃗⃗𝑝 =
∇ 𝑥
⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑥 0

Pero fenomenológicamente podemos describir esta corriente en términos

proporcionales al gradiente a través de una constante apropiada, que denominaremos
constante de difusión. Así, considerando que el flujo se opone al gradiente:

(𝑑)
𝐽⃗𝑝 = −𝑞𝐷𝑝 ⃗∇⃗𝑝

Donde 𝐷𝑝 es la constante de difusión de los huecos.

De la misma manera, pero ahora considerando que la carga eléctrica del electrón es
negativa, tendremos que:
(𝑑)
𝐽⃗𝑛 = −(−𝑞)𝐷𝑛 ⃗∇⃗𝑛 = 𝑞𝐷𝑛 ⃗∇⃗𝑛

Notemos que ahora, si bien el movimiento en ambos casos es en contra del gradiente
de concentración, la corriente de difusión resulta ser negativa para los huecos y positiva para
los electrones.

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  Corriente Total
De esta forma nos queda:
𝐽⃗𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 ℰ⃗ + 𝑞𝐷𝑛 ∇
⃗⃗𝑛
{
𝐽⃗𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 ℰ⃗ − 𝑞𝐷𝑝 ∇
⃗⃗𝑝

La diferencia de signo de las corrientes de difusión permite equilibrar los procesos de

distribución de portadores, eliminada la causa que produce el desequilibrio. Esto quiere decir,
tomando en cuenta el sentido opuesto de las corrientes de difusión, que en un proceso de
desequilibrio, la carga positiva tiende a separarse de la carga negativa, como resulta de
cualquier proceso de polarización.
La diferencia que hay entre un semiconductor y un aislante está dada nada más que
por el juego de constantes 𝜎𝑛 , 𝐷𝑛 y 𝜎𝑝 , 𝐷𝑝 .
Como vamos a ver, ambas constantes, 𝜎 y 𝐷, tanto para electrones como para huecos,
están relacionadas entre sí. Más concretamente lo están las movilidades y sus respectivas
contantes de difusión. De esta manera, la diferencia fundamental de un aislante con respecto
a un semiconductor a cierta temperatura, es simplemente la menor disponibilidad de
portadores libres.

 La constante de difusión, ecuación de Einstein

Tomamos una pieza semiconductora aislada en la que no puede haber corriente neta.
Cualquier causa que implique una distribución no uniforme de portadores (por ejemplo, la
fotoexcitación por iluminación de una cara, o el calentamiento localizado) producirá una
corriente de difusión y, como consecuencia, una corriente de corrimiento que se le debe
oponer para mantener la corriente neta igual a cero.
Tomemos, por ejemplo, la corriente de huecos, compuesta de las dos componentes ya
definidas:
𝐽⃗𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 ℰ⃗ − 𝑞𝐷𝑝 ⃗∇⃗𝑝 = 0

Notemos que la componente de corrimiento (la primera de las dos) depende de un

campo eléctrico ℰ⃗, que obviamente no puede ser un campo eléctrico externo, ya que la pieza
está aislada circuitalmente. Así, este campo eléctrico representa un gradiente de potencial
interno que se da precisamente por efecto de la desigual distribución de portadores.

ℰ⃗ = −∇
⃗⃗𝑉

Consideremos ahora una única dirección con el fin de simplificar el análisis (dirección del eje 𝑥)
y se tiene que ℰ⃗ = − d𝑉⁄𝑑𝑥. Por lo tanto:

𝑑𝑉 𝑑𝑝
−𝑞𝑝𝜇𝑝 − 𝑞𝐷𝑝 =0
𝑑𝑥 𝑑𝑥
Despejando se tiene:
𝑑𝑉 𝑑𝑝
−𝑞𝑝𝜇𝑝 = 𝑞𝐷𝑝
𝑑𝑥 𝑑𝑥

−𝑝𝜇𝑝 𝑑𝑉 = 𝐷𝑝 𝑑𝑝

6
 𝜇𝑝 𝑑𝑝
− 𝑑𝑉 =
𝐷𝑝 𝑝

Esta ecuación diferencial es la denominada “ecuación de Einstein”, y muestra que la

desigualdad existente en la distribución de portadores está compensada por una distribución
de potencial interno.
Admitiendo que el cociente 𝜇𝑝 ⁄𝐷𝑝 es constante cualquiera sea la posición que
adoptemos dentro de la pieza semiconductora (homogeneidad de la pieza), resolviendo la
ecuación diferencial se obtiene:
𝑝(𝑥) = 𝐶𝑒 (𝜇𝑝 ⁄𝐷𝑝 )𝑉(𝑥) (1)
La forma de la ecuación sugiere una distribución de probabilidad de la energía que se
podría escribir de la forma:
𝑝 = 𝐶𝑒 𝑞𝑉⁄𝑘𝑇 (2)

Es decir que nos indica cuál es la densidad de probabilidad que un portador tipo 𝑝
tiene de ocupar un cierto nivel de energía (entre 0 y 𝐸 = 𝑞𝑉). El producto 𝑘𝑇 se puede
denominar “energía térmica media de los portadores”.
Efectivamente, si tomamos partículas que no interaccionan entre sí, o lo hacen muy
débilmente (como por ejemplo las moléculas de un gas), éstas siguen la ley de distribución de
Maxwell-Boltzmann, cuya fórmula, aplicada a este caso, es:

𝑝(𝐸) = 𝐶𝑒 −𝐸⁄𝑘𝑇 (3)

De esta forma, comparando (1) y (2), donde 𝑞𝑉 es la energía 𝐸, se tiene que:

𝜇𝑝 𝑞
= = 𝑐𝑡𝑒
𝐷𝑝 𝑘𝑇

De la misma manera, razonando para los electrones, se tendría que:

𝜇𝑛 𝑞
= = 𝑐𝑡𝑒
𝐷𝑛 𝑘𝑇

Y a su vez que:
𝜇𝑝 𝜇𝑛 𝑞
= =
𝐷𝑝 𝐷𝑛 𝑘𝑇

En pocas palabras, para cierta temperatura, el equilibrio interno del semiconductor exige un
escalamiento entre la constante de difusión y la constante del movimiento. Pero esta relación
sólo se cumple para conductores homogéneos. No se cumple en conductores heterogéneos,
en donde 𝜇⁄𝐷 cambia punto a punto.
De aquí podemos establecer los valores típicos de la constante de difusión en función
de la constante de movilidad, para cierta temperatura.

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 CONSTANTES TÍPICAS DE LOS PORTADORES
Electrones Huecos Gap
𝑚𝑛∗
𝜇𝑛 𝐷𝑛 𝑚𝑝∗ 𝜇𝑝 𝐷𝑝 [𝑒𝑉]
Ge 0,55 3900 0,93 0,37 1900 0,44 0,7
Si 1,1 1300 0,31 0,59 480 0,065 1,1

𝑚𝑛∗ , 𝑚𝑝∗  Masas eficaces relativas al portador en estado libre

𝑐𝑚2
𝜇𝑛 , 𝜇𝑝  Constantes de movilidad [ 𝑉.𝑠 ]
𝑐𝑚2
𝐷𝑛 , 𝐷𝑝  Constantes de difusión [ 𝑉.𝑠 ] × 10−8
Observemos que cuanto menor es la energía del gap (Germanio), mayores movilidades
se obtienen, lo que implica simultáneamente menores masas eficaces. A consecuencia de ello,
observamos mayores constantes de difusión.
Comparando para igual semiconductor los valores de constantes de los electrones y
huecos, se observa que los electrones tienen más movilidad que los huecos. Así mismo,
resultan también mayores las constantes de difusión de los electrones que de los huecos.
Asociado a estas dos relaciones se observa también una mayor masa eficaz en los electrones
que en los huecos (“huecos Iivianos”).

 Generación intrínseca de portadores y recombinación térmica

Una buena parte de las características estáticas de un semiconductor ya ha sido descripta. En
particular hemos descripto la estructura de bandas, los dos tipos de portadores con sus
propiedades, y los dos tipos de corrientes posibles para cada tipo de portador.
Resta indicar aquí cómo es el “proceso detallado de equilibrio” (equilibrio detallado) y
cuál es el valor de las concentraciones de electrones 𝑛0 y de huecos 𝑝0 para una determinada
temperatura y con una cierta estructura de bandas. Esto implica también determinar la
posición definitiva del nivel de Fermi.
Cuando hablamos de un equilibrio térmico con el medio, en realidad también
hablamos de un proceso dinámico, pero que es estacionario (de media nula). Como ya lo
hemos advertido en los procesos estadísticos, esto implica que habrá electrones y huecos
realizando transiciones ascendentes y descendentes en la energía, pero de manera que la
temperatura media del semiconductor no cambia (su temperatura es igual a la del ambiente).
Las transiciones ascendentes de energía deben incluir las roturas de pares hueco-
electrón, de manera que tras una transición “aparecen” un electrón en la banda de conducción
y un hueco en la banda de valencia. A este proceso lo denominaremos generación intrínseca.
Debemos considerar luego el proceso inverso que lo balancee. Esto se denomina
“Principio del equilibrio detallado”, esto es, habrá transiciones inversas de energía, por lo cual
hay “recombinación” de pares hueco-electrón mediante la cual un electrón y un hueco libres
desaparecen de sus respectivas bandas, formándose un par hueco-electrón. A este proceso lo
denominaremos recombinación térmica (o directa).

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 En principio, el equilibrio implica que estos dos procesos se neutralicen, de manera tal
que la concentración de electrones en la banda de conducción 𝑛0 y la concentración de huecos
en la banda de valencia 𝑝0 se mantienen estables. Por el contrario, en desequilibrio, estas
concentraciones crecerán o decrecerán.
Evidentemente estos no son los únicos procesos que debemos considerar, pero por el
momento descartaremos los otros sobre la hipótesis de que no tienen contribuciones
significativas. Tal sería el caso de un semiconductor puro (ideal), con estructura cristalina
perfectamente homogénea. A este tipo de semiconductor lo llamaremos “semiconductor
intrínseco”, de allí que a este proceso lo denominamos “generación intrínseca”.

