Tecnologia Planare

del silicio

Tecnologia del silicio

Perche’ il silicio
• Crescita del cristallo
• Preparazione del wafer
La tecnologia planare
•Ossidazione termica
•Tecniche litografiche
•Diffusione dei droganti
•Impiantazione ionica
•Tecniche di epitassia
Tecniche di deposizione
•Silicio policristallino
•Dielettrici e passivazione
•Metallizzazioni

Realizzazione di un dispositivo

1
Perche’ il silicio

I primi dispositivi a semiconduttore utilizzavano

il Germanio (Ge), con la formazione di giunzioni
tramite “lega”, un processo piu’ facile nel Ge (che fonde a
937 ºC) rispetto al Si (che fonde a 1412 ºC)

Ge: ridotto energy gap

• alte correnti inverse

• limitato campo operativo ad alta T (max 70°C)
• basse tensioni di breakdown

Il Germanio non possiede un ossido stabile

Germanio vs. Silicio

Germanio Silicio

Mobilita’ (e -) 3900 1417 [cm2 /V s]

Mobilita’ (h+) 1900 471 [cm2 /V s]

Energy-gap (300K) 0.67 1.12 [eV]

Concentrazione di
portatori intrinseci ni
@300K: 2.4×
×1013 1.45×
×1010 [cm-3]
@400K: 1015 7.5×
×10 12 [cm-3]

Campo elettrico critico 8×

×10 3×
× 105 [V/cm]

2
La tecnologia Planare Diodo

P N
(anodo) (catodo)

La tecnologia Planare npn BJT

N+ P N-
(emettitore) (base) (collettore)

B E C
n+ n+
p
n-
n+
Si-p
bulk

3
 La tecnologia Planare

Per poter realizzare dispositivi in

tecnologia planare è necessario
disporre di un adeguato set di
passi tecnologici che permettano la
realizzazione di dispositivi
dall’alto!

wafer di silicio con uno strato di

ossido termico in superficie

SiO2

Si

4
 SiO2
selettivamente
rimosso

SiO2

Si

deposizione di drogante

SiO2

Si

5
 atomi droganti depositati sulle
superfici esposte

SiO2

Si

Durante un trattamento termico gli atomi

droganti diffondono nel Si ma non apprezzabilmente
nell’ossido

SiO2

Si

6
 Processo planare del silicio

Il silicio possiede un ossido stabile (SiO 2)

$ L’SiO 2 e’ un ottimo isolante

$ L’acido fluoridrico (HF) rimuove il biossido di

silicio ma non il Si

$ L’SiO 2 agisce come maschera nei confronti della

diffusione di drogante

$ L’SiO 2 riduce la densita’ di stati di interfaccia

sulla superficie del Si

$ L’SiO 2 puo’ essere usato come dielettrico delle

strutture MOS

Produzione di un Circuito integrato:

- disporre della materia prima (silicio policrist.)

- monocristallo di Si privo di difetti
• di grande diametro (fino a 12”)
• di purezza di 1 parte per miliardo
(10 13 cm-3 impurezze su 5×1022 cm-3
atomi di silicio)
- Produzione della fetta di Silicio (wafer)
- Fasi di processo (Ossidazione, mascheratura,
drogaggio, metallizzazioni, …..

7
Produzione di silicio policristallino

SiO 2 + 2C
----à
Si + 2CO

Produzione di silicio
policristallino
• Il silicio metallurgico viene fatto reagire
con HCl gassoso per la sintesi di (Tricloro
silano-tetracloruro di Si) SiHCl3- SiCl4-
etc.
• La miscela di SiHCl3- SiCl4- etc. viene
distillata allo scopo di ottenere SiHCl 3 di
grado elettronico.

8
 Produzione
di silicio
policristallino
Reattore per la
sintesi del
polysilicon

1100 °C
2SiHCl3 + 2H 2 2Si + 6HCl
Gas Gas Solido Gas

Produzione di silicio
policristallino

Barra di silicio
policristallino dopo
che è stata
smontata dal
reattore di crescita

9
 Produzione di silicio
policristallino

• Ciottoli di
Silicio Policristallino

Crescita del cristallo

•monocristallo di Si privo di difetti

•di grande diametro (fino a 12”)
•di purezza di 1 parte per miliardo
(10 13 cm-3 impurezze su 5× 1022 cm-3
atomi di silicio)

Tecniche:
•Metodo Czochralski
•Metodo float-zone
(zona fusa mobile)

10
Crescita secondo Czochralski
• Il metodo è stato studiato verso i
primi anni del 1900 .
• Czochralski ha pubblicato il
metodo nel 1918 su Z. Phys. Chem.
92 , 219-221 (1918).