Semiconductores extrínsecos

En un cristal puro, si se inyectan o quitan electrones (por ejemplo, en la electrización),

se forman estructuras inestables, que solamente mantendrán su desequilibrio mientras
estuvieran aisladas de cualquier otra estructura. Pero como ese objeto se volverá estable al
entrar en contacto con otro elemento, es un método que no sirve.
Hay que lograr que un cristal tenga diferente número de electrones y de lagunas, pero
que desde el punto de vista macroscópico siga siendo neutro. Para esto se agregan átomos
distintos a los del semiconductor. Esto implica que el cristal deje de ser puro, con lo cual
estamos interfiriendo en la posibilidad de utilización de la masa efectiva. Pero como de todas
formas el cristal nunca sería perfecto, y mucho menos estaría a 0°K, forzosamente hay que
considerar todas las situaciones que alejen al cristal de la situación ideal.
La impureza, si es introducida en pequeña proporción en el cristal del semiconductor,
se ve regida por las leyes que establece el propio semiconductor, y se adecúa a ellas,
tendiendo a consumar sus ligaduras con otros átomos de semiconductor como si fuera uno de
ellos. Es por esto que las impurezas a agregar deben ser tanto en tamaño como en su
estructura lo más parecidas posibles a los átomos de semiconductor, a fin de que las mismas
puedan ser sustitutivas del Si o del Ge, para que así el retículo cristalino del semiconductor las
acepte como a un átomo de su misma naturaleza. Por ser el Si y el Ge dl grupo IV, las
impurezas a considerar deben ser trivalentes o pentavalentes.
Las impurezas se unen mediante ligaduras covalentes con otros 4 átomos vecinos, que
no son de impureza, puesto que aquéllas están en una muy pequeña cantidad. A los átomos
pentavalentes les sobrará un electrón, mientras que a los trivalentes les faltará uno. Ya
veremos cómo afecta esto al comportamiento del sistema.

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  Procesos de obtención de los semiconductores extrínsecos
Contrariamente a lo que definimos como semiconductor intrínseco, un semiconductor
extrínseco es ante todo un semiconductor con una estructura cristalina no homogénea y
eventualmente impuro, todo lo cual dará como resultado que en equilibrio térmico 𝑛0 no sea
necesariamente igual a 𝑝0 . Pero ello no implica violar el principio de neutralidad de cargas; lo
que implica en caso de desigualdad de las concentraciones es que no solamente hay carga
móvil a considerar, sino también “cargas fijas”. Si las cargas móviles se encuentran en las
bandas de valencia y de conducción, las cargas fijas (átomos ionizados) se encuentran en la
banda prohibida.
Surge de todo ello que los semiconductores extrínsecos pueden producirse por efecto
de inhomogeneidades cristalinas en estructuras compuestas de dos o más átomos, o por la
existencia de átomos de impurezas dentro de un cierto semiconductor intrínseco.

 Por exceso o defecto de átomos de un cierto

compuesto
En los semiconductores compuestos, por ejemplo, los compuestos iónicos tales como los
óxidos metálicos (óxido de zinc Zn+O-, óxido de níquel NiO, o dióxido de cobre CuO2), nos
queda en definitiva que existen dos átomos, uno más pequeño (ion positivo) y otro más
grande (ion negativo). Los iones positivos tienden a tomar posiciones “intersticiales”1, lo que
genera niveles de energía cercanos a la banda de conducción o cercanos a la banda de
valencia, pero siempre dentro de la banda prohibida, ya sea que haya exceso o defecto de
iones positivos, o defecto de iones negativos. No puede haber exceso de iones negativos
porque, al ser más grandes, no pueden ocupar las posiciones intersticiales. Este tipo de
compuesto da origen a semiconductores de depósito. Esta técnica está en desuso.

 Dopados con impurezas

Mucho más importantes e interesantes desde el punto de vista tecnológico, los
representan los semiconductores extrínsecos por impurezas, los que se pueden controlar
constructivamente con un alto grado de precisión, eligiendo el tipo de desbalance buscado.
Si 𝑛0 > 𝑝0  Semiconductor tipo 𝑛
Si 𝑝0 > 𝑛0  Semiconductor tipo 𝑝
Para ello se necesita partir de un semiconductor intrínseco prácticamente ideal, y
contaminar controladamente dicho semiconductor con ciertas impurezas determinadas. En
este tipo de material, el semiconductor intrínseco hace las veces de anfitrión o sustrato, y el
semiconductor o impureza que se agrega, hace las veces de huésped.
Los casos más importantes (comunes), tecnológicamente hablando, son
semiconductores del grupo atómico IV (monoatómicos) como el Si o el Ge contaminados con
elementos del grupo V (impurezas donoras) como P, As o Sb, que dan lugar al semiconductor
del tipo 𝑛, o también contaminados con el grupo III (impurezas aceptoras) como B, Al, Ga o In,
que dan lugar a los semiconductores del tipo 𝑝.
La inserción de las impurezas puede realizarse luego de la purificación del sustrato
durante el proceso de cristalización mediante la introducción de una “semilla” dopada por

1
Intersticio: Hendidura o espacio, por lo común pequeño, que media entre dos cuerpos o entre dos
partes de un mismo cuerpo.

10
difusión de impurezas a alta temperatura, por crecimiento epitaxial o por implantación iónica.
Las más utilizadas y también las que mayormente son controlables, son las técnicas de difusión
e implantación iónica.

 Intermetálicos
También se pueden construir semiconductores anfitriones compuestos del mismo
grupo IV (por ejemplo Si-Ge, Si-C y Ge-C), o en otros casos, compuestos intermetálicos como el
Arseniuro de Galio (ArGa), Sulfuro de Zinc (SZn) o Fosfuro de Galio (GaP). Allí también es
importante construir primeramente un cristal lo más homogéneo posible, considerando que es
un compuesto, y luego proceder a contaminar con impurezas de los grupos III y V o de los
grupos II y VI.

 Generación extrínseca
A temperatura ambiente, en la mayoría de los semiconductores hay pocos portadores
producidos por “generación intrínseca”; esto es, por la rotura de pares hueco-electrón en la
banda de valencia. Sin embargo, sí hay una importante cantidad de portadores (electrones y/o
huecos) producidos por “generación extrínseca”; esto es, por la excitación (ionización) de los
átomos donores o aceptores, lo que permite introducir un desequilibrio en la población de
electrones de la banda de conducción con respecto a la de huecos en la banda de valencia, en
uno u otro sentido. Notar que la ionización de los átomos conserva la neutralidad eléctrica sin
aportar a la conducción, haciendo de esta forma que la población de portadores móviles sea
mayoritaria en términos de electrones (𝑛 > 𝑝) para el tipo 𝑛, o de huecos (𝑝 > 𝑛) para el tipo
𝑝.

 Tipos, impurezas
Los semiconductores pueden ser de dos tipos, según cuál sea su tipo de impureza.

 Impurezas donoras
Se agrega una impureza pentavalente con una concentración 𝑁𝑑 mucho mayor que 𝑛𝑖 a
temperatura ambiente (300°K).
𝑁𝑑 ≫ 𝑛𝑖

11
 La impureza trata de ligarse covalentemente con cuatro átomos vecinos del cristal, que
son los átomos más cercanos, y logra la realización de las ligaduras correspondientes, para lo
cual utiliza 4 de sus 5 electrones.

El electrón extra no puede ser acomodado en la estructura cristalina y, al quedar fuera

de lugar y no ser un electrón estructural, no cae en el pozo de potencial que representa la
ligadura, por lo que tiene mucha más energía que los otros electrones, y será fácilmente
removible de su átomo. Es decir que la energía de ionización de este átomo de impureza,
cuando está dentro del semiconductor, es mucho menor que la de este último.
Así, a temperatura ambiente hay suficiente energía térmica como para entregar esa
cantidad de energía en cualquier condición, lo que hace que las impurezas estén casi todas
ionizadas a temperatura ambiente. Es decir que tendremos un número igual de electrones de
conducción que de impurezas ionizadas.
Nótese que por medio del agregado de impurezas pentavalentes, hemos agregado
electrones sin agregar lagunas. Llamaremos a estas impurezas “donoras” porque cada una
dona un electrón. Cada electrón donor que pasó a ocupar un estado del nivel de conducción,
no genera lagunas en el nivel donor. El efecto neto es generar electrones en la banda de
conducción.
Por generar mayor cantidad de electrones que de lagunas, se llama “extrínseco tipo
𝑛”, o simplemente “tipo 𝑛”. Es decir que:
𝑛0 > 𝑝0

 Impurezas aceptoras
Se agrega una impureza trivalente con una concentración 𝑁𝑎 mucho mayor que 𝑛𝑖 a
temperatura ambiente (300°K).
𝑁𝑎 ≫ 𝑛𝑖

La impureza trata de ligarse covalentemente con cuatro átomos vecinos del cristal, que
son los átomos más cercanos. Como solamente puede unirse con tres, puesto que la impureza
tiene 3 electrones de valencia, queda una ligadura faltante.

La ligadura faltante puede ser llenada con facilidad por otro electrón ligado
proveniente de un átomo de semiconductor. Esa ligadura rota es en realidad un estado
permitido vacío (hueco o laguna) que fue introducido por el átomo de impureza aceptora

12
(porque acepta un electrón). Es decir que la energía de ionización de este átomo de impureza,
al estar dentro del semiconductor, es mucho menor que la de éste, e incluso menor aún que la
necesaria para ionizar un átomo donor.
Así, a temperatura ambiente hay suficiente energía térmica como para entregar esa
cantidad de energía en cualquier condición, lo que hace que las impurezas estén casi todas
ionizadas a temperatura ambiente. Es decir que tendremos un número igual de lagunas de
valencia que de impurezas ionizadas.
Nótese que por medio del agregado de impurezas trivalentes, hemos agregado lagunas
sin agregar electrones. Llamaremos a estas impurezas “aceptoras” porque cada una acepta un
electrón. Cada electrón ligado que pasó a ocupar un estado del nivel aceptor, dejó una laguna
sin que se creara el correspondiente electrón. El efecto neto es generar lagunas en la banda de
valencia.
Por generar mayor cantidad de lagunas que de electrones, se llama “extrínseco tipo 𝑝”,
o simplemente “tipo 𝑝”. Es decir que:
𝑝0 > 𝑛0

 Niveles energéticos de las impurezas

El resultado de todo esto es introducir niveles discretos donores y aceptores dentro de la
banda prohibida y cerca de los límites de las bandas (ver equilibrio detallado).
El diagrama de bandas de energía del cristal tipo 𝑛 es:

El “nivel donor” de energía en el cual se ubica el quinto electrón de la impureza, está

dentro de la banda prohibida del semiconductor. Esto se debe a que las impurezas agregadas
al cristal introducen estados permitidos en niveles que son prohibidos para el semiconductor.
El diagrama de bandas de energía del cristal tipo 𝑝 es:

El “nivel aceptor” de energía en el cual se ubica la laguna de la impureza, está dentro

de la banda prohibida del semiconductor. Esto se debe a que las impurezas agregadas al cristal
en este caso también introducen estados permitidos en niveles que son prohibidos para el
semiconductor.
Cuando la concentración de impurezas es muy grande, los niveles introducidos en la
banda prohibida (donor o aceptor, según sea el caso) interaccionan entre sí. Por el principio de

13
exclusión de Pauli, los niveles se desdoblan generando una banda permitida dentro de la
banda prohibida del cristal.

Si las bandas de las impurezas son muy anchas debido a su alta concentración, pueden
solaparse con las de conducción o de valencia, y el semiconductor se denomina “degenerado”
o “semimetal”.

 Efecto Hall:
Es el efecto que se presenta cuando un cristal se pone simultáneamente en presencia de
campos eléctricos y magnéticos (lo que se logra sumergiendo dentro de un campo magnético a
una pastilla que es recorrida por una corriente eléctrica). Su utilidad práctica aparece casi
exclusivamente en cristales semiconductores.
Este efecto permite demostrar que el modelo clásico que dio lugar a la definición del
electrón y de la laguna como herramienta para estudiar el movimiento cuántico de los
electrones libres y ligados, es correcto; que el electrón tiene carga negativa y la laguna positiva;
y que no se puede explicar el movimiento de una laguna hacia adelante como el de un electrón
ligado hacia atrás. Nos provee una herramienta para la determinación experimental de la
movilidad y para estudiar la naturaleza de los semiconductores.
Dado el siguiente circuito:

14
 La batería 𝐸 proporciona una corriente 𝐼𝑥 , que al circular por la pastilla de
semiconductor, determina en ella una densidad de corriente 𝐽𝑥 . Es decir que la batería hace
que exista un campo eléctrico ℰ⃗𝑥 en el interior de la pastilla. Se analizará el experimento con
un cristal tipo 𝑛 y luego con uno tipo 𝑝.

 Cristal tipo n

Se genera en el interior de la pastilla un campo eléctrico ℰ⃗𝑥 , que desplaza a los

electrones con velocidad 𝑣⃗𝑛𝑥 , de sentido opuesto al de la corriente 𝐼𝑥 .
La inducción magnética 𝐵 ⃗⃗𝑧 produce en los electrones una fuerza magnética 𝐹⃗𝑚𝑦 de
dirección 𝑦, la cual será:
𝐹⃗𝑚𝑦 = −𝑞(𝑣⃗𝑛𝑥 × 𝐵⃗⃗𝑧 )

Esta fuerza desplaza a los electrones hacia la cara frontal, produciendo en ella una
acumulación de los mismos. El desplazamiento de electrones dejó en descubierto átomos de
impurezas donoras ionizados positivamente, que permanecen en la cara trasera.
Esta distribución de cargas en la pastilla semiconductora actúa como un dipolo de
cargas, que queda en evidencia por la diferencia de potencial que acusa el voltímetro. Este
proceso da lugar a un campo eléctrico transversal ℰ⃗𝑦 de sentido +𝑦. Dicho campo da lugar a
una fuerza eléctrica que actúa sobre los electrones:

𝐹⃗𝑒𝑦 = −𝑞ℰ⃗𝑦

Esta fuerza eléctrica 𝐹⃗𝑒𝑦 tiene sentido opuesto a la fuerza magnética 𝐹⃗𝑚𝑦 . A medida
que se acumulan más cargas, la fuerza eléctrica se incrementa hasta que alcanza el valor de la
magnética, compensándose ambas entre sí. En estas condiciones se cumple que:

𝐹⃗𝑚𝑦 = −𝐹⃗𝑒𝑦

⃗⃗𝑧 ) = −(−𝑞ℰ⃗𝑦 )
−𝑞(𝑣⃗𝑛𝑥 × 𝐵

⃗⃗𝑧 ) = ℰ⃗𝑦 ⇒ ℰ⃗𝑦 = 𝐵

−(𝑣⃗𝑛𝑥 × 𝐵 ⃗⃗𝑧 × 𝑣⃗𝑛𝑥

15
 Esta es la relación que deben cumplir entre sí los campos aplicados sobre la partícula y
la velocidad de la misma para que no se produzca ninguna desviación en su trayectoria.

 Cristal tipo p
Se parte del supuesto que las lagunas tienen existencia física como partículas de carga
positiva.
El campo eléctrico ℰ⃗𝑥 desplaza a las lagunas con velocidad 𝑣⃗𝑝𝑥 , en el mismo sentido
que la corriente 𝐼𝑥 .
La inducción magnética 𝐵 ⃗⃗𝑧 produce en las lagunas una fuerza magnética 𝐹⃗𝑚𝑦 que será:

𝐹⃗𝑚𝑦 = 𝑞(−𝑣⃗𝑝𝑥 × 𝐵
⃗⃗𝑧 )

Aunque ahora las cargas sean de signo contrario, por desplazarse en sentido contrario
a los electrones, hay una compensación de signos, por lo que la fuerza magnética sobre estos
portadores también será en el sentido +𝑦.
Esta fuerza desplaza a las lagunas hacia la cara frontal, produciendo en ella una
acumulación de las mismas. El desplazamiento de lagunas dejó en descubierto átomos de
impurezas aceptoras ionizadas negativamente, que permanecen en la cara trasera.
Esta distribución de cargas en la pastilla semiconductora actúa también como un
dipolo de cargas, que queda en evidencia por la diferencia de potencial que acusa el
voltímetro, que es en sentido contrario, y que da lugar a un campo eléctrico transversal ℰ⃗𝑦 de
sentido −𝑦. Dicho campo da lugar a una fuerza eléctrica que actúa sobre los electrones:

𝐹⃗𝑒𝑦 = 𝑞(−ℰ⃗𝑦 )

Si bien el campo está en sentido contrario al de la pastilla tipo 𝑛, al ser ahora cargas
positivas, la fuerza eléctrica 𝐹⃗𝑒𝑦 nuevamente tiene sentido opuesto a la fuerza magnética 𝐹⃗𝑚𝑦 .
Cuando las fuerzas se compensan:
𝐹⃗𝑚𝑦 = −𝐹⃗𝑒𝑦

⃗⃗𝑧 ) = −𝑞(−ℰ⃗𝑦 )
𝑞(−𝑣⃗𝑝𝑥 × 𝐵

⃗⃗𝑧 ) = ℰ⃗𝑦 ⇒ ℰ⃗𝑦 = 𝐵

−(𝑣⃗𝑝𝑥 × 𝐵 ⃗⃗𝑧 × 𝑣⃗𝑝𝑥

Se llega exactamente a lo mismo que en el caso anterior. Es decir que la condición que
hace que la trayectoria sea rectilínea, es la misma tanto para electrones como para lagunas.
-------o-------
Por medio del efecto Hall se demuestra que las lagunas son efectivamente partículas
clásicas con carga positiva, ya que si se las interpreta como un movimiento retrógrado de
electrones, los mismos, por corresponder a cargas negativas, para el material tipo 𝑝 se
moverían en el sentido de la fuerza magnética, y nuevamente cargarían las caras del cristal en
el mismo sentido que en el del material tipo 𝑛, cosa que no ocurre así.
Es decir que el efecto Hall no solo es importante desde el punto de vista práctico, sino
también teórico, en particular porque demuestra que el transporte de carga eléctrica se puede
realizar efectivamente a través de huecos y electrones, colocando en pie de igualdad al
electrón y al hueco como cuasi partículas, al menos en lo que concierne a los mecanismos de
conducción eléctrica.

16
  Concentración de portadores
Evaluemos ahora cuál es la concentración de portadores en los semiconductores
intrínsecos.
Consideremos primeramente los posibles estados energéticos de los portadores:

Con esto observamos que el cómputo de la concentración de electrones y huecos debe

realizarse con la integral generalizada ya vista:

𝑝2
Electrones en la BC  𝐸𝑛 = 𝐸𝐵𝐶 + 2𝑚∗
𝑛
𝑝2
Huecos en la BV  𝐸𝑝 = 𝐸𝐵𝑉 − ∗
2𝑚𝑝

 Concentraciones de equilibrio en los semiconductores

intrínsecos
Notemos que el exceso de energía por sobre el piso de la banda de conducción o por debajo
del techo de la banda de valencia implican correspondientemente energía cinética disponible
para la conducción, tanto de los electrones como de los huecos.
Bajo estas condiciones de contorno, calcularemos primero las concentraciones de
electrones en equilibrio disponibles en la banda de conducción:

∞
2 𝑑𝑝𝑥 𝑑𝑝𝑦 𝑑𝑝𝑧
𝑛0 = 3 ∭
ℎ 1 + 𝑒 (𝐸−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
−∞

∞
2 𝑑𝑝𝑥 𝑑𝑝𝑦 𝑑𝑝𝑧
𝑛0 = 3 ∭ 2 ∗
ℎ 1 + 𝑒 𝐵𝐶 +𝑝 ⁄2𝑚𝑛 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
(𝐸
−∞

∞
2 𝑑𝑝𝑥 𝑑𝑝𝑦 𝑑𝑝𝑧
𝑛0 = 3 ∭ ∗
ℎ 1 + 𝑒 𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 𝑒 𝑝 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇
(𝐸 2
−∞
Esta integral no tiene una solución exacta conocida, aunque sí es posible resolverla
numéricamente de forma aproximada conociendo los parámetros 𝐸𝐵𝐶 , 𝐸𝑓 y 𝑘𝑇.
No obstante, nos interesa encontrar aquí una aproximación teórica de gran
importancia, que es la concentración débil de portadores (concentración diluida), válida para
temperaturas bajas, o al menos no muy elevadas. Esta suposición se basa sobre la premisa de