Puller CZ

11
 Carica iniziale

Schema del puller

12
 Fase di crescita del seme

Fase di crescita - apertura del

cono

13
 Crescita del monocristallo

Aspetto del corpo del puller durante la

crescita

14
 Crescita del monocristallo

Produzione
del
monocristallo

Monocristallo in
un puller appena
aperto

15
 Produzione
del
monocristallo

Estrazione di
un
monocristallo
da un puller

Resistività longitudinale
20

15
avg res

10

0
0 10 25 40 50 60 67 75 85 100 105 110 116

cm from seed end

Andamento della resistività (ohm * cm) lungo la barra

P- Si Cz

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Crescita del cristallo

•monocristallo di Si privo di difetti

•di grande diametro (fino a 12”)
•di purezza di 1 parte per miliardo
(10 13 cm-3 impurezze su 5× 1022 cm-3
atomi di silicio)

Tecniche:
•Metodo Czochralski

•Metodo float-zone
(zona fusa mobile)

Produzione del monocristallo

Prima della
tecnica Cz
si utilizzava
la tecnica
Fz.

17
 Metodo float-zone
(a zona fusa mobile)

Le impurezze vengono
segregate nella zona fusa

Adatto per silicio ultrapuro

(ρ = 20-100 Ω -cm)

Meno dell’1% dell’ossigeno

presente con Czochralski

Produzione del monocristallo

• Particolare della zona di fusione

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 Produzione delle fette

Trattamento del monocristallo

• Il monocristallo ora è
pronto per essere
rettificato.
• Successivamente
vengono incisi i flat
per individuare
visivamente il tipo ( p-
o n-) di Si e
l’orientazione
cristallina

19
 Trattamento del monocristallo
• Flat

Lato Lato
Si piatto Si piatto
principale principale

La con
se
to da
pi rio
at
{111} tipo p {111} tipo n

to

Trattamento del monocristallo

• Flat

Lato Lato
Si piatto Si piatto
principale principale

Lato piatto Lato piatto

secondario secondario

{100} tipo n {100} tipo p

20
 Taglio della barra

• Schema della
taglierina.

Taglio della barra

• Foto reale della taglierina

21
 Taglio della barra
• Taglio con filo

Taglio della barra

• Aspetto
della
superficie
della fetta
dopo il
taglio con
taglierina a
filo

22
 Trattamenti superficiali della fetta
Lappatura:
Questo
trattamento
superficiale
incrementa la
simmetria della
fetta e rimuove
le rughe
superficiali. Si
usa una
sospensione di
allumina in
acqua.

Trattamenti superficiali della fetta

• Lappatura

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Trattamenti superficiali della fetta

• Attacco chimico

• La fetta viene trattata con

HNO3/Hac e HF per rimuovere le
cricche microscopiche e i danni
superficiali creati dal trattamento di
lappatura.

Trattamenti superficiali della fetta

Aspetto
della
superficie
della fetta
dopo la
lappatura e
successivo
attacco
chimico

24
 Trattamenti superficiali della fetta

• Lucidatura

Trattamenti superficiali della fetta

• Lucidatura

25
 Dopo taglio

Dopo arrotondamento
del bordo

Dopo lappatura

Dopo attacco chimico

Dopo lucidatura

Trattamenti superficiali della fetta

• Pulizia wafer
• Il wafer viene pulito con lavaggi in
cascata utilizzando soluzioni sia acide
che basiche.
• Rimozione impurità organiche:
NH3/H2O2/H 2O.
• Rimozione metalli e ossidi naturali:
HF/ H2O.
• Ulteriore pulizia: HF/ H 2O2.

26
Ossidazione termica del silicio

Ossido nativo: 2 nm a 300 K

Ossidazione termica: gli atomi di silicio in

superficie si legano con ossigeno
ossido stechiometrico (SiO 2)
buona qualita’ dell’interfaccia Si/SiO 2
proprieta’ elettriche stabili e controllabili

Deposizione: sia il silicio che l’ossigeno sono trasportati

sulla superficie del wafer dove reagiscono tra loro
strati di passivazione

27
Ossidazione termica

in tubo di quarzo a temperature tra 850°C e 1100°C

la velocita’ di reazione aumenta con la temperatura

secondo la legge di Arrhenius
v ≈ A exp (-Ea/kT) Ea = energia di attivazione [eV]

Ossidazione “dry” Si(s) + O2(g) → SiO 2(s)

Ossidazione “wet” (con vapore acqueo - piu’ rapida !)