17
que, dado el gap ∆𝐸 de un semiconductor y la temperatura ambiente 𝑇 no muy elevada, hay
pocos portadores en la banda de conducción y en la banda de valencia. Como ya se vio en la
unidad anterior, esto implica que 𝐸 − 𝐸𝑓 ≫ 𝑘𝑇, lo que significa que la función de Fermi-Dirac
puede aproximarse por la función de Maxwell-Boltzmann:

1
𝑓𝐹𝐷 (𝐸) = ≅ 𝑒 −(𝐸𝑓−𝐸)⁄𝑘𝑇
(𝐸𝑓 −𝐸)⁄𝑘𝑇
1+𝑒

Aplicando esta aproximación a la integral de más arriba nos queda:

∞
2 2 ∗
𝑛0 ≅ 3 ∭ 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 𝑒 −𝑝 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑥 𝑑𝑝𝑦 𝑑𝑝𝑧
ℎ
−∞

∞ ∞ ∞
2 2 ∗ 2 ∗ 2 ∗
𝑛0 ≅ 3 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 ∫ 𝑒 −𝑝𝑥 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑥 ∫ 𝑒 −𝑝𝑦 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑦 ∫ 𝑒 −𝑝𝑧 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑧
ℎ
−∞ −∞ −∞

∞
Como podemos apreciar, nos quedan tres integrales de la forma ∫−∞ 𝑒 −𝑢 𝑑𝑢
multiplicadas entre sí, denominadas “Integrales de Gauss”, y que valen √𝜋. Más precisamente,
analizando una de ellas y haciendo cambio de variables:
𝑢2 = 𝑝𝑥2 ⁄2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇
∞
∗
2 ∗ | 𝑢 = 𝑝𝑥 ⁄√2𝑚𝑛 𝑘𝑇 |
∫ 𝑒 −𝑝𝑥 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑥 ⇒ ⇒
|𝑑𝑢 = 𝑑𝑝𝑥 ⁄√2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇|
−∞
𝑑𝑝𝑥 = √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇𝑑𝑢

∞ ∞
−𝑢2 2
⇒ ∫𝑒 √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇𝑑𝑢 = √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇 ∫ 𝑒 −𝑢 𝑑𝑢 = √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇√𝜋 = √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇𝜋
−∞ −∞

Notar que los límites de integración de los extremos de −∞ a ∞ implican todas las
posibles velocidades que tienen las partículas, siempre que permanezcan dentro de la banda
respectiva. Este cálculo no considera velocidades máximas admisibles para estar dentro de la
banda, como por ejemplo, el caso de un electrón que resulte emitido fuera del material por
superar la velocidad de escape (Termoemisión o emisión termoiónica – Ley de Richardson-
Dushman). En este último caso se produce, en consecuencia, un error por exceso.
Reemplazando y considerando que las tres integrales que se multiplican son idénticas,
nos queda:
2 3
𝑛0 ≅ 3 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 √2𝜋𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇
ℎ

Esta expresión es la densidad de electrones en la banda de conducción, en equilibrio

térmico. Aplicar la misma requiere conocer la ubicación del nivel de Fermi 𝐸𝑓 y la energía del
fondo de la banda de conducción 𝐸𝐵𝐶 . A su vez, esta expresión puede escribirse como:

𝑛0 ≅ 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
donde:
⁄2
2 ∗
3 2𝜋𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇 3
𝑁𝐶 = 3 √2𝜋𝑚𝑛 𝑘𝑇 = 2 ( )
ℎ ℎ2

18
es la cantidad de estados disponibles en la banda de conducción.
Se observa que la forma de la ley no es otra que la de Maxwell-Boltzmann, admitiendo
que los electrones tienen una energía promedio 𝐸𝐵𝐶 − 𝐸𝑓 ; además, 𝑁𝐶 representa la
concentración (cantidad) de estados disponibles en la banda de conducción, cuyo valor es del
orden de 1019 1⁄𝑐𝑚3 a temperatura ambiente, tanto en el silicio como en el germanio.
La cantidad de estados depende, como vemos, de la temperatura ambiente elevada a
la 3/2, es decir 𝑇 3⁄2.
Considerando que el hueco es una antipartícula del electrón (comportamiento
antisimétrico), debe aplicarse la función de Fermi-Dirac complementaria. Resulta claramente
que para la banda de valencia:

3
2 ∗ 𝑘𝑇 𝑒 −(𝐸𝑓 −𝐸𝐵𝑉 )⁄𝑘𝑇 = 𝑁 𝑒 −(𝐸𝑓 −𝐸𝐵𝑉 )⁄𝑘𝑇
𝑝0 = √2𝜋𝑚𝑝 𝑉
ℎ3

Notemos que ahora se encuentra bajo la raíz 3/2 la masa eficaz del hueco 𝑚𝑝∗ , que
aunque es distinta de la masa eficaz del electrón 𝑚𝑛∗ , aún pueden considerarse
aproximadamente del mismo orden, por lo que 𝑁𝑉 ≅ 𝑁𝐶 .

 Determinación del nivel de Fermi.

 Estimación del nivel de Fermi en semiconductores
intrínsecos y concentración intrínseca
Para calcular la concentración de portadores en equilibrio en un semiconductor intrínseco se
requiere conocer, como ya se ha advertido, los parámetros 𝐸𝐵𝑉 , 𝐸𝐵𝐶 , 𝐸𝑓 , 𝑁𝐶 , 𝑁𝑉 , las masas
eficaces 𝑚𝑝∗ y 𝑚𝑛∗ y la temperatura ambiente 𝑇. De estos parámetros se distinguen
principalmente aquellos característicos de las bandas, lo que implica conocer el 𝐸𝑔 (gap) y la
posición relativa del nivel de Fermi con respecto a la estructura de bandas.
Para conocer la posición relativa del nivel de Fermi debemos introducir aquí la
condición fundamental de un semiconductor intrínseco, que es:

𝑛0 = 𝑝0

Esto es así ya que el único proceso considerado en el equilibrio que aporta portadores
es la rotura y recombinación de pares hueco-electrón (aparecen y desaparecen siempre de a
pares). Igualando las respectivas concentraciones nos queda:

𝑛0 = 𝑝0

𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 = 𝑁𝑉 𝑒 −(𝐸𝑓−𝐸𝐵𝑉 )⁄𝑘𝑇

Considerando que 𝑁𝐶 es del orden de 𝑁𝑉 resulta:

𝐸𝐵𝐶 − 𝐸𝑓 ≅ 𝐸𝑓 − 𝐸𝐵𝑉

𝐸𝐵𝐶 + 𝐸𝐵𝑉 ≅ 𝐸𝑓 + 𝐸𝑓

𝐸𝐵𝐶 + 𝐸𝐵𝑉 ≅ 2𝐸𝑓

19
 𝐸𝐵𝐶 + 𝐸𝐵𝑉
𝐸𝑓 ≅
2
A los fines prácticos podemos considerar que el nivel de Fermi se encuentra a la mitad
de la banda prohibida.

Considerando más en detalle, vemos que el nivel de Fermi no está ubicado

exactamente en el medio, ya que 𝑁𝐶 no es igual a 𝑁𝑉 , lo que simultáneamente implica que el
nivel de Fermi se mueve relativamente respecto de la estructura de banda con la temperatura;
en la práctica, no obstante, podemos despreciarla.
De todo esto surge que la caracterización principal de un semiconductor intrínseco
está dada por el nivel de Fermi y el ancho del gap, todo lo cual implica inmediatamente una
concentración característica de portadores a una determinada temperatura. Esta
concentración característica puede medirse por la denominada “concentración intrínseca” 𝑛𝑖 ,
tal que:
𝑛𝑖2 = 𝑛0 𝑝0

Finalmente, observemos que la condición de concentración diluida se cumple toda vez

que 𝐸 − 𝐸𝑓 sea mucho mayor que 𝑘𝑇, o sea:
𝐸𝐵𝐶 − 𝐸𝑓 ≫ 𝑘𝑇
𝐸 − 𝐸𝑓 ≫ 𝑘𝑇 ⟶ {
𝐸𝑓 − 𝐸𝐵𝑉 ≫ 𝑘𝑇

Esto es lo que se da en la mayoría de los casos a temperatura ambiente.

 Concentraciones de equilibrio en los semiconductores

extrínsecos y estimación del nivel de Fermi

Estamos en condiciones ahora de evaluar la concentración de equilibrio de los portadores en

un semiconductor extrínseco y la posición del nivel de Fermi.
Digamos en primer lugar que las ecuaciones que definen la concentración de
portadores no deberían cambiar, puesto que el sustrato es un semiconductor intrínseco, el
cual ya hemos evaluado. Sin embargo, el desequilibrio entre poblaciones de portadores libres
debe manifestarse de alguna forma, y esto implica que el nivel de Fermi se desplaza fuera del
centro de la banda prohibida hacia otra posición (en general, dentro de la banda prohibida)
que manifieste dicho equilibrio.
𝑛0 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇

20
 Supongamos que describimos una situación particular de equilibrio con el medio
ambiente con las siguientes magnitudes:
𝑁𝑑  Concentración de átomos donores en el nivel donor
𝑁𝑎  Concentración de átomos aceptores en el nivel aceptor
𝑛𝑑  Concentración de átomos donores no ionizados
𝑛𝑎  Concentración de átomos aceptores no ionizados
𝑛  Concentración de electrones en la banda de conducción
𝑝  Concentración de huecos en la banda de valencia
En virtud de lo anterior y a fin de mantener la neutralidad eléctrica, se tendrá en un
semiconductor tipo 𝑛:
𝑛 = 𝑝 + (𝑁𝑑 − 𝑛𝑑 )

Y en un semiconductor tipo 𝑝:
𝑝 = 𝑛 + (𝑁𝑎 − 𝑛𝑎 )

En general, es posible que haya ambos tipos de contaminación con distintos niveles de
concentración, de modo que:

𝑛 − 𝑝 = 𝑛0 − 𝑝0 = (𝑁𝑑 − 𝑛𝑑 ) − (𝑁𝑎 − 𝑛𝑎 )
Esta ecuación nos dice también que es posible neutralizar, y hasta invertir, el tipo
extrínseco, recontaminando. Esto es doblemente importante en el proceso de fabricación, ya
que permite neutralizar impurezas no deseadas o realizar distintas capas semiconductoras
por sucesivas contaminaciones. El límite es que la concentración total de impurezas sea aún lo
suficientemente pequeña para no desnaturalizar la estructura del semiconductor intrínseco.
Cuando ello ocurre (cuando se desnaturaliza), se produce los denominados “semiconductores
degenerados” (es un semiconductor sobrecontaminado).
De esto surge que en un semiconductor tipo 𝑛, a temperatura suficientemente
elevada, pero aun dentro de las típicas del rango ambiental normal, los electrones que habrá
serán solo aquellos producidos por los átomos donores o por las diferencias entre las
concentraciones donoras y aceptoras; de igual forma, pero en sentido inverso, para un
semiconductor tipo 𝑝.
 En un semiconductor tipo 𝑛 con 𝑇~𝑇𝑎𝑚𝑏

𝑛0𝑛 ≅ 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇

 En un semiconductor tipo 𝑝 con 𝑇~𝑇𝑎𝑚𝑏

𝑝0𝑝 ≅ 𝑁𝑎 − 𝑁𝑑 = 𝑁𝑉 𝑒 −(𝐸𝑓−𝐸𝐵𝐶 )⁄𝑘𝑇

Donde 𝑛0𝑛 y 𝑝0𝑝 representan los portadores mayoritarios en un semiconductor 𝑛 o 𝑝,

respectivamente.
De aquí podemos estimar la posición del nivel de Fermi en cada caso:

𝑁𝐶
Temperaturas normales: 𝐸𝑓 = 𝐸𝐵𝐶 − 𝑘𝑇 ln 𝑁
𝑑 −𝑁𝑎
Tipo 𝑛
𝐸𝑑 +𝐸𝐵𝐶 𝑁𝐶
Temperaturas bajas: 𝐸𝑓 ≅ 2
− 𝑘𝑇 ln 𝑁
𝑑 −𝑁𝑎

21
 𝑁𝐶
Temperaturas normales: 𝐸𝑓 = 𝐸𝐵𝑉 + 𝑘𝑇 ln 𝑁
𝑎 −𝑁𝑑
Tipo 𝑝
𝐸𝐵𝑉 +𝐸𝑎 𝑁𝐶
Temperaturas bajas: 𝐸𝑓 ≅ 2
+ 𝑘𝑇 ln 𝑁
𝑎 −𝑁𝑑

Estas ecuaciones nos dicen que en un semiconductor no degenerado ocurre tal que: si
es 𝑛, en él se encuentra el nivel de Fermi en la mitad superior de la banda prohibida, y si en 𝑝,
se encuentra en la mitad inferior de la banda prohibida.

Para muy bajas temperaturas la posición del nivel de Fermi está situada entre 𝐸𝐵𝐶 y 𝐸𝑑
(tipo 𝑛), o entre 𝐸𝑎 y 𝐸𝐵𝑉 (tipo 𝑝). Al aumentar la temperatura, y a medida que se agota el
proceso de excitación de generación extrínseca y empieza a prevalecer la generación
intrínseca, el nivel de Fermi se desplaza en ambos casos hacia el centro de la banda:

Esta sería la “clave” para la fabricación de dispositivos determinados.

Resta indicar cuál es la concentración de portadores minoritarios, que lo podríamos
indicar con los símbolos 𝑛0𝑝 y 𝑝0𝑛 . Para estimar la población de estos portadores, basta

22
conocer la población de los mayoritarios y la condición de conservación de la concentración
intrínseca, que se debe cumplir si no hemos alterado la estructura del semiconductor
intrínseco anfitrión (es decir, si no es degenerado), de modo que:

𝑛𝑖2 (𝑛) = 𝑛0𝑛 𝑝0𝑛

{ 2
𝑛𝑖 (𝑝) = 𝑛0𝑝 𝑝0𝑝
De esto surge que:

𝑛𝑖2 (𝑛)
𝑝0𝑛 ≅ ⟶ (𝑛0𝑛 ≅ 𝑁𝑑 )
𝑁𝑑
𝑛𝑖2 (𝑝)
𝑛0𝑝 ≅ ⟶ (𝑝0𝑝 ≅ 𝑁𝑎 )
{ 𝑁𝑎

Podemos reescribir la totalidad de las ecuaciones de concentración de los portadores

en función de la concentración intrínseca, evaluando el valor de esta para un determinado
semiconductor intrínseco en función de la temperatura y el ancho del gap. Para ello
comenzaremos evaluando las relaciones 𝑝⁄𝑛 y 𝑝. 𝑛 en un semiconductor intrínseco.

- Relación p⁄n

Recordar que:
𝑛0 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
{
𝑝0 = 𝑁𝑉 𝑒 −(𝐸𝑓 −𝐸𝐵𝑉 )⁄𝑘𝑇

Y considerando que 𝑁𝐶 ≅ 𝑁𝑉 :

𝑝
= 𝑒 (𝐸𝐵𝐶 +𝐸𝐵𝑉 −2𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛

Pero como el nivel de Fermi en un material intrínseco es 𝐸𝑓𝑖 = (𝐸𝐵𝐶 + 𝐸𝐵𝑉 )⁄2:

𝑝
= 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛

Aunque esta ecuación se ha deducido para un semiconductor intrínseco, también es

válida para un semiconductor extrínseco, y nos muestra que el desbalance de concentraciones
(𝑝 respecto de 𝑛) depende de la posición del nivel de Fermi respecto del centro de la banda
prohibida (𝐸𝑓𝑖 ). Esto es, el nivel de Fermi actúa como el Fiel (indicador) de una balanza en el
que se pesan las concentraciones.

- Relación p. n
Evaluando ahora 𝑝. 𝑛 con las mismas consideraciones:

𝑝𝑛 = 𝑛𝑖2 = 𝑁𝐶 𝑁𝑉 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝐵𝑉 )⁄𝑘𝑇

23
 Pero 𝐸𝐵𝐶 − 𝐸𝐵𝑉 = 𝐸𝑔 , por lo que:

𝑝𝑛 = 𝑛𝑖2 = 𝑁𝐶 𝑁𝑉 𝑒 −𝐸𝑔 ⁄𝑘𝑇

Escribiéndolo en función de la temperatura:

2
𝑝𝑛 = 𝑛𝑖2 = 𝑁𝐶 𝑁𝑉 𝑒 −𝐸𝑔⁄𝑘𝑇 = (𝐶𝑇 3⁄2 ) 𝑒 −𝐸𝑔 ⁄𝑘𝑇
-------o-------
Con estos resultados podemos ahora estimar también las poblaciones mayoritarias en
función de la concentración intrínseca:
En un material tipo 𝑝:
𝑝
= 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛
𝑝 𝑝
( ) = 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛 𝑝
𝑝2
= 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛𝑖2
𝑝2 = 𝑛𝑖2 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
Por lo tanto:

𝑝0𝑝 = 𝑛𝑖 𝑒 (𝐸𝑓𝑖 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇

De la misma forma, para un material tipo 𝑛:

𝑛0𝑛 = 𝑛𝑖 𝑒 (𝐸𝑓−𝐸𝑓𝑖)⁄𝑘𝑇

Concluyendo, las ecuaciones que caracterizan a un semiconductor extrínseco son las

siguientes (caracterización estática):

(𝐸𝑓 −𝐸𝑓𝑖 )⁄𝑘𝑇

𝑛𝑖2
𝑛0𝑛 = 𝑛𝑖 𝑒 ; 𝑝0𝑛 ≅
𝑁𝑑
𝑛𝑖2
𝑝0𝑝 = 𝑛𝑖 𝑒 (𝐸𝑓𝑖−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 ; 𝑛0𝑝 ≅
𝑁𝑎
{ 𝑛𝑖2 = 𝐶𝑇 3⁄2 𝑒 −𝐸𝑔 ⁄2𝑘𝑇

Estas son las ecuaciones con las que se diseñan los semiconductores.

 Distribución Energética de los portadores

Como complemento de la descripción de la concentración de los portadores, conviene
analizar cómo se encuentran éstos distribuíos energéticamente en las bandas. Para ello
recordamos que la distribución de portadores en un rango energético, por ejemplo, los
electrones, puede describirse por el siguiente producto:

𝑛(𝐸) = 𝑆(𝐸)𝑓𝐹𝐷 (𝐸)

Donde:
𝑆(𝐸)  Distribución de estados
𝑓𝐹𝐷 (𝐸)  Función de Fermi-Dirac

24
 La distribución de estados 𝑆(𝐸) es proporcional al impulso de los portadores:

𝑆(𝐸) = 𝑎𝑝
Pero como:
𝑝 = √2𝑚∆𝐸 = √2𝑚(𝐸 − 𝐸𝐵𝐶 )

Se tiene en consecuencia que:

𝑛(𝐸) = 𝑆(𝐸)𝑓𝐹𝐷 (𝐸) = 𝑎√2𝑚(𝐸 − 𝐸𝐵𝐶 )𝑓𝐹𝐷 (𝐸) = 𝑎√2𝑚√𝐸 − 𝐸𝐵𝐶 𝑓𝐹𝐷 (𝐸)

Haciendo 𝑎√2𝑚 = 𝑏, se tiene que:

𝑛(𝐸) = 𝑏√𝐸 − 𝐸𝐵𝐶 𝑓𝐹𝐷 (𝐸)

De la misma forma, para los huecos, se podría escribir:

′ (𝐸)
𝑝(𝐸) = 𝑏 ′ √𝐸𝐵𝑉 − 𝐸𝑓𝐹𝐷

′ (𝐸)
Donde 𝑓𝐹𝐷 es la función complementaria de Fermi-Dirac.
Teniendo en cuenta esto, podemos construir el siguiente diagrama para un
semiconductor tipo 𝑛:

Este gráfico explica íntegramente el formato de un semiconductor (aquí entendemos

todo lo que hace al estado sólido en la caracterización estática). En él se observa cómo el nivel
de Fermi está desplazado hacia la derecha.

 Efectos de la temperatura
Hasta aquí la temperatura se mantuvo constante, pero si la misma varía, la ecuación
𝑛𝑖2 (𝑇) = 𝑛0 𝑝0 indica una variación exponencial. A continuación se muestra el caso de un
cristal de Ge tipo 𝑛 con una concentración de impurezas donoras 𝑁𝑑 :

25
 En la zona 1 (0-30°K) las impurezas todavía no están totalmente ionizadas, por lo que
la presencia de esas impurezas no significa presencia de electrones libres en el cristal. Es la
zona de ionización de impurezas.
En la zona 2 (30-300°K) casi todas las impurezas se han ionizado y se cumple que
𝑛0𝑛 ≅ 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 . Es una zona de comportamiento extrínseco.
En la zona 3 (más de 300°K) la alta temperatura provoca la rotura de ligaduras en
cantidades cada vez mayor, produciéndose portadores (tanto electrones como lagunas), en
cantidades tales que llegan a enmascarar a los electrones provocados por las impurezas 𝑁𝑑 . Es
una zona de comportamiento intrínseco.
Es evidente que todos los semiconductores normales deben trabajar en la zona 2,
donde muchas propiedades del semiconductor son independientes de la temperatura.

 Conductividad en función de la temperatura

Ya hemos indicado los distintos procesos de generación intrínseca y extrínseca de
portadores. También consideramos el balance entre estos procesos según la temperatura, y
cómo se manifiesta ello en la concentración de portadores libres en ambas bandas. Pero por
otra parte, la población de portadores libres describe directamente las conductividades
eléctricas de un semiconductor (que son dos). Analizaremos la dependencia térmica de estas
conductividades eléctricas, que puede representarse en la mayoría de los semiconductores
prácticos extrínsecos en un gráfico logarítmico como el que se muestra a continuación:

La zona inferior es una región de generación extrínseca que hace que aumente la
conductividad hasta un punto en el que la totalidad de los átomos de impureza se encuentran
ionizados. Dependiendo del tipo de impureza y de las concentraciones, esta temperatura se
sitúa en el orden de los -10°C.
Superada esta temperatura mínima sobreviene una región térmica en la que no hay
aumento de la cantidad de portadores debido a que aún no tienen suficiente energía los
átomos del cristal para romper pares hueco-electrón. El aumento de la temperatura entonces
provoca un descenso de la conductividad, como ocurre en los metales. Esta región operativa es
la región normal de trabajo de los dispositivos electrónicos. La región se prolonga hasta una

26
temperatura 𝑇𝑚𝑎𝑥 que depende del gap (𝐸𝑔 ⁄𝑘), que para el silicio se encuentra entre los
125°C y 150°C.
Pasada esta temperatura máxima comienza la generación intrínseca, y por lo tanto un
nuevo aumento de la conductividad. Este aumento es importante y puede conducir
rápidamente a la destrucción del dispositivo si se encuentra en funcionamiento por la
aparición de “puntos calientes” (ruptura secundaria). Por ello, la temperatura máxima 𝑇𝑚𝑎𝑥
debe entenderse también como un límite operativo de preservación del semiconductor.

𝐸𝑔
𝑇𝑚𝑎𝑥 ≅
𝑘

TEMA B: Caracterización dinámica de los semiconductores.

 Comportamiento dinámico, recombinación de portadores, trampas

y centros de recombinación.
Hasta ahora hemos descripto la caracterización estática de los semiconductores. En lo que
sigue nos abocaremos a la caracterización dinámica, entendiendo a ésta a cómo evoluciona el
semiconductor cuando lo sacamos del equilibrio por efecto de una excitación externa, o
también cómo retorna al equilibrio cuando la excitación cesa.
Según el Principio de Equilibrio Detallado, para lograr la restitución del equilibrio en el
semiconductor se requieren los procesos de recombinación antagónicos a la generación
extrínseca. Esto implica que existen dos tipos de procesos de recombinación, uno que
podemos denominar “directo” y otro que podemos llamar “indirecto”.
Según se vio anteriormente, la recombinación directa es la inversa de la generación
intrínseca, esto es, la reasociación de un par hueco-electrón por coalición directa.

No obstante, este proceso, aunque posible, no es muy probable a temperaturas

cercanas a las ambiente normal; así aparecen los mecanismos de “recombinación indirecta”,
que son los recíprocos a la generación extrínseca.
La recombinación indirecta se basa en las “trampas” de electrones y de huecos, que
son los propios átomos ionizados en la red en el nivel donor o en el aceptor, respectivamente,
según sea un cristal tipo 𝑛 o tipo 𝑝.

27
 Hay que distinguir aquí otra clase de trampas, que son de carácter transitorio y que se
deben a la irregularidad cristalina, particularmente la debida a la irregularidad de la superficie
del semiconductor, denominadas “trampas superficiales”. Estas trampas, así como capturan
portadores móviles y muy eventualmente pueden aportar a la recombinación, son más bien
localidades en donde se alojan transitoriamente portadores móviles que desaparecen del flujo
de portadores, pero que luego pueden volver a ser reintegrados, contribuyendo así a la
fluctuación estadística del número de electrones y huecos libres (una de las causas del ruido
electrónico en los semiconductores).
Otro contribuyente a la recombinación indirecta es a través de un tercer tipo de
trampas, situadas energéticamente más o menos en el centro de la banda prohibida, y que son
producidas por la existencia de otro tipo de átomos contaminantes, particularmente los
metales preciosos como el oro y la plata. Estas trampas se denominan “centros de
recombinación”, y a diferencia de las trampas superficiales, tienen un tiempo de retención
más prolongado, favoreciendo así la recombinación al ionizarse positiva o negativamente (si
una trampa de este tipo captura un electrón, se ioniza negativamente, transformándose luego
en una trampa de huecos y viceversa).

Los centros de recombinación son deseables porque facilitan la recombinación,

disminuyendo el “tiempo de vida media de los portadores” y aumentado así la rapidez de los
dispositivos. Contrariamente, las trampas superficiales no sólo contribuyen al ruido
electrónico, sino que además empeoran la rapidez de los dispositivos, al aumentar los tiempos
de vida media. Conclusión, hay que permitir la obtención de ciertas impurezas.

 Inyección de portadores minoritarios, función de recombinación

Notemos que la salida del equilibrio implica considerar un exceso de portadores de los
dos tipos, tanto electrones como huecos. Si 𝑛0 y 𝑝0 son las concentraciones iniciales de
electrones y lagunas en un semiconductor extrínseco en equilibrio térmico, y si denominamos
con 𝛿𝑛 y 𝛿𝑝 a los excesos respectivos de portadores debido a la rotura de ligaduras, por la
acción de un agente externo, las concentraciones totales 𝑛 y 𝑝 serán:

28
 𝑛 = 𝑛0 + 𝛿𝑛
{
𝑝 = 𝑝0 + 𝛿𝑝

Aquí, 𝛿 nos hace referencia a una perturbación.

El proceso de excitación consiste en la introducción de excesos de portadores 𝛿𝑛 y 𝛿𝑝,

y como los portadores en exceso se generan y recombinan siempre de a pares, dichos excesos
deben ser iguales (𝛿𝑛 = 𝛿𝑝), lo que significa que no se rompe la neutralidad eléctrica. No
obstante esto, en condiciones de excitaciones débiles, donde 𝛿𝑛 ≪ 𝑛0 y 𝛿𝑝 ≪ 𝑝0 , podemos
hablar de excitación por portadores minoritarios únicamente, o también de inyección de
portadores minoritarios, ya que el exceso de portadores mayoritarios es muy pequeño con
respecto al incremento porcentual de portadores minoritarios. Es decir que en estas
condiciones:

𝑛𝑛 ≅ 𝑛0𝑛
Tipo 𝑛
𝑝𝑛 = 𝑝0𝑛 + 𝛿𝑝

𝑛𝑝 = 𝑛0𝑝 + 𝛿𝑛
Tipo 𝑝
𝑝𝑝 ≅ 𝑝0𝑝

Nuestro problema consiste en determinar el comportamiento espacio-temporal de las

concentraciones, es decir, determinar las funciones del espacio y tiempo 𝑛(𝑥, 𝑦, 𝑧, 𝑡) y
𝑝(𝑥, 𝑦, 𝑧, 𝑡) cuando introducimos una excitación sacándolo del equilibrio, o cuando estando
excitado ésta cesa, retornando al equilibrio. Este proceso debe describirse mediante una
ecuación “íntegro-diferencial en derivadas parciales”. Dicha ecuación podrá linealizarse en la
medida en que las excitaciones sean débiles y no alteren sustancialmente el comportamiento
descripto por la caracterización estática.

En estas ecuaciones diferenciales (ecuaciones de transporte) juega un rol fundamental

la recombinación, que es el mecanismo de restitución del equilibrio, y que puede describirse
mediante una función 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇), que representa el número de electrones y huecos que
desaparecen de sus respectivas bandas, por unidad de tiempo y volumen.