Si(s) + 2H2O(g) → SiO 2(s) + 2H2(g)

28
Ossidazione termica del silicio

L’ossidazione avviene all’interfaccia Si-SiO2

le specie ossidanti devono attraversare lo strato
di ossido precedentemente formato

nella fase iniziale, a basse T, con strati

di SiO 2 sottili : crescita limitata dalla
velocita’ di reazione superficiale

a T elevate e con ossidi spessi:

crescita limitata dalla diffusione delle
specie ossidanti attraverso l’SiO2 gia’
formato.

Durante l’ossidazione, parte del silicio in

superficie viene “consumato”:

Si0 2 : 2.2 × 1022 atomi/cm 3

Si: 5 × 1022 atomi/cm 3
Lo spessore di silicio consumato e’
0.44 volte lo spessore del SiO2 che si forma

29
 F(1) = flusso della corrente gassosa alla superficie
F(2) = diffusione delle specie ossidanti attraverso SiO2
F(3) = velocita’ di reazione all’interfaccia SiO2/Si

C0 = concentrazione delle specie ossidanti alla superficie

C1 = concentrazione delle specie ossidanti
all’interfaccia SiO2/Si

Ossidazione termica
Tre fasi:

(1) trasferimento dalla fase gassosa all’SiO2

(2) diffusione attraverso l’SiO2 gia’ formato

(3) reazione con il Si sottostante

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Local Oxidation Of Silicon (LOCOS)

zona isolata tramite

“ossido di campo”

zona attiva
con ossido sottile

substrato di silicio

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 Tecniche di deposizione

Deposizione chimica da fase vapore

(Chemical Vapor Deposition, CVD)

- epitassia (Si su Si)

- deposizione di materiali dielettrici

(SiO2, Si3N4, ...)

- deposizione di silicio policristallino

(drogato = pista conduttiva)

Chemical vapor deposition

struttura del film depositato

- substrato (amorfo o cristallino)

- temperatura dell’ambiente e del substrato
- velocita’ di deposizione
- pressione del gas
- presenza di campi elettromagnetici
(plasma a radiofrequenza)

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 Epitassia

pirolisi del silano: SiH 4 → Si (s) + 2H 2 (gas)

reazione del tetracloruro di silicio con idrogeno:

SiCl 4 (gas) + 2 H2 (gas) → Si (s) + 4HCl (gas)

crescita epitassiale: substrato a 900ºC- 1250ºC

gas droganti: arsina (AsH3, fosfina PH3, diborano B2H6)

Epitassia

Tecnica molto costosa e usata solo se necessario

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Silicio policristallino (gate dei transistor MOS)

- substrato a 600ºC - 700 ºC

Silicio amorfo (celle solari, dispositivi particolari)

- substrato a < 600ºC

Deposizione di isolanti

biossido di silicio, SiO2: isolante tra diversi livelli di

metallizzazione, “passivazione” contro la
contaminazione esterna sulla superficie del chip
finito

SiH4 (gas) + O2 (gas) → SiO2 (s) + 2H 2 (gas)

nitruro di silicio, Si3N4: “maschera” l’ossidazione,

essendo impermeabile alle specie ossidanti;
utilizzato per l’isolamento tramite “ossidazione
locale” e come “passivazione”

34
 Dobbiamo essere in grado di aprire delle
“finestre” per introdurre droganti in modo
selettivo

SiO2

Si

Si- Bulk

FOTOLITOGRAFIA

maschera

FOTO-RESIST
SiO2

Si

Si- Bulk

35
 FOTOLITOGRAFIA

FOTO-RESIST
SiO2

Si

Si- Bulk

FOTOLITOGRAFIA

SiO2

Si

Si- Bulk

36
 FOTOLITOGRAFIA

Si

Si- Bulk

FOTOLITOGRAFIA (negativa)

maschera

FOTO-RESIST
SiO2

Si

Si- Bulk

37
 FOTOLITOGRAFIA

FOTO-RESIST
SiO2

Si

Si- Bulk

FOTOLITOGRAFIA

FOTO-RESIST
SiO2

Si

Si- Bulk

38
 FOTOLITOGRAFIA

SiO2

Si

Si- Bulk

FOTOLITOGRAFIA

maschera

Fotoresist

Silicio

39
 FOTOLITOGRAFIA

Fotor.

Silicio

Fotor.

Silicio

FOTOLITOGRAFIA
La fotolitografia è il procedimento di trasferimento
di una geometria da una maschera alla superficie
della fetta di silicio

Criteri di valutazione della Fotolitografia:

RISOLUZIONE: minima geometria che può essere

sviluppata con ripetibilità
ALLINEAMENTO: quanto strettamente due maschere
successive possono essere sovrapposte
THROUGHPUT: numero di fette processate in un’ora
PULIZIA: processo privo di difetti

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 ETCHING (o ATTACCO)
L’attacco è il processo di rimozione di una parte di
strato, definita per mezzo di una maschera: il
risultato, ottenuto con meccanismi di tipo fisico o
chimico, è il trasferimento di una figura nello strato.