La recombinación, antes o después, implica la desaparición por pares, de modo que la

función 𝑅 depende principalmente del producto 𝑛𝑝. Así, 𝑅 se puede escribir de la siguiente
forma:

𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑅(𝑛𝑝, 𝑟(𝑡))

Si las excitaciones son débiles, podemos linealizar esta función, considerando nada
más que el término de primer grado de la serie de Taylor que la describe:

𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑡)𝑛𝑝

Desarrollando 𝑛𝑝:

𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑡)(𝑛0 + 𝛿𝑛)(𝑝0 + 𝛿𝑝)

𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑡)(𝑛0 𝑝0 + 𝑛0 𝛿𝑝 + 𝑝0 𝛿𝑛 + 𝛿𝑛𝛿𝑝)

29
 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑟(𝑡)𝑛0 𝛿𝑝 + 𝑟(𝑡)𝑝0 𝛿𝑛 + 𝑟(𝑡)𝛿𝑛𝛿𝑝

Como la inyección de portadores es débil, el producto 𝛿𝑛𝛿𝑝 resulta ser infinitesimal, y

por tanto, despreciable:

𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) ≅ 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑟(𝑡)(𝑛0 𝛿𝑝 + 𝑝0 𝛿𝑛)

A su vez, como la recombinación de portadores que existen en equilibrio térmico es

igual a la generación de portadores en estado térmico, se tiene que:

𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 = 𝐺𝑇

Aquí, 𝐺𝑇 es la “generación térmica del portador”, es decir, aquella que corresponde al

equilibrio, donde 𝑟(𝑡) es un coeficiente térmico apropiado. De este modo:

𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) ≅ 𝐺𝑇 + 𝑟(𝑡)(𝑛0 𝛿𝑝 + 𝑝0 𝛿𝑛)

Consideremos ahora un semiconductor tipo 𝑛 y otro tipo 𝑝:

𝛿𝑝
Tipo 𝑛 ⟶ 𝑅𝑛 (𝑛, 𝑝, 𝑇) ≅ 𝐺𝑇 + 𝑟(𝑡)𝑛0𝑛 𝛿𝑝 = 𝐺𝑇 +
𝜏𝑝𝑛
𝛿𝑝
Tipo 𝑝 ⟶ 𝑅𝑝 (𝑛, 𝑝, 𝑇) ≅ 𝐺𝑇 + 𝑟(𝑡)𝑝0𝑝 𝛿𝑛 = 𝐺𝑇 +
{ 𝜏𝑛𝑝

Donde:

1
𝜏𝑝𝑛 =
𝑟(𝑡)𝑛0𝑛

1
𝜏𝑛𝑝 =
𝑟(𝑡)𝑝0𝑝

Son constantes de tiempo del proceso de desequilibrio, definido por la vida media de
los portadores minoritarios.

Lo que estas ecuaciones nos dicen es que en un semiconductor 𝑛 o 𝑝, el proceso de

desequilibrio está regulado prácticamente por el exceso de portadores minoritarios.

Es muy poco probable que un portador minoritario en exceso se recombine con un

portador mayoritario en exceso. Esto quedó de manifiesto al suprimir el término 𝑟(𝑡)𝛿𝑛𝛿𝑝.
También es muy poco probable que se recombine un portador mayoritario en exceso con un
portador minoritario en equilibrio térmico. Esto se manifestó al suprimir 𝑟(𝑡)𝑝0𝑝 𝛿𝑛 para el
material tipo 𝑛, y 𝑟(𝑡)𝑛0𝑛 𝛿𝑝 para el material tipo 𝑝.

 ecuación de la continuidad.
Para describir el comportamiento espacio-temporal de las concentraciones de portadores en
un semiconductor, se requiere plantear una ecuación diferencial en derivadas parciales. El
principio que aplicaremos para deducir esta ecuación diferencial en derivadas parciales es la

30
conservación de la carga eléctrica; por tal motivo hablamos de una ecuación diferencial de
continuidad, o simplemente ecuación de continuidad, que describe la conservación de la carga
punto a punto en el interior del semiconductor. Tomemos un diferencial de volumen tan
pequeño como se quiera (siempre mayor al volumen de incertidumbre) y describamos el
balance de carga en dicho elemento diferencial; como la carga está asociada directamente a la
cantidad de portadores (huecos o electrones) podemos hablar también de la conservación de
las poblaciones.
Sea entonces 𝑝 la concentración de portadores positivos (huecos) en un diferencial de
volumen (𝑑𝑉).

La población infinitesimal de elementos será:

𝑑𝑝 = 𝑝 ⋅ 𝑑𝑉

De modo que en un volumen 𝑉, la población total de elementos será:

𝑃 = ∫ 𝑝𝑑𝑉
𝑉
Esta población puede variar punto a punto por distintos motivos; la variación de la
población en el tiempo será:
𝜕𝑃 𝜕 𝜕𝑝
= ∫ 𝑝𝑑𝑉 = ∫ 𝑑𝑉
𝜕𝑡 𝜕𝑡 𝜕𝑡
𝑉 𝑉

Para poder intercambiar los signos de derivada e integral, consideramos que 𝑝 es una
variable continua en el espacio y en el tiempo (suponemos un medio continuo).
Las causas de la variación pueden ser las siguientes:
1. La desaparición de portadores por la recombinación dentro del interior del elemento
diferencial. Tomamos aquí la función de recombinación:

𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇)

que es una concentración de portadores que desaparecen por unidad de tiempo y de

volumen, de modo que el descenso total de población se conmutará a través de la
integral volumétrica en el volumen 𝑉:
∫ 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇)𝑑𝑉
𝑉
2. La población puede variar también por el aporte de nuevos portadores, que sería el
mecanismo inverso a la recombinación. Definimos una función de generación:

𝐺 = 𝐺𝑇 + 𝑔

Donde 𝐺 es la velocidad de generación de la concentración de portadores, siendo 𝐺𝑇

la componente térmica ya discutida, que se verifica en equilibrio térmico, y 𝑔 la

31
 debida a la excitación externa. La velocidad de generación de concentración debida al
aporte externo de portadores está dada por:

𝐺𝑇 = 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0

De este modo, la cantidad de portadores que se generan por unidad de tiempo y

volumen será:
∫ 𝐺𝑑𝑉 = ∫{𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑔}𝑑𝑉
𝑉 𝑉

3. Consideremos ahora los portadores que emigran del elemento diferencial, en pocas
palabras, los que componen el flujo de portadores ϕ𝑝 hacia el exterior del elemento
𝑑𝑉.

Lógicamente, este flujo se debe a una cierta densidad de corriente 𝐽⃗𝑝 , y es tal que:

1
ϕ𝑝 = ∫ 𝐽⃗ 𝑛⃗⃗𝑑𝑆
𝑞 𝑝
𝑆

Donde 𝑆 es la superficie que rodea al volumen de control y 𝑛⃗⃗ es un vector unitario

perpendicular a dicha superficie.
Es conveniente convertir esta integral de superficie en un integral de volumen como la
considerada anteriormente, que se logra mediante el Teorema de la Divergencia de
Gauss:
1 1
∫ 𝐽⃗𝑝 𝑛⃗⃗𝑑𝑆 = ∫ ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 𝑑𝑉
𝑞 𝑞
𝑆 𝑉

4. La población de portadores también puede variar por la aparición o desaparición

aleatoria (estocástica) de portadores debido a la presencia de trampas (sobretodo las
trampas superficiales), sin contribuir al flujo neto. Esta causa no altera los valores del
medio, pero sí produce una fluctuación de los mismos en el tiempo, dando origen así
al “ruido” atribuible a un semiconductor. Si consideramos tiempos de observación
suficientemente prolongados, esta fluctuación se anula estadísticamente.

-------o-------
De esta forma, las causas 1, 2 y 3 deben igualarse a la variación total de portadores en
el siguiente balance:

𝜕𝑝 1
∫ 𝑑𝑉 = ∫{𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑔}𝑑𝑉 − ∫ 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇)𝑑𝑉 − ∫ ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 𝑑𝑉
𝜕𝑡 𝑞
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉

32
 El volumen 𝑉 de control es el mismo para todas las integrales, y a su vez es arbitrario,
de modo que la igualdad solo se verifica si el balance se extiende a los integrandos. Así nos
queda:
𝜕𝑝 1
= 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑔 − 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) − ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝
𝜕𝑡 𝑞

Esta es la ecuación general de la continuidad.

Recordando que 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) es, para un semiconductor tipo 𝑛:
𝛿𝑝 𝛿𝑝𝑛
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) ≅ 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑟(𝑡)𝑛0 𝛿𝑝 ≅ 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + ⇒ 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 − 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = −
𝜏𝑝 𝜏𝑝
Más precisamente se tiene que:

𝜕𝑝𝑛 𝛿𝑝𝑛 1
= 𝑔𝑝 − − ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝
𝜕𝑡 𝜏𝑝 𝑞

Consideramos a 𝑝𝑛 como la población de portadores minoritarios, 𝛿𝑝𝑛 el exceso de

portadores minoritarios debido a una inyección externa representada por 𝑔𝑝 , y a 𝐽⃗𝑝 como la
densidad de corriente de portadores minoritarios, dada por:
𝐽⃗𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 ℰ⃗ − 𝑞𝐷𝑝 ∇
⃗⃗𝑝

En un semiconductor tipo 𝑝 ocurrirá otro tanto, entonces escribiremos:

𝜕𝑛𝑝 𝛿𝑛𝑝 1
= 𝑔𝑛 − + ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑛
𝜕𝑡 𝜏𝑛 𝑞
Y además:
𝐽⃗𝑛 = 𝑞𝑝𝜇𝑛 ℰ⃗ + 𝑞𝐷𝑛 ⃗∇⃗𝑛
Donde:

1
𝜏𝑝 =
𝑟(𝑡)𝑛0

1
𝜏𝑛 =
𝑟(𝑡)𝑝0

En esta parte, 𝜏𝑝 y 𝜏𝑛 representan el tiempo de vida media de los portadores

minoritarios.
Los sistemas de ecuaciones mencionados representan el comportamiento del
semiconductor en condiciones de inyecciones débiles (señales débiles), y constituyen, como
vemos, ecuaciones lineales, suponiendo que las concentraciones de portadores mayoritarias
son uniformes a lo largo del material (esta condición solo es una aproximación en condiciones
homogéneas). En realidad, se pueden escribir pares de ecuaciones complementarias para los
portadores mayoritarios, de modo que la concentración de estos también varía punto a punto,
y está vinculada a la de la propia población minoritaria a través del término de recombinación.
En este caso no podemos considerar ecuaciones lineales.

33
  Ecuación de difusión de los portadores minoritarios inyectados en
régimen estacionario y en régimen impulsivo.
La solución completa de los sistemas de ecuaciones puede ser más o menos complicada, y
mucho más aún si consideramos menos heterogéneo al semiconductor y excitaciones no
necesariamente tan débiles. Además, se requeriría definir cómo sería la generación externa.
Para evitar un análisis genérico que no aportaría las verdaderas claves del comportamiento
dinámico de un semiconductor, sólo analizaremos dos casos simples que nos darán una idea
del mismo.
El primer caso se refiere a la inyección estacionaria de portadores desde una de las
caras de la pieza semiconductora, y en el segundo caso analizaremos una inyección impulsiva
(por ejemplo, provocada por un flash lumínico), también efectuada desde una de las caras.
El primer caso representa una situación frecuente, la cual se da por ejemplo en una
juntura, o cuando se ilumina de forma uniforme y permanente un sector del cristal; aquí se
manifestará el comportamiento espacial típico.
El segundo caso es menos frecuente en la práctica, aunque no menos importante
teóricamente, ya que manifestará el comportamiento típico en el tiempo.
En un caso arbitrario de excitación, considerando una aproximación lineal, tendremos
un comportamiento mixto en el que deberán manifestarse simultáneamente las características
espaciales y temporales antes vistas.

 Inyección estacionaria
Consideraremos una pieza semiconductora donde una de sus caras está sometida a
una inyección estacionaria de portadores minoritarios, por ejemplo, de huecos en un material
tipo 𝑛. La misma puede producirse por la iluminación uniforme y permanente en una de sus
caras.

Esperamos que con esta acción en la cara en donde se registra la generación, el exceso
de portadores producidos por dicha inducción decrezca a lo largo del eje 𝑥; los otros ejes (𝑦, 𝑧)
no intervienen en el problema.
Tomemos el par de ecuaciones que definen el problema y procedamos a realizar las
simplificaciones correspondientes. La ecuación de la continuidad de las lagunas en un material
tipo 𝑛 es:
𝜕𝑝𝑛 𝛿𝑝𝑛 1
= 𝑔𝑝 − − ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝
𝜕𝑡 𝜏𝑝 𝑞

Como la generación externa es constante y uniforme, no hay variación de portadores a

lo largo del tiempo, por lo que el régimen es estacionario:
𝜕𝑝
𝑔𝑝 = 𝑐𝑡𝑒 ⇒ =0
𝜕𝑡

Si bien los fotones penetran una cierta distancia determinada (por la naturaleza del
cristal y la longitud de onda de la luz incidente), es válido considerar la aproximación en la cual
los portadores se generan sólo sobre la cara de la barra. Es decir que en todo el volumen de la
barra:

34
 𝛿𝑝𝑛 1
𝑔𝑝 = 0 ∀𝑥 ≠ 0 ∴ + ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 = 0 ⟶ Ecuación de continuidad
𝜏𝑝 𝑞
Ahora describamos apropiadamente la divergencia de 𝑛𝑝 . En general, lo que
deberíamos hacer es aplicar escalarmente el operador nabla a la ecuación de corriente, es
decir, sobre las dos componentes (la de corrimiento y la de difusión):

∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 = ∇ ⋅ (𝑞𝑝𝜇𝑝 ℰ⃗ − 𝑞𝐷𝑝 ∇

⃗⃗𝑝) = 𝑐𝑡𝑒

Sin embargo, esto no es necesario ya que la inyección no se produce por efecto de un

campo eléctrico externo; en efecto, en la cara inmediata a la cara de inyección sólo puede
haber corriente de difusión. De esta forma, en la expresión se anula el término del campo
eléctrico (ℰ⃗ = 0).
∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 = ∇ ⋅ (−𝑞𝐷𝑝 ⃗∇⃗𝑝)
Como consecuencia de esto:
𝑑2 𝑝
∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 = −𝑞𝐷𝑝 ∇ ⋅ ⃗∇⃗𝑝 = −𝑞𝐷𝑝 ⃗∇⃗2 𝑝 = −𝑞𝐷𝑝 2
𝑑𝑥
Como estamos en el eje 𝑥 nos queda con diferencial de 𝑥. De esta forma, la ecuación
de continuidad queda:
𝛿𝑝𝑛 1
+ ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 = 0
𝜏𝑝 𝑞
𝛿𝑝𝑛 1
= − ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝
𝜏𝑝 𝑞
𝛿𝑝𝑛 1 𝑑2 𝑝
= − (−𝑞𝐷𝑝 2 )
𝜏𝑝 𝑞 𝑑𝑥
2
𝛿𝑝𝑛 𝑑 𝑝
= 𝐷𝑝 2
𝜏𝑝 𝑑𝑥
Si se tiene en cuenta que 𝑝𝑛0 = 𝑐𝑡𝑒 por tratarse de un medio homogéneo, y que
además:
𝑑 𝑑𝑝 𝑑2 𝑝 𝑑2
𝛿𝑝𝑛 = 𝑝 − 𝑝𝑛0 ⇒ 𝛿𝑝𝑛 = ∴ = 𝛿𝑝
𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2 𝑑𝑥 2 𝑛

Reemplazando en la ecuación diferencial:

𝛿𝑝𝑛 𝑑2
= 𝐷𝑝 2 𝛿𝑝𝑛
𝜏𝑝 𝑑𝑥
La solución a la ecuación diferencial es:

𝛿𝑝𝑛 = 𝛿𝑝𝑛 (0)𝑒 −𝑥⁄𝐿𝑝

Donde se define a la constante:

𝐿𝑝 = √𝐷𝑝 𝜏𝑝
Por lo tanto:
𝑝𝑛 = 𝛿𝑝𝑛 (0)𝑒 −𝑥⁄𝐿𝑝 + 𝑝𝑛0

35
 El gráfico nos muestra que el proceso de recombinación se produce principalmente en
la zona inmediata a la cara de inyección, la cual está caracterizada por una constante de
relajación denominada “Longitud de difusión”. A una distancia equivalente a 5 veces 𝐿𝑝
podemos considerar que la concentración del material es directamente la concentración de
equilibrio a la temperatura 𝑇0 de equilibrio. 𝐿𝑝 es del orden de 1 cm o menos en el Silicio y en
el Germanio, y es del orden de 10-2 cm en el Arseniuro de Galio, lo que le da a este último una
mayor velocidad y lo hace más eficiente para dispositivos de alta frecuencia.

 Inyección impulsiva o flash

Consideramos la misma pieza de semiconductor que en el caso anterior, sólo que la
excitación proviene de un evento lumínico impulsivo tipo flah. Nos interesa conocer cómo
varía la concentración de portadores a lo largo del tiempo en una sección 𝑥0 arbitraria que no
sea la cara de excitación.

Esperamos que en la sección 𝑥0 se produzca un aumento súbito de la concentración de

portadores minoritarios por efecto de la inyección, tras lo cual dicha concentración decaería
por efecto de la recombinación, hasta los valores de equilibrio previos.
Nuevamente, la ecuación de la continuidad de las lagunas en un material tipo 𝑛 es:
𝜕𝑝𝑛 𝛿𝑝𝑛 1
= 𝑔𝑝 − − ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝
𝜕𝑡 𝜏𝑝 𝑞
En las condiciones dadas se observa que apenas desaparece el impulso, no existe
generación de portadores provocada por excitaciones externas:

𝑔𝑝 = 0 ∀𝑡 ≠ 0

Como inmediatamente después de desaparecer el impulso, el flujo de

portadores es cero a través de las superficies que delimitan el cristal:

∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 = 0 ∀𝑥 = 𝑥0
Esto implica que:
ℰ⃗ = 0
Entonces:

36
 𝑑𝑝𝑛 𝛿𝑝𝑛
=−
𝑑𝑡 𝜏𝑝

Si se tiene en cuenta que 𝑝𝑛0 = 𝑐𝑡𝑒 por tratarse de un medio homogéneo, y que
además:
𝑑 𝑑𝑝𝑛
𝛿𝑝𝑛 = 𝑝𝑛 − 𝑝𝑛0 ⇒ 𝛿𝑝𝑛 =
𝑑𝑡 𝑑𝑡

Reemplazando en la ecuación diferencial:

𝑑 𝛿𝑝𝑛
𝛿𝑝𝑛 = −
𝑑𝑡 𝜏𝑝

La solución a la ecuación diferencial es:

𝛿𝑝𝑛 (𝑡) = 𝛿𝑝𝑛 (0)𝑒 −𝑡⁄𝜏𝑝

Por lo tanto:
𝑝𝑛 (𝑡) = 𝛿𝑝𝑛 (0)𝑒 −𝑡⁄𝜏𝑝 + 𝑝𝑛0

En la sección 𝑥0 se verifica un exceso instantáneo inicial 𝛿𝑝𝑛 (𝑡 = 0), el que luego se

recombina en el tiempo que decae exponencialmente con la constate de tiempo 𝜏𝑝 , que es el
tiempo de vida media de los portadores o tiempo de recombinación. Dependiendo de los
portadores, 𝜏𝑝 está comprendido en el rango 0,125-1000 μs en los semiconductores típicos.

 Solución de la ecuación de continuidad para cualquier otro

caso
Considerando siempre semiconductores homogéneos, que son los de mayor
importancia (la concentración de equilibrio es constante en la región de interés), la ecuación
de continuidad nos puede dar una descripción bastante precisa de la concentración espacio-
temporal de las concentraciones ante una excitación externa, ello mediante cálculos
computacionales.
No obstante, aquí basta considerar conceptualmente lo que ocurriría, por ejemplo, si
una barra semiconductora es excitada por un pulso de portadores, sea por inyección difusiva,
excitación lumínica, o golpe de tensión. Para ello uno debe combinar la solución impulsivo-
temporal con la solución difusivo-espacial. En cualquier caso, se producirá una propagación del
pulso que se irá deformando (ensanchando) y bajando de amplitud a medida que éste se
propaga a lo largo de la pieza.

37
 Caracterización dinámica
Según lo ya visto, se hará un breve comentario acerca del tiempo de vida media y de la
longitud de difusión.

 Tiempo de vida media de un portador

Es una constante de tiempo de la ley exponencial que rige la normalización del sistema.
Representa el tiempo medio que los portadores minoritarios pueden “vivir” sumergidos en un
“mar” de portadores mayoritarios, es decir, el tiempo de recombinación de los excesos (0,1 -
1000μs).

 Longitud de difusión.
Es una constante de longitud de la ley exponencial que rige la distribución de los excesos de
portadores, sobre un eje determinado, y que está determinada por la difusión de los mismos.
Representa la distancia promedio que recorren los portadores antes de recombinarse.

38