La fedeltà nel trasferimento della figura viene

quantificata da due parametri:

SOVRATTACCO:

TOLLERANZA

SOVRATTACCO

Fotoresist

SiO2

Silicio

41
 SOVRATTACCO
Differenza tra le dimensioni laterali della figura dopo
attacco e quelle della maschera

dm

FILM

SUB.

df

ATTACCO

ISOTROPO ANISOTROPO
MASK MASK

FILM FILM

SUB. SUB.

WET etching DRY etching

42
 ATTACCO
WET etching
ISOTROPO

Mask

SiO2

Silicio

ATTACCO
DRY etching
ANISOTROPO

Mask

SiO2

Silicio

43
44
45
 Inserimento di Atomi droganti
Drogaggio è il processo con cui si introducono nel
silicio impurezze (atomi) di tipo accettore o
donore e che quindi forniscono portatori liberi.

Elemento Gruppo Tipo Portatori

B III P lacune
P V N elettroni
As V N elettroni

Tecnologie principali:
&predeposizione + diffusione
&impiantazione ionica + ricristall. + diffusione

Drogaggio per diffusione

Soluzione con Atomi Droganti

P-Si

46
 Drogaggio per diffusione

concentrazione
ln(x)

x
P-Si erfc(x)

Diffusione di Atomi Droganti

Diffusione sostituzionale

Si Si Si
Soluzione
contenente
atomi Si P Si
PPP
droganti PPP
tipo nP P P P
(P) Si Si Si

47
 Diffusione di Atomi Droganti
Diffusione per Rimpiazzamento

Si Si Si
Soluzione Si
contenente SiSi
Si
atomi Si P PSi
Si Si
P
droganti P P PP
tipo nP P P P
(P) Si Si Si

Diffusione di Atomi Droganti

Diffusione Interstiziale

Si Si Si
Soluzione
contenente
atomi Si Si Si
droganti
tipo n P P P P P P P P P P P
(P)
Si Si Si

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 Droganti attivi e non
Gli atomi droganti
per essere attivi e Si Si Si Si
quindi donare
portatori liberi P
devono essere in Si Si Si
P Si
posizione
sostituzionale.
Si Si Si Si
INATTIVE
P
Si Si
P Si Si
ATTIVE

Droganti attivi e non

Dopo una prima fase di diffusione c’è
bisogno di un riscaldamento ad alta
temperatura per permettere a tutte
le impurezze di occupare posizioni
sostituzionali e quindi di diventare attive.

In definitiva il drogaggio avviene

in due Fasi:
&predeposizione
&diffusione

49
 Predeposizione + diffusione
Predeposizione erfc
Ln(C)

Diffusione t1
Diffusione t2>t1

Diffusione t3>t2

Gaussiana

Limiti del drogaggio per diffusione

$Diffusione laterale

$Molto sensibile alla superficie

$Il picco di concentraz. è sempre in superficie

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 Impiantazione ionica

Drogaggio per impiantazione

P-Si

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 Drogaggio per impiantazione
caratteristiche (I)
Picco di concentrazione in profondità

concentrazione
ln(x)

x
P-Si Gaussiana

Drogaggio per impiantazione

caratteristiche (II)

Piccola diffusione laterale

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 Drogaggio per impiantazione
caratteristiche (III)
Grande danno reticolare
serve una fase di riassestamento del
cristallo che viene fatto ad alta
temperatura (annealing) che a sua volta
causa un fenomeno di ridistribuzione del
drogante (per diffusione, non voluto)
Per questo si è detto:
& impiantazione ionica
& ricristallizzazione
& diffusione

Impiantazione + ricrist. e diff.

Gaussiana
Ln(C) Impiantazione

Ricristallizzazione t1

Ricristall. t2>t1

Ricristall. t3>t2

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 Impiantazione + annealing ???
La fase di annealing As implanted
(necessaria) Ln(C)
fa perdere il vantaggio RTA
del picco di concentrazione Annealing
lontano dalla superficie. standard

RTA (rapid thermal annealing)

Alte temperature (1000 °C)
per tempi brevi (10 sec)
risolve il problema!
(più difficile da controllare!)

Impiantazione: CHANNELLING!

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 npn BJT

B E C
n+ n+
p
n-
n+
P-Si
bulk

Finchè non si è riusciti a crescere per

epitassia lo strato sepolto (buried layer) di
subcollettore il bjt in tecnologia planare non è
riuscito ad imporsi per il problema della RC.

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